JP4387975B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4387975B2 JP4387975B2 JP2005129262A JP2005129262A JP4387975B2 JP 4387975 B2 JP4387975 B2 JP 4387975B2 JP 2005129262 A JP2005129262 A JP 2005129262A JP 2005129262 A JP2005129262 A JP 2005129262A JP 4387975 B2 JP4387975 B2 JP 4387975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- euv radiation
- mirror
- euv
- mirror surface
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
(1)ステップ・モードでは、投影ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを本質的に静止した状態に保つ(すなわち、ただ1回の静止露光)。次に、異なるターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTをX及び/又はY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを同期して走査する(すなわち、ただ1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)率、及び像の反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながらマスク・テーブルMTを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTを移動又は走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、又は走査中の連続する放射パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及した種類のプログラム可能ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
Claims (13)
- 放射ビームを提供するように構成された照明系と、
パターン形成装置を支持するように構成された支持体であって、前記パターン形成装置がビームの断面にパターンを与えるように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターンの形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記照明系にEUV放射を提供するように構成された複数のEUV放射源と、
前記複数のEUV放射源のそれぞれからのEUV放射を、放射の中間ビームに変換するように構成された分配器であって、前記放射の中間ビームがミラー表面によって前記分配器から第1の方向に向けられ、前記分配器が前記ミラー表面に対して非平行な回転軸を有する回転駆動式ミラー配列を含む分配器とを含み、
前記分配器が、複数のミラー表面を有する回転ドラムを含み、
前記ミラー表面のそれぞれが、前記複数のEUV放射源の各放射源における対応するミラー表面への光線経路と当該ミラー表面の法線との間の角度に対応してミラー取付け角εを調整して、前記複数のEUV放射源のうちの1つからのEUV放射を第1の方向に転換するように位置調整されている、リソグラフィ装置。 - 前記複数のEUV放射源がパルス式EUV放射源であり、複数のパルス式EUV放射源及び前記分配器が連続したパルスを第1の方向に提供するように構成されている請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記複数のEUV放射源が、円形配列で配置されている請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記回転駆動式ミラー配列の回転軸が実質的に第1の方向に一致している請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記分配器が平坦なミラー組立体を含み、ミラー表面が回転軸と交差している請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記複数のミラー表面が、前記回転ドラムの回転軸から所定の距離に配置されている請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記ミラー表面が多層ミラーを含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記ミラー表面が斜入射ミラーを含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記EUV放射源のそれぞれに対して提供されるコレクタであって、EUV放射源からの放射を前記ミラー表面上の中間焦点に集めるように構成されたコレクタをさらに有する請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 基板を提供する段階と、
照明系を用いて放射ビームを提供する段階と、
パターン形成手段を用いて投影ビームの断面にパターンを与える段階と、
パターンの形成された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する段階と、
複数のEUV放射源を用いて前記照明系にEUV放射を提供する段階と、
前記複数のEUV放射源のそれぞれからのEUV放射を、放射の中間ビームに分配する段階であって、前記放射の中間ビームを第1の方向に向ける段階と、
回転駆動式ミラー配列に配置されたミラー表面によって各EUV放射源からのEUV放射を分配する段階であって、前記回転駆動式ミラー配列が前記ミラー表面に対して非平行な回転軸を有する段階とを含み、
さらに、複数のミラー表面を有する回転ドラムによって各EUV放射源からのEUV放射を分配する段階であって、各EUV放射源における対応するミラー表面への光線経路と当該ミラー表面の法線との間の角度に対応してミラー取付け角εが調整されている前記ミラー表面のそれぞれが、前記複数のEUV放射源のうちの1つからのEUV放射を第1の方向に転換する段階を含む、デバイス製造方法。 - 前記EUV放射源がパルス式EUV放射源であり、前記パルス式EUV放射源に同期させた前記回転駆動式ミラー配列を駆動して、連続したパルスを第1の方向に提供する段階をさらに含む請求項10に記載されたデバイス製造方法。
- 実質的に第1の方向に一致する回転軸を中心にして、前記回転駆動式ミラー配列を回転させる段階をさらに含む請求項11に記載されたデバイス製造方法。
- 各EUV放射源からの放射を前記ミラー表面上の中間焦点に集束させる段階をさらに含む請求項10に記載されたデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/836,613 US7030963B2 (en) | 2004-05-03 | 2004-05-03 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005322904A JP2005322904A (ja) | 2005-11-17 |
JP4387975B2 true JP4387975B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=35186712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005129262A Expired - Fee Related JP4387975B2 (ja) | 2004-05-03 | 2005-04-27 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7030963B2 (ja) |
