DE102014208039A1

DE102014208039A1 - Diffraktive und refraktive optische Elemente für EUV - Optiksysteme

Info

Publication number: DE102014208039A1
Application number: DE102014208039.8A
Authority: DE
Inventors: Christian Wald; Walter Pauls; Boris Bittner; Norbert Wabra; Sonja Schneider; Ricarda Schneider; Hendrik Wagner; Holger Schmidt; Alexey Ponomarev; Florian Ahles
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2014-04-29
Filing date: 2014-04-29
Publication date: 2014-09-18

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Element für ein EUV-Optiksystem, insbesondere eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, mit mindestens einem dreidimensionalem Körper (2, 12, 21, 22, 32), der ein Volumen aufweist, welches aus mindestens einem für EUV-Strahlung mit Wellenlängen unter 30 nm durchstrahlbaren Material gebildet ist, um im Gebrauch zumindest teilweise von EUV-Strahlung durchstrahlt zu werden, wobei der Körper mindestens eine dreidimensionale Struktur (8, 16, 18, 26, 28, 38) aufweist, die so ausgebildet ist, dass die Struktur für das EUV-Licht eine Diffraktion bewirkt, und/oder so ausgebildet ist, dass mehrere Bereiche gebildet sind, welche jeweils eine für das EUV-Licht refraktiv wirkende optische Fläche bereitstellen. Außerdem betrifft die Erfindung die Verwendung derartiger optischer Elemente in EUV-Optiksystemen und derartige EUV-Optiksysteme.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft optische Elemente für ein EUV-Optiksystem, welches mit elektromagnetischer Strahlung im Wellenlängenbereich des extrem ultravioletten (EUV) Lichts arbeitet. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung optische Elemente für EUV-Projektionsbelichtungsanlagen, EUV-Maskeninspektionssysteme, EUV-Waferinspektionssysteme und dergleichen, wobei die EUV-Strahlung Wellenlängen unter 30 nm, insbesondere im Bereich von 5 nm bis 15 nm aufweist. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung entsprechende EUV-Optiksysteme sowie die Verwendung von optischen Elementen in entsprechenden EUV-Optiksystemen.
STAND DER TECHNIK
Zur Herstellung von Bauteilen der Mikroelektronik und der Mikro- bzw. Nanosystemtechnik werden mikrolithographische Verfahren und entsprechend Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie eingesetzt, mittels denen Strukturen auf einem Retikel auf einen Wafer abgebildet werden, um durch entsprechende Mikrolithographieprozesse die Strukturen auf dem Wafer zu erzeugen. Aufgrund der zunehmenden Miniaturisierung werden Projektionsbelichtungsanlagen zunehmend mit Arbeitslicht, d.h. allgemein elektromagnetischer Strahlung zur Abbildung des Retikels betrieben, welche immer kleinere Wellenlängen aufweist. Beispielsweise können EUV-Wellenlängen von etwa 13,5 nm oder 7 nm zum Einsatz kommen.
Bei diesen Wellenlängen gelten transmittierende optische Elemente, bei denen also das abbildende Arbeitslicht des optischen Systems das optische Element durchstrahlt, mit Ausnahme von Folienelementen wie sie beispielsweise in der DE 102012202057 beschrieben sind, als nicht realisierbar, da praktisch alle Materialien für diese Wellenlängen eine hohe Absorption aufweisen. Entsprechend wird, mit Ausnahme von Folienelementen, wie in der DE 102012202057 , nach dem Stand der Technik davon ausgegangen, dass für Projektionsbelichtungsanlagen, die mit Strahlung im Wellenlängenbereich der extrem ultravioletten Strahlung arbeiten, also mit Wellenlängen kleiner 30 nm betrieben werden, lediglich reflektive optische Elemente zum Einsatz kommen können, die also keine Durchstrahlung erfordern, sondern lediglich die abbildende Strahlung reflektieren. Allerdings weisen auch derartige reflektive Elemente Nachteile auf, da sie für eine akzeptable Reflektivität Reflexionsbeschichtungen, wie beispielsweise Schichtstapel aus einer Vielzahl an Einzelschichten, erfordern oder einen streifenden Einfall der zu reflektierenden Strahlung benötigen. Durch streifenden Einfall kann es zu einfallswinkelabhängigen Abschattungseffekten kommen, während die Aufbringung einer Mehrfachschichtanordnung aufwändig ist und Strukturierungen zur Erzeugung von diffraktiven optischen Elementen erschwert. Nicht zuletzt bedeutet der Einsatz reflektiver optischer Elemente eine Einschränkung im optischen Design, da sie eine Faltung des Strahlengangs und eine Anordnung der Spiegel erfordern, die eine unterwünschte Abschattung des Strahlengangs (Vignettierung) möglichst vermeidet.
Die in der DE 102012202057 , die hiermit vollumfänglich inkorporiert ist, beschriebenen Folienelemente zielen in erster Linie auf Wellenfrontänderungen von Bruchteilen der Arbeitswellenlänge in optischen Systemen für den EUV-Wellenlängenbereich. Dies erlaubt beispielsweise feine Korrekturen der Wellenfront eines Abbildungssystems, jedoch nicht den Einsatz der Folienelemente anstelle von Spiegeln in einem Projektionssystem.
Aus diesen Gründen ist es erstrebenswert, transmittierende optische Elemente für EUV-Optiksysteme bereit zu stellen, die eine größere Variabilität beim Design der Optiksysteme ermöglichen. Neben den Projektionsbelichtungsanlagen kommen hierfür auch Wafer-Inspektionseinrichtungen oder Masken-Inspektionssysteme, die mit EUV-Licht betrieben werden, als entsprechende Optiksysteme in Frage.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
AUFGABE DER ERFINDUNG
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, optische Elemente für EUV-Optiksysteme, insbesondere EUV-Projektionsbelichtungsanlagen bereitzustellen, die im Durchstrahlungsmodus, also als transmittierende optische Elemente eingesetzt werden. Dabei soll die Herstellung entsprechender optischer Elemente möglichst einfach erfolgen.
