JPH0661468A - Ｃｃｄイメージセンサとその製造方法 - Google Patents
Ｃｃｄイメージセンサとその製造方法Info
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- JPH0661468A JPH0661468A JP5139411A JP13941193A JPH0661468A JP H0661468 A JPH0661468 A JP H0661468A JP 5139411 A JP5139411 A JP 5139411A JP 13941193 A JP13941193 A JP 13941193A JP H0661468 A JPH0661468 A JP H0661468A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＣＤイメージセンサにおいて、垂直画素間
分離部で光電変換により発生した電荷の垂直転送レジス
タへの混入を防止し、スミアの低減を図り、更には感度
の向上を図る。 【構成】 垂直画素間分離部１５と垂直転送レジスタ１
３との間に光電荷の流れに対して電位障壁となるスミア
防止領域１７を設ける。また、垂直画素間分離部１５上
には遮光膜１１を形成しない。
分離部で光電変換により発生した電荷の垂直転送レジス
タへの混入を防止し、スミアの低減を図り、更には感度
の向上を図る。 【構成】 垂直画素間分離部１５と垂直転送レジスタ１
３との間に光電荷の流れに対して電位障壁となるスミア
防止領域１７を設ける。また、垂直画素間分離部１５上
には遮光膜１１を形成しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤイメージセン
サ、特に画素を成す受光素子をマトリック状に配置し、
各受光素子の信号電荷を受光素子の各垂直列に対応して
設けられた垂直転送レジスタに読み出し、該垂直転送レ
ジスタによって垂直方向に転送し、水平転送レジスタに
よって水平方向に転送して出力するＣＣＤイメージセン
サと、その製造方法に関する。
サ、特に画素を成す受光素子をマトリック状に配置し、
各受光素子の信号電荷を受光素子の各垂直列に対応して
設けられた垂直転送レジスタに読み出し、該垂直転送レ
ジスタによって垂直方向に転送し、水平転送レジスタに
よって水平方向に転送して出力するＣＣＤイメージセン
サと、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤイメージセンサは、一般に、画素
を成す受光素子をマトリック状に配置し、各受光素子の
信号電荷を受光素子の各垂直列に対応して設けられた垂
直転送レジスタに読み出し、該垂直転送レジスタによっ
て垂直方向に転送し、水平転送レジスタによって水平方
向に転送して出力するようにしてなるものであり、図６
はＣＣＤイメージセンサの従来例の上部を示す斜視図、
図７は同じく平面図である。
を成す受光素子をマトリック状に配置し、各受光素子の
信号電荷を受光素子の各垂直列に対応して設けられた垂
直転送レジスタに読み出し、該垂直転送レジスタによっ
て垂直方向に転送し、水平転送レジスタによって水平方
向に転送して出力するようにしてなるものであり、図６
はＣＣＤイメージセンサの従来例の上部を示す斜視図、
図７は同じく平面図である。
【０００３】図面において、１は半導体（ここでは詳し
く説明しないがｎ型半導体基板２の表面部にｐ- 型のウ
エル３を形成し、該ウエル３の表面部に画素となるｎ型
の受光素子４、４、…や後述する垂直転送レジスタ５等
が形成されている）、６は半導体１の表面に形成された
ゲート絶縁膜である。
く説明しないがｎ型半導体基板２の表面部にｐ- 型のウ
エル３を形成し、該ウエル３の表面部に画素となるｎ型
の受光素子４、４、…や後述する垂直転送レジスタ５等
が形成されている）、６は半導体１の表面に形成された
ゲート絶縁膜である。
【０００４】７は第１層目のポリシリコン膜（１Ｐｏｌ
ｙ）からなる垂直転送電極、８は層間絶縁膜、９は第２
層目のポリシリコン膜（２Ｐｏｌｙ）からなる垂直転送
電極、１０は層間絶縁膜、１１は例えばアルミニウムか
らなる遮光膜であり、従来はマトリックス状に配置され
た受光素子（画素）４、４、…以外の部分を覆ってい
た。具体的には、各垂直転送レジスタ上及び各垂直画素
間分離領域上を遮光膜１１で覆っていた。１３は垂直転
送レジスタで、マトリック状に配置された画素４、４、
