JPS63285969A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS63285969A JPS63285969A JP62121828A JP12182887A JPS63285969A JP S63285969 A JPS63285969 A JP S63285969A JP 62121828 A JP62121828 A JP 62121828A JP 12182887 A JP12182887 A JP 12182887A JP S63285969 A JPS63285969 A JP S63285969A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- shielding film
- melting point
- charge transfer
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子に関するものである。
従来の固体撮像素子について図面を用いて説明する。第
2図は、従来の固体撮像素子を説明するための図である
。
2図は、従来の固体撮像素子を説明するための図である
。
従来、電荷転送電極3は、光を透過させる性質を持って
いる所の多結晶シリコンで形成されている。従って、電
荷転送電極3の下方に位置している、CCDレジスタ部
のN型拡散層2に光が入射しないようにするため、アル
ミ遮光膜5が必要となっている。また、アルミ遮光膜5
を形成してもアルミ遮光膜5の開口部より入射した光8
と9について考えると、光8は直接、光9は多重反射を
起し、CCDレジスタ部のN型拡散層2に入射し、電荷
を発生させ、スミア現象が起る。
いる所の多結晶シリコンで形成されている。従って、電
荷転送電極3の下方に位置している、CCDレジスタ部
のN型拡散層2に光が入射しないようにするため、アル
ミ遮光膜5が必要となっている。また、アルミ遮光膜5
を形成してもアルミ遮光膜5の開口部より入射した光8
と9について考えると、光8は直接、光9は多重反射を
起し、CCDレジスタ部のN型拡散層2に入射し、電荷
を発生させ、スミア現象が起る。
上述した従来の電荷転送電極は、多結晶シリコンで形成
されているために1光が電極を透過する構造となってい
るため、光がCCDレジスタ部のN型拡散層2に入射し
ないように、アルミ遮光膜5が必要となっているので、
製造工程が長くなるという欠点があシ、長くなった製造
工程中の不良によっても固体撮像素子の収率を低下させ
るという欠点がある。
されているために1光が電極を透過する構造となってい
るため、光がCCDレジスタ部のN型拡散層2に入射し
ないように、アルミ遮光膜5が必要となっているので、
製造工程が長くなるという欠点があシ、長くなった製造
工程中の不良によっても固体撮像素子の収率を低下させ
るという欠点がある。
さらに、アルミ遮光膜5が形成されていても、アルミ遮
光膜5の開口部より入射した光8と9について考えると
、光8は直接、光9は多重反射を起し、CCDレジスタ
部のN型拡散層2に入射し、電荷を発生させ、スミア現
象が起るという欠点がある。
光膜5の開口部より入射した光8と9について考えると
、光8は直接、光9は多重反射を起し、CCDレジスタ
部のN型拡散層2に入射し、電荷を発生させ、スミア現
象が起るという欠点がある。
本発明の固体撮像素子の構造は、光が透過しない高融点
金属または、高融点金属のシリサイドを用いて、電荷転
送電極を形成する事と、アルミ遮光膜が不要である事と
を特徴とするものである。
金属または、高融点金属のシリサイドを用いて、電荷転
送電極を形成する事と、アルミ遮光膜が不要である事と
を特徴とするものである。
次に本発明について、図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例の断面図である。
電荷転送電極3は、高融点金属または、高融点金属のシ
リサイドで形成されていて、従来必要であったアルミ遮
光膜は形成されていない。CCDレジスタ部の、P型半
導体基板1に形成されたN型拡散層2の上部は、高融点
金属または、高融点金属のシリサイドで形成された電荷
転送電極3で完全に覆われているため、光が、CCDレ
ジスタ部のN型拡散層2に入射することがなく、スミア
現象の発生が少ない。さらに、アルミ遮光膜が不要のた
め、製造工程が短Xなり、アルミ遮光膜形成上の不良に
より、固体撮像素子の収率を低下させることもない。
リサイドで形成されていて、従来必要であったアルミ遮
光膜は形成されていない。CCDレジスタ部の、P型半
導体基板1に形成されたN型拡散層2の上部は、高融点
金属または、高融点金属のシリサイドで形成された電荷
転送電極3で完全に覆われているため、光が、CCDレ
ジスタ部のN型拡散層2に入射することがなく、スミア
現象の発生が少ない。さらに、アルミ遮光膜が不要のた
め、製造工程が短Xなり、アルミ遮光膜形成上の不良に
より、固体撮像素子の収率を低下させることもない。
尚同図で4は層間絶縁膜、7はチャンネルストッパの高
