JPS63116458A - フオトセンサと信号処理回路を備えた半導体装置 - Google Patents
フオトセンサと信号処理回路を備えた半導体装置Info
- Publication number
- JPS63116458A JPS63116458A JP61263101A JP26310186A JPS63116458A JP S63116458 A JPS63116458 A JP S63116458A JP 61263101 A JP61263101 A JP 61263101A JP 26310186 A JP26310186 A JP 26310186A JP S63116458 A JPS63116458 A JP S63116458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- insulating film
- film
- photosenser
- around
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 7
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトセンサと信号処理回路を備え、た半導
体装置の改良に関する。
体装置の改良に関する。
特に、本発明は、所定波長の微弱な光を検出することの
できる半導体装置に関する。
できる半導体装置に関する。
（従来の技術〕
従来のこの種の半導体装置は、第２図（概略断面図）に
示すように、同一半導体チップにフォトセンサと信号処
理回路が形成され、両者の上に第１の光透過性絶縁膜（
一般にはチップの半導体シリコン基板が酸化して生じる
５ｉＯｚ） 、光通過性層間絶縁ｗＸ（一般にはＣｖＯ
で形成された［リンが４％程度ドープされた５ｉＣｈｊ
で、これはＩ’ＳＧと呼ばれる）、受光面が開窓された
遮光膜（一般にはＡｌ）及びチップ保護膜（一般にはＣ
Ｖ［ｌで形成されたがｐｓｃ ）が順に積層された構造
からなる。
示すように、同一半導体チップにフォトセンサと信号処
理回路が形成され、両者の上に第１の光透過性絶縁膜（
一般にはチップの半導体シリコン基板が酸化して生じる
５ｉＯｚ） 、光通過性層間絶縁ｗＸ（一般にはＣｖＯ
で形成された［リンが４％程度ドープされた５ｉＣｈｊ
で、これはＩ’ＳＧと呼ばれる）、受光面が開窓された
遮光膜（一般にはＡｌ）及びチップ保護膜（一般にはＣ
Ｖ［ｌで形成されたがｐｓｃ ）が順に積層された構造
からなる。
しかしながら、従来の装置は、微弱な光に対する感度が
低いという第一の問題点があった。特に検出すべき光の
波長が所定の帯域に限定されている場合には、時として
第一の問題点が顕著にでる場合と余りでない場合がある
という第二の問題点があった。
低いという第一の問題点があった。特に検出すべき光の
波長が所定の帯域に限定されている場合には、時として
第一の問題点が顕著にでる場合と余りでない場合がある
という第二の問題点があった。
本発明の目的は、微弱な光であっても感度が良好で、か
つ、波長帯域が限定された場合であっても、感度が常に
良好な光検出用半導体装置を提供することにある。
つ、波長帯域が限定された場合であっても、感度が常に
良好な光検出用半導体装置を提供することにある。
これらの問題点を解決するため、本発明者は鋭意研究し
たところ、従来の半導体装置は、受光面を覆う膜が１μ
罹以上あり、このように厚い場合には、（イ）フォトセ
ンサに届く光が弱くなり、そのため第一の問題点が発生
すること、また（口）第３図（Ｂ）に示すように波長に
応じて透過率が激しく変動するリフプルが現れ、そのた
め製造時に膜厚を厳密に制御して所定の膜厚を得ないと
、高い透過率が得られず、その結果第二の問題点が発生
することを見い出し、更に研究を進めた結果、受光面を
覆う膜を最低限の第１の光透過性絶縁膜だけとすれば、
受光面を覆う膜が薄くなり、そのため第一の問題点が解
決され、また受光面を覆う膜が薄くなれば、第３図（Ａ
）に示すように波長に応じて透過率が余り変動せず、そ
のため第二の問題点が解決されることを見い出し、本発
明を成すに至った。
たところ、従来の半導体装置は、受光面を覆う膜が１μ
罹以上あり、このように厚い場合には、（イ）フォトセ
ンサに届く光が弱くなり、そのため第一の問題点が発生
すること、また（口）第３図（Ｂ）に示すように波長に
応じて透過率が激しく変動するリフプルが現れ、そのた
め製造時に膜厚を厳密に制御して所定の膜厚を得ないと
、高い透過率が得られず、その結果第二の問題点が発生
することを見い出し、更に研究を進めた結果、受光面を
覆う膜を最低限の第１の光透過性絶縁膜だけとすれば、
受光面を覆う膜が薄くなり、そのため第一の問題点が解
決され、また受光面を覆う膜が薄くなれば、第３図（Ａ
）に示すように波長に応じて透過率が余り変動せず、そ
のため第二の問題点が解決されることを見い出し、本発
明を成すに至った。
従って、本発明は、「同一半導体チップにフォトセンサ
と信号処理回路が形成され、両者の上に第１の光透過性
絶縁膜、光透過性層間絶縁膜、受光面が開窓された遮光
膜及び光透過性チップ保護膜が順に積層された半導体装
置において、前記第１の光透過性絶縁膜の受光面上に積
層した他の層を除去して該絶縁膜を露出させたことを特
徴とする半導体装置」を提供する。
と信号処理回路が形成され、両者の上に第１の光透過性
絶縁膜、光透過性層間絶縁膜、受光面が開窓された遮光
膜及び光透過性チップ保護膜が順に積層された半導体装
置において、前記第１の光透過性絶縁膜の受光面上に積