TECHNISCHE LÖSUNG
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein optisches Element mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie die Verwendung eines optischen Elements mit den Merkmalen des Anspruchs 20 und ein EUV-Optiksystem mit den Merkmalen des Anspruchs 21. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, ein optisches Element aus einem dreidimensionalen Körper auszubilden, der ein Volumen aufweist, welches durch die EUV-Strahlung beim Einsatz des optischen Elements zumindest teilweise durchstrahlt werden soll und entsprechend aus mindestens einem für EUV-Strahlung mit Wellenlängen unter 30 nm durchstrahlbaren Material gebildet ist. Der Körper soll erfindungsgemäß mindestens eine dreidimensionale Struktur aufweisen, die so ausgebildet ist, dass die Struktur für die hindurchtretende EUV-Strahlung eine Diffraktion bewirkt und/oder dass mehrere Bereiche gebildet sind, welche jeweils eine für die EUV-Strahlung refraktiv wirkende optische Fläche bereitstellen.
Die Erfindung geht dabei nach einem ersten Aspekt der Erfindung von der Erkenntnis aus, dass dünne Folien mit entsprechenden Strukturierungen hergestellt werden können, die eine ausreichende Transmission für die EUV-Strahlung aufweisen und gleichzeitig durch die Strukturierung eine Beugung der EUV-Strahlung bewirken können, sodass diffraktive, optische Elemente erzeugt werden können.
Nach einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung, für den selbstständig und in Kombination mit anderen Aspekten der Erfindung Schutz begehrt wird, kann das optische Element so strukturiert werden, dass mehrere Bereiche gebildet sind, die jeweils eine für die EUV-Strahlung refraktiv wirkende optische Fläche bereitstellen, wobei durch die Strukturierung die zu durchstrahlende Gesamtdicke bzw. Höhe des optischen Elements so reduziert werden kann, dass eine ausreichende Transmission der EUV-Strahlung gewährleistet werden kann. Ein derartiges optisches Element kann nach dem Prinzip einer Fresnellinse gebildet sein, wobei die mehreren Bereiche, die durch die dreidimensionale Struktur gebildet sind und jeweils refraktiv wirkende optische Flächen bereitstellen, entsprechend den Bereichen einer Fresnellinse ausgebildet sein können.
Gemäß der vorliegenden Erfindung weist das optische Element sowohl nach dem ersten Aspekt der Erfindung als diffraktives optisches Element als auch nach dem zweiten Aspekt der Erfindung als refraktives optisches Element mindestens einen Körper mit mindestens einer dreidimensionalen Struktur auf, wobei die Struktur durch eine Grenzfläche des Körpers gegenüber der Umgebung (entspricht einer äußeren Grenzfläche) und/oder durch eine Grenzfläche innerhalb des Körpers, z.B. zwischen unterschiedlichen Materialbereichen, (entspricht einer inneren Grenzfläche) gebildet sein kann. Die dreidimensionale Struktur, die sich quer zum Strahlengang des durchtretenden EUV-Lichts erstreckt, definiert eine Schicht des optischen Elements, die eine Höhe und eine quer dazu verlaufende Grundfläche aufweist, wobei die Grundfläche quer zur Durchstrahlungsrichtung der EUV-Strahlung im Betrieb des optischen Elements angeordnet ist, während die Höhe der Strukturhöhe entspricht. Entsprechend definiert die Höhe eine Höhenrichtung, die sich bei Durchstrahlung des optischen Elements im Betrieb zumindest teilweise in der Strahlungsrichtung erstreckt und der Dickenrichtung des optischen Elements entspricht.
Definitionsgemäß kann der Körper des optischen Elements mit der dreidimensionalen Struktur homogen aus einem Material gebildet sein oder eine Mehrzahl von unterschiedlichen Materialien aufweisen, die insbesondere Lagenweise angeordnet sein können. Die einzelnen Lagen eines Körpers können wiederum aus einer Vielzahl von Teillagen gebildet sein. Ein optisches Element kann zudem mehrere Körper umfassen. Entsprechend kann das optische Element mehrere Strukturen umfassen, wobei auch ein einzelner Körper mehrere Strukturen aufweisen kann, beispielsweise an der Eintrittsseite der EUV-Strahlung und an der Austrittsseite.
Im Folgenden wird somit von optischen Elementen mit einem oder mehreren Körpern gesprochen, wobei bei dem optischen Element unterschieden wird zwischen einer Schicht des optischen Elements, in der eine dreidimensionale Struktur ausgebildet ist, und Lagen, die aus unterschiedlichen Materialien gefertigt sind und selbst wieder aus einer Vielzahl von Teillagen mit ebenfalls unterschiedlichen Materialien gebildet sein können.
Bei dem optischen Element nach dem zweiten Aspekt der Erfindung, bei dem die dreidimensionale Struktur mehrere Bereiche mit refraktiv wirkenden Grenzflächen definiert, kann das optische Element insbesondere so ausgebildet sein, dass die refraktiv wirkenden optischen Flächen in den einzelnen Bereichen der Struktur durch in Höhenrichtung verlaufenden Flanken verbunden sind, sodass die Flanken in der Höhe versetzte, refraktiv wirkende optische Flächen benachbarter Bereiche verbindet. Durch den Höhenversatz der refraktiv wirkenden optischen Flächen benachbarter Bereiche wird bewirkt, dass die Dicke des optischen Elements bzw. die zu durchstrahlende Höhe reduziert werden kann, um die Transmission zu steigern. Würde der Höhenversatz durch die Flanken beseitigt, sodass benachbarte, refraktiv wirkende optische Flächen ohne Höhenversatz aneinander anliegen, dann würde eine über der Grundfläche des optischen Elements verlaufende zusammengesetzte optische Fläche gebildet werden. Durch Verzicht auf eine einheitliche, glatte, optisch wirksame Fläche wird eine Reduzierung der Höhe bzw. Dicke des von der EUV-Strahlung zu durchlaufenden Körpers des optischen Elements bewirkt, sodass die Absorption der EUV-Strahlung wirksam verringert werden kann.
