JPH0219850A - パタン形成法 - Google Patents

パタン形成法

Info

Publication number
JPH0219850A
JPH0219850A JP63169932A JP16993288A JPH0219850A JP H0219850 A JPH0219850 A JP H0219850A JP 63169932 A JP63169932 A JP 63169932A JP 16993288 A JP16993288 A JP 16993288A JP H0219850 A JPH0219850 A JP H0219850A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rays
resist
wavelength
layer
ultraviolet rays
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63169932A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Kurihara
健二 栗原
Hiroo Kinoshita
博雄 木下
Tsutomu Mizota
勉 溝田
Nobuyuki Takeuchi
竹内 信行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP63169932A priority Critical patent/JPH0219850A/ja
Publication of JPH0219850A publication Critical patent/JPH0219850A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体集積回路製造における微細パタン形成
に関するもので、軟X線、もしくは真空紫外線によるレ
ジスト露光を用いてノ母タンを形成する方法において好
適なものである。
(従来の技術) 従来微細・ぐタンの形成法としては、波長4000芙前
後の紫外線による露光方式が用いられている。
しかし、1μm以下のパタンでは、回折のためにパタン
の解像が困難になる。このためより短波長化が検討され
ているが、適当な屈折率を持つレンズ材料がないため、
レンズ光学系の構成が困−になる。一方、電子ビーム露
光方式を用いれば、微細・ぐタンの形成は容易であるが
、生産性向上の点で不利である。
これに対してマスクを用いたX線露光方式は、微細性、
生産性の点で、期待されている。この方式を、第6図に
示す。ここで、51はX@マスク、52はウェハ、53
はX線、5イはレノストである。この方式はX線に対し
て透明な膜の上に形成し九X@を吸収するパタンを加工
したX線マスク51を用いて、レジスト54を塗布した
ウェハ52にツクタンを転写するものである。53はX
線である。X線マスク6ノとウェハ52は、数10μm
の間隔をおいて平行に設置され、X#jマスク5ノに垂
直な方向からX線53が照射される。X線マスク51を
透過したX機によりレノスト54が感光し、現像により
レジストパタンが形成される。以上のxH露光方式は1
等倍転写であるため、X線マスクの描画に用いる電子ビ
ーム露光装置のパタン精度以上の転写精度は得られない
。また、グロキシミティ露光のためフレネル回折の影響
により解像度が低下するという問題がある。そこで、こ
の問題を解決するため、X線の縮小投影露光方式が検討
されている(木下ほか、第47回応用物理学会講演予稿
集、p322.28p−ZF−15) 。
この方法は、第7図に示すように特定波長のX線を反射
する多層膜を表面にコーティングしたミラーを組合せて
構成した反射光学系を縮小光学系とするものである。こ
こで61はマスク、62は多層膜ミラー 63はつ゛エ
バ%64は試料ステージ、66はX線である。この2つ
の球面からなる多層膜ミラー62の光学系により、X線
65で照明された透過のマスク61の像をレジストを塗
布したウェハ63上に縮小像として投影し、レジストを
感光させる。これにより縮小されたレジストパタンを得
ることができる。試料ステージ64、マスク61を走差
することで大面積にわたシ・母タンを転写することがで
きる。ここで用いる多層膜は、重元素と軽元素からなる
層を交互に堆積させたもので、用いるX線の波長によ9
層の堆積間隔が決められる。この間隔はブラックの反射
条件(mλ−2ds1nθ、λ:波長、d:層間隔、θ
:プラ、り角−90°−入射角、m:次数)で決まる。
多層膜を用いる理由は、X線のミラーへの入射角が第7
図のように直入射に近いときは1通常の物質ではX線反
射率がきわめて小さくなるためである。
(発明が解決しようとする課題) X線縮小投影用のミラーで用いる多層膜は、ある特定の
波長のX線のみを反射するためにいろいろな波長のX線
を含む光源を用いても反射光を単色化する働きを持って
いる。ところで高輝度であるシンクロトロン放射光をX
線源として用いた露光においては、X線のほかに真空紫
外線、紫外線や可視光も含まれる。紫外線や可視光では
多層膜に用いる金属等の反射率はX線に較べて大きいた
め、層間隔にかかわらず波長が500Xを越えてくると
多層膜自体の反射率も大きくな夛、単色光でなくなる。
したがって、これらの光も反射してレジストを感光させ
る。またレジストの感度も高くなるため光の強度が弱く
ても無視できなくなる。回折によるばけδは、光学系の