層した他の層を除去して該絶縁膜を露出させたことを特
徴とする半導体装置」を提供する。
本発明では、受光面を覆う種々の膜を最低限の第１の光
透過性絶縁膜（以下、単に第１絶縁膜という）だけとし
、その上に積層された種々の層を除去する。
透過性絶縁膜（以下、単に第１絶縁膜という）だけとし
、その上に積層された種々の層を除去する。
受光面での第１絶縁膜の厚さは３０００Å以下が好まし
い。そうすれば、第３図（Ａ）に示すようにリップルが
現れなくなり、膜厚が多少変動しても透過率に大きな変
動はなくなる。また、受光する光を所定の狭い帯域に限
定する場合には、最も透過率が高くなるような膜厚を選
択することが好ましい、これは、基板（シリコン）表面
での反射光と第１絶縁膜表面での反射光が相互に干渉し
合って、波長と膜厚の関係で全体の反射光が強まったり
弱まったりするからである。
い。そうすれば、第３図（Ａ）に示すようにリップルが
現れなくなり、膜厚が多少変動しても透過率に大きな変
動はなくなる。また、受光する光を所定の狭い帯域に限
定する場合には、最も透過率が高くなるような膜厚を選
択することが好ましい、これは、基板（シリコン）表面
での反射光と第１絶縁膜表面での反射光が相互に干渉し
合って、波長と膜厚の関係で全体の反射光が強まったり
弱まったりするからである。
もっとも、余り薄いとフォトセンサを保護する機能がな
くなるので、受光面での第１龜色縁膜の厚さは５００Å
以上にすることが好ましい。
くなるので、受光面での第１龜色縁膜の厚さは５００Å
以上にすることが好ましい。
本発明に従い、受光面上に積層された各層を除去するに
は、第１絶縁膜を腐食することなく又は腐食性が低く、
他の層を腐食し又は腐食性が高いエツチング剤を選択す
る必要がある。逆に第１絶縁膜とその他の膜とは化学的
性質が大きくことなるように選択してもよい、特に絶縁
膜はどうしても同種のものを使用した（なるが、そうす
ると適当なエツチング剤が見つからなくなる恐れがある
。
は、第１絶縁膜を腐食することなく又は腐食性が低く、
他の層を腐食し又は腐食性が高いエツチング剤を選択す
る必要がある。逆に第１絶縁膜とその他の膜とは化学的
性質が大きくことなるように選択してもよい、特に絶縁
膜はどうしても同種のものを使用した（なるが、そうす
ると適当なエツチング剤が見つからなくなる恐れがある
。
事実、第１絶縁膜に一般に使用される５ｔＯｚとＰＳＧ
とは化学的性質が類似しているので現在のところ両者の
エツチング選択比の高いエツチング剤はない。
とは化学的性質が類似しているので現在のところ両者の
エツチング選択比の高いエツチング剤はない。
なお、適当なエツチング剤がないからといって、第１絶
縁膜上に積層するた種々の層を、受光面だけ選択的に除
去せずに、最初から全体に薄く積層した場合には、本来
の各層のｍ能が失われて、問題の解決にはならない。
縁膜上に積層するた種々の層を、受光面だけ選択的に除
去せずに、最初から全体に薄く積層した場合には、本来
の各層のｍ能が失われて、問題の解決にはならない。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
第１図は、本実施例にかかる半導体装置の概略断面図を
示す。
示す。
この半導体装置は、Ｐ−半導体シリコン基板に形成され
たフォトセンサ１１と信号処理回路１２とからなる。両
者は、Ｐ゛分離拡散領域により囲まれており、フォトセ
ンサ１１は、ここではＮ−エピタキシャル成長層とＰ−
基板とのフォトダイオードからなり、信号処理回路１２
は、Ｎゝ埋込拡散層、Ｎ−エピタキシャル成長層、ベー
ス領域Ｐ１エミフタ領域Ｎ９からなる。
たフォトセンサ１１と信号処理回路１２とからなる。両
者は、Ｐ゛分離拡散領域により囲まれており、フォトセ
ンサ１１は、ここではＮ−エピタキシャル成長層とＰ−
基板とのフォトダイオードからなり、信号処理回路１２
は、Ｎゝ埋込拡散層、Ｎ−エピタキシャル成長層、ベー
ス領域Ｐ１エミフタ領域Ｎ９からなる。
基板表面には、第１絶縁膜１５として膜厚約５０００人
のＳｉｎｇ、眉間絶縁膜１６として膜厚約８０００人の
ポリイミド、遮光膜１４として膜厚約１μｍのアルミニ
ウム、チップ保護膜１７として膜厚約８０００人のポリ
イミドがｌ＋ｌｌｊに積層されている。
のＳｉｎｇ、眉間絶縁膜１６として膜厚約８０００人の
ポリイミド、遮光膜１４として膜厚約１μｍのアルミニ
ウム、チップ保護膜１７として膜厚約８０００人のポリ
イミドがｌ＋ｌｌｊに積層されている。
そして、フォトセンサ１１の受光面上では、眉間絶縁膜
１６、遮光膜１４及びチップ保護膜１７が選択的に除去
され、第１絶縁膜１５が露出している。しかも受光面の
第１絶縁＋１ｉｉｓは、ここでは膜厚が２０００人に選
択的に薄くされており、その結果、第３図（Ａ）に示す
ように、波長８００ｎｍの光に対する透過率が最も高く
、それでいて充分な保護効果を有する。
１６、遮光膜１４及びチップ保護膜１７が選択的に除去
され、第１絶縁膜１５が露出している。しかも受光面の
第１絶縁＋１ｉｉｓは、ここでは膜厚が２０００人に選
択的に薄くされており、その結果、第３図（Ａ）に示す
ように、波長８００ｎｍの光に対する透過率が最も高く
、それでいて充分な保護効果を有する。
以下、この半導体装置の製造工程を説明する。
通常のバイポーラ素子製造工程に従い、フォトセンサ１
１、信号処理回路１２を形成した後、その形成過程で生
じた膜厚約５０００人のＳｉｎｇを受光面だけ選択的に
エツチングしてすっかり除去し、次いで酸化することに
