JP2020534674A - リソグラフィ装置のための制御システム - Google Patents

Abstract

制御システムが、放射ビームの波面を調整するように構成される。制御システムは、ビームの伝搬パスの一部を画定する１対のミラーを有する。ミラーの各々は、ビームの波面内に変化を生じさせるように構成されたプロファイルされた反射表面を有する。ミラーは、ミラーを互いに関して回転させることで、伝搬パスに影響を与えることなく波面を調整可能にするように位置決めされる。【選択図】図２

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本願は、２０１７年９月２０日出願の欧州出願第１７１９２１２５．７号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、放射ビームの波面を調整するための制御システムに関する。制御システムは、リソグラフィ装置に適した放射源の一部を形成することができる。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与するように構成された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）から、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）の層上に、パターンを投影することができる。

[0004] パターンを基板上に投影するためにリソグラフィ装置によって使用される放射の波長は、その基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。従来のリソグラフィ装置（例えば、１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用する場合がある）よりも小さいフィーチャを基板上に形成するために、４〜２０ｎｍのレンジ内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置を使用することができる。

[0005] ＥＵＶ放射は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源を使用して生成することができる。ＬＰＰ源は、レーザ放射ビームを提供するように構成されたシードレーザを含むことができる。レーザ放射ビームは増幅され、ＥＵＶ放射を発生させるためにプラズマを形成するようにターゲットを励起するために、ＬＰＰ源のプラズマ形成ロケーション領域へと移送することができる。レーザ放射ビームの波面は、プラズマ形成領域に到達する前に光学収差を集合させる可能性がある。光学収差は、望ましくない手法でレーザ放射ビームの波面の形状を変更させる可能性がある。レーザ放射ビームの波面の形状は、ＬＰＰ源の変換効率（すなわち、発生するＥＵＶ放射のパワー対プラズマを発生させるために必要なパワー）に影響を与える可能性がある。

[0006] 本発明の第１の態様に従い、放射ビームの波面を調整するための制御システムが提供される。制御システムは、第１の伝搬方向に沿って放射ビームを受け取るように構成され、また、第２の伝搬方向に沿って放射ビームを反射するように構成された、第１のミラーを備える。第１のミラーは、放射ビームの波面の形状に第１の変化を適用するように、更に構成される。制御システムは、反射された放射ビームを第３の伝搬方向に沿って反射するように構成された第２のミラーも備え、第２のミラーは、放射ビームの波面の形状に第２の変化を適用するように、更に構成される。制御システムは、第１のミラー及び第２のミラーのうちの特定の１つを軸の周囲で回転させるように構成された、作動システムも有し、軸は、第１の伝搬方向、第２の伝搬方向、及び第３の伝搬方向の各々を保持するように構成される。

[0007] 放射ビームの波面の形状は、放射ビームが放射源を介して進むとき、光学収差の集合に起因して波面の望ましい形状から逸脱する場合があり、これによって放射源の効率を低下させる可能性がある。制御システムは、有利には、放射源の効率を上げることができるように、放射ビームの波面の形状を制御する。透過光学系ではなくミラーを使用することで、有利には、高出力（例えば、約２５ｋＷ）レーザビームの波面を制御することが可能になり、したがって制御システムは、ＬＰＰ ＥＵＶ放射源と共に使用するのに適したものとなる。制御システムは、既知の放射源を大規模に再設計する必要のない、安価で柔軟性のあるソリューションを提供する。

[0008] 作動システムは、第１のミラー及び第２のミラーのうちの他方を第２の軸の周囲で回転させるように、更に構成可能であり、第２の軸は、第１の伝搬方向、第２の伝搬方向、及び第３の伝搬方向の各々を保持するように構成される。

[0009] 第１のミラー及び第２のミラーのうちの少なくとも１つは、ゼルニケ多項式に対応する空間反射構造を有することができ、ゼルニケ多項式は２より大きいか又は等しいラジアル度を有する。

[00010] ゼルニケ多項式は、異なるタイプの光学収差を表すために使用することができる。ミラーの空間反射構造をゼルニケ多項式に実質的に対応させることで、有利には、放射ビームの波面の特定タイプの光学収差を制御できるようになる。２より大きいか又は等しいラジアル度を有するゼルニケ多項式は、非平坦である。

[00011] ゼルニケ多項式は、非点収差ゼルニケ多項式とすることができる。

[00012] 実験を介して、非点収差は、放射源の効率を上げる際に考慮及び制御するための重要な収差であることがわかっている。第１のミラー及び第２のミラーのうちの少なくとも１つの空間反射構造を非点収差ゼルニケ多項式に実質的に対応させることで、有利には、波面の形状における望ましい非点収差の変化を放射ビームに適用できるようになる。

[00013] 第１及び第２のミラーの空間反射構造を非点収差ゼルニケ多項式に実質的に対応させることで、有利には、波面の非点収差の大きさ及び配向を制御できるようになり、したがって、放射源の効率をより大幅に制御できるようになる。

[00014] 空間反射構造は、二次曲面上に重畳されたゼルニケ多項式に対応することができ、ゼルニケ多項式は、２より大きいか又は等しいラジアル度を有する。

[00015] 既知の放射源におけるいくつかのミラーは二次曲面を有する。第１のミラー及び第２のミラーのうちの少なくとも１つの形状を、二次曲面上に重畳された非点収差ゼルニケ多項式に実質的に対応させることで、有利には、二次ミラーの分岐効果又は収束効果を維持できるようになる一方で、こうしたミラーを使用して、波面の収差（例えば、非点収差）の大きさ及び／又は角度位置を制御することもできる。

[00016] 二次曲面は放物面とすることができる。

[00017] 制御システムは波面センサを更に備えることができ、波面センサは、放射ビームの波面を感知するように、及び、感知した波面を示す波面信号を出力するように構成される。

[00018] 制御システムはプロセッサを更に備えることができ、プロセッサは、波面信号を受信するように、第１のミラーの第１の角度位置を決定するように、第２のミラーの第２の角度位置を決定するように、第１の角度位置及び第２の角度位置の、感知した波面の制御の下で、第１の角度位置及び第２の角度位置のうちの少なくとも１つの望ましい調整を決定するように、並びに、望ましい調整を示す調整信号を出力するように、構成される。

[00019] 制御システムはコントローラを更に備えることができ、コントローラは、調整信号を受信するように、及び、調整信号に依存して作動システムを制御するように、構成される。

