JP2956092B2 - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JP2956092B2 JP2956092B2 JP1288417A JP28841789A JP2956092B2 JP 2956092 B2 JP2956092 B2 JP 2956092B2 JP 1288417 A JP1288417 A JP 1288417A JP 28841789 A JP28841789 A JP 28841789A JP 2956092 B2 JP2956092 B2 JP 2956092B2
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- imaging device
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は固体撮像素子およびその製造方法に関し、特
に、偽信号電荷の発生を低減せしめた固体撮像素子およ
びその製造方法に関する。
に、偽信号電荷の発生を低減せしめた固体撮像素子およ
びその製造方法に関する。
［従来の技術］ 第２図は、従来の２次元CCD固体撮像素子の断面図で
ある。第２図に示すように、ｎ型半導体基板201上には
ｐウェル202が形成され、ｐウェル202の表面領域内に
は、ｎ型の光電変換領域203、ｎ型の電荷転送領域204及
びp+型のチャネルストッパ205が形成されている。半導
体基板上にはシリコン酸化膜206を介して電荷転送電極2
07が、さらにその上には層間絶縁膜208を介して、光電
変換領域203上に開口を有するアルミニウム遮光膜209が
形成されている。この固体撮像素子はキャップ211を有
するパッケージ内に収納されて使用される。
ある。第２図に示すように、ｎ型半導体基板201上には
ｐウェル202が形成され、ｐウェル202の表面領域内に
は、ｎ型の光電変換領域203、ｎ型の電荷転送領域204及
びp+型のチャネルストッパ205が形成されている。半導
体基板上にはシリコン酸化膜206を介して電荷転送電極2
07が、さらにその上には層間絶縁膜208を介して、光電
変換領域203上に開口を有するアルミニウム遮光膜209が
形成されている。この固体撮像素子はキャップ211を有
するパッケージ内に収納されて使用される。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の固体撮像素子では、第２図に示すように受光部
に対して斜め入射光Ａが入射した場合、アルミニウム遮
光膜の端面で反射し、光電変換領域203ではなく電荷転
送領域204内あるいはその近傍に入射し、そこで信号電
荷を発生させる。この電荷は、電荷転送領域内に集めら
れたスミア成分となる。また、Ｂのように入射した光
は、アルミニウム遮光膜209の表面で反射し、反射光の
一部はさらにパッケージキャップ下面で反射し、受光部
に入射する。この入射光は光電変換領域内において光電
変換され偽信号電荷となる。
に対して斜め入射光Ａが入射した場合、アルミニウム遮
光膜の端面で反射し、光電変換領域203ではなく電荷転
送領域204内あるいはその近傍に入射し、そこで信号電
荷を発生させる。この電荷は、電荷転送領域内に集めら
れたスミア成分となる。また、Ｂのように入射した光
は、アルミニウム遮光膜209の表面で反射し、反射光の
一部はさらにパッケージキャップ下面で反射し、受光部
に入射する。この入射光は光電変換領域内において光電
変換され偽信号電荷となる。
［課題を解決するための手段］ 本発明による固体撮像素子は、半導体基板及び該半導
体基板の表面領域内に形成された光電変換領域を覆う絶
縁膜と、該絶縁膜上に形成された前記光電変換領域上に
開口を具備するアルミニウム遮光膜と、前記アルミニウ
ム遮光膜の上面及び前記開口の側面を完全に覆い前記光
電変換領域上に開口を有しカゼインまたはゼラチン及び
染料からなる染色層とを有するものである。
体基板の表面領域内に形成された光電変換領域を覆う絶
縁膜と、該絶縁膜上に形成された前記光電変換領域上に
開口を具備するアルミニウム遮光膜と、前記アルミニウ
ム遮光膜の上面及び前記開口の側面を完全に覆い前記光
電変換領域上に開口を有しカゼインまたはゼラチン及び
染料からなる染色層とを有するものである。
また、本発明による固体撮像素子の製造方法は、半導
体基板及び該半導体基板の表面領域内に形成された光電
変換領域を覆う絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に
前記光電変換領域上に開口を有するアルミニウム遮光膜
を形成する工程と、該アルミニウム遮光膜及び前記開口
から露出した前記絶縁膜を覆ってカゼインまたはゼラチ
ンからなる被染色膜を形成する工程と、該被染色膜を前
記アルミニウム遮光膜の上面及び前記開口の側面を完全
に覆い前記光電変換領域上に開口を有するようにパター
ニングする工程と、前記被染色膜を染色する工程とを有
するものである。
体基板及び該半導体基板の表面領域内に形成された光電
変換領域を覆う絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に
前記光電変換領域上に開口を有するアルミニウム遮光膜
を形成する工程と、該アルミニウム遮光膜及び前記開口
から露出した前記絶縁膜を覆ってカゼインまたはゼラチ
ンからなる被染色膜を形成する工程と、該被染色膜を前
記アルミニウム遮光膜の上面及び前記開口の側面を完全
に覆い前記光電変換領域上に開口を有するようにパター
ニングする工程と、前記被染色膜を染色する工程とを有
するものである。
［実施例］ 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図である。同
図において、第２図の従来例の部分と同等の部分につい
ては下２桁が共通する参照番号が付されているので、重
複する説明は省略する。本実施例においては、膜厚1.0
μｍのアルミニウム遮光膜109の表面上には、これを包
むように、膜厚0.3μｍ程度の黒色染色層110が形成され
ている。この黒色染色層は、現在カラー固体撮像素子に
おいて使用されているオンチップフィルタを作製する際
に用いられるのと同様の手法を用いて形成される。すな
わち、アルミニウム遮光膜109をパターニングした後、
被染色層であるカゼインを塗布し、これをアルミニウム
遮光膜を完全に覆い、かつ、受光部に所望の大きさの開
口を有するようにパターニングする。その後、黒色の染