…の各垂直列に対応して設けられ、各画素４、４、…か
ら読み出された信号電荷を垂直方向に転送する。１４は
水平画素間分離領域であり、１５は垂直画素間分離部で
ある。
ｙ）からなる垂直転送電極、８は層間絶縁膜、９は第２
層目のポリシリコン膜（２Ｐｏｌｙ）からなる垂直転送
電極、１０は層間絶縁膜、１１は例えばアルミニウムか
らなる遮光膜であり、従来はマトリックス状に配置され
た受光素子（画素）４、４、…以外の部分を覆ってい
た。具体的には、各垂直転送レジスタ上及び各垂直画素
間分離領域上を遮光膜１１で覆っていた。１３は垂直転
送レジスタで、マトリック状に配置された画素４、４、
…の各垂直列に対応して設けられ、各画素４、４、…か
ら読み出された信号電荷を垂直方向に転送する。１４は
水平画素間分離領域であり、１５は垂直画素間分離部で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＣＤイメ
ージセンサは、従来、受光部においては受光素子４、
４、…以外の部分が遮光膜１１によって覆われており、
受光素子４、４、…以外の部分にできるだけ光が入らな
いようにされていた。これはスミアを防止するためであ
る。しかしながら、図８に示すように、半導体１表面に
斜めに入射する光には受光素子４の表面に入射した後も
直進し、垂直画素間分離部１５内に入ってそこで光電変
換をして信号電荷となるものがある。即ち、半導体１表
面と遮光膜１１との間の層間膜６に入り込んだ光の一部
は垂直画素間分離部１５内まで入り込むのであり、そし
て垂直画素間分離部１５内で光電変換して電子となる。
ージセンサは、従来、受光部においては受光素子４、
４、…以外の部分が遮光膜１１によって覆われており、
受光素子４、４、…以外の部分にできるだけ光が入らな
いようにされていた。これはスミアを防止するためであ
る。しかしながら、図８に示すように、半導体１表面に
斜めに入射する光には受光素子４の表面に入射した後も
直進し、垂直画素間分離部１５内に入ってそこで光電変
換をして信号電荷となるものがある。即ち、半導体１表
面と遮光膜１１との間の層間膜６に入り込んだ光の一部
は垂直画素間分離部１５内まで入り込むのであり、そし
て垂直画素間分離部１５内で光電変換して電子となる。
【０００６】このような電子は、電界及び拡散によって
垂直画素間分離部１５から直接垂直転送レジスタ１３へ
入り込むと該垂直転送レジスタ１３により転送されてい
る信号電荷に混入してスミアになる虞れがある。という
のは、従来のＣＣＤイメージセンサにおいては、図７に
示すように、垂直画素間分離部１５から直接垂直転送レ
ジスタ１３に向う電子の流れを阻む手段が特に設けられ
ておらず、そのため、図６のＡ−Ｂ部におけるポテンシ
ャルプロフィールが、図８に示すように、垂直画素間分
離部１５で発生した電子の垂直転送レジスタ１への直接
の流れ込みを阻む障壁の全くない形になっていたからで
ある。
垂直画素間分離部１５から直接垂直転送レジスタ１３へ
入り込むと該垂直転送レジスタ１３により転送されてい
る信号電荷に混入してスミアになる虞れがある。という
のは、従来のＣＣＤイメージセンサにおいては、図７に
示すように、垂直画素間分離部１５から直接垂直転送レ
ジスタ１３に向う電子の流れを阻む手段が特に設けられ
ておらず、そのため、図６のＡ−Ｂ部におけるポテンシ
ャルプロフィールが、図８に示すように、垂直画素間分
離部１５で発生した電子の垂直転送レジスタ１への直接
の流れ込みを阻む障壁の全くない形になっていたからで
ある。
【０００７】また、従来のＣＣＤイメージセンサには、
遮光膜１１が受光素子４、４、…を除く領域上に形成さ
れていたが故に感度低下が生じるという問題もあった。
なぜならば、従来のＣＣＤイメージセンサは、垂直画素
間分離領域１４の上面部に入射した光が図９（図６の９
−９線視断面図）に示すようにすべて遮光膜１１により
反射されてしまうからである。即ち、斜め方向の光は、
垂直画素間領域１４上の絶縁膜１０や転送電極９、７を
通って受光素子４に入り得る光であれば該受光素子４内
にて光電変換されて信号電荷になり得るものである。に
も拘らず、垂直画素間分離領域１４上にも遮光膜１１が
あるために、かかる光がその遮光膜１１により反射され
てしまい光電変換されて信号電荷になる可能性が全くな
くなるのである。尚、図９において、遮光膜１１の設け
られているところと設けられていないところの区別を明