[00020] 本発明の第２の態様に従い、ＥＵＶ放射を生成するように構成され、レーザシステム及び燃料放出器を備える、ＥＵＶ放射源が提供される。燃料放出器は、燃料ターゲットを提供するように構成される。レーザシステムは、燃料ターゲットをプラズマに変換してＥＵＶ放射を生成するように、燃料ターゲット上に入射する放射ビーム提供するように構成される。ＥＵＶ放射源は、前述のように、放射ビームの波面を調整するための制御システムを更に備える。

[00021] 本発明の第３の態様に従い、前述のようなＥＵＶ放射源及びリソグラフィ装置を備えるリソグラフィシステムが提供される。リソグラフィ装置は、ＥＵＶ源からＥＵＶ放射を受け取るように、及び、パターンを基板上に投影するためにＥＵＶ放射を使用するように、構成される。

[00022] 本発明の第４の態様に従い、放射ビームの波面を制御する方法が提供され、方法は、第１の伝搬方向に沿って放射ビームを受け取ること、第２の伝搬方向に沿って第１のミラーからの放射ビームを反射し、放射ビームの波面の形状に第１の変化を適用すること、第２のミラーから反射された放射ビームを第３の伝搬方向に沿って反射し、放射ビームの波面の形状に第２の変化を適用すること、及び、第１のミラー及び第２のミラーのうちの１つを、第１の伝搬方向、第２の伝搬方向、及び第３の伝搬方向の各々が保持されるように、軸の周囲で回転させることを含む。

[00023] 第１のミラー及び第２のミラーのうちの少なくとも１つは、ゼルニケ多項式に対応する空間反射構造を有することができ、ゼルニケ多項式は２より大きいか又は等しいラジアル度を有する。

[00024] 第１のミラー及び第２のミラーのうちの少なくとも１つの角度位置は、放射ビームの波面が何らかの誘起非点収差を含むように調整可能である。

[00025] 前述のように、ＥＵＶ放射源の燃料放出器は燃料ターゲットを提供し、ＥＵＶ放射源のレーザシステムは、燃料ターゲットをプラズマに変換してＥＵＶ放射を生成するように、燃料ターゲット上に入射する放射ビームを提供する。燃料放出器は、レーザビームが液滴に正確に衝突する領域への軌道上で開始される小液滴の形で燃料ターゲットを提供することが可能である。誘起される非点収差の大きさ及び角度位置は、放射ビームが入射する燃料の液滴の形状の知識に依存して選択可能である。

[00026] レーザパルスのビーム強度プロファイルを燃料の液滴の形状と一致させることで、ＬＰＰ放射源の変換効率を上げることができることがわかっているため、放射ビームが入射する燃料の液滴の形状の知識に依存して誘起される非点収差の大きさ及び角度位置を選択することが有利である。

[00027] 本発明の第５の態様に従い、放射波面制御システムに前述の方法を実行させるように構成されたコンピュータ可読命令を担持する、非一時的コンピュータ可読媒体が提供される。

[00028] 本発明の態様の１つ以上の特徴を、本発明の他の態様の１つ以上の特徴と組み合わせることが可能であることを理解されよう。

[00029] 次に、本発明の実施形態を、添付の概略図を参照しながら単なる例として説明する。

本発明の実施形態に従った、放射ビームの波面を調整するための制御システムを備える、リソグラフィ装置及び放射源を備えるリソグラフィシステムを概略的に示す図である。 本発明の実施形態に従った、放射ビームの波面を調整するための制御システムを概略的に示す図である。 図３Ａ〜図３Ｃからなる、本発明の実施形態に従った、３つの異なる相対的角度位置における、制御システムの第１のミラー及び第２のミラーを概略的に示す正面図である。 図４Ａ〜図４Ｃからなる、代替の例示技法を使用して、図３に示される第１のミラー及び第２のミラーを概略的に示す正面図である。 図５Ａ〜図５Ｃからなる、本発明の実施形態に従った、３つの異なる相対的角度位置における、制御システムの第１のミラー及び第２のミラーを概略的に示す正面図である。 図６Ａ〜図６Ｃからなる、代替の例示技法を使用して、図５に示される第１のミラー及び第２のミラーを概略的に示す正面図である。

[00030] 図１は、本発明の一実施形態に従った、放射ビームの波面の形状を調整するための制御システム２０を含む、リソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを発生させるように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴ、投影システムＰＳ、及び、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを備える。照明システムＩＬは、放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡ上に入射する前に放射ビームＢを調節するように構成される。投影システムＰＳは、（マスクＭＡによってパターニングされた）放射ビームＢを、基板Ｗ上に投影するように構成される。基板Ｗは、事前に形成されたパターンを含むことができる。この場合、リソグラフィ装置は、パターン付与された放射ビームＢを、基板Ｗ上に事前に形成されたパターンと位置合わせする。

[00031] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳは、すべて、外部環境から隔離できるように構築及び配置可能である。大気圧より低い圧力のガス（例えば、水素）を、放射源ＳＯ内に提供することができる。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に、真空を提供することができる。大気圧よりもかなり低い圧力の少量のガス（例えば、水素）を、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に提供することができる。

[00032] 図１に示される放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれることのあるタイプである。例えばＣＯ_２レーザを含むことができるレーザシステム１は、燃料放出器３から提供されるスズ（Ｓｎ）などの燃料内に、レーザ放射ビーム２を介して、エネルギーを蓄積するように配置される。下記の説明ではスズに言及しているが、任意の好適な燃料が使用可能である。燃料は、例えば液体の形とすることが可能であり、例えば金属又は合金とすることができる。燃料放出器３は、スズなどの燃料を、例えば液滴の形で、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って誘導するように構成された、ノズルを備えることができる。レーザ放射ビーム２は、プラズマ形成領域４においてスズに入射する。スズ内へのレーザエネルギーの蓄積が、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を形成する。ＥＵＶ放射を含む放射は、脱励起中、及びプラズマのイオンと電子の再結合中に、プラズマ７から放出される。

[00033] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（時には、より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれる）によってまとめられ、合焦される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍなどの望ましい波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された多層構造を有することができる。コレクタ５は、２つの焦点を有する楕円構成を有することができる。以下で考察するように、第１の焦点はプラズマ形成領域４内にあり、第２の焦点は中間焦点６にあるものとすることができる。