Die Höhe der Struktur bzw. des optischen Elements kann dabei auf einen Maximalwert begrenzt sein, um eine ausreichende Transmission zu gewährleisten. Als Maximalwert kann eine Höhe festgelegt werden, die erforderlich ist, damit ein Gangunterschied der Wellenlänge der verwendeten EUV-Strahlung oder ein Vielfaches davon erzeugt werden kann, wenn die EUV-Strahlung den Körper mit der Struktur durchläuft. Das Vielfache des Gangunterschiedes kann beispielsweise im Bereich von gleich oder weniger dem Fünffachen des Gangunterschieds liegen. Gleichzeitig kann auch eine entsprechende Mindesthöhe der Schicht für die Strukturvariationen definiert werden, beispielsweise mindestens die Höhe zur Erzeugung eines Gangunterschieds der verwendeten Wellenlänge der EUV-Strahlung, damit das optische Element bzw. der Körper, welcher die Struktur aufweist, eine ausreichende Manipulation der EUV-Strahlung ermöglich, sodass das optische Element als refraktives optisches Element wirken kann. Das optische Element kann mehrere, insbesondere zwei dreidimensionale Strukturen aufweisen, wobei diese vorzugsweise aufeinander abgestimmt sein können, um beispielsweise eine über dem gesamten optischen Element gleichmäßige Absorption der EUV-Strahlung einzustellen.
Nach einer vorteilhaften Ausführungsform kann das optische Element beispielsweise eine Lage aus einem ersten Material und einer ersten Struktur und eine zweite Lage aus einem zweiten Material mit einer zweiten Struktur umfassen, wobei die erste Lage aus einem Material gebildet ist, bei dem eine gegenüber der Amplitudenmodulation überwiegende Phasenmodulation der EUV-Strahlung bewirkt wird, während die zweite Lage eine gegenüber der Phasenmodulation überwiegende Amplitudenmodulation der durchgehenden EUV-Strahlung bewirkt. Durch eine geeignete Anpassung der Lagen zueinander kann eine gewünschte Einstellung von Phasenmodulation und Amplitudenmodulation des refraktiv arbeitenden optischen Elements ermöglicht werden.
Bei einem optischen Element, welches nach dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung als diffraktives optisches Element ausgebildet ist, kann die dreidimensionale Struktur ein Hologramm, insbesondere ein holografisches optisches Element oder ein computergeneriertes Hologramm, oder ein Beugungsgitter bilden.
Entsprechend kann die dreidimensionale Struktur ein Amplitudenhologramm, ein Phasenhologramm oder ein Amplituden-/Phasenhologramm bilden.
Zur Bildung eines Amplitudenhologramms kann die dreidimensionale Struktur mindestens eine strukturierte Lage aus einem Absorptionsmaterial für die EUV-Strahlung aufweisen, wie beispielsweise Nickel, Chrom, Silizium, Germanium und/oder Yttrium, welches für die eingesetzte EUV-Strahlung eine starke Amplitudenmanipulation bewirkt. Eine derartige strukturierte Lage zur Bildung eines Amplitudenhologramms kann eine Höhe von größer oder gleich 100 nm, insbesondere größer oder gleich 50 nm vorzugsweise größer oder gleich 20 nm aufweisen. Bei einem Material mit hoher Absorption für die verwendete EUV-Strahlung, wie beispielsweise Nickel oder Chrom, kann bei Verwendung dieses Materials über die vollständige Höhe der für die Strukturierung vorgesehenen Schicht eine Absorption im Bereich von größer oder gleich 80%, insbesondere größer oder gleich 90%, vorzugsweise größer oder gleich 95% und besonders bevorzugt größer oder gleich 99% erzielt werden.
Zur Erzeugung eines Phasenhologramms kann eine strukturierte Phasenmodulationsschicht aus einem Material mit möglichst großem Verhältnis aus Phasenwirkung zu Absorption vorgesehen sein, wobei durch eine zweite Lage aus einem strukturieren Absorptionsmaterial mit möglichst kleinem Verhältnis von Phasenwirkung zu Absorption bzw. absolut hoher Absorption eine Einstellung der Amplitudenmodulation möglich ist bzw. diese durch Einstellung einer über dem gesamten optischen Element gleichen Absorption eliminiert wird. Sofern die Absorption nicht über das gesamte optische Element auf den gleichen Wert eingestellt wird, kann entsprechend ein Phasen-Amplituden-Mischhologramm realisiert werden.
Die Höhe der Struktur für ein Phasenhologramm bzw. ein Phasen-Amplituden-Mischhologramm kann darauf beschränkt werden, dass wiederum beim Durchgang der EUV-Strahlung durch den strukturierten Körper ein ganzzahliges Vielfaches des Gangunterschiedes der Wellenlänge der verwendeten EUV-Strahlung erzeugbar ist, insbesondere weniger oder gleich dem 5-fachen, vorzugsweise dem einfachen eines Gangunterschiedes. Dadurch kann durch die Strukturierung eine entsprechende Weglängenmodulation eingestellt werden.
Die optischen Elemente können weitere Komponenten, wie zusätzliche Funktionsschichten, z.B. Tragschichten, Diffusionsbarrieren oder Schutzschichten aufweisen. Eine Tragschicht kann beispielsweise aus einem Vollkörper oder einer Tragstruktur gebildet sein, um die Körper oder Lagen des optischen Elements mechanisch zu stabilisieren. Die Tragstruktur selbst kann so dimensioniert sein, dass sie in Transmission, d. h. mittels örtlich variierender Absorption, als Beugungsgitter wirkt.
Die vorgestellten optischen Elemente können somit im Durchstrahlungsmodus als optisches Element eines EUV-Optiksystems, insbesondere einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, die mit Wellenlängen des Arbeitslichts kleiner oder gleich 30 nm arbeitet, als refraktive und/oder diffraktive Elemente eingesetzt werden.
Auf einem optischen Element können durch geeignete Strukturierungen auch verschiedene Funktionen realisiert werden, sodass sie in verschiedenen Bereichen als refraktives und/oder diffraktives Element wirken. Darüber hinaus können die beschriebenen Körper, Lagen und/oder mehrere optische Elemente in geeigneter Weise miteinander kombiniert werden.
Die Herstellung der Strukturen in den optischen Elementen kann durch bekannte Verfahren, insbesondere durch Lithographieverfahren oder durch direktes Elektronen- oder Ionenstrahlschreiben erfolgen. Darüber hinaus können Nanoimprint-Verfahren oder geeignete Bearbeitungsverfahren, wie MRF(Magneto Rheological Finishing)-Technologien eingesetzt werden.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
Die Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise in
1 eine Schnittansicht einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements;
2 eine Schnittansicht einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements;
3 eine Schnittansicht einer dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements;
4 eine Querschnittansicht einer vierten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements;
5 in den Teilbildern a) und b) Schnittansichten zur Verdeutlichung des Designprinzips des optischen Elements aus 4;
6 eine Schnittansicht einer fünften Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements;
7 eine Schnittansicht eines sechsten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optischen Elements;
8 eine Darstellung des Aufbaus der Lagen eines weiteren Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optischen Elements, wie sie beispielsweise auch in dem optischen Element der 7 eingesetzt werden können;
9 ein Diagramm zur Verdeutlichung der Wirksamkeit verschiedener Materialien hinsichtlich der Phasenmodulation und der Amplitudenmodulation bei einer Wellenlänge von 13,5nm; und in
10 eine Darstellung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage.
AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen deutlich. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt. Die 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel für ein optisches Element 1 für ein EUV-Optiksystem, welches bei dem EUV-Optiksystem im Durchstrahlungsmodus Verwendung finden kann, d.h. die EUV-Strahlung tritt durch das optische Element 1 hindurch und wird nach dem Hindurchtreten durch das optische Element 1 als durch das optische Element 1 modifizierter Lichtstrahl weiter in dem EUV-Optiksystem verwendet. Das optische Element 1 umfasst einen Körper 2, der homogen aus einem einzigen Material gebildet ist und entsprechend nur eine einzige Lage umfasst. Das optische Element 1 umfasst weiterhin eine Fassung 3, mit der der Körper 2 gehalten bzw. gelagert wird, und die dazu dient das optische Element 1 in einem EUV-Optiksystem anzuordnen.
Im Betrieb ist das optische Element 1, wie es in 1 dargestellt ist, der durch den Pfeil 5 symbolisierten EUV-Strahlung ausgesetzt, die auf die Oberfläche 4 des optischen Elements 1 auftrifft und den Körper 2 des optischen Elements 1 durchläuft und als modifizierte Strahlung gemäß Pfeil 6 das optische Element 1 wieder verlässt. Die auftreffende EUV-Strahlung trifft auf die Oberfläche 4, die eine Grenzfläche zwischen dem Körper 2 und der umgebenden Atmosphäre, beispielsweise Vakuum, und eine dreidimensionale Struktur 8 definiert, die sich in der durch die Grenzfläche definierten Schicht 7 erstreckt.
Bei der dreidimensionalen Struktur 8, die durch die Grenzfläche 4 gebildet ist, kann es sich beispielsweise um eine Struktur 8 handeln, die von ihren Dimensionen so ausgebildet ist, dass sie als Beugungsgitter für die auftreffende EUV-Strahlung 5 wirkt. Darüber hinaus kann die Struktur 8 auch so ausgebildet sein, dass sie ein holographisches optisches Element bzw. ein diffraktives optisches Element bildet. Die Struktur 8 kann beispielsweise als Struktur für ein computergeneriertes Hologramm (CGH) ausgebildet sein.
Durch Verwendung eines Materials für den Körper 2, welches bezüglich des durchtretenden EUV-Lichts überwiegend eine phasenmodulierende Wirkung aufweist, kommt es aufgrund der durch die Struktur 8 erzeugten unterschiedlichen Dicke des Körpers 2 und des damit unterschiedlichen Durchtrittswegs für die EUV-Strahlung zu einer Phasenmodulation. Gleichzeitig bewirkt das Material des Körpers 2 jedoch auch eine Amplitudenmodulation, sodass durch die in 1 dargestellte Struktur 8 eines computererzeugten Hologramms ein Phasen-Amplituden-Mischhologramm realisiert sein kann.
Die 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen optischen Elements 10, bei welchem ein Körper 12 wiederum in einer Fassung 13 zur Anordnung in einem EUV-Optiksystem gelagert ist. Der Körper 12 weist zwei Lagen 11 und 19 aus unterschiedlichen Materialien auf, wobei die erste Lage 11 eine erste Grenzfläche 14 zur umgebenden Atmosphäre, beispielsweise Vakuum, aufweist, die eine dreidimensionale Struktur 18 bildet, während die zweite Lage 19 eine zweite Grenzfläche 15 zur umgebenden Atmosphäre, beispielsweise Vakuum, aufweist, die eine zweite Struktur 16 bildet. Die erste Lage 11 ist aus einem ersten Material gebildet, wodurch die dreidimensionale Struktur 18 überwiegend eine Phasenmodulation der EUV-Strahlung bewirkt, während die zweite Lage 19 aus einem zweiten Material gebildet ist, welches durch lokal unterschiedliche Absorption der EUV-Strahlung überwiegend eine Amplitudenmodulation bewirkt. Die Strukturen 16 und 18 und/oder die Materialien der ersten Lage 11 und der zweiten Lage 19 sind so aufeinander abgestimmt, dass das optische Element 10 im Wesentlichen ein gewünschtes Phasenhologramm bildet und die parasitär auftretende Amplitudenmodulation durch das Vorsehen der zweiten Lage 19 möglichst weitgehend kompensiert wird, indem eine über dem optischen Element gleichbleibende Amplitudenmodulation eingestellt wird.
Die 3 zeigt eine dritte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements 20, welches zwei Körper 21 und 22 sowie eine Tragstruktur 27 aufweist, an der die beiden Körper 21 und 22 angeordnet sind. Die Körper 21 und 22 mit der Tragstruktur 27 sind wiederum in einer Fassung 23 aufgenommen, die zur Anordnung des optischen Elements 20 in einem EUV-Optiksystem dient. Hierbei kann der Körper 22 die Funktion der ersten Lage 11 aus dem Ausführungsbeispiel der 2 übernehmen, wobei die Grenzfläche 24 der Grenzfläche 14 und die Struktur 28 der Struktur 18 entspricht. In gleicher Weise ist der Körper 21 mit der zweiten Lage 19 aus 2 vergleichbar und die Grenzfläche 25 entspricht der Grenzfläche 15 und die Struktur 26 der Struktur 16, sodass sich weitere Ausführungen hierzu erübrigen. Die Tragstruktur 27 dient zur mechanischen Stabilisierung und kann weiterhin Funktionen, wie Wärmeableitung und dergleichen erfüllen. Zusätzlich oder alternativ können weitere Funktionsschichten (nicht gezeigt) zwischen und/oder auf den Körpern 21 und 22 vorgesehen werden.
Eine entsprechende Tragstruktur und/oder weitere Funktionsschichten können auch bei den Ausführungsformen der 1 und 2 im Bereich oberhalb oder unterhalb des entsprechenden Körpers 2 bzw. 12 vorgesehen sein.
Eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements 30 ist in der 4 dargestellt, welche einen Querschnitt durch das optische Element 30 zeigt. Das optische Element 30 weist einen homogenen Körper 32 aus einem homogenen Material auf, welcher an der Oberfläche 34 eine Struktur 38 aufweist. Die Struktur 38 ist anders als die Strukturen 8, 18, 28 der optischen Elemente 1, 10, 20 aus den Ausführungsbeispielen der 1 bis 3 nicht so dimensioniert, dass die Struktur das auf die Oberfläche 34 auftreffende EUV-Licht beugt, sondern die Struktur 38 definiert lediglich unterschiedliche Bereiche 31, von denen jeder eine individuell, in bestimmter Weise geformte Oberfläche 33 aufweist. Entsprechend wirkt das optische Element 30 nicht als diffraktives optisches Element, welches durch die Struktur 38 eine entsprechende Beugung erzeugt und das hindurchtretende EUV-Licht entsprechend verändert, sondern das optische Element 30 wird als refraktives optische Element eingesetzt, bei dem die EUV-Strahlung an der Grenzfläche 34 zwischen Umgebung und Körper 32, also an der Oberfläche 34 gebrochen wird. Durch die unterschiedlichen Bereiche 31, die jeweils unterschiedlich geformte Oberflächenformen 33 aufweisen, kommt es beim Hindurchtreten der EUV-Strahlung durch den Körper 32 des optische Elements 30 zu einer refraktiven Beeinflussung der EUV-Strahlung.
Die einzelnen Bereiche 31 des optische Elements 30, die durch die Struktur 38 gebildet werden, sind so ausgebildet, dass die einzelnen optische wirksamen Oberflächen 33 durch im Wesentlichen parallel zu der auftreffenden Strahlung ausgerichteten Flanken 35 miteinander verbunden sind.
Die Wirkung der Flanken 35 besteht darin, die Höhe H des optische Elements 30, die von der EUV-Strahlung durchlaufen wird, zu reduzieren, um die Absorption der EUV-Strahlung im Körper 32 zu begrenzen. Anstelle einer glatten optischen Fläche 37 mit großer Höhenvariation H´, wie sie für ein optisches Element in 5a) gezeigt ist, werden nur noch stückweise glatte, optische Flächen 33 in den Bereichen 31 vorgesehen, die kleinere Höhenvariationen H aufweisen und über die Flanken 35 stufig miteinander verbunden sind. Das in 5b) im Vergleich zu dem optische Element 36 der 5a) noch einmal dargestellte optische Element 30 aus 4 zeigt, dass die Gesamthöhe H des erfindungsgemäßen optischen Elements 30 gegenüber dem optische Element 36 deutlich reduziert werden kann, während die optischen Flächen 33 der einzelnen Bereiche 31a bis 31i zusammengesetzt die refraktive Wirkung entfalten, wie die optische Oberfläche 37 des optischen Elements 36. Entsprechend dem Prinzip einer Fresnellinse können die Bereiche 31a bis 31i als konzentrische Bereiche ausgebildet sein.
Die 6 zeigt eine weitere Ausführungsform eines optischen Elements 40 mit einer Lage 30´, die der Form und Struktur des optischen Elements 30 entspricht. Zusätzlich weist jedoch das optische Element 40 eine Tragstruktur 39 auf, die beispielsweise durch eine Gitterstruktur, eine Wabenstruktur, beispielsweise aus Nickelwaben, Kupferwaben, Graphen, einem Geflecht aus Kohlenstoff-Nanoröhren oder Schichtstapeln mit festigkeitssteigernden Anteilen, wie Silizium, und/oder elastischen Anteilen, wie Zirkon, aufgebaut sein kann. Die Tragstruktur 39 dient hauptsächlich der mechanischen Stabilisierung des optischen Elements 40, wenn die refraktiv wirkende Lage 30´ von sich aus eine zu geringe mechanische Stabilität aufweisen sollte.
Die 7 zeigt eine fünfte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements 50, welches aus zwei Lagen 51 und 52 ausgebildet ist, die jeweils eine nach außen gerichtete Struktur 56, 58 aufweisen. Die Lage 51 entspricht wiederum einem refraktiv wirkenden optischen Element, wie es in der 4 dargestellt ist. Bei der refraktiven Wirkung kommt es darauf an, dass der Imaginärteil des Brechungsindex bezüglich der durchdringenden EUV-Strahlung möglichst klein ist, sodass die Absorption der EUV-Strahlung möglichst gering gehalten wird. Entsprechend kann als Material für das optische Element 30 aus 4 bzw. die Lagen 30´ und 51 der Ausführungsformen der 6 und 7 Niob gewählt werden, da dieses Material für EUV-Strahlung ein gutes Verhältnis von Phasenmodulation zur Absorption aufweist. Allerdings weist auch dieses Material zwangsläufig eine parasitäre Amplitudenmodulation (Absorption) auf, sodass bei der Ausführungsform der 7 das optische Element 50 eine zweite Lage 52 aus einem zweiten Material mit besonderes geringer Phasenwirkung und hoher Absorption eingesetzt wird, sodass die Absorption und die Phasenwirkung weitgehend unabhängig voneinander einstellbar sind. Durch die Struktur 56 der Lage 52, welche auf die Struktur 58 der Lage 51 abgestimmt ist, kann so eine ortsabhängige Phasenwirkung über dem optischen Element 50 bei gleicher bzw. konstanter Absorption eingestellt werden. Als Materialien für die Lage 52 kommen insbesondere Silizium und Nickel in Frage, da sie bei EUV-Strahlung ein geeignetes Verhältnis von Absorption zu Phasenmodulation aufweisen.
Die 8 zeigt eine rein schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels 60 mit zwei Lagen 61 und 63, die beidseits einer Tragstruktur 62 angeordnet sind. Die Lagen 61 und 63 entsprechen den Lagen 51 und 52 des optischen Elements 50 aus 7, wobei auf die Darstellung der entsprechenden Strukturen verzichtet worden ist. Vielmehr zeigt die 8, dass die Lagen 61 und 63 nicht nur aus einem homogenen Material gebildet sein können, sondern eine Vielzahl von Teillagen aufweisen können. Die Teillagen 64, 65 können beispielsweise durch eine alternierende Folge von Teillagen 64 aus Zirkon und Teillagen 65 aus Zirkondisilizid gebildet sein, die abwechselnd in dem Schichtstapel vorgesehen sind. In gleicher Weise kann die Lage 63 aus einer Vielzahl von Teillagen 67 und 68 aufgebaut sein, die beispielsweise aus Silizium als Absorptionskorrekturmaterial und Zirkondisiliziden als Trennschichtmaterial gebildet sein kann. Darüber hinaus können beide Schichtstapel der Lagen 61 und 63 jeweils an der Außenseite eine sogenannte Cap-Schicht aufweisen, die beispielsweise eine Oxidationsschutzschicht sein kann. Die Cap-Schicht 66 der Lage 61 und die Cap-Schicht 69 der Lage 63 können dabei entweder durch das gleiche Material gebildet sein oder durch verschiedene Materialien.
Ähnlich zu der Lage 61 des optischen Elements 60, die beispielsweise der Lage 51 des optischen Elements 50 entspricht, können auch die optischen Elemente 30 und 40 durch Mehrschichtlagen gebildet sein.
Die 9 zeigt ein Diagramm, welches potentielle Materialien für die Schichten mit überwiegender Phasenmodulation, also für die Wellenfrontkorrekturlagen zeigt. Das Diagramm zeigt die Abweichung δ des Realteils des komplexen Brechungsindexes von dem einem idealen Vakuum entsprechenden Wert 1 auf der x-Achse und den Absorptionskoeffizienten β auf der y-Achse. Die Materialien links oben von der gestrichelten, geraden Linie, bei der δ = β ist, sind insbesondere als Absorptionsmaterialien oder Materialien für die Amplitudenmodulation geeignet, während die Materialien, die rechts unten von dieser Linie liegen mit einem vergleichsweise niedrigen Imaginärteil des Brechungsindex eine geringere Absorption aufweisen und deshalb für die Wellenfrontkorrekturlagen, das heißt Lagen zur überwiegenden Phasenmodulation geeignet sind. Die Bedingungen δ = β ist nicht als mathematische Formel, sondern lediglich als Anhaltspunkt für eine geeignete Materialauswahl zu betrachten. Die Werte dieses Diagramms sind aus einem entsprechenden Diagramm der Dissertation „Surface and Interface Dynamics and Multilayererd Systems" von T. Tsarfati(2009) ISBN 978905335-107-0, Kapitel 1, Seite 12 entnommen.
Die 10 zeigt in rein schematischer Weise eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100, bei welcher ein entsprechendes optisches Element der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann. Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 umfasst eine Lichtquelleneinheit 101, ein Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionsobjektiv 104, mit dem die von dem Beleuchtungssystem 102 auf das Retikel gerichtete Strahlung und an dem Retikel 103 reflektierte Strahlung 104 auf den Wafer 105 geführt wird. In einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage 100 kann ein erfindungsgemäßes optisches Element im Durchstrahlungsmodus eingesetzt werden, d.h. in einer Art und Weise, dass die zur Abbildung des Retikels 103 auf den Wafer 105 verwendete EUV-Strahlung durch das optische Element hindurch tritt.