確にするために、遮光膜１１の表面には縦横のラインか
らなる格子状のハッチングを施した。
遮光膜１１が受光素子４、４、…を除く領域上に形成さ
れていたが故に感度低下が生じるという問題もあった。
なぜならば、従来のＣＣＤイメージセンサは、垂直画素
間分離領域１４の上面部に入射した光が図９（図６の９
−９線視断面図）に示すようにすべて遮光膜１１により
反射されてしまうからである。即ち、斜め方向の光は、
垂直画素間領域１４上の絶縁膜１０や転送電極９、７を
通って受光素子４に入り得る光であれば該受光素子４内
にて光電変換されて信号電荷になり得るものである。に
も拘らず、垂直画素間分離領域１４上にも遮光膜１１が
あるために、かかる光がその遮光膜１１により反射され
てしまい光電変換されて信号電荷になる可能性が全くな
くなるのである。尚、図９において、遮光膜１１の設け
られているところと設けられていないところの区別を明
確にするために、遮光膜１１の表面には縦横のラインか
らなる格子状のハッチングを施した。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、垂直画素間分離部で光電変換により
発生した電荷の垂直転送レジスタへの混入を防止し、ス
ミアの低減を図ることを目的とし、更には、遮光膜によ
って感度低下が生じるのを防止することを目的とする。
されたものであり、垂直画素間分離部で光電変換により
発生した電荷の垂直転送レジスタへの混入を防止し、ス
ミアの低減を図ることを目的とし、更には、遮光膜によ
って感度低下が生じるのを防止することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１のＣＣＤイメー
ジセンサは、垂直画素間分離部と垂直転送レジスタとの
間にスミア防止領域を設けることを特徴とする。請求項
２のＣＣＤイメージセンサの製造方法は、スミア防止領
域を水平画素間分離領域と同時に形成することを特徴と
する。請求項３のイメージセンサは、スミア防止用の遮
光膜を撮像領域内において垂直転送レジスタ上にのみ形
成し、垂直画素間分離領域上には設けないようにしたこ
とを特徴とする。
ジセンサは、垂直画素間分離部と垂直転送レジスタとの
間にスミア防止領域を設けることを特徴とする。請求項
２のＣＣＤイメージセンサの製造方法は、スミア防止領
域を水平画素間分離領域と同時に形成することを特徴と
する。請求項３のイメージセンサは、スミア防止用の遮
光膜を撮像領域内において垂直転送レジスタ上にのみ形
成し、垂直画素間分離領域上には設けないようにしたこ
とを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１のＣＣＤイメージセンサによれば、垂
直画素間分離部と垂直転送レジスタとの間にスミア防止
領域を設けたので、これが電位障壁となって垂直画素間
分離部で発生した電荷がスミア防止領域に入り込むのを
阻むことができる。従って、スミアの低減を図ることが
できる。
直画素間分離部と垂直転送レジスタとの間にスミア防止
領域を設けたので、これが電位障壁となって垂直画素間
分離部で発生した電荷がスミア防止領域に入り込むのを
阻むことができる。従って、スミアの低減を図ることが
できる。
【００１１】請求項２のＣＣＤイメージセンサの製造方
法によれば、スミア防止領域を水平画素間分離領域と同
時に形成するので、スミア防止領域を形成するためだけ
の特別の工程を設ける必要がない。従って、工程数の増
加を伴うことなくスミアの低減を図ることができる。請
求項３のＣＣＤイメージセンサによれば、垂直画素間分
離領域上には遮光膜がないので、そこに入射した光が遮
光膜によって反射されて光電変換により信号電荷になる
可能性をなくすということがなくなる。従って、感度の
向上を図ることができる。
法によれば、スミア防止領域を水平画素間分離領域と同
時に形成するので、スミア防止領域を形成するためだけ
の特別の工程を設ける必要がない。従って、工程数の増
加を伴うことなくスミアの低減を図ることができる。請
求項３のＣＣＤイメージセンサによれば、垂直画素間分
離領域上には遮光膜がないので、そこに入射した光が遮
光膜によって反射されて光電変換により信号電荷になる
可能性をなくすということがなくなる。従って、感度の
向上を図ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明ＣＣＤイメージセンサとその製
