KR20210152478A - 오염 트랩 - Google Patents
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Abstract
방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩이 제공되며, 오염 트랩은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하도록 구성된 복수의 베인을 포함하며, 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 30Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 포함한다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2019년 4월 17일에 출원된 EP 출원 19169778.8의 우선권을 주장하며, 이의 내용은 본 명세서에서 전체적으로 인용 참조된다.
본 발명은 오염 트랩 그리고 연관된 장치, 시스템 및 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상으로 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)로부터의 패턴을 기판 상에 제공된 방사선-감응 재료 (레지스트)의 층 상으로 투영할 수 있다.
패턴을 기판 상으로 투영하기 위하여 리소그래피 장치에 의하여 사용되는 방사선의 파장은 그 기판 상에 형성될 수 있는 피처(feature)의 최소 크기를 결정한다. 4 내지 20㎚ 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선인 EUV 방사선을 사용하는 리소그래피 장치가 (예를 들어 193㎚의 파장을 갖는 전자기 방사선을 사용할 수 있는) 일반적인 리소그래피 장치보다 기판 상에 더 작은 피처를 형성하기 위해 사용될 수 있다.
리소그래피 시스템은 하나 이상의 방사선 소스, 빔 전달 시스템 및 하나 이상의 리소그래피 장치를 포함할 수 있다. 빔 전달 시스템은 EUV 방사선을 하나 이상의 방사선 소스로부터 리소그래피 장치들의 각각으로 전달하도록 배열될 수 있다.
EUV 방사선은 플라즈마를 사용하여 생성될 수 있다. 플라즈마는, 예를 들어 방사선 소스의 연료에 레이저 빔을 지향시킴으로써 생성될 수 있다. 결과적인 플라즈마는 EUV 방사선을 방출할 수 있다. 연료의 일부는 연료 잔해물(debris)이 될 수 있으며, 이는 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소에 축적 또는 침착될 수 있다.
이것은 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염을 초래할 수 있으며, 이 오염은 세정하기 어려울 수 있다. 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염은 방사선 소스의 성능, 예를 들어 생성된 EUV 방사선의 품질 또는 파워의 감소로 이어질 수 있으며, 이는 결과적으로 관련된 리소그래피 장치의 성능 저하를 초래할 수 있다. 궁극적으로, 이는 방사선 소스의 구성 요소가 세정 또는 교체되는 동안 리소그래피 장치의 상당한 가동 정지 시간으로 이어질 수 있다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩이 제공되며, 오염 트랩은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하도록 구성된 복수의 베인을 포함하며, 여기서 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 포함한다.
복수의 베인 중 적어도 하나 또는 각 베인에 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 제공함으로써, 오염 트랩 (예를 들어, 복수의 베인 또는 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인)의 열특성이 개선될 수 있다. 오염 트랩의 열 특성은 30 Wm-1K-1보다 낮은 열전도도를 갖는 스테인리스 강으로 만들어진 복수의 베인을 포함하는 오염 트랩의 열특성에 비해 개선된 것으로 간주될 수 있다. 오염 트랩의 개선된 열특성은 오염 트랩의 온도를 연료 잔해물의 용융 온도보다 낮게 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 베인의 개선된 열특성은, 예를 들어 500W까지와 같은 200W보다 큰 파워를 갖는 방사선 (예를 들어, EUV 방사선)의 생성을 허용하면서, 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염 증가를 방지할 수 있다.
재료는 100 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함할 수 있다.
재료는 500 Wm-1K-1 미만의 열전도도를 포함할 수 있다.
재료는 전이 금속을 포함할 수 있다.
재료는 몰리브덴, 몰리브덴 화합물, 몰리브덴 합금, 구리, 구리 합금, 및 구리 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 재료로서의 몰리브덴, 몰리브덴 화합물, 몰리브덴 합금, 구리, 구리 합금, 및 구리 화합물 중 적어도 하나의 제공은 오염 트랩의 개선된 열특성으로 이루어질 수 있다.
다수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 제1 부분을 포함할 수 있다. 다수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 제2 부분을 포함할 수 있다.
복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인의 제1 부분은 잔해물 수용 표면을 포함할 수 있다. 잔해물 수용 표면은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 수용하도록 배열될 수 있다.
제1 부분은 플라즈마 형성 영역을 향하여 돌출 또는 연장되도록 배열될 수 있다. 제1 부분은 제2 부분 상에 배열될 수 있다.
복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 추가 재료를 포함할 수 있다. 제1 부분은 재료 및/또는 추가 재료를 포함할 수 있다. 제2 부분은 재료를 포함할 수 있다.
재료 및 추가 재료는 실질적으로 동일한 열팽창 계수를 가질 수 있다. 이는 재료와 추가 재료 사이의 강한 화학적 및/또는 기계적 결합으로 이어질 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 예를 들어 복수의 방사선 소스가 열에 노출될 때, 즉, 사용 중에, 재료와 추가 재료 사이의 (예를 들어, 재료와 추가 재료 사이의 계면에서의) 기계적 응력은 감소될 수 있다.
재료는 구리, 구리 합금 또는 구리 화합물을 포함할 수 있다. 추가 재료는 합금 또는 강 합금을 포함할 수 있다.
오염 트랩, 예를 들어 복수의 베인 또는 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 예를 들어 전체 열전도도와 같은, 약 140 Wm-1K-1 또는 140 Wm-1K-1보다 큰 열전도를 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩이 제공되며, 오염 트랩은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하도록 구성된 복수의 베인을 포함하며; 여기서 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 재료 및/또는 추가 재료를 포함하고, 재료는 추가 재료의 열전도도보다 큰 열전도도를 포함한다.
복수의 베인 중 적어도 하나 또는 각 베인에 재료 및/또는 추가 재료-여기서 재료는 추가 재료의 열전도도보다 큰 열전도도를 포함할 수 있다-를 제공함으로써, 오염 트랩 (예를 들어, 복수의 베인 또는 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인)의 열특성이 개선될 수 있다. 예를 들어, 오염 트랩의 개선된 열특성은 오염 트랩의 온도를 연료 잔해물의 용융 온도보다 낮게 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 베인의 개선된 열특성은, 예를 들어 500W까지와 같은 200W보다 큰 파워를 갖는 방사선 (예를 들어, EUV 방사선)의 생성을 허용하면서, 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염 증가를 방지할 수 있다.
제2 양태의 오염 트랩은 제1 양태의 오염 트랩의 임의의 특징부를 포함할 수 있다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩이 제공되며, 오염 트랩은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하도록 구성된 복수의 베인을 포함하며, 여기서 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 제1 부분과 제2 부분을 포함한다.
복수의 베인 중 적어도 하나 또는 각 베인에 제1 부분과 제2 부분을 제공함으로써, 오염 트랩의 열특성은 제1 부분 및/또는 제2 부분의 재료를 선택함으로써 변하거나 조정될 수 있다 (또는 변화 가능하거나, 조정 가능하다).
복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인의 제1 부분은 잔해물 수용 표면을 포함할 수 있다. 잔해물 수용 표면은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 잔해물을 데브리를 수용하도록 배열될 수 있다.
제1 부분은 플라즈마 형성 영역을 향하여 돌출 또는 연장되도록 배열될 수 있다. 제1 부분은 제2 부분 상에 배열될 수 있다.
복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 재료를 포함할 수 있다.
복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 추가 재료를 포함할 수 있다.
제1 부분은 재료 및/또는 추가 재료를 포함할 수 있다. 제2 부분은 재료를 포함할 수 있다.
재료는 추가 재료의 열전도도보다 큰 열전도도를 포함할 수 있다.
재료 및 추가 재료는 실질적으로 동일한 열팽창 계수를 가질 수 있다.
재료는 구리, 구리 합금 또는 구리 화합물을 포함할 수 있다. 추가 재료는 합금 또는 강 합금을 포함할 수 있다.
제3 양태의 오염 트랩은 제1 양태 및/또는 제2 양태의 오염 트랩의 임의의 특징부를 포함할 수 있다.
본 발명의 제4 양태에 따르면, 방사선 소스 내에서의 사용을 위한 잔해물 경감 시스템이 제공되며, 잔해물 경감 시스템은 제1, 제2 또는 제3 양태에 따른 오염 트랩; 오염 트랩의 복수의 베인을 가열하기 위한 가열 배열체; 및 플라즈마 형성의 결과로 생성된 열을 오염 트랩의 복수의 베인으로부터 멀리 수송하기 위한 냉각 배열체를 포함한다.