[00034] レーザシステム１は、放射源ＳＯから距離を置いて配置することができる。この場合、レーザ放射ビーム２は、例えば、好適な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を備える、ビームデリバリシステム（図示せず）の助けにより、レーザシステム１から放射源ＳＯへと通過することができる。レーザシステム１及び放射源ＳＯを合わせて、放射源と見なすことができる。レーザシステム１は、例えば、シードレーザ、１つ以上の光増幅器、及びビームデリバリシステムを備えることができる。

[00035] コレクタ５によって反射される放射は、放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、ポイント６で合焦してプラズマ形成領域４のイメージを形成し、これが照明システムＩＬに対して仮想放射源として作用する。放射ビームＢが合焦するポイント６は、中間焦点と呼ぶことができる。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源の閉鎖構造９内の開口８又は開口８近くに位置するように、配置される。

[00036] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調節するように構成された照明システムＩＬ内へと通過する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は、共に、放射ビームＢの望ましい断面形状及び強度の望ましい角度分布を伴う放射ビームＢを提供する。放射ビームＢは照明システムＩＬから通過し、支持構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡ上に入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射及びパターン付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、又はこれらの代わりに、他のミラーデバイスを含むことができる。

[00037] パターニングデバイスＭＡからの反射に続き、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入る。投影システムは、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に放射ビームＢを投影するように構成された、複数のミラー１３、１４を備える。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小係数を適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを伴うイメージを形成することができる。例えば、縮小係数４を適用することができる。投影システムＰＳは図１では２つのミラー１３、１４を有するが、投影システムは任意数のミラー（例えば、６つのミラー）を含むことができる。

[00038] 図１に示される放射源ＳＯは、図示されていないコンポーネントを含むことができる。例えば、スペクトルフィルタを放射源内に提供することができる。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対して実質上透過的であるが、赤外線放射などの放射の他の波長は、実質上遮断することができる。

[00039] 放射源ＳＯの変換効率は、プラズマ形成領域４におけるレーザ放射ビーム２の強度分布に少なくとも部分的に依存する可能性がある。上記で説明したように、レーザ放射ビームエネルギーのスズ内への蓄積は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を作成する。プラズマ形成領域４におけるレーザ放射ビーム２の強度分布は、レーザ放射ビーム２の波面に少なくとも部分的に依存する可能性がある。放射ビームの波面は、全体にわたってすべてのポイントが同じ位相を有する表面である。波面はレーザシステム１を介して伝搬する。レーザ放射ビーム２の波面は、レーザ放射ビーム２がレーザシステム１を介して進み、レーザシステム１の光学コンポーネントと相互作用するとき、非点収差などの光学収差の集合に起因して、望ましい波面から逸脱する場合がある。例えば、レーザ放射ビーム２がシードレーザ（図示せず）からプラズマ形成領域４へと進むとき、レーザ放射ビーム２は光学収差を集合させる可能性があり、これによって、レーザ放射ビーム２の波面の形状を望ましい形状から逸脱させる。例えば、光学収差は、レーザシステム１内のミラー及び／又はレンズなどの不完全な光学コンポーネント、レーザシステム１内の正しく位置合わせされていない光学コンポーネント、及び／又は、光学要素の１つ以上の光学特性（例えば、ミラーの反射表面）における誘起変動から生じる可能性がある。波面の形状が変更されると、プラズマ形成領域４におけるレーザ放射ビーム２の断面内に、望ましくない強度分布を生じさせ、放射源ＳＯによって発生するＥＵＶ放射の量を減少させる可能性がある。放射源ＳＯの変換効率の低下は、基板Ｗのターゲット領域のリソグラフィ露光を実行するために使用可能な放射エネルギーが少なくなるため、リソグラフィ装置のスループットにマイナスの影響を与える可能性がある。レーザシステム１を介して進むとき、レーザ放射ビーム２によって集められる光学収差は（例えば、レーザシステム１のコンポーネントの光学特性におけるドリフトのために）経時的に変動する可能性、及び／又はレーザシステムによって変動する可能性がある。

[00040] 図２は、本発明の実施形態に従った、放射ビームの波面を調整するための制御システム２０を概略的に示す。制御システム２０は、第１のミラー２１、第２のミラー２３、及び作動システム２２を備える。第１のミラー２１は、第１の伝搬方向２４ａに沿ってレーザ放射ビーム２５を受け取るように、及び、第２の伝搬方向２４ｂに沿ってレーザ放射ビーム２５を反射するように、構成される。第１のミラー２１は、放射ビーム２５の波面の形状における第１の変化を適用するように、更に構成される。第２のミラー２３は、反射された放射ビーム２５を第３の伝搬方向２４ｃに沿って反射するように構成される。第２のミラー２３は、放射ビーム２５の波面の形状における第２の変化を適用するように、更に構成される。放射ビーム２５は、図示し易いように、線を使用して表されている。実際には、放射ビーム２５は、第１のミラー２１及び第２のミラー２３全体にわたって入射する有限断面エリアを有する（すなわち、放射ビーム２５は、第１及び第２のミラー２１、２３上の単一ポイントから反射するのではなく、第１のミラー２１の反射表面のエリア及び第２のミラー２３のエリアから反射する）。放射ビーム２５は、例えば、約２５ｋＷの出力を有することができる。作動システム２２は、第１のミラー２１及び第２のミラー２３を、それぞれ軸３０及び軸３４の周囲で、互いに関して回転させるように構成される。軸３０、３４は、第１の伝搬方向２４ａ、第２の伝搬方向２４ｂ、及び第３の伝搬方向２４ｃの各々を保持するように構成される。軸３０、３４は、第１のミラー２１又は第２のミラー２３の反射表面を通過することができる。作動システム２２は、第１のミラー２１及び第２のミラー２３のうちの他方を、第２の軸３０、３４の周囲で回転させるように、更に構成可能である。第２の軸３０、３４は、第１の伝搬方向２４ａ、第２の伝搬方向２４ｂ、及び第３の伝搬方向２４ｃの各々を保持するように構成される。

[00041] したがって、制御システムは放射ビームの波面を調整するように構成される。制御システムは、ビームの伝搬パスの一部を画定する１対のミラーを有する。ミラーの各々が、ビームの波面内に変化を発生させるように構成された、プロファイルされた反射表面を有する。ミラーは、互いに関してミラーを回転させることで、ビームの伝搬パスに影響を与えることなく波面を調整可能にするように位置決めされる。