開口数をNA、波長をλとすると、δ−0,61λ/N
Aと表すことができる。
すなわち、波長λが大きいとぼけδが大きくなる。
紫外線や可視光は軟X線や真空紫外線に比べて波長が長
いので集光し九ときのぼけδが大きい丸め。
パタンの解像度を低下させるという問題がある。
また、波長500X以上の真空紫外線でもNAが小さい
光学系では、同様の問題が生じることがある。
本発明は上記の事情に2iみてなされたもので。
紫外線や可視光の影響を防止し得るノ母タン形成法を提
供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本考案は上記目的を達成するために、軟X線もしくは真
空紫外線によるレジスト露光を用いてパタ/を形成する
方法において、軟X線もしくは真空紫外線より長波長の
光を反射あるいは吸収する層を表面に形成したレジスト
を用いることを特徴とするものであシ、又、軟X線もし
くは真空紫外線を反射するように表面にカーーンを主と
する鳩を形成したミラーを用いることを特徴とするもの
である。
(作用) レノストの表面に形成した軟X線もしくは真空紫外線よ
り長波長の光を反射あるいは吸収する層は紫外線や可視
光を反射あるいは吸収し、下層にあるレジストを感光さ
せない作用をする。一方で。
軟X線や真空紫外線を透過し、レノストを感光させる作
用をする。また、カーメンを主とする層を表面く形成し
たミ2−は紫外線や可視光の反射率を小さくする作用を
する。
(実施例) 本発明のバタン形成法に関する実施例を以下に説明する
。第1図に本発明の・!タン形成法の工程の一例を示す
。ここで、JJはアルミニウム、12はレノスト、ノ3
はウェハ基板、14はX線である。X線14の波長は、
150Xとする。まず、加工を行うウェハ基板13の上
に、スピンコードによりレジスト12を塗布する。さら
に、し・シスト12の上にアルミニウム11をスパッタ
リング等により、レソストが熱変質しないように低温で
形成する。膜厚は、100〜200X程度と薄くてよい
。このようにして、第1図(a)の構成を得る。つぎに
、第1図(b)のようにx6z4でレゾスト12を露光
する。後で述べるように入射するX線J4に紫外線や可
視光が混ざっていてもアルミニウムJ1で反射される。
したがって、紫外線や可視光はレジスト12まで到達し
ないので、レノスト12を感光するのはX線である。し
たがって、解像度のよい潜像を得ることができる。その
後、アルミニウム1ノを、エツチング液により選択的に
剥離する。引き続いて、レジスト12を現像すれば、第
1図(C)のようにレジスト・臂タンが得られる。この
レジストノ臂タンをマスクに下地のウェハをドライエツ
チング等によ)エツチングすれば高精度なバタンか得ら
れる。ここでは、アルミニウムを用いたが1次に述べる
ように、紫外線や可視光を反射あるいは吸収する材料で
あれば同様に用いることができる。ここでは、波長15
0Xとしたが、アルミニウムは後で述べるように吸収が
小さい波長領域であれば同様に用いることができる。例
えば波長501以下や170X〜900XのX線、真空
紫外線に対して使用できる。
第2図に本発明のツクタン形成法の工程の他の例を示す
、ここで、°15はカーメン、11はアルミニウム、1
2はレジスト、13はウェア1基板。
24はX線である。X線14による露光波長は、50X
とする。また、入射X線14には、波長500X以上の
真空紫外線、紫外線や可視光が混ざっているとする。ま
ず、加工を行うウェハ基板J3の上に、スピンコードに
よりレソストJ2を塗布する。さらに、レノスト12の
上にアルミニウム1ノをスパッタリング等により、レジ
ストノ2が熱変質しないように低温で形成する。膜厚は
、100〜200X程度と薄くてよい、さらにこの上に
カーゴ715を同様にスパッタリング等により形成する
。膜厚は200X程度と薄くてよい。このようにして、
第2図(、)の構成を得る。つぎに、第2図(b)のよ
うにX線J4でレジスト12を露光する。後で述べるよ
うに入射するX線に、波長500X以上の真窒紫外線、
紫外線や可視光が混ざっていてもカーdf:/1Bおよ
びアルミニウム1ノで吸収あるいは反射される。したが
って、波長500X以上の真空紫外線、紫外線や可視光
はレゾスト12まで到達しないので、レジストJ2を感
光するのは波長50XのX線が主となる。
したがって、解像度のよい潜像を得ることができる。そ
の後、カーメン15を酸素プラズマによるア、7ング、
またアルミニウム1ノを、エツチング液により選択的に
剥離する。引き続いて、レジスト12を現鐵すれば、第
2図(c)のようにレジストノ臂タンが得られる。この
レジストノータンをマスクに下地のウェハをドライエ、
チング等によりエッチングすれば高精度なノやタンが得
られる。ここでは、カーボンとの組合せとしてアルミニ
ウムを用いたが、後で述べるように、紫外線や可視光を
反射あるいは吸収する材料であれば同様に用いることが
できる。ここでは、軟X線の波長を501としたが、ア
ルミニウムは後で述べるように吸収が小さい波長領域で
あれば同様に用いることができるし、カーがンも波長4
18Xの吸収端付近を除けば吸収が小さく、露光波長に
対して十分な透過率が得られる。
次に、レジスト上に堆積する材料と波長の関係について
述べる。シンクロトロン放射光(80R光)は、紫外線
や可視光まで含む連続な高輝度X線源として知られてい