造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１
（Ａ）、（Ｂ）は本発明ＣＣＤイメージセンサの一つの
実施例の要部を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ線視拡大断面図である。尚、本ＣＣＤイ
メージセンサは図６，図７に示した従来のＣＣＤイメー
ジセンサとはスミア防止領域を有するという点で相違す
るが、それ以外の点では共通し、共通する点については
略説明済みなので詳細な説明を省略し、相違する点につ
いてのみ詳細に説明する。また、全図を通して同一部分
には同じ符号を使用した。
造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１
（Ａ）、（Ｂ）は本発明ＣＣＤイメージセンサの一つの
実施例の要部を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ線視拡大断面図である。尚、本ＣＣＤイ
メージセンサは図６，図７に示した従来のＣＣＤイメー
ジセンサとはスミア防止領域を有するという点で相違す
るが、それ以外の点では共通し、共通する点については
略説明済みなので詳細な説明を省略し、相違する点につ
いてのみ詳細に説明する。また、全図を通して同一部分
には同じ符号を使用した。
【００１３】２は半導体基板、３は該半導体基板２の表
面部に形成されたｐ- 型ウエル、１６はウエル３の表面
に形成された各受光素子４、４、…間を分離するｐ型画
素分離領域、１３はｎ型の垂直転送レジスタ、１４は該
垂直転送レジスタ１３の一方の側に並設されたｐ+ 型水
平画素間分離領域である。
面部に形成されたｐ- 型ウエル、１６はウエル３の表面
に形成された各受光素子４、４、…間を分離するｐ型画
素分離領域、１３はｎ型の垂直転送レジスタ、１４は該
垂直転送レジスタ１３の一方の側に並設されたｐ+ 型水
平画素間分離領域である。
【００１４】１７は各垂直画素間分離部１５の垂直転送
レジスタ１３と接する部分に設けられたｐ+ 型スミア防
止領域で、イメージセンサの画素に斜めに入射した光が
垂直画素間分離部１５内で光電変換されることにより発
生した電子の垂直転送レジスタ１３への侵入を防止する
役割を果す。本ＣＣＤイメージセンサの特徴は、各垂直
画素間分離部１５の垂直転送レジスタ１３と接する部分
にｐ+ 型スミア防止領域１７が設けられていることにあ
る。
レジスタ１３と接する部分に設けられたｐ+ 型スミア防
止領域で、イメージセンサの画素に斜めに入射した光が
垂直画素間分離部１５内で光電変換されることにより発
生した電子の垂直転送レジスタ１３への侵入を防止する
役割を果す。本ＣＣＤイメージセンサの特徴は、各垂直
画素間分離部１５の垂直転送レジスタ１３と接する部分
にｐ+ 型スミア防止領域１７が設けられていることにあ
る。
【００１５】本ＣＣＤイメージセンサによれば、各垂直
画素間分離部１５の垂直転送レジスタ１３と接する部分
にｐ+ 型スミア防止領域１７があるので、垂直画素間分
離部１５におけるポテンシャルプロフィールが図２に示
すようにスミア防止領域１７による電位障壁が生じた形
になる。従って、垂直画素間分離部１５において光電変
換により生じ直接垂直転送レジスタ１３に向う電子のそ
の流れをその電位障壁によって阻むことができ、垂直画
素間分離部１５内の電子が垂直転送レジスタ１３に直接
入り、該レジスタ１３によって転送される信号に混入す
ることを防止できる。依って、スミアの低減を図ること
ができる。
画素間分離部１５の垂直転送レジスタ１３と接する部分
にｐ+ 型スミア防止領域１７があるので、垂直画素間分
離部１５におけるポテンシャルプロフィールが図２に示
すようにスミア防止領域１７による電位障壁が生じた形
になる。従って、垂直画素間分離部１５において光電変
換により生じ直接垂直転送レジスタ１３に向う電子のそ
の流れをその電位障壁によって阻むことができ、垂直画
素間分離部１５内の電子が垂直転送レジスタ１３に直接
入り、該レジスタ１３によって転送される信号に混入す
ることを防止できる。依って、スミアの低減を図ること
ができる。
【００１６】図３（Ａ）、（Ｂ）は図１に示したＣＣＤ
イメージセンサの製造方法の一例を工程順に示す断面図
である。 （Ａ）ｎ型半導体基板１上のｐ- 型ウエル２の表面にｎ
型の転送レジスタ（ベリットチャンネル）１３を形成
し、ｐ型画素分離領域１６を（読み出しゲート部と同時
に）形成する。図３（Ａ）は該ｐ型画素分離領域１６の
形成後の状態を示す。 尚、転送レジスタ１３と画素間
分離領域１６との形成順序は逆でも良い。 （Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、ｐ+ 型水平画素
間分離領域１４とスミア防止領域１７とを同時に形成す
る。
イメージセンサの製造方法の一例を工程順に示す断面図
である。 （Ａ）ｎ型半導体基板１上のｐ- 型ウエル２の表面にｎ
型の転送レジスタ（ベリットチャンネル）１３を形成
し、ｐ型画素分離領域１６を（読み出しゲート部と同時
に）形成する。図３（Ａ）は該ｐ型画素分離領域１６の
形成後の状態を示す。 尚、転送レジスタ１３と画素間
分離領域１６との形成順序は逆でも良い。 （Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、ｐ+ 型水平画素
間分離領域１４とスミア防止領域１７とを同時に形成す
る。
【００１７】このようなＣＣＤイメージセンサの製造方
法によれば、スミア防止領域を水平画素間分離領域と同
時に形成するので、スミア防止領域を形成するためだけ
の特別の工程を設ける必要がない。従って、工程数の増
加を伴うことなくスミアの低減を図ることができる。勿
論、ｐ+ 型水平画素間分離領域１４とｐ+ 型スミア防止
領域１７とは別の工程で作るようにしても良いことはい
うまでもない。このようにした場合には製造工程が増え
るが水平画素間分離領域１４とスミア防止領域１７の不
純物濃度を異ならせることができ、それぞれ各領域１
４、１７の不純物濃度をその領域として最も妥当な値に
できる。
法によれば、スミア防止領域を水平画素間分離領域と同
時に形成するので、スミア防止領域を形成するためだけ
の特別の工程を設ける必要がない。従って、工程数の増
加を伴うことなくスミアの低減を図ることができる。勿
論、ｐ+ 型水平画素間分離領域１４とｐ+ 型スミア防止
領域１７とは別の工程で作るようにしても良いことはい
うまでもない。このようにした場合には製造工程が増え
るが水平画素間分離領域１４とスミア防止領域１７の不
純物濃度を異ならせることができ、それぞれ各領域１
４、１７の不純物濃度をその領域として最も妥当な値に
できる。
【００１８】図４（Ａ）、（Ｂ）は本発明ＣＣＤイメー
ジセンサーの他の実施例を示すもので、（Ａ）は上部を
示す斜視図、（Ｂ）は半導体基板表面部の平面図であ
る。本実施例は、図１に示した実施例とは、垂直転送レ
ジスタ１３上には遮光膜１１が形成されていない点と、
スミア防止領域１７のパターンにおいて相違するが、そ
れ以外の点では全く同じであり、相違する点についての
み説明する。尚、図４において、遮光膜１１の設けられ
ているところと設けられていないところの区別を明確に
するために、遮光膜１１の表面には縦横のラインからな
る格子状のハッチングを施した。
ジセンサーの他の実施例を示すもので、（Ａ）は上部を
示す斜視図、（Ｂ）は半導体基板表面部の平面図であ
る。本実施例は、図１に示した実施例とは、垂直転送レ
ジスタ１３上には遮光膜１１が形成されていない点と、
スミア防止領域１７のパターンにおいて相違するが、そ
れ以外の点では全く同じであり、相違する点についての
み説明する。尚、図４において、遮光膜１１の設けられ
ているところと設けられていないところの区別を明確に
するために、遮光膜１１の表面には縦横のラインからな
る格子状のハッチングを施した。
【００１９】ＣＣＤイメージセンサは、図６、図７に示
す従来のものにおいても図１に示す実施例においても、
撮像領域においては受光素子４を除く全領域上に遮光膜
１１が形成されていた。換言すれば、垂直転送レジスタ
１３上のみならず垂直画素間分離領域１５上にも遮光膜
１１が形成されていた。従って、垂直画素間分離領域１
５の上部に入射した光は遮光膜１１に反射され、光電変
換されて信号電荷になることはなかった。
す従来のものにおいても図１に示す実施例においても、
撮像領域においては受光素子４を除く全領域上に遮光膜
１１が形成されていた。換言すれば、垂直転送レジスタ
１３上のみならず垂直画素間分離領域１５上にも遮光膜
１１が形成されていた。従って、垂直画素間分離領域１
５の上部に入射した光は遮光膜１１に反射され、光電変
換されて信号電荷になることはなかった。
【００２０】そこで、本ＣＣＤイメージセンサにおいて
は、各垂直画素間分離領域１５の各垂直転送レジスタ１
３と接する部分にスミア防止領域１７を設けてスミアを
防止するとともに、垂直画素間分離領域１５上において
遮光膜１１を除去し、垂直画素間分離領域１５に入射し
た光も光電変換されて信号電荷となり図４（Ｂ）に示す
ように受光素子４から垂直転送レジスタ１３に流れ込み
得るようにしている。
は、各垂直画素間分離領域１５の各垂直転送レジスタ１
３と接する部分にスミア防止領域１７を設けてスミアを
防止するとともに、垂直画素間分離領域１５上において
遮光膜１１を除去し、垂直画素間分離領域１５に入射し
た光も光電変換されて信号電荷となり図４（Ｂ）に示す
ように受光素子４から垂直転送レジスタ１３に流れ込み
得るようにしている。
【００２１】従って、このようなＣＣＤイメージセンサ
によれば、垂直画素間分離領域１５に入射した光も光電
変換されて信号電荷となり図４（Ｂ）に示すように受光
素子４から垂直転送レジスタ１３に流れ込み得るので、
感度が向上する。勿論、垂直画素間分離領域１５の垂直
転送レジスタ１３と接する部分にはアクセプタイオンを
打込むことによってスミア防止領域１７が形成されてい
るので、垂直画素間分離領域１５に入射した光による電
荷が、該垂直画素間分離領域１５から直接垂直転送レジ
スタ１３に流れ込んでスミアとなる虞れはない。尚、垂
直画素間領域１５で光電変換されて発生したスミア防止
領域１７に流れ込もうとした信号電荷を有効に上下の受
光素子４、４内へ振り分けるために図４（Ｂ）に示すよ
うにスミア防止領域１７の先端を三角形状にすると良
い。
によれば、垂直画素間分離領域１５に入射した光も光電
変換されて信号電荷となり図４（Ｂ）に示すように受光
素子４から垂直転送レジスタ１３に流れ込み得るので、
感度が向上する。勿論、垂直画素間分離領域１５の垂直
転送レジスタ１３と接する部分にはアクセプタイオンを
打込むことによってスミア防止領域１７が形成されてい
るので、垂直画素間分離領域１５に入射した光による電
荷が、該垂直画素間分離領域１５から直接垂直転送レジ
スタ１３に流れ込んでスミアとなる虞れはない。尚、垂
直画素間領域１５で光電変換されて発生したスミア防止
領域１７に流れ込もうとした信号電荷を有効に上下の受
光素子４、４内へ振り分けるために図４（Ｂ）に示すよ
うにスミア防止領域１７の先端を三角形状にすると良
い。
【００２２】
【発明の効果】請求項１のＣＣＤイメージセンサは、垂
直画素間分離部と垂直転送レジスタとの間にスミア防止
領域を設けることを特徴とするものである。従って、請
求項１のＣＣＤイメージセンサによれば、垂直画素間分
離部と垂直転送レジスタとの間にスミア防止領域を設け
たので、これが電位障壁となって垂直画素間分離部で発
生した電荷がスミア防止領域に入り込むのを阻むことが
できる。依って、スミアの低減を図ることができる。
直画素間分離部と垂直転送レジスタとの間にスミア防止
領域を設けることを特徴とするものである。従って、請
求項１のＣＣＤイメージセンサによれば、垂直画素間分
離部と垂直転送レジスタとの間にスミア防止領域を設け
たので、これが電位障壁となって垂直画素間分離部で発
生した電荷がスミア防止領域に入り込むのを阻むことが
できる。依って、スミアの低減を図ることができる。
【００２３】請求項２のＣＣＤイメージセンサの製造方
法は、スミア防止領域を水平画素間分離領域と同時に形
成することを特徴とするものである。従って、請求項２
のＣＣＤイメージセンサの製造方法によれば、スミア防
止領域を水平画素間分離領域と同時に形成するので、ス
ミア防止領域を形成するためだけの特別の工程を設ける
必要がない。従って、工程数の増加を伴うことなくスミ
アの低減を図ることができる。
法は、スミア防止領域を水平画素間分離領域と同時に形
成することを特徴とするものである。従って、請求項２
のＣＣＤイメージセンサの製造方法によれば、スミア防
止領域を水平画素間分離領域と同時に形成するので、ス
ミア防止領域を形成するためだけの特別の工程を設ける
必要がない。従って、工程数の増加を伴うことなくスミ
アの低減を図ることができる。
【００２４】請求項３のイメージセンサは、スミア防止
用の遮光膜を撮像領域内において垂直転送レジスタ上に
のみ形成し、垂直画素間分離領域上には設けないように
したことを特徴とする。従って、請求項３のＣＣＤイメ
ージセンサによれば、垂直画素間分離領域上には遮光膜
がないので、そこに入射した光が遮光膜によって反射さ