より膜厚２０００人のＳｉＯ□を形成することにより、
第１絶縁膜１５を形成する。
１、信号処理回路１２を形成した後、その形成過程で生
じた膜厚約５０００人のＳｉｎｇを受光面だけ選択的に
エツチングしてすっかり除去し、次いで酸化することに
より膜厚２０００人のＳｉＯ□を形成することにより、
第１絶縁膜１５を形成する。
次にＡｆ配線１３を形成する。この状態が第４図（Ａ）
である。
である。
次にポリイミド塗料を全体に塗布して成膜した後（第４
図ＣＢ）参照）、通常のフォトリソ技術により受光面だ
け選択的にエツチングして除去する。エツチング剤は例
えばヒドラジンが使用でき、これは、受光面のＳｉｎｇ
（第１絶縁膜１５）を腐食することがない。これによ
り眉間絶縁膜１６が形成される。この状態が第４図（Ｂ
）である。
図ＣＢ）参照）、通常のフォトリソ技術により受光面だ
け選択的にエツチングして除去する。エツチング剤は例
えばヒドラジンが使用でき、これは、受光面のＳｉｎｇ
（第１絶縁膜１５）を腐食することがない。これによ
り眉間絶縁膜１６が形成される。この状態が第４図（Ｂ
）である。
次に遮光膜１４としてＡｆを全体に蒸着したあと、通常
のフォトリソ技術により受光面だけ選択的にエツチング
して除去する。エツチング剤は例えばリン酸が使用でき
、これは、受光面の５ｉＯ２（第１絶縁膜１５）を腐食
することがない。この状態が第４図（Ｄ）である。
のフォトリソ技術により受光面だけ選択的にエツチング
して除去する。エツチング剤は例えばリン酸が使用でき
、これは、受光面の５ｉＯ２（第１絶縁膜１５）を腐食
することがない。この状態が第４図（Ｄ）である。
ここで、またポリイミドを全体に塗布して成膜した後（
第４図（Ｅ）参照）、通常のフォトリソ技術により受光
面だけ選択的にエツチングして除去する。エツチング剤
は例えばヒドラジンが使用でき、これは、受光面の５ｉ
Ｏｔ （第１絶縁膜１５）を腐食することがない。これ
により眉間絶縁膜１６が形成される。
第４図（Ｅ）参照）、通常のフォトリソ技術により受光
面だけ選択的にエツチングして除去する。エツチング剤
は例えばヒドラジンが使用でき、これは、受光面の５ｉ
Ｏｔ （第１絶縁膜１５）を腐食することがない。これ
により眉間絶縁膜１６が形成される。
こうして、第１図に示す半導体装置が製造される。
本実施例では、眉間絶縁膜１６とチップ保護膜１７を同
一材料で形成したが、同一にする必要は特にない。要す
るに第１絶縁膜１５を腐食しない又は腐食しにくいエツ
チング剤でエツチングできる材料であればよい。第１絶
縁膜１５がＳｉＯ□の場合、層間絶縁膜１６とチップ保
護膜１７として使用できるポリイミド以外の材料として
は、例えばＳｉＮ 、 Ａｌ□０３ 、Ｔｉ０ｚなどが
あげられる。
一材料で形成したが、同一にする必要は特にない。要す
るに第１絶縁膜１５を腐食しない又は腐食しにくいエツ
チング剤でエツチングできる材料であればよい。第１絶
縁膜１５がＳｉＯ□の場合、層間絶縁膜１６とチップ保
護膜１７として使用できるポリイミド以外の材料として
は、例えばＳｉＮ 、 Ａｌ□０３ 、Ｔｉ０ｚなどが
あげられる。
また、信号処理回路１２をここではＮＰＮバイポーラ・
トランジスタとしたが他の素子例えばＭＯ３素子でもよ
く、フォトセンサ１１も他のフォトセンサ例えばフォト
トランジスタでもよい。
トランジスタとしたが他の素子例えばＭＯ３素子でもよ
く、フォトセンサ１１も他のフォトセンサ例えばフォト
トランジスタでもよい。
以上のとおり、本発明によれば、フォトセンサの受光面
上の積Ｎ膜を選択的に除去して、第１の光透過性絶縁膜
だけとしたので、微弱な光に対しても感度良くキャッチ
でき、かつ受光する波長領域を狭い帯域に限定したとき
にも、時として感度が低い半導体装置が製造される場合
があるという第二の問題点が解決され、常に安定して高
い感度の半導体装置が製造可能である。
上の積Ｎ膜を選択的に除去して、第１の光透過性絶縁膜
だけとしたので、微弱な光に対しても感度良くキャッチ
でき、かつ受光する波長領域を狭い帯域に限定したとき
にも、時として感度が低い半導体装置が製造される場合
があるという第二の問題点が解決され、常に安定して高
い感度の半導体装置が製造可能である。
第１図は、本発明の実施例にかかる半導体装置の概略断
面図である。 第２図は、従来の半導体装置の概略断面図である。 第３図は、シリコン基板に形成された酸化けい素膜の分
光透過率曲線を表すグラフであり、（Ａ）は、酸化けい
素膜が２０００人の場合で、ＣＢ）は、酸化けい素膜が
１μｍの場合である。 第４図は、実施例の半導体装置を製造する各工程に於け
る断面構造を示す説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕
面図である。 第２図は、従来の半導体装置の概略断面図である。 第３図は、シリコン基板に形成された酸化けい素膜の分
光透過率曲線を表すグラフであり、（Ａ）は、酸化けい
素膜が２０００人の場合で、ＣＢ）は、酸化けい素膜が
１μｍの場合である。 第４図は、実施例の半導体装置を製造する各工程に於け
る断面構造を示す説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 同一半導体チップにフォトセンサと信号処理回路が
形成され、両者の上に第１の光透過性絶縁膜、光透過性
層間絶縁膜、受光面が開窓された遮光膜及び光透過性チ
ップ保護膜が順に積層された半導体装置において、 前記第１の光透過性絶縁膜の受光面上に積層した他の層
を除去して該絶縁膜を露出させたことを特徴とする半導