るが1例えば150Xもしくは50Xの軟X線で露光し
たい場合を考えると、タングステンW/炭素Cやモリブ
デンMo /シリコン単体等の多層[ラーで分光しても
100OX以上もしくは500X以上の光も反射し、ま
たレジスト感度が大きいので光強度が弱くても無視でき
ない。そこで、1000X以上もしくは500X以上の
光をカットするために、前述のカーボンやアルミニウム
は以下に示すような吸収特性から選択している。
カーボンについては第3図に、膜厚270Xのカーボン
薄膜の透過率の測定例(J、 As R,Samson
and  R,B、  Cairnm  :  App
Hied  0pt1cat  4  (1965)P
915 )に示すように、500X〜100OXの波長
範囲で吸収が大きいことがわかる。また第4図に示した
カーボンの線、吸・収係数の波長特性かられかるように
、500X〜100OXの波長範囲では。
線吸収係数が大きい。X線の透過強度lは、l−1oe
xp(−μL)で表される。ここで1゜は入射X線の強
度、μは線吸収係数、Lは吸収体の厚さであシ、透過率
は1/l oで表される。例えば、カーボン薄膜の膜厚
を200Xとすると、波長500Xで透過率は13%、
i長700iで5%、[長1001で2%と小さい。こ
のとき、波長50Xの軟X線の透過率は98チ、波長1
00Xでは、90チと大きい透過率が得られる。これに
対してアルミニウムは、100OX程度以上の光に対し
て高い反射率を持つことが知られている。第4図に示す
ように、アルミニウムAtの線吸収係数は波長170X
〜900Xの軟X線、真空紫外線に対しては小さくなっ
ている。また、50X以下でも吸収が小さくなっている
。例えば、アルミニウムの厚さを500Xとすると、波
長170Xでは、91係、300Xでは87チと大きい
透過率が得られる。
70〜170Xの波長領域では、吸収端の影響で線吸収
係数が大きくなっているが、アルミニウムの厚さを10
0Xとすれば、透過率は最小でも67チを確保すること
ができる。また波長50Xでは。
88チの透過率が得られる。次に、アルミニウム以外の
材料として、シリコンStも124〜700芙の波長領
域に、線吸収係数の小さい所がある。
例えば、波長150Xで、シリコンの膜厚を500又と
すると、88%の透過率が得られる。70〜124Xで
は、吸収端の影響で線吸収係数が大きくなっているが、
膜厚を100Xとすれば、最小でも75%の透過率が得
られる。また50Xでは、90%の透過率が得られる。
シリコンを低温でレノスト上に付着させる方法としては
、スパッタリングや電子サイクロトロン共鳴によるプラ
ズマCVD等を用いればよい。これらの成膜法は、高ス
ルー!、トの装置があるので、プロセス上の制約となる
ことはない。また、アルミニウムやシリコン単体だけで
なく、これらを主成分とするものであれば同様の効果が
ある。例えばアルミニウム・シリコンの合金でもよい、
これらの材料は半導体の製造に用いられているものであ
シ、fロセスヘの適合性がある。まえ、カーボン、アル
ミニウム等の2層膜形成も、同一のスパッタリング装置
で簡単に行えるのでプロセスが複雑になることはない。
その他の材料としてベリリウムB・も113Xの吸収端
を越えためたシは、線吸収係数が小さく。
同様に用いることができるがアルミニウムやシリコンに
比べると、線吸収係数が小さい領域は少ない。またマグ
ネシウムMgも軟X線の吸収が小さい波長帯があるが、
酸化されやすい等の欠点がある。
以上のように、カーボンと、アルミニウムまたはシリコ
ンを2層にすれば、波長500X以上の光が効果的にカ
ットできることがわかる。これらは材料的にも半導体プ
ロセスへの適合性もよい。また、ここではカーボンCと
、アルミニウムAtまたはシリコンsiの2層としたが
、At−C、5i−C。
んa−s t−cといったように混ぜて、1層として属
僚形成しても同様の効果がある。
つぎに、多層膜ミラーを用いた・平タン形成法の実施例
を示す。第5図は、多層膜ミラーによる縮小光学系を用
いたバタン形成法を説明する図である。41はマスク、
42は多層膜ミラー 43はウェハ、44は試料ステー
ジ、45は80R光である。多層膜ミラー42は3枚の
球面あるいは非球面のミラーで構成(3枚の多層膜ミラ
ー構成によるX線縮小光学系については、K、 Hoh
 and H。
Tan1no:Bulletin of gl*ctr
oteehniealLaboratorysvol、
 49412 (1985)p47−54に記載されて
いる。)されており、マスク41の縮小像をウェハ43
上に投影する働きを持つ、露光に使用するX線の波長を
50Xとし、重原子であるタングステンWと重原子であ
る炭素Cを対とし、この対を複数層形成した多層膜を構
成する。ウェハ43は、第1図もしくは第2図に示した
ように、レジスト12の上にアルミニウムもしくはカー
メン/アルミニウムがコーティングされている。SOR
光45でマスク41を照射し、マスク4ノに形成されて
いるノ4タンを透過したSOR光を多層膜ミラー42に
より集光してウェハ43上に結像させる。
多層膜ミラー42は、50Xの軟X線に対して高い反射
率を持つようにW/Cの膜厚を設定しておく。ウェハ4
3には、50Xの軟XfMのほかに、前述のように、比
較的長波長の真空紫外線、紫外線、可視光が到達する。
これらの光は、レノストJ2上のアルミニウム層もしく
はアルミニウム/カーメン層で反射、吸収され、レジス