JP (1) | JP4387975B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006003683B3 (de) * | 2006-01-24 | 2007-09-13 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von EUV-Strahlung hoher Durchschnittsleistung |
JP5313539B2 (ja) * | 2008-04-11 | 2013-10-09 | 株式会社 インテグレーション | 炊飯材料 |
US9041993B2 (en) * | 2010-07-26 | 2015-05-26 | Lg Chem, Ltd. | Mask |
US9140979B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-09-22 | Lg Chem, Ltd. | Mask |
KR101260221B1 (ko) * | 2011-12-01 | 2013-05-06 | 주식회사 엘지화학 | 마스크 |
DE102012218105A1 (de) * | 2012-10-04 | 2013-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur Einkopplung von Beleuchtungsstrahlung in eine Beleuchtungsoptik |
DE102013223935A1 (de) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5673134A (en) * | 1994-07-15 | 1997-09-30 | Sony Corporation | Light exposure and illuminating apparatus |
US6154259A (en) * | 1996-11-27 | 2000-11-28 | Photera Technologies, Inc. | Multi-beam laser scanning display system with speckle elimination |
US6597430B1 (en) * | 1998-05-18 | 2003-07-22 | Nikon Corporation | Exposure method, illuminating device, and exposure system |
FR2800968B1 (fr) * | 1999-11-05 | 2002-09-13 | Automa Tech Sa | Machine d'exposition d'un panneau a un rayonnement laser |
JP2003185798A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Nikon Corp | 軟x線光源装置およびeuv露光装置ならびに照明方法 |
US7002164B2 (en) * | 2003-01-08 | 2006-02-21 | Intel Corporation | Source multiplexing in lithography |
-
2004
- 2004-05-03 US US10/836,613 patent/US7030963B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-04-27 JP JP2005129262A patent/JP4387975B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-20 US US11/335,681 patent/US7170586B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060114441A1 (en) | 2006-06-01 |
JP2005322904A (ja) | 2005-11-17 |
US7030963B2 (en) | 2006-04-18 |
US7170586B2 (en) | 2007-01-30 |
US20050243297A1 (en) | 2005-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5775530B2 (ja) | 照明システム、リソグラフィ方法、コンピュータプログラム、デバイス製造方法、およびリソグラフィ装置 | |
JP4313328B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び可変減衰器 | |
US8431916B2 (en) | Radiation source and lithographic apparatus | |
US20120262690A1 (en) | Illumination system, lithographic apparatus and illumination method | |
JP4387975B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TWI643243B (zh) | 微影方法及裝置 | |
TW201133154A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2012501073A (ja) | スペクトル純度フィルタおよびリソグラフィ装置 | |
JP5650670B2 (ja) | 照明システム、リソグラフィ装置および照明モードを形成する方法 | |
JP2006108686A (ja) | スペクトル純度が高められたリソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びそれによって製造されたデバイス | |
KR101148959B1 (ko) | 오염 방지 시스템, 리소그래피 장치, 방사선 소스 및 디바이스 제조방법 | |
TW200426539A (en) | Lithographic projection apparatus with collector including concave and convex mirrors | |
JP2012529758A (ja) | リソグラフィ装置および迷走放射の低減方法 | |
US20130287968A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
TW200528932A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US8030628B2 (en) | Pulse modifier, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2006140470A (ja) | 放射システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、それらにより製造されたデバイス | |
JP2011522430A (ja) | 多層ミラーおよびリソグラフィ装置 | |
US7105837B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and radiation system | |
JP4376227B2 (ja) | リソグラフィ装置用投影装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080821 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080826 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090525 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090820 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091001 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4387975 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |