JPH04337667A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH04337667A JPH04337667A JP3110064A JP11006491A JPH04337667A JP H04337667 A JPH04337667 A JP H04337667A JP 3110064 A JP3110064 A JP 3110064A JP 11006491 A JP11006491 A JP 11006491A JP H04337667 A JPH04337667 A JP H04337667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- light
- conversion region
- layer
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子に関し、特
に、偽信号電荷の発生を低減せしめた固体撮像素子に関
する。
に、偽信号電荷の発生を低減せしめた固体撮像素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の２次元ＣＣＤ固体撮像素
子の断面図である。図２に示すように、ｎ型半導体基板
１０１上にはＰウェル２０２が形成され、Ｐウェル１０
２の表面領域内には、ｎ型の光電変換領域１０３、ｎ型
の電荷転送領域１０４及びＰ＋ 型のチャンネルストッ
パ１０５が形成されている。半導体基板上にはシリコン
酸化膜１０６を介して電荷転送電極１０７がさらにその
上には層間絶縁膜１０８を介して光電変換領域１０３上
に開口を有するアルミニウム遮光膜２１０が形成されて
いる。この固体撮像素子はキャップ２１１を有するパッ
ケージ内に収納されて使用される。
子の断面図である。図２に示すように、ｎ型半導体基板
１０１上にはＰウェル２０２が形成され、Ｐウェル１０
２の表面領域内には、ｎ型の光電変換領域１０３、ｎ型
の電荷転送領域１０４及びＰ＋ 型のチャンネルストッ
パ１０５が形成されている。半導体基板上にはシリコン
酸化膜１０６を介して電荷転送電極１０７がさらにその
上には層間絶縁膜１０８を介して光電変換領域１０３上
に開口を有するアルミニウム遮光膜２１０が形成されて
いる。この固体撮像素子はキャップ２１１を有するパッ
ケージ内に収納されて使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像素子で
は、図２に示すように受光部に対して斜め入射光Ａが入
射した場合、アルミニウム遮光膜２１０の端面で反射し
、光電変換領域１０３ではなく、電荷転送領域１０４内
あるいはその近傍に入射し、そこで信号電荷を発生させ
る。この電荷は、電荷転送領域内に集められスミア成分
となる。また、Ｂのように入射した光はアルミニウム遮
光膜２１０の表面で反射し、反射光の一部はさらにパッ
ケージキャップ下面で反射し、受光部に入射する。この
入射光は光電変換領域内において光電変換され偽信号電
荷となる。
は、図２に示すように受光部に対して斜め入射光Ａが入
射した場合、アルミニウム遮光膜２１０の端面で反射し
、光電変換領域１０３ではなく、電荷転送領域１０４内
あるいはその近傍に入射し、そこで信号電荷を発生させ
る。この電荷は、電荷転送領域内に集められスミア成分
となる。また、Ｂのように入射した光はアルミニウム遮
光膜２１０の表面で反射し、反射光の一部はさらにパッ
ケージキャップ下面で反射し、受光部に入射する。この
入射光は光電変換領域内において光電変換され偽信号電
荷となる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像素
子は、半導体基板の表面領域内に形成された光電変換領
域と、該光電変換領域で生成された信号電荷を読み出す
ための信号読み出し手段と、半導体基板上に絶縁膜を介
して形成された前記光電変換領域上に開口を有する遮光
膜とを備え、この遮光膜に黒色染色層を使用している。
子は、半導体基板の表面領域内に形成された光電変換領
域と、該光電変換領域で生成された信号電荷を読み出す
ための信号読み出し手段と、半導体基板上に絶縁膜を介
して形成された前記光電変換領域上に開口を有する遮光
膜とを備え、この遮光膜に黒色染色層を使用している。
【０００５】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【０００６】図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【０００７】本実施例において従来例との相違点はアル
ミニウム遮光膜の代わりに黒色染色層を使用している点
である。この他は従来例と同じである。この黒色染色層
は膜厚１．０μｍ程度で、現在カラー固体撮像素子にお
いて使用されているオンチップフィルタを作製する際に
用いられるのと同様の手法を用いて形成される。すなわ
ち、層間絶縁膜１０８を形成後、被染色層であるカゼイ
ンを塗布し、これを受光部に所望の大きさの開口を有す
るようにパターニングする。その後、黒色の染料でカゼ
インを５０〜６０℃で染色する。
ミニウム遮光膜の代わりに黒色染色層を使用している点
である。この他は従来例と同じである。この黒色染色層
は膜厚１．０μｍ程度で、現在カラー固体撮像素子にお
いて使用されているオンチップフィルタを作製する際に
用いられるのと同様の手法を用いて形成される。すなわ
ち、層間絶縁膜１０８を形成後、被染色層であるカゼイ
ンを塗布し、これを受光部に所望の大きさの開口を有す
るようにパターニングする。その後、黒色の染料でカゼ
インを５０〜６０℃で染色する。
【０００８】上記実施例では黒色染色層をカゼインを用
いて形成していたが、カゼインに代えて他の材料、例え
ば、ゼラチンを用いてもよい。この場合の膜厚，形成方
法についてはカゼインの時と全く同一である。黒色染色
層は、反射がなく遮光効果のある材料であれば、どのよ
うな材料でもよい。
いて形成していたが、カゼインに代えて他の材料、例え
ば、ゼラチンを用いてもよい。この場合の膜厚，形成方
法についてはカゼインの時と全く同一である。黒色染色
層は、反射がなく遮光効果のある材料であれば、どのよ
うな材料でもよい。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、遮光膜
に黒色染色層を使用したものであるので、遮光膜での光
の反射を防止することができ、反射光の電荷転送領域や
光電変換領域への入射をなくすことができる。したがっ
て、スミア等の偽信号の発生を防止することができる。
に黒色染色層を使用したものであるので、遮光膜での光
の反射を防止することができ、反射光の電荷転送領域や
光電変換領域への入射をなくすことができる。したがっ
て、スミア等の偽信号の発生を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】従来例を示す断面図。
１０１ ｎ型半導体基板
１０２ Ｐウェル
１０３ 光電変換領域
１０４ 電荷転送領域
１０５ チャンネルストッパ
１０６ シリコン酸化膜
１０７ 電荷転送電極
１０８ 層間絶縁膜
１０９ 黒色染色層
２１０ アルミニウム遮光膜
２１１ キャップ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面領域内に形成された
光電変換領域と、該光電変換領域内に形成された信号電
荷を読み出すための信号電荷読み出し手段と、半導体基
板上に絶縁膜を介して形成され前記光電変換領域上に開
口を有する遮光膜とを具備する固体撮像素子において、
前記遮光膜は黒色染色層で形成されていることを特徴と
する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110064A JPH04337667A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110064A JPH04337667A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337667A true JPH04337667A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14526155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3110064A Pending JPH04337667A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337667A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107242A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| US6618087B1 (en) | 1997-12-11 | 2003-09-09 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image device |
| US8242548B2 (en) | 2008-03-11 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method for the same, and imaging apparatus |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP3110064A patent/JPH04337667A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107242A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| US6618087B1 (en) | 1997-12-11 | 2003-09-09 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image device |
| US8242548B2 (en) | 2008-03-11 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method for the same, and imaging apparatus |
| US8895346B2 (en) | 2008-03-11 | 2014-11-25 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method for the same, and imaging apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000307 |