濃度P+層である。
濃度P+層である。
また、電荷転送電極3が、ポリサイド構造であると、シ
リサイド膜と、CCDレジスタ部との間に、光が透過す
る多結晶シリコンが存在するので若干のスミアが発生す
るが、従来構造よりは、スミアが低減し、アルミ遮光膜
が不用であるという効果がある。
リサイド膜と、CCDレジスタ部との間に、光が透過す
る多結晶シリコンが存在するので若干のスミアが発生す
るが、従来構造よりは、スミアが低減し、アルミ遮光膜
が不用であるという効果がある。
なお、眉間酸化膜4は、受光部と、CCDレジスタ部と
の領域以外に使用される配線アルミと、電荷転送電極3
との間の層間膜である。従って、本発明の効果を得るた
めKは、層間酸化膜4は必要ではなく、層間酸化膜4が
なくても、本発明の効果を得られる。
の領域以外に使用される配線アルミと、電荷転送電極3
との間の層間膜である。従って、本発明の効果を得るた
めKは、層間酸化膜4は必要ではなく、層間酸化膜4が
なくても、本発明の効果を得られる。
以上説明したように、本発明は、電荷転送電極を高融点
金属または、高融点金属のシリサイドを用いて形成する
ことにより、CCDレジスタ部のN型拡散層へ入射する
光を防ぐことが出来る効果があり、アルミ遮光膜が不用
なため、製造工程が短くなる効果と、アルミ遮光膜形成
上の不良によシ、固体撮像素子の収率を低下させる事が
ないという効果があ仝。
金属または、高融点金属のシリサイドを用いて形成する
ことにより、CCDレジスタ部のN型拡散層へ入射する
光を防ぐことが出来る効果があり、アルミ遮光膜が不用
なため、製造工程が短くなる効果と、アルミ遮光膜形成
上の不良によシ、固体撮像素子の収率を低下させる事が
ないという効果があ仝。
第1図は、本発明の実施例間係る固体撮像素子の断面図
、第2図は、従来の固体撮像素子の断面図である。 1・・・・・・P型基板、2・・・・・・CCDレジス
タ部のN型拡散層、3・・・・・・電荷転送電極、4・
・・・・・層間酸化膜、5・・・・・・アルミ遮光膜、
6・・・・・−受光部のN型拡散層、7・・・・・・チ
ャンネルストッパーのP型拡散層、8.9・・・・・・
光。
、第2図は、従来の固体撮像素子の断面図である。 1・・・・・・P型基板、2・・・・・・CCDレジス
タ部のN型拡散層、3・・・・・・電荷転送電極、4・
・・・・・層間酸化膜、5・・・・・・アルミ遮光膜、
6・・・・・−受光部のN型拡散層、7・・・・・・チ
ャンネルストッパーのP型拡散層、8.9・・・・・・
光。
Claims (1)
- 高融点金属または、高融点金属のシリサイドを電荷転送
電極に用い、アルミ遮光膜の使用を排除した事を特徴と
する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62121828A JPS63285969A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62121828A JPS63285969A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63285969A true JPS63285969A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14820933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62121828A Pending JPS63285969A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63285969A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0406889A2 (en) * | 1989-07-06 | 1991-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a solid-state imaging device |
US5286669A (en) * | 1989-07-06 | 1994-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62121828A patent/JPS63285969A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0406889A2 (en) * | 1989-07-06 | 1991-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a solid-state imaging device |
US5286669A (en) * | 1989-07-06 | 1994-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
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