[00042] 下記の例示のシナリオが実装可能である。第１のミラー２１は軸３０の周囲で新しい角度位置まで回転されるのに対して、軸３４の周囲での第２のミラーの角度位置は固定されたままである。別の例として、第１のミラー２１は軸３０の周囲で新しい角度位置まで回転され、第２のミラー２３は軸３４の周囲で別の新しい角度位置まで回転される。更に別の例として、軸３０の周囲での第１のミラー２１の角度位置は固定されたままであり、第２のミラー２３は軸３４の周囲で新しい角度位置まで回転される。

[00043] 作動システム２２は、例えばステッパモータを備えることができる。

[00044] 追加の光学コンポーネントを、第１のミラー２１と第２のミラー２３との間に提示することができる。すなわち、放射ビーム２５は、第１のミラー２１からの反射の後、第２のミラー２３からの反射の前に、１つ以上の他の光学コンポーネント（例えば、図示されていない１つ以上の更なるミラー）と相互作用することができる。放射ビーム２５は、第１のミラー２１及び／又は第２のミラー２３の回転軸３０、３４と平行でない伝搬方向２４ａ〜ｂに沿って、第１のミラー２１及び／又は第２のミラー２３上に入射することができる。代替として、放射ビーム２５は、第１のミラー２１及び／又は第２のミラー２３の回転軸３０、３４と平行な伝搬方向に沿って、第１のミラー２１及び／又は第２のミラー２３上に入射することができる。

[00045] 制御システム２０は、波面センサ２８を備えることができる。波面センサ２８は、例えば、シャックハルトマン波面センサを備えることができる。放射ビームが第２のミラー２３から反射された後、放射ビーム２５のパス内にビームスプリッタ２９を提供することができる。ビームスプリッタ２９は、ＬＰＰ放射源内で使用するために放射ビーム２５の大部分を透過させるように、及び、放射ビーム２５のわずかな部分を波面センサ２８に向けて反射するように、構成可能である。波面センサ２８は、放射ビームが第２のミラー２３から反射された後、放射ビーム２５の波面を感知するように構成可能である。その後、波面センサは、感知された場合、放射ビーム２５の波面を示す信号を出力することができる。波面センサ２８によって出力された信号は、プロセッサ２７に提供することができる。プロセッサ２７は、波面センサ２８によって感知された場合、放射ビーム２５の波面を示す信号を受信するように構成される。プロセッサ２７は、第１のミラー２１及び第２のミラー２３の相対的な角度位置を示す信号を受信するようにも構成される。プロセッサ２７は、放射ビーム２５の波面に望ましい修正を適用するように、第１のミラー２１及び／又は第２のミラー２３の角度位置の調整を決定するように構成される。プロセッサ２７は、コントローラ２６に対して調整を示す信号を提供するように構成される。コントローラ２６は、プロセッサ２７から信号を受信するように、及び、決定された調整を第１のミラー２１及び／又は第２のミラー２３の角度位置に適用するように作動システム２２を制御するように、構成可能である。放射ビーム２５の波面を監視すること及び第１のミラー２１及び／又は第２のミラー２３を回転させることによって、放射ビーム２５の波面に望ましい修正を適用することができる。

[00046] ＬＰＰ放射源内のレーザシステムは、プラズマを発生させるとき、プレパルス及びメインパルスを提供するように構成可能である。プレパルス及びメインパルスは、同様の波長（例えば、約１０μｍ）を有することができる。代替として、プレパルス及びメインパルスは、実質的に異なる波長を有することができる（例えば、プレパルスは約１μｍの波長を有することができ、メインパルスは約１０μｍの波長を有することができる）。メインパルスはプレパルスよりも高い出力を有することができる。プレパルスは、例えば燃料液滴の形状を変更することによって、メインパルスを受け取るために燃料液滴を調節するように構成可能である。メインパルスは、燃料液滴にプレパルスが当たった後に、調節された燃料液滴をプラズマに変換するように構成可能である。制御システム２０は、プレパルスは通過するがメインパルスは通過しない、ＬＰＰ放射源のセクション内に配置することができる。これによって、メインパルスの波面に影響を与えることなく、プレパルスの波面を制御することが可能になる。代替として、制御システム２０を、プレパルス及びメインパルスが通過するＬＰＰ放射源のセクション内に配置することができる。これによって、プレパルス及びメインパルスの両方の波面を制御することが可能になる。別の代替として、ＬＰＰ放射源に２つの制御システム２０を提供することができる。第１の制御システム２０は、プレパルスは通過するがメインパルスは通過しない、ＬＰＰ放射源のセクション内に配置することができる。第２の制御システム２０は、プレパルス及びメインパルスの両方が通過する、ＬＰＰ放射源の別のセクション内に配置することができる。更に別の代替として、プレパルスのみが通過するＬＰＰ放射源のセクション内に第１の制御システムを配置し、メインパルスのみが通過するＬＰＰ放射源の別のセクション内に第２の制御システムを配置することができる。これによって、プレパルス及びメインパルスの波面を独立に制御することが可能になる。

[00047] 第１のミラー２１及び第２のミラー２３のうちの少なくとも１つは、ゼルニケ多項式に対応する空間反射構造を有することができる。すなわち、第１のミラー及び第２のミラーのうちの少なくとも１つの空間反射構造の形状（すなわち、放射ビームを反射するミラーの部分の非平坦トポグラフィ）は、ゼルニケ多項式の形状に実質的に対応するものと見なすことができる。ゼルニケ多項式は、２より大きいか又は等しいラジアル度を有することができる。ゼルニケ多項式は、例えば非点収差ゼルニケ多項式とすることができる。非点収差ゼルニケ多項式の形状に実質的に対応形状を有する第１及び第２のミラーの例が、図３及び図４に示されている。代替として、空間反射構造は、二次曲面上に重畳されたゼルニケ多項式に対応することができる。ゼルニケ多項式は、２より大きいか又は等しいラジアル度を有する（例えば、非点収差ゼルニケ多項式）。二次曲面は、例えば放物面とすることができる。放物面上に重畳された非点収差ゼルニケ多項式に実質的に対応する形状を有する第２のミラーの例が、図５及び図６に示されている。

[00048] 第１のミラー及び／又は第２のミラーは、反射表面上に空間反射構造（すなわち、非平坦トポグラフィ）が提供された、バルク反射材料（例えば、銅）から形成可能である。例えば、銅のブロックの表面を、コンピュータ制御の研磨機又はフライス盤において処理することができる。コンピュータ制御の研磨機又はフライス盤は、自由造形光学系製造及び測定ツールとすることができる。第１及び／又は第２のミラーの反射性を向上させるために、第１及び／又は第２のミラーの空間反射構造にコーティングを加えることができる。

[00049] 前述のように、本発明との関連において、波面は、すべてが同じ位相で伝搬するレーザ放射（電磁波）におけるポイントのセットを表す仮想表面である。異なる波面は異なるポイントのセットを表し、異なるセットは異なる位相に関連付けられる。定義上、放射を表す光線は波面に対して垂直に走る。放射の伝搬パス内の特定の位置において、いくつかの光線のパス長さが他の光線のパス長さに対して増加するものと想定してみる。次に、パス長さが増加した光線上の同じ位相のポイントは、他の光線上の同じ位相のポイントに遅れて開始することになる。したがって、波面の形状はそれに応じて変化し始めることになる。

[00050] 図３は図３Ａ〜図３Ｃからなり、本発明の実施形態に従った、３つの異なる相対的な角度位置における第１のミラー及び第２のミラーの正面図を概略的に示す。図３Ａ〜図３Ｃ内に示される陰影付き円の行は、第１のミラー及び第２のミラーの異なる相対的な角度位置から生じる、放射ビームの光線の位相上の個々及び正味の両方の効果、したがって、位相上の個々及び正味の効果を表す。図３Ａ〜図３Ｃの各々における左側の陰影付き円３１は、第１のミラーによる反射の結果として生じる、パス長さ、又は位相における変化を表す。図３Ａ〜図３Ｃの各々における中央の陰影付き円３２は、第２のミラーによる反射の結果として生じる、放射のパス長さ（又は、位相）における変化を表す。各行における右側の陰影付き円３３は、第１のミラー及び第２のミラーによる反射の結果として生じる、パス長さ（又は、位相）における正味の変化を表す。暗い陰影は位相における正の変化を示し、陰影が暗いほど位相における正の変化が大きいことに対応する。明るい陰影は位相における負の変化を示し、陰影が明るいほど位相における負の変化が大きいことに対応する。位相における変化がないことは、図３Ａの右側の円３３に示される陰影によって表される。円内の異なる陰影の異なるエリアは、位相における異なる変化が異なるエリアに入射する光線に適用されることを示している。

[00051] 各ミラー３１、３２の空間反射構造の形状（すなわち、放射ビームを反射するミラーの部分の非平坦トポグラフィ）は、ミラーから反射する放射の光線に適用される位相における変化に対応する。空間反射構造は、光線が入射した空間反射構造のエリアに応じて、異なる量だけ、放射の入射光線の光路長さを変化させるように構成される。放射ビームにおける異なる放射の光線の光路長さを、異なる量だけ変化させることによって、放射ビームの波面の形状を変化させる。空間反射構造の山と空間反射構造の谷との間の距離（すなわち、山から谷までの距離）は、補正されるべき非点収差の振幅の大きさ、及び／又は、制御システムの分解能に依存して、選択可能である。空間反射構造の山から谷までの距離は、制御システムを使用して制御されるべき放射ビームの波長よりも短いか、又は等しいものとすることができる。空間反射構造の山から谷までの距離は、制御システムを使用して制御されるべき放射ビームの波長の約半分に等しいものとすることができる。例えば、補正されるべき非点収差の大きさは、放射ビームの波長と同じ大きさとすることができる。例えば、放射ビームが１０μｍの波長を有する場合、空間反射構造の山から谷までの距離は、約１０μｍより短いか又は等しい、例えば、約５μｍとすることができる。別の例として、放射ビームが約１μｍの波長を有する場合、空間反射構造の山から谷までの距離は、約１μｍより短いか又は等しい、例えば約０．５μｍとすることができる。

[00052] 図３の例において、第１のミラー３１の空間反射構造の形状（すなわち、放射ビームを反射するミラーの部分の非平坦トポグラフィ）は、実質的に、非点収差ゼルニケ多項式の形状に対応し、第２のミラー３２の空間反射構造の形状は、実質的に、非点収差ゼルニケ多項式の形状に対応する。すなわち、図３の例において、第１のミラー及び第２のミラーは同一形状を有する。図３Ａにおいて、第１のミラー３１の角度位置は第２のミラー３２の角度位置と９０°異なる。第１のミラー３１から反射する放射ビームの光線に適用される位相における変化は、第２のミラー３２から反射する放射の光線に適用される位相における変化によって打ち消される。したがって、第１及び第２のミラー３１、３２から反射する放射ビームの光線の位相における正味の変化は、図３Ａの右側の陰影付き円３３によって示されるように、ゼロである。

[00053] 図３Ｂにおいて、第１のミラー３１は（図３で矢印によって示されるように、真っ直ぐに見た場合）図３Ａのその位置に対して反時計回りに回転される。第２のミラー３２は、図３Ａのその位置に対して時計回りに回転される。図３Ｂの例では、第１のミラー３１及び第２のミラー３２は、反対方向に等しい量だけ回転される。ミラー３１、３２の角度位置における変化は、結果として、第１及び第２のミラーから反射する放射ビームの位相３３において非ゼロの正味の変化を生じさせる。すなわち、図３Ｂの例において、位相３３における正味の変化の大きさは、第１のミラー３１及び第２のミラー３２を反対方向に回転させることによって制御される。ミラー３１、３２のうちの１つのみを回転させることで、角度位置並びに位相３３における正味の変化の大きさに、変化を生じさせることができる。最大の大きさの正味の変化は、第１のミラー３１及び第２のミラー３２が同じ角度位置で位置合わせされるように、第１のミラー３１及び／又は第２のミラー３２を回転させることによって達成することができる。すなわち、第１のミラー３１及び第２のミラー３２が互いに回転的に位置合わせされているとき、第１及び第２のミラー３１、３２から反射する放射ビームの位相における変化の合計は、その最大値にある。

[00054] 図３Ｃにおいて、第１のミラー３１は（図３で矢印によって示されるように、真っ直ぐに見た場合）図３Ｂのその位置に対して時計回りに回転される。第２のミラー３２も図３Ｂのその位置に対して時計回りに回転される。図３Ｃの例では、第１のミラー３１及び第２のミラー３２は等しい量だけ時計回りに回転される。第１及び第２のミラー３１、３２から反射する放射に適用される位相３３における正味の変化は、図３Ｂに示されるものと同じ大きさを有する。しかしながら、位相３３における正味の変化の角度位置は、図３Ｂのその位置に対して時計回りに回転されている。すなわち図３Ｃでは、位相３３における正味の変化の角度位置は、第１のミラー３１及び第２のミラー３２を同じ方向に等しい量だけ回転させることによって制御される。