トに到達する強度は弱くなっている。カーボンの膜厚ヲ
200λ、アルミニウムの膜厚を100Xとすると、5
゜久の軟X線は、88チ〜89%の透過率があるので十
分な強度でレジスト層に到達し、レジス)t−感光する
。ウェハ43全面K /4タンを転写するため試料ステ
ージ44を移動させて、所望のパタンを露光する。露光
後、アルミニウムを剥離し、さらにレノストを現像して
・臂タンを形成する。ここでは、透過屋マスクの例を示
したが、多層膜にパタンを加工した反射をマスクを用い
ることもできる。
また別の実施例として、第5図の構成のX線縮小光学系
において、多層膜ミラー42のどれか1枚の多層膜面に
カーボンを堆積させたミラーを用いる例を説明する。W
/C多層膜の表面にさらにス・9.タリングにより、カ
ーがン薄膜を100X堆積させる。このカーボン薄膜は
、波長500Xから100OXの真空紫外線を吸収する
役目をする。
したがって、多層膜ミラー42にょシウェハ43に集光
されるX線に含まれるこの波長域の光を低減させること
ができる。例えば、波長500Xでは13俤、波長7o
oXでは5Ls、波長100iでは2チに光強度が低減
するので、露光特性上の影響は無視することができる。
これに対して露光波長である50Xの軟Xiは多層膜ミ
ラー42で反射した強度の98%がウェハ43に到達す
る。
またレジストには100Xのアルミニウムを堆積させた
ものを用いる。波長500Xから100OXの真空紫外
線はすでに力、トされているので、アルミニウムにより
1oooXの光を反射吸収させてレノストがこの波長の
光で露光されないようにする。このアルミニウム層では
、50Xの軟X線に対しては、89%の透過率がある。
その他の露光動作は、前実施例と全く同様にすればよい
。ここでは、多層膜ミラー42にカーがンを堆積させた
例を示したが、マスク4ノに堆積させてもよい。
なおこのとき透過型マスクでは1反射盤マスクの2倍の
膜厚でカーボンを堆積させておくとカーボン薄膜内の光
路長が同じとなシ同程度の吸収効果がある。また、多層
膜面にカーボンを堆積させたミラーはレジスト露光だけ
でなく、その他、単色光が望まれる加工や分析評価装置
に応用できることは言うまでもない。
淘、チタン、モリブデン等の金属は100X以下の軟X
線では線吸収が小さいところがあるので、アルミニウム
やシリコンのがわシに使用することができる。
(発明の効果) 本発明のノやタン形成法では、レジストの上に、カーボ
ン、アルミニウムやシリコンを薄く堆積したレジスト構
成やカーボンを表面に堆積した多層膜ミラーを用いてい
るので、 SOR光のように単色化されていない連続波
長の光源を用いたX4!!露光において1回折による解
像度劣化の原因となる長波長光をカットし、かつ露光に
必要なX線でレジストを感光することができる。とくに
、Xi縮小投影を実現する多層膜ミラー光学系でxHの
縮小像をレノストに転写するとき、多層膜で反射した不
必要な長波長光の影響を除くことができるため、解像度
のよい高精度なパタン形成を可能にする大きな効果があ
る。t!!fに波長500X以上の光をカ、トできる効
果がある。また、レジストや多層膜ミラー上に直接反射
、吸収層を形成しているので、きわめて薄い膜を形成す
ることが容易であるため露光に必要なX線の強度を十分
に確保することができる。また、通常の薄膜フィルター
では膜支持や膜強度の限界から、100Xという極めて
薄い実用的フィルターを得ることは困−であるが1本発
明では、これと同じ機能を容易に実現できる効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は、本発明パタン形成法の実施例に係
る工程を説明する断面図、第3図は、カーyjrン薄膜
の透過率と波長の関係を示す特性図、第4図は、波長と
線吸収係数の関係を示す特性図。 Wc5図は、本発明に係る多層膜ミラーを用い九ノJ?
タン形成法の一例を説明する図、第6図は従来のX線露
光法を説明する図、第7図はX線縮小露光によるバタン
形成法を説明する図である。 1Jニアルミニウム、J2ニレジスト、13:ウェハ基
板、J4:X線、16:カーボン、41:マスク、42
:多層膜ミラー 43:ウニ/1.44・・・試料ステ
ージ、45 : SOR光、51:X線マスク、52:
ウェハ、53:X機、54ニレジスト、6ノ=マスク、
62:多層膜ξラー 63:ウェハ、64:試料ステー
ジ、65:X線。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)軟X線もしくは真空紫外線によるレジスト露光を
    用いてパタンを形成する方法において、軟X線もしくは
    真空紫外線より長波長の光を反射あるいは吸収する層を
    表面に形成したレジストを用いることを特徴とするパタ
    ン形成法。
  2. (2)軟X線もしくは真空紫外線によるレジスト露光を
    用いてパタンを形成する方法において、軟X線もしくは
    真空紫外線を反射するように表面にカーボンを主とする
    層を形成したミラーを用いることを特徴とするパタン形
    成法。
  3. (3)軟X線もしくは真空紫外線によるレジスト露光を
    用いてパタンを形成する方法において、軟X線もしくは
    真空紫外線より長波長の光を反射あるいは吸収する層を
    表面に形成したレジストを用いると共に、軟X線もしく
    は真空紫外線を反射するように表面にカーボンを主とす