Beispielsweise lässt sich ein diffraktives optisches Element ähnlich den Ausführungsbeispielen der 1 bis 3 in Form eines gemischten Phasen-/Amplitudenhologramms mit einem Folienelement aus einem ZrSi₂ 6nm – (Zr 1,5nm – ZrSi₂ 1,5 nm) × 17,5 – ZrSi₂ 6nm – Vielfachschichtstapel mit 64,5 nm Dicke und 80 mm Durchmesser bei einer gemessenen Transmission von 73,6% für EUV-Strahlung als Trägerfolie realisieren. Die Transmissionswerte sind der Veröffentlichung M. N. Drozdov et. al., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2011, Vol. 75, No. 1, pp. 76–79 entnommen. Auf der Trägerfolie wird eine Phasenmodulationsschicht aus strukturiertem Niob mit einer Gesamtdicke von ca. 204 nm abgeschieden. Mit einer Struktur mit einer Höhenvariation zwischen 0 nm und 204 nm lassen sich Phasenwirkungen zwischen 0 nm und 13,5 nm einstellen, welche bei einer Wellenlänge von 13,5 nm genau einem Gangunterschied entsprechen. Bei vollständiger Materialdicke von 204 nm würde die Absorption 63% betragen, wobei eine durchschnittlichte Absorption deutlich niedriger ausfallen würde, beispielsweise in der Größenordnung von 36%, wenn alle Dicken zwischen 0 nm und 204 nm gleich häufig vorkommen. Die Gesamttransmission könnte somit bei einem Wert von ca. 47% liegen.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist durch ein Amplitudenhologramm gegeben, bei dem wiederum eine Trägerfolie aus einem Schichtstapel aus ZrSi₂ 6nm – (Zr 1,5nm – ZrSi₂ 1,5 nm) × 17,5 – ZrSi₂ 6nm – Vielfachschichtstapel mit 64,5 nm Dicke und 80 mm Durchmesser bei einer gemessenen Transmission von 73,6% vorgesehen ist. Auf dieser Trägerfolie kann eine Absorptionsschicht aus Nickel strukturiert aufgedampft werden, deren maximale Dicke 45 nm beträgt, wobei bei dieser Dicke die Lage eine Transmission von 5% aufweisen würde. Durch die Strukturierung ergibt sich eine mittlere Transmission von 52,5%, sodass die Gesamttransmission von Träger und Absorptionsschicht ca. 39% beträgt.
Bei einem Ausführungsbeispiel in Form eines Phasenhologramms kann wiederum die oben beschriebene Trägerfolie aus einem Schichtstapel ZrSi₂ 6nm – (Zr 1,5nm – ZrSi₂ 1,5 nm) × 17,5 – ZrSi₂ 6nm – Vielfachschichtstapel mit 64,5 nm Dicke und 80 mm Durchmesser bei einer gemessenen Transmission von 73,6% Anwendung finden, wobei eine Phasenmodulationsschicht aus Niob sowie eine Absorptionsausgleichsschicht aus Silizium vorgesehen werden können. Die maximale Dicke der Niob-Schicht kann 213 nm betragen, sodass durch Variation der Dicke der Niob-Schicht zwischen 0 nm und 213 nm wiederum Phasenwirkungen zwischen 0 nm und 13,5 nm möglich sind, also in der Größenordnung eines Gangunterschiedes der verwendeten Wellenlänge von 13,5 nm liegen, wobei die Transmission von Träger und Phasenmodulator zusammen ungefähr 60% beträgt.
Ein optisches Element 40, wie es in der 6 dargestellt ist, kann ebenfalls eine Trägerfolie 39 in Form eines Schichtstapels aus ZrSi₂ 6nm – (Zr 1,5nm – ZrSi₂ 1,5 nm) × 17,5 – ZrSi₂ 6nm – Vielfachschichtstapel mit 64,5 nm Dicke und 80 mm Durchmesser aufweisen, sodass die Transmission für EUV-Strahlung mit der Wellenlänge 13,5 nm 73,6% beträgt. Die Lage 30’ kann aus Niob mit einer maximalen Dicke von 204 nm gebildet sein, sodass wiederum eine Phasenwirkung von einem Gangunterschied bei der Wellenlänge 13,5 nm einstellbar ist. Unter Berücksichtigung der Struktur kann eine durchschnittliche Absorption von 36% bzw. eine Transmission von 64% angenommen werden, sodass die Gesamttransmission eines derartigen optischen Elements bei 47% liegen kann.
Das optische Element 50 aus 7 kann eine Lage 51 ähnlich der Lage 30’ der 6 aufweisen und es kann zusätzlich eine in 7 nicht gezeigte Tragstruktur in Form einer Trägerfolie ebenfalls gemäß der Ausführungsform des optischen Elements 40 aus 6 vorgesehen sein. Die Lage 52 in Form einer Absorptionsausgleichsschicht kann aus Silizium mit einer maximalen Dicke von 606 nm gebildet sein. Die entsprechend dadurch erwirkte ortsunabhängige Transmission von ca. 35 % kann zu einer Gesamttransmission von 30% führen.
Dies zeigt, dass mit den erfindungsgemäßen, optischen Elementen EUV-Optiksysteme ausgestattet werden können, bei denen die optischen Elemente als diffraktive optische Elemente oder refraktive optische Elemente im Durchstrahlungsmodus betrieben werden, wobei eine ausreichende Transmission sichergestellt werden kann.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand des Ausführungsbeispiels detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf dieses Ausführungsbeispiel beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden können, ohne dass der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche verlassen wird. Die vorliegende Erfindung schließt sämtliche Kombinationen der vorgestellten Einzelmerkmale mit ein.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102012202057 [0003, 0003, 0004]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

„Surface and Interface Dynamics and Multilayererd Systems“ von T. Tsarfati(2009) ISBN 978905335-107-0, Kapitel 1, Seite 12 [0051]
M. N. Drozdov et. al., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2011, Vol. 75, No. 1, pp. 76–79 [0053]

Claims

Optisches Element für ein EUV-Optiksystem, insbesondere eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, mit mindestens einem dreidimensionalem Körper (2, 12, 21, 22, 32), der ein Volumen aufweist, welches aus mindestens einem für EUV-Strahlung mit Wellenlängen unter 30 nm durchstrahlbaren Material gebildet ist, um im Gebrauch zumindest teilweise von EUV-Strahlung durchstrahlt zu werden, dadurch gekennzeichnet, dass der Körper mindestens eine dreidimensionale Struktur (8, 16, 18, 26, 28, 38) aufweist, die so ausgebildet ist, dass die Struktur für das EUV-Licht eine Diffraktion bewirkt, und/oder so ausgebildet ist, dass mehrere Bereiche gebildet sind, welche jeweils eine für das EUV-Licht refraktiv wirkende optische Fläche bereitstellen.
Optisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur mit einer Vielzahl refraktiv wirkender optischer Flächen (31) eine Schicht definiert, die eine Höhe H und eine quer dazu verlaufende Grundfläche aufweist, wobei die Grundfläche quer zu einer Durchstrahlungsrichtung mit EUV-Strahlung im Betrieb des optischen Elements angeordnet ist und die Höhe eine Höhenrichtung definiert, die sich zumindest teilweise in Durchstrahlungsrichtung erstreckt, wobei die Höhe der Struktur auf einen Maximalwert begrenzt ist, der insbesondere definiert ist durch einige wenige Vielfache, insbesondere weniger oder gleich dem 5-fachen, vorzugsweise dem 1-fachen des Gangunterschieds der Wellenlänge der EUV-Strahlung, der erzeugt wird, wenn die EUV-Strahlung den Körper mit der Struktur durchläuft.
Optisches Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die refraktiv wirkenden optischen Flächen (31) in den Bereichen der Struktur durch entlang der Höhenrichtung verlaufenden Flanken (35) verbunden sind, wobei die Flanken einen Höhenversatz der refraktiv wirkenden optischen Flächen bewirken, ohne den die refraktiv wirkenden optischen Flächen der Bereiche eine über der Grundfläche verlaufende, zusammengesetzte optisch wirksame Fläche (37) bilden.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element mehrere Strukturen (16, 18, 26, 28) umfasst, insbesondere zwei aufeinander abgestimmte Strukturen.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element mehrere Lagen (51, 52) unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung aufweist.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element eine erste Lage (51) aus einem ersten Material mit einer ersten Struktur und eine zweite Lage (52) aus einem zweiten Material mit einer zweiten Struktur umfasst, wobei die erste Lage eine gegenüber der Amplitudenmodulation überwiegende Phasenmodulation der durchgehenden EUV-Strahlung bewirkt, während die zweite Lage eine gegenüber der Phasenmodulation überwiegende Amplitudenmodulation der durchgehenden EUV-Strahlung bewirkt.
Optisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die dreidimensionale Struktur (8, 16, 18, 26, 28) mindestens ein Hologramm, insbesondere ein holographisches optisches Element oder ein computergeneriertes Hologramm, oder ein Beugungsgitter bildet.
Optisches Element nach Anspruch 1 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die dreidimensionale Struktur (8, 16, 18, 26, 28) ein Amplitudenhologramm, ein Phasenhologramm oder ein Amplituden-/Phasenhologramm bildet.
Optisches Element nach einem der Ansprüche 1 oder 7 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die dreidimensionale Struktur mindestens eine zum Amplitudenhologramm strukturierte Lage (19) aus einem Absorptionsmaterial für die EUV-Strahlung aufweist, die insbesondere Nickel und/oder Chrom umfasst.
Optisches Element nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die zum Amplitudenhologramm strukturierte Lage eine Dicke von kleiner oder gleich 100 nm, insbesondere kleiner oder gleich 50 nm, vorzugsweise kleiner oder gleich 20 nm aufweist.
Optisches Element nach einem der Ansprüche 1 oder 7 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die dreidimensionale Struktur durch eine erste Lage (11) aus einem ersten Material mit einer ersten Struktur gebildet ist, die eine gegenüber einer Amplitudenmodulation überwiegende Phasenmodulation der durchgehenden EUV-Strahlung bewirkt.
Optisches Element nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element weiterhin eine zweite Lage (19) aus einem zweiten Material mit einer zweiten Struktur umfasst, das eine gegenüber der Phasenmodulation überwiegende Amplitudenmodulation der durchgehenden EUV-Strahlung bewirkt, wobei insbesondere die zweite strukturierte Lage auf die erste strukturierte Lage abgestimmt ist.
Optisches Element nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Lage definiert ist durch einige wenige ganzzahlige Vielfache, insbesondere weniger oder gleich dem 5-fachen, vorzugsweise dem 1-fachen eines Gangunterschieds der Wellenlänge der EUV-Strahlung, der erzeugt wird, wenn die EUV-Strahlung die strukturierte Lage durchläuft.
Optisches Element nach Anspruch 6 oder 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lage Niob, Yttrium, Zirkon, Molybdän und/oder Ruthenium und die zweite Lage Silizium, Chrom, Germanium, Yttrium und/oder Nickel umfasst.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die dreidimensionale Struktur durch mindestens eine innere oder äußere Grenzfläche gebildet ist.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Lage aus einer Vielzahl von Teillagen gebildet ist.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element mehrere Körper umfasst.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element eine Tragschicht (27, 39) zur Lagerung eines oder mehrerer Körper umfasst.
Optisches Element nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Tragschicht (27, 39) aus einem Vollkörper oder einer Tragstruktur gebildet ist.
Optisches Element nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Tragstruktur so ausgebildet ist dass sie als Beugungsgitter wirkt.
Verwendung eines optischen Elements, insbesondere eines optischen Elements nach einem der vorhergehenden Ansprüche, im Durchstrahlungsmodus als optisches Element eines EUV-Optiksystems, insbesondere einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, mit Wellenlängen des Arbeitslichts der EUV-Projektionsbelichtungsanlage kleiner oder gleich 30 nm, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element als refraktives und/oder diffraktives Element eingesetzt wird.
EUV-Optiksystem, insbesondere EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen Element nach einem der Ansprüche 1 bis 20 und/oder mit Verwendung eines optischen Elements nach Anspruch 21.
EUV-Optiksystem nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass das EUV-Optiksystem eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Halbleiterlithografie, ein EUV-Maskeninspektionssystem, ein EUV-Waferinspektionssystem oder eine EUV-Prüfsystem ist.