본 발명의 제5 양태에 따르면, 연료 타겟을 플라즈마 형성 영역으로 제공하기 위한 연료 방출기; 및 제4 양태에 따른 잔해물 경감 시스템을 포함하는, 방사선을 생성하기 위한 방사선 소스가 제공된다.
본 발명의 제6 양태에 따르면, 제5 양태에 따른 방사선 소스; 및 리소그래피 장치를 포함하는 리소그래피 시스템이 제공된다.
본 발명의 제7 양태에 따르면, 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩의 제조 방법이 제공되며, 본 방법은 복수의 베인을 포함하는 오염 트랩을 형성하는 것을 포함하며; 복수의 베인은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하기 위하여 배열되며; 그리고 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 포함한다.
본 방법은 추가 재료를 포함하는 예비 성형 부분을 제공하는 것; 예비 성형 부분에 복수의 개구 또는 공간을 형성하는 것; 복수의 개구 또는 공간 중 적어도 하나 또는 각 개구 또는 공간에 재료를 배열하는 것; 복수의 또는 공간의 적어도 하나 또는 각 개구 또는 공간의 적어도 일부를 추가 재료를 포함하는 외함 부분으로 둘러싸는 것; 및 예비 성형 부분, 재료 및/또는 외함 부분을 재료의 용융 온도보다 높은 온도로 가열하는 것 중 하나 이상을 포함한다.
재료와 추가 재료는 실질적으로 동일한 열팽창 계수를 가질 수 있다.
재료는 구리, 구리 합금 또는 구리 화합물을 포함할 수 있다. 추가 재료는 합금 또는 강 합금을 포함할 수 있다.
본 발명의 제8 양태에 따르면, 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩의 제조 방법이 제공되며, 본 방법은 복수의 베인을 포함하는 오염 트랩을 형성하는 것을 포함하며; 복수의 베인은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하기 위하여 배열되고, 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 재료 및/또는 추가 재료를 포함하며, 재료는 추가 재료의 열전도도보다 큰 열전도도를 포함한다.
제8 양태의 방법은 제7 양태의 방법의 임의의 특징을 포함할 수 있다.
본 발명의 제9 양태에 따르면, 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩의 제조 방법이 제공되며, 본 방법은 복수의 베인을 포함하는 오염 트랩을 형성하는 것을 포함하며; 복수의 베인은 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하기 위하여 배열되고; 그리고 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 제1 부분과 제2 부분을 포함한다.
제9 양태의 방법은 제7 양태 및/또는 제8 양태의 방법의 임의의 특징을 포함할 수 있다.
위에 또는 하기에 제시된 본 발명의 다양한 측면 및 특징은 당업자에게 용이하게 명백한 바와 같이 본 발명의 다양한 다른 측면 및 특징과 조합될 수 있다.
첨부된 개략적인 도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 단지 예로서 설명될 것이며, 도면에서:
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서 사용하기 위한 리소그래피 장치, 방사선 소스 및 오염 트랩을 포함하는 리소그래피 시스템을 도시하고 있다.
도 2는 도 1의 오염 트랩을 도시하고 있다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 방사선 소스에서 사용하기 위한 잔해물 경감 시스템을 도시하고 있다.
도 3b는 도 3a의 잔해물 경감 시스템의 일부를 도시하고 있다.
도 3c는 도 3b의 선 A-A'를 따른 잔해물 경감 시스템의 일부의 단면도를 도시하고 있다.
도 3d는 도 3b의 선 B-B'를 따른 잔해물 경감 시스템의 일부의 단면도를 도시한다.
도 4a는 도 2의 오염 트랩의 예시적인 베인의 평면도를 도시하고 있다.
도 4b는 도 2의 오염 트랩의 예시적인 베인의 평면도를 도시하고 있다.
도 4c는 도 2의 오염 트랩의 예시적인 베인의 평면도를 도시하고 있다.
도 4d는 도 4a의 C-C'선을 따른 베인의 단면도를 도시하고 있다.
도 5는 방사선 소스가 켜져 있을 때 오염 트랩에 의해 흡수된 열 부하에 대해 의존적인 오염 트랩의 온도의 그래프를 도시한다.
도 6은 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서 사용하기 위한 오염 트랩의 제조 방법의 예시적인 공정 흐름을 도시하고 있다.
도 7은 도 6에 도시된 공정 흐름을 사용하여 제조될 수 있는 오염 트랩의 일부를 도시하고 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서 사용하기 위한 리소그래피 장치, 방사선 소스 및 오염 트랩을 포함하는 리소그래피 시스템을 도시하고 있다.
도 2는 도 1의 오염 트랩을 도시하고 있다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 방사선 소스에서 사용하기 위한 잔해물 경감 시스템을 도시하고 있다.
도 3b는 도 3a의 잔해물 경감 시스템의 일부를 도시하고 있다.
도 3c는 도 3b의 선 A-A'를 따른 잔해물 경감 시스템의 일부의 단면도를 도시하고 있다.
도 3d는 도 3b의 선 B-B'를 따른 잔해물 경감 시스템의 일부의 단면도를 도시한다.
도 4a는 도 2의 오염 트랩의 예시적인 베인의 평면도를 도시하고 있다.
도 4b는 도 2의 오염 트랩의 예시적인 베인의 평면도를 도시하고 있다.
도 4c는 도 2의 오염 트랩의 예시적인 베인의 평면도를 도시하고 있다.
도 4d는 도 4a의 C-C'선을 따른 베인의 단면도를 도시하고 있다.
도 5는 방사선 소스가 켜져 있을 때 오염 트랩에 의해 흡수된 열 부하에 대해 의존적인 오염 트랩의 온도의 그래프를 도시한다.
도 6은 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서 사용하기 위한 오염 트랩의 제조 방법의 예시적인 공정 흐름을 도시하고 있다.
도 7은 도 6에 도시된 공정 흐름을 사용하여 제조될 수 있는 오염 트랩의 일부를 도시하고 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 소스(SO)의 잔해물 경감 시스템에서 사용하기 위한 오염 트랩(16)을 포함하는 리소그래피 시스템을 보여주고 있다. 리소그래피 시스템은 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하고 있다. 방사선 소스(SO)는 극자외(EUV) 방사선 빔(B)을 생성하도록 그리고 EUV 방사선 빔(B)을 리소그래피 장치(LA)에 공급하도록 구성되어 있다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA) (예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함하고 있다.
조명 시스템(IL)은 방사선 빔이 패터닝 디바이스(MA)에 입사되기 전에 방사선 빔(B)을 조정하도록 구성되어 있다. 투영 시스템은 (이제 마스크(MA)에 의해 패터닝된) 방사선 빔(B)을 기판(W) 상으로 투영하도록 구성되어 있다. 기판(W)은 이전에 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치는 패터닝된 방사선 빔(B)을 앞서 기판(W) 상에 형성된 패턴과 정렬시킨다.
방사선 소스(SO), 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)은 모두 외부 환경으로부터 격리될 수 있도록 구성되고 배열될 수 있다. 대기압보다 낮은 압력의 가스 (예를 들어, 수소)가 방사선 소스(SO) 내에 제공될 수 있다. 진공이 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 제공될 수 있다. 상대적인 진공, 예를 들어 대기압보다 훨씬 낮은 압력의 소량의 가스 (예를 들어, 수소)가 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 제공될 수 있다.
도 1에서 보여지는 방사선 소스(SO)는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스로 지칭될 수 있는 유형이다. 예를 들어 CO2 레이저일 수 있는 레이저(1)는 에너지를 레이저 빔(2)을 통해, 연료 방출기(3)로부터 제공되는 주석(Sn)과 같은 연료 내로 침착(deposit)시키도록 배열되어 있다. 다음의 설명에서 주석이 언급되지만, 임의의 적절한 연료가 사용될 수 있다. 연료는, 예를 들어 액체 형태일 수 있으며, 예를 들어 금속 또는 합금일 수 있다. 연료 방출기(3)는 예를 들어 액적 형태의 주석을 궤적을 따라 플라즈마 형성 영역(4)으로 향하도록 구성된 노즐을 포함할 수 있다. 레이저 빔(2)은 플라즈마 형성 영역(4)에서 주석에 입사된다. 주석으로의 레이저 에너지의 침착은 플라즈마 형성 영역(4)에서 플라즈마(7)를 생성한다. EUV 방사선을 포함하는 방사선은 플라즈마의 이온의 탈-여기(de-excitation) 및 재결합 동안 플라즈마(7)로부터 방출된다.
EUV 방사선은 컬렉터(5)에 의해 수집되고 집속된다. 컬렉터(5)는, 예를 들어 근수직 입사 방사선 컬렉터(5) (때때로 보다 일반적으로 수직 입사 방사선 컬렉터로 지칭됨)를 포함한다. 컬렉터(5)는 EUV 방사선 (예를 들어, 13.5㎚와 같은 원하는 파장을 갖는 EUV 방사선)을 반사하도록 배열된 다층 구조체를 가질 수 있다. 컬렉터(5)는 2개의 타원 초점을 갖는 타원형 구성을 가질 수 있다. 아래에서 논의되는 바와 같이, 제1 초점은 플라즈마 형성 영역(4)에 있을 수 있으며, 제2 초점은 중간 초점(6)에 있을 수 있다.
레이저(1)는 방사선 소스(SO)로부터 멀리 떨어져 있을 수 있다. 이 경우, 레이저 빔(2)은 예를 들어 적절한 지향 미러 및/또는 빔 익스팬더(beam expander) 및/또는 다른 광학계를 포함하는 빔 전달 시스템 (보이지 않음)의 도움으로 레이저(1)로부터 방사선 소스(SO)로 전달될 수 있다. 레이저(1)와 방사선 소스(SO)는 함께 방사선 시스템으로 간주될 수 있다.
컬렉터(5)에 의하여 반사된 방사선은 방사선 빔(B)을 형성한다. 방사선 빔(B)은 지점(6)에서 집속되어 플라즈마 형성 영역(4)의 이미지를 형성하며, 이는 조명 시스템(IL)을 위한 가상의 방사선 소스로서의 역할을 한다. 방사선 빔(B)이 집속되는 지점(6)은 중간 초점으로서 지칭될 수 있다. 방사선 소스(SO)는 중간 초점(6)이 방사선 소스의 외함 구조체(9)의 개구(8)에 또는 그 부근에 위치되도록 배열되어 있다.
방사선 빔(B)은 방사선 소스(SO)로부터, 방사선 빔(B)을 조정하도록 구성된 조명 시스템(IL)으로 나아간다. 조명 시스템(IL)은 패싯(facetted) 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 방사선 빔(B)에 원하는 횡단면 형상 및 원하는 각도 세기 분포를 제공한다. 방사선 빔(B)은 조명 시스템(IL)으로부터 나아가며, 지지 구조체(MT)에 의해 유지되는 패터닝 디바이스(MA)에 입사된다. 패터닝 디바이스(MA)는 방사선 빔(B)을 반사시키고 패터닝한다. 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그들 대신에 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)로부터의 반사에 이어서, 패터닝된 방사선 빔(B')은 투영 시스템(PS)으로 들어간다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판(W) 상으로 투영시키도록 구성되어 있다. 투영 시스템은 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상으로 패터닝된 방사선 빔(B')을 투영시키도록 구성된 복수의 미러(13, 14)를 포함하고 있다. 투영 시스템(PS)은 방사선 빔에 감소 지수(reduction factor)를 적용하여 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응 피처보다 작은 피처를 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들어, 4 또는 8의 감소 지수가 적용될 수 있다. 도 1에서의 투영 시스템(PS)은 2개의 미러를 갖고 있지만, 투영 시스템은 임의의 수의 미러 (예를 들어, 6개 또는 8개의 미러)를 포함할 수 있다.
기판(W)은 앞서 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치(LA)는 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 의해 형성된 이미지를 기판(W) 상에 앞서 형성된 패턴과 정렬한다.
도 1에서 보여지는 방사선 소스(SO)는 도시되지 않은 구성 요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 스펙트럼 필터가 방사선 소스 내에 제공될 수 있다. 스펙트럼 필터는 EUV 방사선에 대하여 실질적으로 투과식일 수 있지만, 적외선과 같은 방사선의 다른 파장에 대하여 실질적으로 차단식일 수 있다.
방사선 소스(SO)는 EUV 방사선이 생성되는 온 상태(on state)를 포함할 수 있다. 방사선 소스(SO)는 EUV 방사선이 생성되지 않는 오프 상태(off state)를 포함할 수 있다. 방사선 소스는 온 상태와 오프 상태 사이에서 작동적일 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 방사선 소스(SO)의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩(16)을 보여주고 있다. 오염 트랩(16)은 복수의 베인(vanes)(16a)을 포함하고 있다 (베인들 중 2개가 도 2에서 보여지고 있다). 베인(16a)은 방사선 소스(SO)의 플라즈마 형성 영역(4)으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하도록 구성될 수 있다. 베인(16a)은 베인(16)으로부터, 예를 들어 연료 컬렉터(보이지 않음)를 향하여 연료 잔해물의 제거를 허용하도록 구성될 수 있다. 예를 들어 주석이 연료로서 사용될 때, 연료 잔해물은, 예를 들어 Sn 클러스터, Sn 마이크로입자, Sn 나노입자 및/또는 Sn 증착물과 같은 미립자 잔해물, 예를 들어 Sn 증기, SnHx 증기, Sn 원자, Sn 이온과 같은 분자 및/또는 원자 잔해물을 포함할 수 있다.
오염 트랩(16)은 플라즈마 형성 영역(4)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 방사선 소스(SO)는 챔버(20)를 포함할 수 있다. 오염 트랩(16)은 챔버(20)의 일부일 수 있거나 챔버 내에 포함될 수 있다. 오염 트랩(16)은 챔버(20)의 내부 벽의 적어도 일부를 제공할 수 있다. 챔버(20)는 원뿔 형상을 가질 수 있다. 본 명세서에 개시된 챔버는 원뿔 형상을 갖는 것으로 제한되지 않는다는 점이 인식될 것이다. 예를 들어, 다른 실시예에서 챔버는 원통형 또는 다면체 형상 등을 가질 수 있다. 오염 트랩(16)은 원뿔대 형상을 포함할 수 있다. 본 명세서에 개시된 오염 트랩은 원뿔대 형상을 포함하는 것으로 제한되지 않는다는 점이 인식될 것이다. 예를 들어, 다른 실시예에서 오염 트랩은 원통형 또는 절두체 등의 형상을 포함할 수 있다.
베인(16a)은 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 포함할 수 있다. 베인에 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 제공함으로써 베인 및/또는 오염 트랩의 열특성이 개선될 수 있다. 예를 들어, 베인 및/또는 오염 트랩의 개선된 열특성은 베인 및/또는 오염 트랩의 온도를 연료 잔해물의 용융 온도 미만으로 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다. 주석이 연료로서 사용되는 예에서, 베인 및/또는 오염 트랩의 온도는 200℃ 미만으로 유지될 수 있으며, 이 온도는 주석의 약 230℃의 용융 온도 미만이다. 이는, 예를 들어 컬렉터(5)와 같은, 방사선 소스(SO)의 하나 이상의 구성 요소의 오염을 방지 또는 감소시킬 수 있다. 연료의 용융 온도보다 높은 온도에서, 연료 잔해물은 액체 및/또는 방울이 될 수 있거나, 그렇지 않으면 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소 상에 분출될 수 있다. 액체 연료 잔해물의 분출은 스핏팅(spitting)으로 지칭될 수 있다. 액체 연료 잔해물의 분출은 수소 라디칼(radicals)과 액체 연료 잔해물 사이의 상호작용으로 인한 것일 수 있다. 예를 들어, 수소(H2) 분자는 그의 열 흡수 및/또는 EUV 복사 또는 이온 충돌로 인해 수소 라디칼로 나누어질 수 있다. 다르게 표현하면, 예를 들어 EUV 방사선의 영향 하에서, 수소 플라즈마가 방사선 소스(SO) 내에 형성될 수 있다. 수소 플라즈마는 반응성 종(reactive species)(H, H+ 등)을 함유할 수 있으며, 이는 수소 라디칼로 지칭될 수 있는다. 수소 라디칼은 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소, 예를 들어 컬렉터(5)로부터 연료 잔해물을 제거, 예를 들어 에칭할 수 있다. 그러나 예를 들어 H+와 같은 일부 수소 라디칼은 액체 연료 잔해물 층을 관통할 수 있으며 액체 연료 잔해물 층 내부에 수소 기포를 형성할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 기포는 표면을 뚫을 수 있으며, 하나 이상의 기포의 후속 붕괴시, 연료 잔해물, 예를 들어 미립자 연료 잔해물은 방사선 소스(SO)로 분출 또는 방출될 수 있다. 액체 연료 잔해물의 이 버블링 또는 스피팅은, 예를 들어 컬렉터(5)와 같은 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염의 주요 원인으로 간주될 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 베인 및/또는 오염 트랩의 개선된 열특성은, 예를 들어 500W까지와 같은 200W보다 큰 파워를 갖는 EUV 방사선의 생성을 허용하면서, 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염 증가를 방지할 수 있다.