    る層を形成したミラーを用いることを特徴とするパタン
    形成法。
JP63169932A 1988-07-07 1988-07-07 パタン形成法 Pending JPH0219850A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63169932A JPH0219850A (ja) 1988-07-07 1988-07-07 パタン形成法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63169932A JPH0219850A (ja) 1988-07-07 1988-07-07 パタン形成法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0219850A true JPH0219850A (ja) 1990-01-23

Family

ID=15895600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63169932A Pending JPH0219850A (ja) 1988-07-07 1988-07-07 パタン形成法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0219850A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5848119A (en) * 1995-07-04 1998-12-08 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and exposure apparatus having the same
WO2004047155A1 (ja) * 2002-11-19 2004-06-03 Nikon Corporation Euv露光方法、euv露光装置及びeuv露光基板
JP2006279036A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Asml Netherlands Bv 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス
JP2007088237A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Nikon Corp 多層膜反射鏡及びeuv露光装置
JP2008152037A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Nikon Corp 光学素子、露光装置、及びデバイス製造方法
US8537460B2 (en) 2003-03-03 2013-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflective optical element and EUV lithography appliance
WO2015046327A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 独立行政法人物質・材料研究機構 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5848119A (en) * 1995-07-04 1998-12-08 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and exposure apparatus having the same
WO2004047155A1 (ja) * 2002-11-19 2004-06-03 Nikon Corporation Euv露光方法、euv露光装置及びeuv露光基板
US8891163B2 (en) 2003-03-03 2014-11-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflective optical element and EUV lithography appliance
US9910193B2 (en) 2003-03-03 2018-03-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflective optical element and EUV lithography appliance
US8537460B2 (en) 2003-03-03 2013-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflective optical element and EUV lithography appliance
JP2006279036A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Asml Netherlands Bv 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス
JP4685667B2 (ja) * 2005-03-29 2011-05-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007088237A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Nikon Corp 多層膜反射鏡及びeuv露光装置