料でカゼインを50〜60℃で染色する。
図において、第２図の従来例の部分と同等の部分につい
ては下２桁が共通する参照番号が付されているので、重
複する説明は省略する。本実施例においては、膜厚1.0
μｍのアルミニウム遮光膜109の表面上には、これを包
むように、膜厚0.3μｍ程度の黒色染色層110が形成され
ている。この黒色染色層は、現在カラー固体撮像素子に
おいて使用されているオンチップフィルタを作製する際
に用いられるのと同様の手法を用いて形成される。すな
わち、アルミニウム遮光膜109をパターニングした後、
被染色層であるカゼインを塗布し、これをアルミニウム
遮光膜を完全に覆い、かつ、受光部に所望の大きさの開
口を有するようにパターニングする。その後、黒色の染
料でカゼインを50〜60℃で染色する。
上記実施例では黒色染色層をカゼインを用いて形成し
ていたが、これに替えてゼラチンを用いてもよい。
ていたが、これに替えてゼラチンを用いてもよい。
また、上記実施例では信号電荷読み出し手段としてCC
Dを用いたものであったが、本発明は、他の信号電荷読
み出し手段を有する固体撮像素子についても適用しうる
ものである。
Dを用いたものであったが、本発明は、他の信号電荷読
み出し手段を有する固体撮像素子についても適用しうる
ものである。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明は、アルミニウム遮光膜
の表面および端面に黒色染色層を形成したものであるの
で、本発明によれば、遮光膜での光の反射を防止するこ
とができ、反射光の電荷転送領域や光電変換領域への入
射をなくすことができる。したがって、本発明によれ
ば、スミア等の偽信号の発生を防止することができる。
の表面および端面に黒色染色層を形成したものであるの
で、本発明によれば、遮光膜での光の反射を防止するこ
とができ、反射光の電荷転送領域や光電変換領域への入
射をなくすことができる。したがって、本発明によれ
ば、スミア等の偽信号の発生を防止することができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図、第２図は、
従来例を示す断面図である。 101、201……ｎ型半導体基板、102、202……ｐウェル、
103、203……光電変換領域、104、204……電荷転送領
域、105、205……チャネルストッパ、106、206……シリ
コン酸化膜、107、207……電荷転送電極、108、208……
層間絶縁膜、109、209……アルミニウム遮光膜、110…
…黒色染色層、211……キャップ。
従来例を示す断面図である。 101、201……ｎ型半導体基板、102、202……ｐウェル、
103、203……光電変換領域、104、204……電荷転送領
域、105、205……チャネルストッパ、106、206……シリ
コン酸化膜、107、207……電荷転送電極、108、208……
層間絶縁膜、109、209……アルミニウム遮光膜、110…
…黒色染色層、211……キャップ。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板及び該半導体基板の表面領域内
に形成された光電変換領域を覆う絶縁膜と、該絶縁膜上
に形成された前記光電変換領域上に開口を具備するアル
ミニウム遮光膜と、前記アルミニウム遮光膜の上面及び
前記開口の側面を完全に覆い前記光電変換領域上に開口
を有しカゼインまたはゼラチン及び染料からなる染色層
とを有することを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】半導体基板及び該半導体基板の表面領域内
に形成された光電変換領域を覆う絶縁膜を形成する工程
と、該絶縁膜上に前記光電変換領域上に開口を有するア
ルミニウム遮光膜を形成する工程と、該アルミニウム遮
光膜及び前記開口から露出した前記絶縁膜を覆ってカゼ
インまたはゼラチンからなる被染色膜を形成する工程
と、該被染色膜を前記アルミニウム遮光膜の上面及び前
記開口の側面を完全に覆い前記光電変換領域上に開口を
有するようにパターニングする工程と、前記被染色膜を
染色する工程とを有することを特徴とする固体撮像素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1288417A JP2956092B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1288417A JP2956092B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148868A JPH03148868A (ja) | 1991-06-25 |
| JP2956092B2 true JP2956092B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=17729946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1288417A Expired - Lifetime JP2956092B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2956092B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200019123A (ko) * | 2017-07-05 | 2020-02-21 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP1288417A patent/JP2956092B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200019123A (ko) * | 2017-07-05 | 2020-02-21 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
| KR102554502B1 (ko) * | 2017-07-05 | 2023-07-12 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03148868A (ja) | 1991-06-25 |
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