재료는 50 Wm-1K-1, 70 Wm-1K-1 및/또는 90 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함할 수 있다. 예를 들어, 재료는 100 Wm-1K-1, 120 Wm-1K-1, 140 Wm-1K-1, 160 Wm-1K-1, 180 Wm-1K-1, 200 Wm-1K-1, 220 Wm-1K-1, 및/또는 240 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함할 수 있다. 재료는 500 Wm-1K-1 미만의 열전도도를 포함할 수 있다. 예를 들어, 재료는 480 Wm-1K-1, 460 Wm-1K-1, 440 Wm-1K-1 미만, 및/또는 420 Wm-1K-1 미만의 열전도도를 포함할 수 있다.
재료는 하나 이상의 매개변수(들)를 기반으로 선택될 수 있다. 하나 이상의 매개변수는 예를 들어 방사선 소스(SO) 내의 연료 및/또는 환경, 예를 들어 방사선 소스(SO) 내의 수소 환경으로 인한 부식에 대한 저항과 같은 재료의 내부식성을 포함할 수 있다. 하나 이상의 매개변수(들)는, 예를 들어 방사선 소스(SO) 내의 방사선, 플라즈마(7) 및/또는 베인(16)의 온도 증가로 인하여 베인(16a)에 작용하는 열 부하에 대한 재료의 저항을 포함하여, 예를 들어 후술하는 바와 같이, 베인(16a)으로부터의 연료 잔해물의 제거를 용이하게 할 수 있다. 하나 이상의 매개변수(들)는 위에서 설명된 바와 같이, 방사선 소스(SO) 내에 존재할 수 있는 수소 라디칼과의 재료의 상호작용을 포함할 수 있다.
재료는 금속 또는 전이 금속(transition metal)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 재료는 몰리브덴, 몰리브덴 합금 또는 화합물, 구리, 구리 합금 또는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몰리브덴은 약 140 Wm-1K-1의 열전도도를 포함할 수 있다. 구리는 약 400 Wm-1K-1의 열전도도를 포함할 수 있다.
도 3a는 방사선 소스(SO)에서의 사용을 위한 잔해물 경감 시스템(18)을 보여주고 있다. 도 3b는 도 3a에서 보여지는 잔해물 경감 시스템(18)의 일부를 보여주고 있다. 도 3c는 도 3b의 선 A-A'를 따른 잔해물 경감 시스템(18)의 일부의 단면도를 보여주고 있다. 도 3d는 도 3b의 선 B-B'를 따른 잔해물 경감 시스템(18) 일부의 단면도를 보여주고 있다.
도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 잔해물 경감 시스템(18)은 오염 트랩(16)을 포함할 수 있다. 잔해물 경감 시스템(18)은 오염 트랩(16)의 베인(16a)을 가열하기 위한 가열 배열체(22)를 포함할 수 있다. 가열 배열체(22)는, 예를 들어 방사선 소스가 오프 상태일 때 오염 트랩(16)의 베인(16a)을 가열하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 가열 배열체(22)는 방사선 소스(SO)의 유지 보수 작업 동안 오염 트랩(16)의 베인(16a)을 가열하여, 예를 들어 베인(16a) 및/또는 방사선 소스(SO)의 다른 구성 요소로부터의 연료 잔해물의 제거를 허용할 수 있다. 가열 배열체(22)는 베인(16a)을 연료 잔해물의 용융 온도보다 높은 온도로 가열하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 주석이 연료로서 사용될 때, 가열 배열체(22)는 주석을 액체 상태로 유지하기 위해 베인을, 예를 들어 250℃를 넘는 것과 같은 230℃보다 높은 온도로 가열하도록 구성될 수 있다. 이것은 오염 트랩(16)의 베인(16a)으로부터 연료 잔해물이 제거를 용이하게 할 수 있다. 아래에서 설명될 바와 같이, 가열 배열체(22)는 복수의 가열 요소를 포함할 수 있다. 잔해물 경감 시스템(18)은 복수의 보어 또는 채널(26)을 포함할 수 있다. 보어 또는 채널(26)은 오염 트랩(16)의 일부일 수 있거나 오염 트랩에 포함될 수 있다. 예를 들어, 오염 트랩의 각 베인(16a)은 각각의 보어 또는 채널(26)을 포함할 수 있다. 각 보어 또는 채널(26)은 각 가열 요소를 수용하도록 구성될 수 있다.
잔해물 경감 시스템(18)은 플라즈마 형성의 결과로 생성된 열을 오염 트랩(16)의 베인(16a)으로부터 멀리 수송하기 위한 냉각 배열체(28)를 포함할 수 있다. 방사선 소스(SO)가 켜져 있을 때, 냉각 배열체(28)는 연료 잔해물의 용융 온도 미만의 온도에서 베인(16a)을 유지시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 주석이 연료로 사용될 때, 냉각 배열체(28)는 베인(16a)의 온도를 230℃ 미만으로 유지하도록 구성될 수 있다. 아래에서 설명될 바와 같이, 냉각 배열체(28)는 복수의 냉각제 채널을 포함할 수 있다.
잔해물 경감 시스템(18)은 가열 배열체(22)와 냉각 배열체(28) 사이에 갭(32)을 포함할 수 있다. 냉각 배열체(28)는 가열 배열체(22)와 갭(32)을 통해 베인(16a)과 열적 연통할 수 있다. 다시 말해서, 열은 가열 배열체(22) 및 갭(32)을 통해 베인(16a)으로부터 냉각 배열체(28)로 수송될 수 있다. 도 3a에서 가장 잘 알 수 있는 바와 같이, 가열 배열체(22), 갭(32) 및/또는 냉각 배열체(28)는 베인(16a), 예를 들어 오염 트랩(16) 주위에 동심으로 배열될 수 있다.
잔해물 경감 시스템(18)은 가스 흐름을 베인(16a)으로부터 멀어지게 향하도록 구성될 수 있다. 이는 오염 트랩(16), 예를 들어 베인(16a) 상에 침착될 수 있는 연료 잔해물의 양을 감소시킬 수 있다. 이는 결과적으로 방사선 소스(SO)의 유지 보수 작업들 사이의 기간을 증가시켜, 예를 들어 베인(16a) 및/또는 방사선 소스(SO)의 다른 구성 요소로부터 연료 잔해물을 제거할 수 있다. 잔해물 경감 시스템(18)은 복수의 노즐(34)을 포함할 수 있다. 노즐(34)은 가스 흐름을 베인(16a)으로부터 멀어지게 향하도록 배열될 수 있다. 예를 들어, 적어도 2개의 베인(16a) 사이에 하나 이상의 노즐(34)이 제공될 수 있다. 잔해물 오염 시스템(18)은 가스 흐름을 노즐(34)로 향하게 하기 위한 복수의 추가 채널(36)을 포함할 수 있다. 가스 흐름은 수소 가스를 포함할 수 있다. 그러나 다른 실시예에서, 예를 들어 아르곤 또는 헬륨, 또는 가스 혼합물과 같은 다른 가스가 사용될 수 있다는 것이 인식될 것이다.
도 4a 내지 도 4c는 오염 트랩(16)의 예시적인 베인(16a)의 평면도를 보여주고 있다. 도 4a 내지 도 4c의 각각은 냉각 배열체(28)의 일부 및 각각의 베인(16a)과 연관될 수 있는 갭(32)의 일부를 보여주고 있다. 오염 트랩(16)의 각 베인(16a)은 제1 부분(38)과 제2 부분(40)을 포함할 수 있다. 각 베인의 제1 부분(38)은 방사선 소스(SO)의 플라즈마 형성 영역(4)으로부터 방출된 연료 잔해물을 수용하도록 배열된 잔해물 수용 표면(38a)을 포함할 수 있다. 각 베인(16a)의 제1 부분(38)은 (도 2에서 지시된 바와 같이) 플라즈마 형성 영역(4)을 향하여 돌출 또는 연장하도록 배열될 수 있다. 각 베인(16a)의 제1 부분(38)은 각각의 제2 부분(40) 상에 배열될 수 있다.