体装置。 ２ 前記受光面における第１の光透過性絶縁膜の膜厚が
３０００Å以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 ３ 前記第１の光透過性絶縁膜が酸化けい素からなり、
前記光透過性層間絶縁膜及び光透過性チップ保護膜がポ
リイミドからなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61263101A JPH0831582B2 (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | フオトセンサと信号処理回路を備えた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61263101A JPH0831582B2 (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | フオトセンサと信号処理回路を備えた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63116458A true JPS63116458A (ja) | 1988-05-20 |
| JPH0831582B2 JPH0831582B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17384835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61263101A Expired - Lifetime JPH0831582B2 (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | フオトセンサと信号処理回路を備えた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831582B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469059A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Matsushita Electronics Corp | Integrated photodetector |
| US5779918A (en) * | 1996-02-14 | 1998-07-14 | Denso Corporation | Method for manufacturing a photo-sensor |
| US6069378A (en) * | 1996-12-05 | 2000-05-30 | Denso Corporation | Photo sensor integrated circuit |
| US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
| US7113213B2 (en) | 1995-08-11 | 2006-09-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image system, solid-state imaging semiconductor integrated circuit device used in the image system, and difference output method used for the image system |
| JP3838665B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2006-10-25 | 株式会社 東芝 | Ｍｏｓ型固体撮像装置 |
| US7369169B2 (en) | 1995-08-11 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS-type solid-state imaging apparatus |
| DE112011103016T5 (de) | 2010-09-10 | 2013-06-27 | Denso Corporation | Optischer Sensor |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP61263101A patent/JPH0831582B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469059A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Matsushita Electronics Corp | Integrated photodetector |
| US7113213B2 (en) | 1995-08-11 | 2006-09-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image system, solid-state imaging semiconductor integrated circuit device used in the image system, and difference output method used for the image system |
