JPS59172768A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS59172768A JPS59172768A JP58048160A JP4816083A JPS59172768A JP S59172768 A JPS59172768 A JP S59172768A JP 58048160 A JP58048160 A JP 58048160A JP 4816083 A JP4816083 A JP 4816083A JP S59172768 A JPS59172768 A JP S59172768A
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- light shielding
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Links
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910001902 chlorine oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MAYPHUUCLRDEAZ-UHFFFAOYSA-N chlorine peroxide Chemical compound ClOOCl MAYPHUUCLRDEAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は固体撮像装置、すなわち半導体装置による撮
像装置に関するものである。
像装置に関するものである。
従来例によるこの種の固体撮像装置の概要構成を第１図
に示しである。すなわち、この第１図において、符号（
１）および（２）は半導体基板のｐ層表面部に拡散形成
されたｎ領域からなるソース、およびドレイン、（３）
はそのゲートであって、これらによりフォトダイオード
を構成している。また（４）。
に示しである。すなわち、この第１図において、符号（
１）および（２）は半導体基板のｐ層表面部に拡散形成
されたｎ領域からなるソース、およびドレイン、（３）
はそのゲートであって、これらによりフォトダイオード
を構成している。また（４）。
および（５）は前記半導体基板のｐ＋コンタクト領域お
よびｎ＋コンタクトとしての金蒸着膜、（６）は前記ド
レイン、ｐ＋コンタクトの各領域上に設けられるアルミ
ニウムからなる一層配線、σ）はその間のｐ濃度が高く
て湿気に弱い５ｉ０２などのスムースコート膜、（８）
はこれらの上に素子全体に亘って形成されたＳｔＯ，な
どの絶縁膜、（９）はこの絶縁膜（８）上に受光部を除
いて設けられるアルミニウムからなる遮光膜であり、さ
らにこれらの上には一般に平坦化膜、耐湿膜を兼ねる保
護膜と、周知のカラーフィルタが配設される。
よびｎ＋コンタクトとしての金蒸着膜、（６）は前記ド
レイン、ｐ＋コンタクトの各領域上に設けられるアルミ
ニウムからなる一層配線、σ）はその間のｐ濃度が高く
て湿気に弱い５ｉ０２などのスムースコート膜、（８）
はこれらの上に素子全体に亘って形成されたＳｔＯ，な
どの絶縁膜、（９）はこの絶縁膜（８）上に受光部を除
いて設けられるアルミニウムからなる遮光膜であり、さ
らにこれらの上には一般に平坦化膜、耐湿膜を兼ねる保
護膜と、周知のカラーフィルタが配設される。
しかしてこの従来例での固体撮像装置の場合、カラーフ
ィルタにより選択されて保護膜を通過した特定波長の光
ｈνは、遮光膜（９）間の受光部よル絶縁膜（８）、お
よびスムースコート膜（７）を順次に経て、フォトダイ
オードを構成しているソース（１）ｒｃ達し、光電効果
にょシ特定波長の光ｈνとしての電気信号に変換される
のであるが、一方、この従来例の構成にあっては、素子
全体が絶縁膜（８）によって被覆され、その上にアルミ
ニウムからなる遮光膜（９）を形成しているので、絶縁
膜（８）での光の回折現象と遮光Ｍ（９）による光の乱
反射とによって、色違いのカラーフィルタを通過してき
た光ｈν′がフォトダイオードのソース（１）に迷い込
んできて分光感度特性が悪くなり、またその光がドレイ
ン（２）に達して、いわゆるスミア現象を惹き起すなど
の不都合があった。
ィルタにより選択されて保護膜を通過した特定波長の光
ｈνは、遮光膜（９）間の受光部よル絶縁膜（８）、お
よびスムースコート膜（７）を順次に経て、フォトダイ
オードを構成しているソース（１）ｒｃ達し、光電効果
にょシ特定波長の光ｈνとしての電気信号に変換される
のであるが、一方、この従来例の構成にあっては、素子
全体が絶縁膜（８）によって被覆され、その上にアルミ
ニウムからなる遮光膜（９）を形成しているので、絶縁
膜（８）での光の回折現象と遮光Ｍ（９）による光の乱
反射とによって、色違いのカラーフィルタを通過してき
た光ｈν′がフォトダイオードのソース（１）に迷い込
んできて分光感度特性が悪くなり、またその光がドレイ
ン（２）に達して、いわゆるスミア現象を惹き起すなど
の不都合があった。
この発明は従来例でのこのような欠点に鑑み、一層配線
と遮光膜との間隙をなくすと共に、遮光膜に反射率の低
いクロムを用いることにより、分光感度特性の改善とス
ミア現象対策とをなし得るようにしたものである。
と遮光膜との間隙をなくすと共に、遮光膜に反射率の低
いクロムを用いることにより、分光感度特性の改善とス
ミア現象対策とをなし得るようにしたものである。
以下、この発明に係る固体撮像装置の一実施例につき、
第２図を参照して詳ＮＢｖＣ説明する。
第２図を参照して詳ＮＢｖＣ説明する。
この第２図実施例において前記第１図従来例と同一符号
は同一または相当部分を示しており、この実施例では、
前記一層配線（６）の表面に酸化クロムからなる絶縁膜
（１０）を設けると共に、その上に受光部を除いて反射
率の低いクロムからなる遮光膜（１１）を設け、かつこ
の遮光膜（１１）間、すなわち受光部に前記スムースコ
ート膜（７）を湿気から防護するためのＳｉｇｈなどの
絶縁膜（１２）を配したものである。こ＼で前記酸化ク
ロムからなる絶縁膜（１０）は、間隙をなくした一層配
線（６）と遮光膜（１１）間にあって、両者を絶縁する
ために設けられており、その膜厚はせいぜい０．１＃ｍ
程度で足りる。
は同一または相当部分を示しており、この実施例では、
前記一層配線（６）の表面に酸化クロムからなる絶縁膜
（１０）を設けると共に、その上に受光部を除いて反射