도 4a에서 보여진 예에서, 각 베인(16a)의 제1 부분(38) 및 제2 부분(40)은 각각 재료를 포함할 수 있다. 도 4a 내의 점선은 베인(16a)의 제1 부분(38)과 제2 부분(40)의 표시를 위해 사용되고 있다. 이 실시예에서, 재료는 몰리브덴 또는 이의 화합물 또는 합금과 같은 금속 또는 전이 금속을 포함할 수 있다. 재료로서 몰리브덴의 제공은 베인(16a) 및/또는 오염 트랩(16)의 개선된 열특성으로 이어질 수 있다. 예를 들어, 베인(16a) 및/또는 오염 트랩(16)의 개선된 열특성은 베인(16a) 및/또는 오염 트랩(16)의 온도를 연료 잔해물의 용융 온도 미만으로 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다. 주석이 연료로 사용되는 예에서, 베인(16a) 및/또는 오염 트랩(16)의 온도는 200℃ 미만으로 유지될 수 있으며, 이는 주석의 약 230℃의 용융 온도 미만이다. 이는, 위에서 설명된 바와 같이, 예를 들어 스피팅으로 인한, 예를 들어 컬렉터(5)와 같은 방사선 소스(SO)의 하나 이상의 구성 요소의 오염을 방지하거나 감소시킬 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 베인 및/또는 오염 트랩의 개선된 열특성은, 예를 들어 500W까지와 같은 200W보다 큰 파워를 갖는 EUV 방사선의 생성을 허용하면서, 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염 증가를 방지할 수 있다.
도 4b 및 도 4c를 참조하면, 각 베인(16a)은 추가 재료를 포함할 수 있다. 재료는 추가 재료의 열전도도보다 클 수 있는 열전도도를 포함할 수 있다. 추가 재료는 위에서 설명된 하나 이상의 매개변수(들) 중 적어도 하나를 기반으로 선택될 수 있다. 재료 및 추가 재료는 실질적으로 동일한 열팽창 계수를 가질 수 있다. 이는 재료와 추가 재료 사이의 강한 화학적 및/또는 기계적 결합으로 이어질 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 예를 들어 방사선 소스가 켜져 있을 때의 베인이 열에 노출될 때 재료와 추가 재료 사이의 계면에서의 기계적 응력이 감소될 수 있다.
도 4b에서 보여지는 예에서, 제1 부분(38)은 추가 재료를 포함할 수 있으며 제2 부분(40)은 재료를 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 추가 재료는 합금 또는 강 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 추가 재료는 예를 들어 AISI/S AE 강종(steel grade) 316L과 같은 스테인리스 강을 포함할 수 있으며, 이는 약 2%의 망간(Mn), 16 내지 18%의 크롬(Cr), 8 내지 13%의 니켈(Ni) 및 2%의 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 스테인리스 강은 약 10×10-6℃-1 내지 18×10-6℃-1 범위의 열팽창 계수를 가질 수 있다. 예를 들어, AISI/S AE 강종 316L은 약 16×10-6℃-1의 열팽창 계수를 가질 수 있다. 도 4b에서 보여지는 예에서, 재료는 예를 들어 무산소 구리(OFC) 또는 무산소의 높은 열전도도(OFHC)의 구리와 같은, 구리 또는 그의 화합물 또는 합금을 포함할 수 있다. 무산소 구리 또는 무산소의 높은 열전도도의 구리는 0.001%의 산소 또는 0.001% 미만의 산소를 포함할 수 있다. 구리, 예를 들어 구리 합금은 약 16×10-6℃-1 내지 21×10-6℃-1 범위 내의 열팽창 계수를 가질 수 있다. 제2 부분(40)은, 예를 들어 25㎜와 같은, 20 내지 30㎜ 범위의 폭(W)을 가질 수 있다. 재료로서 무산소 구리 또는 무산소의 높은 열전도도의 구리 그리고 추가 재료로서 ISI/S AE 강종 316L의 제공은 재료와 추가 재료 사이의 강한 화학적 및/또는 기계적 결합으로 이어질 수 있다.
재료로서, 예를 들어 무산소 구리 또는 무산소의 높은 열전도도의 구리와 같은 구리 또는 이들의 화합물 또는 합금 그리고 추가 재료로서 예를 들어 AISI/S AE 강종 316L과 같은 스테인리스 강을 포함하는 베인은 약 140 Wm-1K-1의 열전도도, 예를 들어 전체 열전도도를 포함할 수 있다. 오염 트랩을 제조하는 동안, 예를 들어 아래에 설명되는 바와 같이 재료, 예를 들어 구리 또는 그의 화합물 또는 합금이 오염될 수 있다. 이는 재료의 달라진, 예를 들어 감소된 열전도도를 초래할 수 있다. 예를 들어, 재료가 그의 용융 온도보다 높게 가열될 때, 추가 재료의 화합물, 예를 들어 스테인리스 강은 재료 속으로 확산될 수 있으며, 그에 의하여 재료의 열전도도를 변화시킬 수 있다. 이 예에서 니켈 원자는 재료 내로 확산될 수 있으며, 이는 구리(또는 그의 화합물 또는 합금)의 열전도도가 약 240 Wm-1K-1로 낮아지는 것을 야기할 수 있다. 본 명세서에 개시된 재료, 예를 들어 구리 또는 이의 합금 또는 화합물은 약 240 Wm-1K-1의 열전도도를 포함하는 것으로 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 구리 또는 그의 합금 또는 화합물의 열전도도는, 위에서 설명된 바와 같이, 예를 들어 약 400 Wm-1K-1과 같은, 240 Wm-1K-1보다 클 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 본 명세서에 개시된 오염 트랩이 약 140 Wm-1K-1의 열전도도를 포함하는 것으로 제한되지 않는다는 점이 인식될 것이다. 다른 실시예에서, 재료는 오염 트랩의 열전도도, 예를 들어 전체 열전도도가 예를 들어 140 Wm-1K-1보다 큰 것과 같은, 30 Wm-1K-1보다 크도록 선택 및/또는 배열될 수 있다.
실험은, 예를 들어 위에서 설명된 바와 같이 재료로서 구리 또는 그의 합금 또는 화합물 그리고 추가 재료로서 스테인리스 강을 포함하는 베인이 방사선 소스 SO 및/또는 수소 라디칼의 수소 환경에 노출될 때 잘 수행할 수 있다는 것을 보여주었다. 달리 표현하면, 구리 또는 이의 합금 또는 화합물을 재료로 하고 스테인리스 강을 추가 재료로 사용함으로써, 수소 라디칼이 베인과 상호작용할 때 발생할 수 있는 수소 라디칼의 재결합이 개선될 수 있다. 이는 위에서 설명한 스피팅(spitting) 효과의 감소를 야기할 수 있다. 재료로서 몰리브덴을 포함하는 베인은 동일하거나 유사한 방식으로 수행할 수 있다는 점이 인식될 것이다.
도 4c에서 보여지는 예시적인 베인(16a)은 도 4b에서 보여지는 예시적인 베인(16a)과 유사하다. 도 4c에서 보여지는 예시적인 베인(16a)은 도 4b에서 보여지는 예시적인 베인(16a)의 특징부들 중 임의의 특징부를 포함할 수 있다. 제1 부분(38)은 재료 및 추가 재료를 포함할 수 있다. 제2 부분(40)은 재료를 포함할 수 있다. 잔해물 수용 표면(38a)은 추가 재료를 포함할 수 있다. 다시 말해서, 제1 부분(38)은 추가 재료에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있는 재료를 포함하는 것으로 간주될 수 있다.
도 4d는 도 4a의 선 C-C'를 따른 베인(16a)의 단면도를 보여주고 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 가열 배열체(22)는 복수의 가열 요소(24) (그 중 하나가 도 4d에서 보여진다)를 포함할 수 있다. 각 베인(16a)은 각각의 보어 또는 채널(26)을 포함할 수 있다. 가열 요소(24)는 각 베인(16a)의 각각의 보어 또는 채널(26) 내에 배열될 수 있다. 보어 또는 채널(26)은 베인(16a)의 중심 또는 길이 방향 축(A)을 따르는 (예를 들어, 실질적으로 이를 따르는) 방향으로 연장될 수 있다. 보어 또는 채널(26)은 베인(16a)의 제2 부분(40)에 포함되거나 제2 부분 내에 배열될 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 냉각 배열체(28)는 복수의 냉각재 채널(30)을 포함할 수 있다. 냉각재 채널(30)은 냉각재를 수용하고 및/또는 냉각 배열체(28)를 통해 냉각재를 수송하도록 구성될 수 있다. 냉각재는 냉각 유체, 예를 들어 (예를 들어, 물과 같은) 냉각재 액체 또는 냉각재 가스/냉가스 등의 형태로 제공될 수 있다. 도 4d에서, 냉각 배열체(28)의 일부가 보여지고 있다. 냉각재 채널(30)은 베인(16a)의 길이 방향 축(A)에 수직인 (예를 들어, 실질적으로 수직인) 방향으로 연장되도록 배열될 수 있다. 도 4d에서 보여지는 도시된 베인(16a)의 특징부들 중 임의의 것이 도 4a 내지 도 4c 중 어느 하나에 도시된 베인(16a)의 일부이거나 이에 포함될 수 있다는 점이 인식될 것이다.
도 5는 방사선 소스가 켜져 있을 때 잔해물 경감 시스템, 예를 들어 오염 트랩에 의해 흡수된 열 부하에 대해 의존적인 잔해물 경감 시스템의 온도의 그래프를 보여주고 있다. 도 5에서 문자 S로 표시된 선은 잔해물 경감 시스템에 의해 흡수된 열 부하에 의존하는 잔해물 경감 시스템의 온도를 나타내며, 여기서 오염 트랩은, 예를 들어 AISI/S AE 강종 316F과 같은 스테인리스 강으로 만들어진 베인을 포함하고 있다. 약 6,500W보다 큰 흡수된 열 부하에 대하여, 잔해물 경감 시스템, 예를 들어 오염 트랩의 온도는 주석이 사용된 예에서 연료의 용융 온도로 간주될 수 있는 230℃보다 높은 온도로 증가된다. 방사선 소스에 의해 생성된 EUV 방사선이 약 250W의 파워를 갖는 예에 대하여 잔해물 경감 시스템, 예를 들어 오염 트랩에 의해 흡수된 열 부하는 약 7,300W로 증가된다는 것을 도 5에서 알 수 있다. 잔해물 경감 시스템, 예를 들어 오염 트랩의 온도가 230℃ 이상으로 증가될 때 (예를 들어, 주석이 연료로 사용될 때), 예를 들어 컬렉터와 같은, 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염은 증가된다. 이는, 위에서 설명한 바와 같이 연료가 용융되거나 액체가 될 때 나타날 수 있는 스핏팅 효과으로 인한 것일 수 있다.
도 5 내에서 문자 C로 표시된 선은 잔해물 경감 시스템에 의해 흡수된 열 부하에 의존하는 따른 잔해물 경감 시스템의 온도를 나타내며, 여기서 베인은 재료를 포함한다. 이 예에서, 오염 트랩은 도 4c와 관련하여 설명된 바와 같이 복수의 베인(16a)을 포함할 수 있다. 잔해물 경감 완화 시스템(18), 예를 들어 오염 트랩(16)의 온도는 약 11,000W보다 큰 흡수된 열 부하에 대해 230℃보다 높게 증가한다는 것을 도 5에서 알 수 있다. 다시 말해서, 재료, 예를 들어 몰리브덴 또는 구리 또는 이의 화합물 또는 합금을 포함하는 베인을 포함하는 잔해물 경감 시스템, 예를 들어 오염 트랩은 스테인리스 강으로 만들어진 베인을 포함하는 잔해물 경감 시스템, 예를 들어 오염 트랩과 비교하여 약 230℃의 온도에 도달하기 전에 더 큰 열 부하 (예를 들어, 도 4c에서 보여지는 예시적인 베인에 대하여 약 1.7배 더 큰 열 부하)를 흡수할 수 있다. 재료의 제공은 베인(16a) 및/또는 오염 트랩(16)의 개선된 열특성으로 이어질 수 있다. 베인(16a) 및/또는 오염 트랩(16)의 개선된 열특성은 베인의 온도를 연료 잔해물의 용융 온도 미만으로 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다. 주석이 연료로 사용되는 예에서, 베인(16a)의 온도는 200℃ 미만으로 유지될 수 있으며, 이는 주석의 약 230℃의 용융 온도 미만이다. 이는, 위에서 설명된 바와 같이, 예를 들어 스피팅으로 인한, 예를 들어 컬렉터(5)와 같은 방사선 소스(SO)의 하나 이상의 구성 요소의 오염을 방지하거나 감소시킬 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 베인(16a) 및/또는 오염 트랩의 개선된 열특성은, 예를 들어 500W까지와 같은 200W보다 큰 파워를 갖는 EUV 방사선의 생성을 허용하면서, 방사선 소스의 하나 이상의 구성 요소의 오염 증가를 방지할 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 오염 트랩(16), 예를 들어 베인(16a) 상에 침착된 연료 잔해물은 방사선 소스(SO)의 유지 보수 작업 동안, 예를 들어 방사선 소스(SO)가 꺼져 있을 때 제거될 수 있다. 가열 배열체(22)는 베인(16a)을 연료 잔해물의 용융 온도보다 높은 온도, 예를 들어 주석이 연료로 사용될 때 230℃보다 높은 온도로 가열 (예를 들어, 재가열)하도록 작동적일 수 있다. 오염 트랩(16), 예를 들어 베인(16a) 상에 침착된 연료 잔해물은 용융될 수 있으며 및/또는 액체가 될 수 있다. 베인(16a)은 용융된 연료 잔해물에 대한 하나 이상의 흐름 경로를 제공하도록 구성되어, 예를 들어 용융된 연료 잔해물이 연료 컬렉터를 향하여 흐르는 것을 허용할 수 있다. 베인(16a)은 용융된 연료 잔해물을 연료 컬렉터를 향하여 및/또는 연료 컬렉터 내로 안내하기 위한 하나 이상의 그루브 또는 채널 (보이지 않음)을 포함할 수 있다. 그루브 또는 채널은 용융된 연료에 대한 유동 경로를 제공하도록 구성될 수 있다. 그루브 또는 채널은 또한 안내 거터(gutters)로 지칭될 수 있다. 연료 컬렉터는 연료 버킷 등의 형태로 제공될 수 있다. 연료 컬렉터는 정기적으로, 예를 들어 연료 컬렉터가 가득 차면, 교체될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 가열 배열체(22)는 복수의 가열 요소(24)를 포함할 수 있다. 각 가열 요소(24)는 각각의 베인(16a)과 연관될 수 있다. 각 가열 요소(24)는 적어도 연관된 베인(16a)을 가열하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 가열 요소(24)에 결함이 생기는 경우, 인접한 가열 요소(24)는 각각의 인접한 베인(16a) 및 결함이 있는 가열 요소(24)와 연관된 베인(16)을 가열하도록 작동적일 수 있다. 오염 트랩이 스테인리스 강으로 만들어진 베인을 포함하는 예에서, 가열 요소는 각각의 결함이 있는 가열 요소와 연관될 수 있는 하나 또는 2개의 인접한 베인을 가열하도록 작동적이어서, 예를 들어 베인의 온도를 연료의 용융 온도보다 높게 유지시킬 수 있다. 오염 트랩이 재료를 포함하는 베인(16a)을 포함하는 예에서, 도 4a 내지 도 4d와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 가열 요소(24)는 각각의 결함이 있는 가열 요소와 연관될 수 있는 2개보다 많은 인접한 베인을 가열하도록 작동적이어서, 예를 들어 베인의 온도를 연료의 용융 온도보다 높게 유지시킬 수 있다. 다르게 표현하면, 오염 트랩(16)의 베인(16a)이 재료를 포함할 때 2개보다 많은 가열 요소는 결함이 발생하도록 허용될 수 있다. 이는 오염 트랩(16), 예를 들어 베인(16a)의 향상된 열특성, 예를 들어 증가된 열전도도로 인한 것일 수 있다. 예를 들어, 적어도 제2 부분(40)이 추가 재료, 예를 들어 구리 또는 이의 화합물 또는 합금을 포함하는 경우, 가열 요소는 각각의 결함이 있는 가열 요소와 연관될 수 있는 4개의 인접한 베인을 가열하도록 작동적일 수 있다.
도 6은 방사선 소스의 잔해물 경감 완화 시스템에서 사용하기 위한 오염 트랩의 제조 방법의 예시적인 공정 흐름을 보여주고 있다. 본 방법은 복수의 베인(16a)을 포함하는 오염 트랩(16)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 베인(16a)은 방사선 소스(SO)의 플라즈마 형성 영역(4)으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하도록 구성되어 있다. 각 베인(16a)은 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 포함할 수 있다.