| JP3838665B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2006-10-25 | 株式会社 東芝 | Ｍｏｓ型固体撮像装置 |
| US7369169B2 (en) | 1995-08-11 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS-type solid-state imaging apparatus |
| US5779918A (en) * | 1996-02-14 | 1998-07-14 | Denso Corporation | Method for manufacturing a photo-sensor |
| US6069378A (en) * | 1996-12-05 | 2000-05-30 | Denso Corporation | Photo sensor integrated circuit |
| US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
| DE112011103016T5 (de) | 2010-09-10 | 2013-06-27 | Denso Corporation | Optischer Sensor |
| US8901480B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-12-02 | Denso Corporation | Optical sensor having a blocking film disposed over light receiving elements on a semiconductor substrate via a light transparent film for detecting an incident angle of light |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831582B2 (ja) | 1996-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0632508B1 (en) | Photodetector with a multilayer filter and method of producing the same | |
| US6538267B2 (en) | Integrated semiconductor optic sensor device | |
| EP0307233B1 (en) | Photoelectric converting apparatus | |
| JP2006226890A (ja) | 熱型赤外線検出素子 | |
| JP3561084B2 (ja) | 回路内蔵受光素子、電子部品、光ピックアップ装置および回路内蔵受光素子の製造方法 | |
| JPS63116458A (ja) | フオトセンサと信号処理回路を備えた半導体装置 | |
| JPH04119535A (ja) | 半導体装置 | |
| CN107403845A (zh) | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | |
| US8076220B2 (en) | Fabrication method for device structure having transparent dielectric substrate | |
| JPH07183561A (ja) | 回路内蔵受光素子の作製方法 | |
| US20040012021A1 (en) | Semiconductor device and optical device including the same | |
| JPH05275731A (ja) | フォトダイオード | |
| JP2928163B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5591680A (en) | Formation methods of opaque or translucent films | |
| JPH07273082A (ja) | 回路内蔵受光装置の作製方法 | |
| JPH0575092A (ja) | 光電子集積回路装置の製造方法 | |
| US6133060A (en) | Method of protecting light sensitive regions of integrated circuits | |
| JPH06310597A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001255401A (ja) | 反射防止膜 | |
| JPH08213647A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS59172769A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS59172768A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2003051589A (ja) | 受光素子内蔵型半導体装置の製造方法及び受光素子内蔵型半導体装置 | |
| JPH01257319A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH04284676A (ja) | 赤外線検知素子 |