率の低いクロムからなる遮光膜（１１）を設け、かつこ
の遮光膜（１１）間、すなわち受光部に前記スムースコ
ート膜（７）を湿気から防護するためのＳｉｇｈなどの
絶縁膜（１２）を配したものである。こ＼で前記酸化ク
ロムからなる絶縁膜（１０）は、間隙をなくした一層配
線（６）と遮光膜（１１）間にあって、両者を絶縁する
ために設けられており、その膜厚はせいぜい０．１＃ｍ
程度で足りる。
従ってこの実施例構成の場合にあっては、カラーフィル
タを通過した特定波長の光ｈνが、従来例構成でのよう
に絶縁膜内をさまよい、反射率の高い遮光膜での乱反射
によって、別のフォトダイオードに迷い込み、そのソー
スあるいはドレインに侵入するような不都合が解消され
るのである。
タを通過した特定波長の光ｈνが、従来例構成でのよう
に絶縁膜内をさまよい、反射率の高い遮光膜での乱反射
によって、別のフォトダイオードに迷い込み、そのソー
スあるいはドレインに侵入するような不都合が解消され
るのである。
なお前記実施例はいわゆるＭＯＳ型の固体撮像装置につ
いて述べたが、この発明はその他すべての固体撮像装置
にも適用できるものである。
いて述べたが、この発明はその他すべての固体撮像装置
にも適用できるものである。
以上詳述したようにこの発明装置によれば、一層配線と
遮光膜との間隙をなくシ、これらの両者間を酸化クロノ
、の絶縁膜により絶縁させると共に、遮光膜については
これを反射率の低いクロムを用いて形成させたから、受
光部から受入れられた光が別のダイオードに迷い込んだ
り、そのソースあるいはドレインに侵入したりすること
がなくなることになって、分光感度特性の改善、向上を
なし得ると共に、スミア現象を阻止できるなどの特長が
ある。
遮光膜との間隙をなくシ、これらの両者間を酸化クロノ
、の絶縁膜により絶縁させると共に、遮光膜については
これを反射率の低いクロムを用いて形成させたから、受
光部から受入れられた光が別のダイオードに迷い込んだ
り、そのソースあるいはドレインに侵入したりすること
がなくなることになって、分光感度特性の改善、向上を
なし得ると共に、スミア現象を阻止できるなどの特長が
ある。
第１図は従来例による固体撮像装置の概要構成を示す断
面図、第２図はこの発明の一実施例による固体撮像装置
の概要構成を示す断面図である。 （１）・・・・ソース、（２）・・・・ドレイン、（３
）・・・・グー）、（６）・・・・一層配線、（７）・
・・・スムースコート膜、（８）、（１２）・・・・絶
縁膜、（１０）・・・拳酸化りｐムからなる絶縁膜、（
１１）・・・・クロムからなる遮光膜。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図
面図、第２図はこの発明の一実施例による固体撮像装置
の概要構成を示す断面図である。 （１）・・・・ソース、（２）・・・・ドレイン、（３
）・・・・グー）、（６）・・・・一層配線、（７）・
・・・スムースコート膜、（８）、（１２）・・・・絶
縁膜、（１０）・・・拳酸化りｐムからなる絶縁膜、（
１１）・・・・クロムからなる遮光膜。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図
Claims (1)
- 固体撮像装置の製造プロセスにおいて、アルミニウムか
らなる一層配線上に酸化りｐムからなる絶縁膜を形成す
ると共に、その上に受光部を除いて反射率の低いクロム
からなる遮光膜を設けたことを特徴とする固体撮像装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048160A JPS59172768A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048160A JPS59172768A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172768A true JPS59172768A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12795627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048160A Pending JPS59172768A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172768A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195680A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS61158169A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-17 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
| US5276348A (en) * | 1992-06-09 | 1994-01-04 | Advanced Photonix, Inc. | Dot matrix pattern on photosensitive semi-conductor surface |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP58048160A patent/JPS59172768A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195680A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS61158169A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-17 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
| US5276348A (en) * | 1992-06-09 | 1994-01-04 | Advanced Photonix, Inc. | Dot matrix pattern on photosensitive semi-conductor surface |
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