본 방법은 오염 트랩(16)의 예비 성형 부분을 제공하는 것을 포함할 수 있다 (단계 600). 예비 성형 부분(42)은 추가 재료로 형성되거나 추가 재료를 포함할 수 있다. 이 예에서, 추가 재료는, 예를 들어 AISI/S AE 강 등급 316L과 같은 스테인리스 강을 포함할 수 있다. 예비 성형 부분(42)은, 예를 들어 주조와 같은 제조 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 이 예에서, 예비 성형 부분(42)은 중공 원뿔대 형상으로 제공될 수 있다. 다른 실시예에서 예비 성형 부분은, 예를 들어 관형, 중공 절두체 등의 형상과 같은 상이한 형상을 포함할 수 있다는 것이 인식될 것이다. 다른 실시예에서 예비 성형 부분은 예를 들어 몰리브덴 또는 이의 화합물 또는 합금과 같은, 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 또 다른 재료를 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다는 것이 또한 인식될 것이다.
본 방법은 예비 성형 부분(42)에 복수의 개구 또는 공간(44)을 형성하는 것을 포함할 수 있다 (단계 605). 도 6의 단계(605)에서 6개의 개구 또는 공간(44)이 보여지고 있지만, 6개보다 많은 개구 또는 공간이 형성될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 개구 또는 공간(44)은, 예를 들어 드릴링 등과 같은 절삭 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 개구 또는 공간(44)은 예비 성형 부분의 벽(42a)에 방사상으로 배열될 수 있다. 개구 또는 공간(44)은 예비 성형 부분(42)의 벽(42a) 내로 연장되도록 배열될 수 있다. 예를 들어, 오염 트랩(16)이 방사선 소스(SO)의 챔버(20)의 일부로서 배열될 때, 벽(42a)은 플라즈마 형성 영역(4)을 둘러쌀 수 있다. 개구 또는 공간(44)은 벽(42a)의 외부 표면(42b) 및/또는 내부 표면(42c)과 평행한 (예를 들어, 실질적으로 평행한) 방향으로 벽(42a) 내로 연장되도록 배열될 수 있다.
본 방법은, 예를 들어 공간 또는 개구(44)가 노출 및/또는 덮이지 않도록 벽(42a)의 외부 표면(42b)의 하나 이상의 부분을 제거하는 것을 포함할 수 있다. (단계 610). 벽(42)의 외부 표면(42b)의 하나 이상의 부분은, 예를 들어 밀링 등과 같은 재료 제거 공정을 이용하여 제거될 수 있다. 예비 성형 부분(42)의 외부 표면(42b)의 하나 이상의 부분(42d)은 남아 있을 수 있다.
본 방법은 각 개구 또는 공간(44) 내에 재료를 배열하는 것을 포함할 수 있다 (단계 615). 재료는 하나 이상의 예비 성형 부분(보이지 않음)에 제공될 수 있다. 각 예비 성형 부분은 각각의 개구 또는 공간(44)의 형상과 일치하거나 보완하도록 성형될 수 있다. 본 방법은 예비 성형 부분(42)에 복수의 세장형 관형 부분(46)을 배열하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 세장형 관형 부분(46)은 각각의 개구 또는 공간(44) 내에 배열될 수 있다. 관형 부분(46)은 안에 가열 요소(24)가 배열될 수 있는 보어 또는 채널(26)을 형성하도록 배열될 수 있다. 본 방법은 하나 이상의 외함(enclosing) 부분(48)으로 개구 또는 공간(44)의 적어도 일부를 둘러싸는 것을 포함할 수 있다. 각 외함 부분(48)은 추가 재료를 포함할 수 있다. 외함 부분(48)은 예비 성형 부분(42) 상에 원주 방향으로 배열될 수 있다. 외함 부분(48)은 오염 트랩(16)의 외부 표면의 적어도 일부를 형성하도록 배열될 수 있다. 오염 트랩(16)의 외부 표면의 적어도 또 다른 부분은 예비 성형 부분(42)의 외부 표면(42b)의 나머지 부분(42d)에 의해 형성될 수 있다. 외함 부분(48)들 및/또는 나머지 부분(42d)들은, 예를 들어 전자 빔 용접 등과 같은 용접 공정을 사용하여 함께 연결될 수 있다.
본 방법은 예비 성형 부분(42), 재료 및/또는 외함 부분(48)을 가열하는 것을 포함한다 (단계 620). 예비 성형 부분(42), 재료 및/또는 외함 부분(48)은 재료의 용융 온도보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 이 예에서, 재료는 구리 또는 이의 화합물 또는 합금을 포함할 수 있다. 구리는 약 1,085℃의 용융 온도를 가질 수 있다. 예비 성형 부분(42), 재료 및/또는 외함 부분(48)은 재료를 용융시키기 위해, 예를 들어 약 1,100℃와 같은, 1,085℃보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 예비 성형 부분(42)은 재료에 대한 몰드(mold)로서 작용하는 것으로 간주될 수 있다. 예비 성형 부분을 재료를 위한 몰드로 사용하는 것에 의하여, 오염 트랩의 제조가 용이해질 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 예를 들어 주조 및/또는 브레이징과 같은 다른 공정과 비교하여, 용융된 재료의 누출은 예비 성형 부분, 예를 들어 그의 공간 또는 개구(44) 내에 재료를 배열함으로써 감소될 수 있다. 본 명세서에 개시된 방법은 오염 트랩을 제조하는 데 필요한 시간, 비용 및/또는 단계 수의 감소로 이어질 수 있다.
용융된 재료는 추가 재료와 함께 확산층을 형성할 수 있다. 이는 재료와 추가 재료 사이에 화학적, 기계적 및/또는 열적 결합을 야기할 수 있다. 확산층의 깊이는 예비 성형 부분(42), 재료 및/또는 외함 부분(48)을 가열하기 위하여 사용되는 온도를 변화시킴으로써 변화될 수 있다. 베인(16a)의 제1 부분(38) 및/또는 제2 부분(40)의 적어도 일부가, 예를 들어 안에 재료를 배열 및/또는 가열한 후 안에 형성될 수 있도록 각 개구 또는 공간(44)은 형성되거나 형상화될 수 있다.
단계 625에서, 본 방법은 재료를 둘러싸는(enclosing) 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 방법은, 예를 들어 하나 이상의 추가 외함 부분(50)으로 재료를 완전히 둘러싸는 것을 포함할 수 있다. 본 방법은 재료가 외함 부분(48) 및/또는 추가 외함 부분(50)에 의해 완전히 둘러 싸여지도록 재료의 하나 이상의 덮이지 않은 부분(52) 상에 추가 외함 부분(50)을 배열하는 것을 더 포함할 수 있다. 이는, 예를 들어 오염 트랩이 방사선 소스 내에서 사용될 때 재료를 부식으로부터 보호할 수 있다. 예를 들어, 방사선 소스(SO)의 환경에서의 재료와 연료 잔해물 사이의 상호작용은 재료의 부식을 야기할 수 있다. 추가 외함 부분(50)은 각각의 추가 공간(54) 내에 배열될 수 있다. 예를 들어 안에 추가 외함 부분(50)을 배열하기 전에, 예를 들어 밀링 등과 같은 재료 제거 공정을 사용하여 추가 공간(54)이 예비 성형 부분(42)에 형성될 수 있다. 각 추가 공간(54)은 재료의 각각의 노출된 또는 덮이지 않은 부분(52)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 각 추가 외함 부분(50)의 형상은 각각의 추가 공간(54)의 형상과 일치 및/또는 형상을 보완할 수 있다.
본 방법은 복수의 베인(16a)을 형성하는 것(단계 630)을 포함할 수 있다. 복수의 베인(16)은 예비 성형 부분(42)의 벽(42a)의 내부 표면(42c)으로부터 형성될 수 있다. 복수의 베인(16a)은, 예를 들어 밀링(milling) 등과 같은 재료 제거 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 벽(42a)의 내부 표면(42c)의 하나 이상의 부분이, 예를 들어 재료 제거 공정을 이용하여 제거되어 베인(16a)을 형성할 수 있다. 하나 이상의 노즐(34)이 적어도 2개의 베인(16a) 사이에 배열될 수 있다.