JP2008152037A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Nikon Corp 光学素子、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2015046327A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 独立行政法人物質・材料研究機構 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法
EP3054351A1 (en) * 2013-09-26 2016-08-10 National Institute for Materials Science Highly sensitive multilayer resist film and method for improving photosensitivity of resist film
JPWO2015046327A1 (ja) * 2013-09-26 2017-03-09 国立研究開発法人物質・材料研究機構 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法
EP3054351A4 (en) * 2013-09-26 2017-05-10 National Institute for Materials Science Highly sensitive multilayer resist film and method for improving photosensitivity of resist film
US9703197B2 (en) 2013-09-26 2017-07-11 National Institute For Materials Science High-sensitivity multilayer resist film and method of increasing photosensitivity of resist film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5521031A (en) Pattern delineating apparatus for use in the EUV spectrum
JP3167095B2 (ja) 照明装置とこれを有する露光装置や顕微鏡装置、ならびにデバイス生産方法
US5641593A (en) Lithographic mask and exposure apparatus using the same
US5272744A (en) Reflection mask
JP3389380B2 (ja) Duv/euvパターン描画を用いたデバイス作製
US20080113303A1 (en) Multilayer Coatings For EUV Mask Substrates
EP1378918A1 (en) Multi-layered film reflector manufacturing method
JP2005086148A (ja) 極端紫外線光学系及び露光装置
US20050286038A1 (en) Layered structure for mosaic tile wave plate
US10007174B2 (en) Extreme ultraviolet lithography process and mask
US4231657A (en) Light-reflection type pattern forming system
JPH07307268A (ja) 照明光学装置
US6686101B2 (en) Non absorbing reticle and method of making same
JPH0219850A (ja) パタン形成法
JPH0868897A (ja) 反射鏡およびその製造方法
US7271950B1 (en) Apparatus and method for optimizing a pellicle for off-axis transmission of light
JPH10339799A (ja) 反射鏡及びその製造方法
US5227268A (en) X-ray mask and its fabricating method-comprising a first and second alignment pattern
JP3110245B2 (ja) 反射型露光用マスクとパターン形成方法
JPH07244199A (ja) 投影露光方法及びその装置
US6924081B1 (en) Photosensitive material for immersion photolithography
JP2005099571A (ja) 多層膜反射鏡、反射多層膜の成膜方法、成膜装置及び露光装置
JPH09326347A (ja) 微細パターン転写方法およびその装置
US4666292A (en) Projection optical apparatus and a photographic mask therefor
JPH11329918A (ja) 軟x線投影露光装置