[00055] ミラー３１、３２を反対方向に等しい量だけ回転させることで、正味の変化３３の大きさを変化させる。ミラー３１、３２の両方を同じ方向に等しい量だけ回転させることで、正味の変化３３の角度位置を変化させる。第１のミラー３１及び第２のミラー３２の相対的な角度位置における変化は、第１及び第２のミラーから反射する放射ビームに適用されるべき位相における正味の変化３３の大きさ及び／又は角度位置の制御を可能にする。図３の例において、第１のミラー３１の形状は、実質的に非点収差ゼルニケ多項式の形状に対応する（すなわち、Ｚ_２ ^−２又はＺ_２ ^２）。第２のミラー３２の形状も、実質的に非点収差ゼルニケ多項式の形状に対応する。非点収差であるミラー３１、３２の両方の空間反射構造は、結果として、形において非点収差でもある位相における正味の変化３３を生じさせる。異なる形の正味の変化３３は、異なる形状を有する第１及び第２のミラー３１、３２を使用することによって達成可能である。例えば、第１及び第２のミラーは、実質的に、コマ収差ゼルニケ多項式（すなわち、Ｚ_３ ^−１又はＺ_３ ^１）又はトレフォイル収差ゼルニケ多項式（すなわち、Ｚ_３ ^−１又はＺ_３ ^１）の形状に対応する、空間反射構造を有することができる。

[00056] 図４は、図４Ａ〜図４Ｃからなり、代替の例示技法を使用して、図３に示される第１のミラー及び第２のミラーの正面図を概略的に示す。図４の例では、図３に使用された陰影ではなく第１及び第２のミラーから反射する放射ビームの光線の位相における変化が、数値を使用して表される。図４の例では、位相における正の変化は正の符号、例えば＋１を使用して表され、位相における負の変化は負の符号、例えば−１を使用して表される。第１及び第２のミラーがそれらの表面トポグラフィにおいて漸進的変化を有すること、及び、図４に示される明確な境界が単に例示し易さのためであることを理解されよう。例えば、図４Ａに示される第１のミラー３１の空間反射構造における変化は、「＋１」象限と「−１」象限との間で漸進的であり、すなわち、図３Ａに示される第１のミラー３１に示された漸進的変化と同様である。位相に変化がないことは数値「０」によって表される。第１及び第２のミラー３１、３２の空間反射構造、第１及び第２のミラー３１、３２の相対的な角度位置における変化、並びに、図３Ａ〜図３Ｃに関して適用された位相における正味の変化３３の、上記の考察は、図４Ａ〜図４Ｃにも等しく適用可能である。

[00057] 図５は、図５Ａ〜図５Ｃからなり、本発明の実施形態に従った、３つの異なる相対的な角度位置における第１のミラー及び第２のミラーの正面図を概略的に示す。図３の場合と同様に、図５Ａ〜図５Ｃに示された陰影付き円の行は、第１のミラー４１及び第２のミラー４２の異なる相対的な角度位置から生じる、位相に対する個々及び正味の両方の効果を表す。各ミラー４１、４２の空間反射構造の形状（すなわち、放射ビームを反射するミラーの部分の非平坦トポグラフィ）は、ミラーから反射する放射に適用される位相における変化に対応する。図５Ａ〜図５Ｃの各々における左側の陰影付き円４１は、第１のミラーによる反射から結果として生じる位相における変化を表す。図５Ａ〜図５Ｃの各々における左内側の陰影付き円４２は、第２のミラーによる反射から結果として生じる位相における変化を表す。図５Ａ〜図５Ｃの各々における右内側の陰影付き円４３ａは、第１のミラー４１及び第２のミラー４２から反射する放射から結果として生じる非点収差における正味の変化を表す。各行内の右側の陰影付き円４３ｂは、第１のミラー４１及び第２のミラー４２から反射する放射から結果として生じる焦点収差における正味の変化を表す。暗い陰影は位相における負の変化を示し、陰影が暗いほど位相における負の変化が大きいことに対応する。明るい陰影は位相における正の変化を示し、陰影が明るいほど位相における正の変化が大きいことに対応する。位相における変化がないことは、図５Ａの右内側の円４３ａに示される陰影によって表される。

[00058] 図５の例では、第１のミラー４１の空間反射構造の形状は、実質的に非点収差ゼルニケ多項式の形状に対応する。第２のミラー４２の空間反射構造の形状は、実質的に、放物面上に重畳された非点収差ゼルニケ多項式に対応する。非点収差ゼルニケ多項式４１を放物面に適用することで、例えば、結果として、実質的に円柱の湾曲表面に対応する表面が生じる。二次曲面反射表面（例えば、放物面）を有するミラーの山から谷までの距離は、ミラーに重畳されたゼルニケ多項式の山から谷までの距離よりも著しく大きい可能性がある。放物面の山から谷までの距離は、例えば約６０μｍとすることができるが、非点収差ゼルニケ多項式の山から谷までの距離は、（放射ビームが約１０μｍの波長を有するとき）例えば約５μｍとすることができる。別の例として、放射ビームが約１μｍの波長を有する場合、空間反射構造の山から谷までの距離は、約１μｍより短いか又は等しい、例えば約０．５μｍとすることができる。二次曲面（例えば、収束及び／又は分岐ミラーの表面）は、既知のＬＰＰ放射源内に提示され、非点収差ゼルニケ多項式の形状を重畳するように修正することができる。凸状放物面及び非点収差ゼルニケ多項式を重畳することによって、結果として、実質的に、例えば図５Ａ〜図５Ｃに示されるような円柱の湾曲表面に対応する、表面４２を生じさせることができる。図５Ａでは、第１のミラー４１の角度位置は第２のミラー４２の角度位置とは異なるため、非点収差における正味の変化４３ａはゼロとなる。すなわち、第１のミラー４１から反射する放射ビームに適用される非点収差における変化は、第２のミラー４２から反射する放射に適用される非点収差における変化によって無効にされる。したがって、第１及び第２のミラー４１、４２から反射する放射ビームの光線の位相における正味の変化４３ａ、４３ｂは、第２のミラー４２の形状を介した球状波面４３ｂの適用である。

[00059] 図５Ｂの例では、第１のミラー４１は図５Ａのその位置に対して反時計回りに回転され、第２のミラー４２は図５Ａのその位置に対して時計回りに回転される。図５Ｂの例では、第１のミラー４１及び第２のミラー４２は反対方向に等しい量だけ回転される。ミラー４１、４２の相対的な角度位置における変化は、結果として、第１及び第２のミラー４１、４２から反射する放射ビームの誘起非点収差における非ゼロの正味の変化４３ａを生じさせる。すなわち、図４Ｂの例において、誘起非点収差における正味の変化４３ａの大きさは、第１のミラー４１及び第２のミラー４２を反対方向に回転させることによって制御される。ミラー４１、４２のうちの１つのみを回転させることで、制御されるべき誘起非点収差における正味の変化４３ａの大きさ及び角度位置の両方に、変化を生じさせることができる。位相における正味の変化は、実質的に放物面上に重畳された非点収差ゼルニケ多項式に対応する、第２のミラー４２の空間反射構造の形状に起因した、球状波面４３ｂの適用も含む。すなわち、第１及び第２のミラー４１、４２から反射する放射ビームに対する球状波面の適用を維持しながら、非点収差の望ましい量が波面に導入されている。

[00060] 図５Ｃの例では、第１のミラー４１は図５Ｂのその位置に対して時計回りに回転され、第２のミラー４２は図５Ｂのその位置に対して時計回りに回転される。第１のミラー４１及び第２のミラー４２は、等しい量だけ時計回りに回転される。第１及び第２のミラー４１、４２から反射する放射の誘起非点収差における正味の変化４３ａは、図５Ｂに示されるのと同じ大きさを有する。しかしながら、誘起非点収差における正味の変化４３ａの角度位置は、図５Ｂのその位置に対して時計回りに回転されている。すなわち、図５Ｃでは、誘起非点収差における正味の変化の角度位置は、第１のミラー４１及び第２のミラー４２を同じ方向に等しい量だけ回転させることによって制御される。位相における正味の変化は、実質的に放物面上に重畳された非点収差ゼルニケ多項式に対応する、第２のミラー４２の空間反射構造の形状に起因した、球状波面４３ｂの適用も含む。すなわち、第１及び第２のミラー４１、４２から反射する放射ビームに対する球状波面の適用を維持しながら、非点収差の制御された大きさ及び角度位置が導入されている。

[00061] 図６は、図６Ａ〜図６Ｃからなり、代替の例示技法を使用して、図５に示される第１のミラー及び第２のミラーの正面図を概略的に示す。図４の場合のように、図５に使用された陰影ではなく第１及び第２のミラー４１、４２から反射する放射ビームの光線の位相における変化が、数値を使用して表される。図６の例では、位相における正の変化は正の符号、例えば「＋１」を使用して表され、位相における負の変化は負の符号、例えば「−１」を使用して表される。第１及び第２のミラー４１、４２の空間反射構造がそれらの表面トポグラフィにおいて漸進的変化を有すること、及び、図６に示される明確な境界が単に例示し易さのためであることを理解されよう。例えば、図６Ａに示される第１のミラー４１の形状における変化は、「＋１」象限と「−１」象限との間で漸進的であり、すなわち、図５Ａに示される第１のミラー４１のトポグラフィにおける漸進的変化である。位相に変化がないことは数値「０」によって表される。第１及び第２のミラー４１、４２の形状、第１及び第２のミラー４１、４２の相対的な角度位置における変化、誘起非点収差における正味の変化、並びに、図５Ａ〜図５Ｃに関する球状波面の適用の、上記の考察は、図６Ａ〜図６Ｃにも等しく適用可能である。

[00062] 第１のミラーの空間反射構造及び／又は第２のミラーの空間反射構造は、実質的に、２より大きいか又は等しいラジアル度を有する任意のゼルニケ多項式に対応することができることを理解されよう。例えば、第１のミラー及び／又は第２のミラーの空間反射構造の形状は、実質的に、コマ収差を表すゼルニケ多項式、トレフォイル収差を表すゼルニケ多項式などに対応することができる。

[00063] 制御システムは、放射の位相における任意の望ましい変化を適用するために使用可能である。例えば、放射波面制御システムを使用して、実質的に平坦な波面を伴うプラズマ形成ロケーションに放射ビームが到達するように、放射ビームの波面を制御することができる（すなわち、等しい位相のポイントからなる表面は実質的に平面である）。代替として、制御システムを使用して、望ましい大きさ及び／又は角度位置の光学収差（例えば、非点収差）を伴うプラズマ形成ロケーションに放射ビームが到達するように、放射ビームの波面を制御することができる。放射ビームに望ましい量の非点収差を提供することで、有利には、ＬＰＰ放射源の変換効率を向上させることができる。これは、レーザパルスのうちの１つによって「見られる」ような燃料の液滴の断面が円形ではなく、代わりに概して楕円であり、レーザパルスのビーム強度プロファイルを、燃料の液滴の形状により良く一致させることで、ＬＰＰ放射源の変換効率を向上させることができるためである。

[00064] 放射ビームは、第１及び第２のミラーから反射するときに、望ましくない収差の損害を受ける場合がある。例えば、放射ビームが、第１のミラー及び／又は第２のミラーの回転軸に平行でない伝搬方向に沿って、第１のミラー及び第２のミラー上に入射するとき、放射ビームは、例えばコマ収差などのより高位の収差、及び／又は、例えば傾斜などのより低位の収差から、損害を受ける場合がある。しかしながら、図３及び図５に示される第１及び第２のミラーを使用して実行されたシミュレーションは、これらの望ましくない収差がごくわずかな振幅を有するものと判定した。第１と第２のミラーの間のミスアライメントは、望ましくない収差、例えば傾斜を誘導する可能性がある。

[00065] 第１のミラー及び／又は第２のミラーを、既知のＬＰＰ放射源に追加する必要はない場合がある。既知のＬＰＰ放射源内に既に存在する１つ以上の平坦なミラーは、ミラーが非平坦反射表面を備えるように、及び、各ミラーが作動システムを介して回転可能なように、修正することができる。代替として及び／又は追加として、本明細書で説明する制御システムの一部をミラーが形成できるようにするために、既知のＬＰＰ放射源内に既に存在する非平坦反射表面を有する１つ以上のミラーに、（例えば、作動システムを設置することによって）回転の機能を与えることができる。既知のＬＰＰ放射源内に非平坦反射表面を有する既存のミラー（例えば、楕円、円柱形、放物面などの反射表面を有するミラー）は、放射ビームの波面の形状に異なる変化を適用するように修正された、それらのトポグラフィ及び／又は円錐定数を有することができる。例えば凸状放物面ミラーは、非点収差を含むように修正することも可能であり、結果として、実質的に放物面（例えば、図５の左内側の陰影付き円４２）上に重畳される非点収差ゼルニケ多項式に対応する形状を有するミラーを生じさせることができる。作動システムは、第１のミラーの反射表面を通過する軸の周囲で、第１のミラーを回転させるように構成可能である。作動システムは、第２のミラーの反射表面を通過する軸の周囲で、第２のミラーを回転させるように構成可能である。例えば、作動システムは、第１及び第２のミラーの反射表面の中心表面法線の周囲で第１及び第２のミラーを回転させるように構成可能である。

[00066] 「ＥＵＶ放射」という用語は、４〜２０ｎｍのレンジ内、例えば１３〜１４ｎｍのレンジ内の波長を有する電磁放射を包含するものと見なすことができる。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの、４〜１０ｎｍのレンジ内の波長を有することができる。

[00067] 本明細書では、本発明の実施形態に対して特にリソグラフィ装置との関連において言及しているが、本発明の実施形態は他の装置で使用することも可能である。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、あるいは、ウェーハ（又は他の基板）又はマスク（又は他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の、一部を形成することができる。本発明を使用して、こうした装置内で使用される放射ビームの波面を制御することができる。これらの装置は、一般に、リソグラフィツールと呼ぶことができる。こうしたリソグラフィツールは、真空状態又は大気（非真空）状態を使用することができる。

[00068] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明する本発明は他の適用例も有し得ることを理解されたい。他の可能な適用例は、リソグラフィ装置によってパターン付与された基板を検査するための検査ツールで使用されるべき放射ビームの波面を制御することを含む。

[00069] 本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装可能である。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサによる読み取り及び実行が可能な、機械可読媒体上に記憶された命令として実装することも可能である。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピューティングデバイス）による読み取りが可能な形で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば、機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響、又は他の形の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、その他を含むことができる。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、本明細書では一定の動作を実行するものとして説明している場合がある。しかしながら、こうした説明は、単なる便宜上のものであること、及び、こうした動作は、実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスからの結果であることを理解されたい。

[00070] 以上、本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は、説明した以外の方法で実践可能であることを理解されよう。上記の説明は、例示的であり限定的ではないものと意図される。したがって当業者であれば、下記に示される特許請求の範囲から逸脱することなく、説明したような本発明に対する修正が可能であることは明らかであろう。

Claims (12)

1. 放射ビームの波面を調整するための制御システムであって、
   第１の伝搬方向に沿って前記放射ビームを受け取るように構成され、また、第２の伝搬方向に沿って前記放射ビームを反射するように構成された第１のミラーであって、前記第１のミラーは、前記放射ビームの前記波面の形状に第１の変化を適用するように更に構成される、第１のミラーと、
   前記反射された放射ビームを第３の伝搬方向に沿って反射するように構成された第２のミラーであって、前記第２のミラーは、前記放射ビームの前記波面の前記形状に第２の変化を適用するように更に構成される、第２のミラーと、
   前記第１のミラー及び前記第２のミラーのうちの特定の１つを軸の周囲で回転させるように構成された作動システムであって、前記軸は、前記第１の伝搬方向、前記第２の伝搬方向、及び前記第３の伝搬方向の各々を保持するように構成される、作動システムと、
   を備える、制御システム。
2. 前記作動システムは、前記第１のミラー及び前記第２のミラーのうちの他方を第２の軸の周囲で回転させるように更に構成され、
   前記第２の軸は、前記第１の伝搬方向、前記第２の伝搬方向、及び前記第３の伝搬方向の各々を保持するように構成される、請求項１に記載の制御システム。
3. 前記第１のミラー及び前記第２のミラーのうちの少なくとも１つは、ゼルニケ多項式に対応する空間反射構造を有し、
   前記ゼルニケ多項式は、２より大きいか又は等しいラジアル度を有する、請求項１又は２に記載の制御システム。
4. 前記ゼルニケ多項式は、非点収差ゼルニケ多項式である、請求項３に記載の制御システム。
5. 前記空間反射構造は、二次曲面上に重畳されたゼルニケ多項式に対応し、
   前記ゼルニケ多項式は、２より大きいか又は等しいラジアル度を有する、請求項１又は２に記載の制御システム。
6. 前記ゼルニケ多項式は、非点収差ゼルニケ多項式である、請求項５に記載の制御システム。
7. 前記二次曲面は、放物面である、請求項５又は６に記載の制御システム。
8. 波面センサを更に備え、
   前記波面センサは、前記放射ビームの波面を感知するように、及び、前記感知した波面を示す波面信号を出力するように、構成される、請求項１から７のいずれか一項に記載の制御システム。
9. プロセッサを更に備え、
   前記プロセッサは、
   前記波面信号を受信するように、
   前記第１のミラーの第１の角度位置を決定するように、
   前記第２のミラーの第２の角度位置を決定するように、
   前記第１の角度位置及び前記第２の角度位置の前記感知した波面の制御の下で、前記第１の角度位置及び前記第２の角度位置のうちの少なくとも１つの望ましい調整を決定するように、及び、
   前記望ましい調整を示す調整信号を出力するように、
   構成される、請求項８に記載の制御システム。
10. コントローラを更に備え、
    前記コントローラは、前記調整信号を受信するように、及び、前記調整信号に依存して前記作動システムを制御するように、構成される、請求項９に記載の制御システム。
11. ＥＵＶ放射を生成するように構成されたＥＵＶ放射源であって、
    燃料ターゲットを提供するように構成された燃料放出器と、
    前記燃料ターゲットを、前記ＥＵＶ放射を生成するプラズマに変換するように、前記燃料ターゲット上に入射する放射ビームを提供するように構成されたレーザシステムと、
    請求項１から１０のいずれか一項に記載の制御システムと、
    を備える、ＥＵＶ放射源。
12. 請求項１１に記載のＥＵＶ放射源と、
    前記ＥＵＶ源からＥＵＶ放射を受け取るように、及び、パターンを基板上に投影するために前記ＥＵＶ放射を使用するように、構成されたリソグラフィ装置と、
    を備える、リソグラフィシステム。

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