형성된 오염 트랩(16)의 예가 단계 635에서 보여지고 있다. 본 방법은 하나 이상의 처리, 예를 들어 화학적 처리 단계를 포함할 수 있다. 하나 이상의 처리 단계는 피클링(pickling) 공정 및/또는 패시베이션(passivation) 공정을 포함할 수 있다. 하나 이상의 처리 단계가 본 방법에 걸쳐, 예를 들어 위에서 설명된 방법의 하나 이상의 단계 전에 또는 후에 사용될 수 있다. 본 방법은, 예를 들어 베인(16a) 상의 주석 층과 같은 보호층을 증착하는 것을 포함할 수 있다. 보호층은 전기화학적 공정을 이용하여 베인(16a) 상에 증착될 수 있다. 본 방법은 베인(16a)으로부터 보호층의 적어도 일부를 제거하는 것을 포함할 수 있다. 베인(16a) (또는 그 표면)의 산화를 방지하고 및/또는 사용 중에 연료 잔해물, 예를 들어 연료 액적에 대한 베인(16a)의 습윤성을 개선하기 위해, 보호층의 일부는 베인(16a) 상에 남아 있을 수 있다. 보호층이 증착될 수 있으며 및/또는 방사선 소스(SO) 내에서의 오염 트랩(16)의 설치 전에 보호층의 적어도 일부는 제거될 수 있다.
위의 방법은 도 4b 및 도 4c에서 보여지는 것과 같은 베인(16a)들, 또는 이들의 조합을 포함하는 오염 트랩(16)을 제조하기 위해 사용될 수 있다는 점이 인식될 것이다.
본 방법 단계들의 순서가 상이할 수 있다는 점이 인식될 것이다. 본 방법 단계들 중 하나 이상은 서로 별개로 또는 상이한 조합으로 사용될 수 있다. 일부 실시예에서 위에서 설명된 본 방법 단계들 중 일부는 별개로 또는 다른 방법 단계들과 조합하여 사용될 수 있다는 점이 인식될 것이다.
도 7은 베인(16a)들을 포함하는 오염 트랩(16)의 일부를 보여주고 있다. 도 7에서 보여지는 오염 트랩(16)은 도 6에 도시된 공정 흐름을 사용하여 제조될 수 있다. 이 예에서, 각 베인(16a)은 재료 및 추가 재료를 포함할 수 있다. 각 베인(16)은 도 4c에서 보여지는 예시적인 베인과 동일하거나 유사할 수 있다. 재료는 코어(56)를 형성하는 것으로 간주될 수 있다. 추가 재료는 코어(56)를 둘러싸도록 배열될 수 있다.
복수의 피처에 대한 언급은, 예를 들어 "적어도 하나" 및/또는 "각각"과 같은 이 피처들의 단수 형태에 대한 언급과 상호 교환 가능하게 사용될 수 있다는 점이 이해될 것이다. "적어도 하나" 또는 "각각"과 같은 피처의 단수 형태들은 상호 교환 가능하게 사용될 수 있다.
용어 "EUV 방사선"은 4 내지 20㎚ 범위 내, 예를 들어 13 내지 14㎚ 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선을 포함하는 것으로 간주될 수 있다. EUV 방사선은 10㎚ 미만, 예를 들어 6.7㎚ 또는 6.8㎚와 같은 4 내지 10㎚ 범위 내의 파장을 가질 수 있다.
도 1은 레이저 생성 플라즈마 LPP 소스로서 방사선 소스(SO)를 도시하지만, EUV 방사선을 생성하기 위해 임의의 적절한 소스가 사용될 수 있다. 예를 들어, EUV 방출 플라즈마는 전기 방전을 사용하여 연료 (예를 들어, 주석)를 플라즈마 상태로 변환함으로써 생성될 수 있다. 이 유형의 방사선 소스는 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스로 지칭될 수 있다. 방전은 방사선 소스의 일부를 형성할 수 있는 또는 전기적 연결을 통해 방사선 소스(SO)에 연결된 별도의 개체일 수 있는 파워 공급부에 의해 생성될 수 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에서의 리소그래피 장치의 사용에 대하여 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 다른 적용을 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 가능한 다른 적용은 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 플랫 패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실시될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 위의 설명은 제한이 아닌, 예시를 위한 것이다. 따라서, 아래에 제시된 청구범위의 범위를 벗어남이 없이 설명된 바와 같이 본 발명에 대하여 수정이 이루어질 수 있다는 것이 당 업자에게 명백할 것이다.
Claims (18)
- 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩에 있어서,
상기 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하도록 구성된 복수의 베인을 포함하며,
상기 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 포함하는 오염 트랩. - 제1항에 있어서, 상기 재료는 100 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 오염 트랩.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 재료는 500 Wm-1K-1 미만의 열전도도를 포함하는 오염 트랩.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 재료는 전이 금속을 포함하는 오염 트랩.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 재료는
몰리브덴,
몰리브덴 합금,
몰리브덴 화합물,
구리,
구리 합금, 및
구리 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 오염 트랩. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 제1 부분과 제2 부분을 포함하는 오염 트랩.
- 제6항에 있어서, 상기 복수의 베인 중 상기 적어도 하나의 베인 또는 각 베인의 상기 제1 부분은 상기 방사선 소스의 상기 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 수용하도록 배열된 잔해물 수용 표면을 포함하는 오염 트랩.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1 부분은 상기 플라즈마 형성 영역을 향하여 돌출 또는 연장되도록 배열되며 및/또는 상기 제1 부분은 상기 제2 부분 상에 배열된 오염 트랩.
- 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 추가 재료를 포함하며, 상기 제1 부분은 상기 재료 및/또는 상기 추가 재료를 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 재료를 포함하는 오염 트랩.
- 제9항에 있어서, 상기 재료 및 상기 추가 재료는 실질적으로 동일한 열팽창 계수를 갖는 오염 트랩.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 재료는 구리, 구리 합금 또는 구리 화합물을 포함하며 및/또는 상기 추가 재료는 합금 또는 강 합금을 포함하는 오염 트랩.
- 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩에 있어서,
상기 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하도록 구성된 복수의 베인을 포함하며,
상기 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 재료 및/또는 추가 재료를 포함하며, 상기 재료는 상기 추가 재료의 열전도도보다 큰 열전도도를 포함하는 오염 트랩. - 방사선 소스 내에서의 사용을 위한 잔해물 경감 시스템에 있어서,
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 오염 트랩;
상기 오염 트랩의 복수의 베인을 가열하기 위한 가열 배열체; 및
플라즈마 형성의 결과로 생성된 열을 상기 오염 트랩의 복수의 베인으로부터 멀리 수송하기 위한 냉각 배열체를 포함하는 잔해물 경감 시스템. - 방사선을 생성하기 위한 방사선 소스에 있어서,
연료 타겟을 플라즈마 형성 영역으로 제공하기 위한 연료 방출기; 및
제13항에 따른 잔해물 경감 시스템을 포함하는 방사선 소스. - 리소그래피 시스템에 있어서,
제14항에 따른 방사선 소스; 및
리소그래피 장치를 포함하는 리소그래피 시스템. - 방사선 소스의 잔해물 경감 시스템에서의 사용을 위한 오염 트랩의 제조 방법에 있어서,
복수의 베인을 포함하는 오염 트랩을 형성하는 것을 포함하며;
상기 복수의 베인은 상기 방사선 소스의 플라즈마 형성 영역으로부터 방출된 연료 잔해물을 포획하기 위하여 배열되며; 그리고
상기 복수의 베인 중 적어도 하나의 베인 또는 각 베인은 30 Wm-1K-1보다 큰 열전도도를 포함하는 재료를 포함하는, 오염 트랩의 제조 방법. - 제16항에 있어서, 상기 방법은
추가 재료를 포함하는 예비 성형 부분을 제공하는 것;
상기 예비 성형 부분에 복수의 개구 또는 공간을 형성하는 것;
상기 복수의 개구 또는 공간 중 적어도 하나 또는 각 개구 또는 공간에 상기 재료를 배열하는 것;
복수의 개구 또는 공간의 적어도 하나 또는 각 개구 또는 공간의 적어도 일부를 상기 추가 재료를 포함하는 외함 부분으로 둘러싸는 것; 및
상기 예비 성형 부분, 상기 재료 및/또는 상기 외함 부분을 상기 재료의 용융 온도보다 높은 온도로 가열하는 것 중 하나 이상을 포함하는, 오염 트랩의 제조 방법. - 제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 재료와 상기 추가 재료는 실질적으로 동일한 열팽창 계수를 가지며 및/또는 상기 재료는 구리, 구리 합금 또는 구리 화합물을 포함하고 및/또는 상기 추가 재료는 합금 또는 강 합금을 포함하는, 오염 트랩의 제조 방법.
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