れて光電変換により信号電荷になる可能性をなくしてし
まうということがなくなる。従って、感度の向上を図る
ことができる。
用の遮光膜を撮像領域内において垂直転送レジスタ上に
のみ形成し、垂直画素間分離領域上には設けないように
したことを特徴とする。従って、請求項３のＣＣＤイメ
ージセンサによれば、垂直画素間分離領域上には遮光膜
がないので、そこに入射した光が遮光膜によって反射さ
れて光電変換により信号電荷になる可能性をなくしてし
まうということがなくなる。従って、感度の向上を図る
ことができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明ＣＣＤイメージセンサ
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は要部を示す平面
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視拡大断面図である。
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は要部を示す平面
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視拡大断面図である。
【図２】図１のＣＣＤイメージセンサの垂直画素間分離
部と垂直転送レジスタのポテンシャルプロフィール図で
ある。
部と垂直転送レジスタのポテンシャルプロフィール図で
ある。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は図１のＣＣＤイメージセンサ
の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は本発明ＣＣＤイメージセンサ
の他の実施例を示すもので、（Ａ）は上部の斜視図、
（Ｂ）は平面図である。
の他の実施例を示すもので、（Ａ）は上部の斜視図、
（Ｂ）は平面図である。
【図５】上記他の実施例の効果を示す断面図である。
【図６】ＣＣＤイメージセンサの従来例の上部を示す斜
視図である。
視図である。
【図７】ＣＣＤイメージセンサの上記従来例を示す平面
図である。
図である。
【図８】従来のＣＣＤイメージセンサの一つの問題点を
示すところの垂直画素間分離部と垂直転送レジスタのポ
テンシャルプロフィール図である。
示すところの垂直画素間分離部と垂直転送レジスタのポ
テンシャルプロフィール図である。
【図９】従来のＣＣＤイメージセンサの他の問題点を示
す断面図である。
す断面図である。
２ 半導体基板 ３ ウエル ４ 受光素子（画素） １３ 垂直転送レジスタ １４ 水平画素間分離領域 １５ 垂直画素間分離部 １７ スミア防止領域
Claims (3)
- 【請求項１】 画素を成す受光素子をマトリック状に配
置し、各受光素子の信号電荷を受光素子の各垂直列に対
応して設けられた垂直転送レジスタに読み出し、該垂直
転送レジスタによって垂直方向に転送し、水平転送レジ
スタによって水平方向に転送して出力するＣＣＤイメー
ジセンサにおいて、 上記各垂直画素間分離部と上記各垂直転送レジスタとの
間に光電荷の流れに対して電位障壁となるスミア防止領
域を設けてなることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ - 【請求項２】 スミア防止領域を画素間を水平方向に分
離する水平画素間分離領域と同じ工程で形成することを
特徴とする請求項１記載のＣＣＤイメージセンサの製造
方法 - 【請求項３】 画素を成す受光素子をマトリック状に配
置し、各受光素子の信号電荷を受光素子の各垂直列に対
応して設けられた垂直転送レジスタに読み出し、該垂直
転送レジスタによって垂直方向に転送し、水平転送レジ
スタによって水平方向に転送して出力するようにし表面
にスミア防止用の遮光膜を有するＣＣＤイメージセンサ
において、 上記スミア防止用の遮光膜を撮像領域内において垂直転
送レジスタ上方のみに形成してなることを特徴とするＣ
ＣＤイメージセンサ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5139411A JPH0661468A (ja) | 1992-06-13 | 1993-05-18 | Ｃｃｄイメージセンサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-179466 | 1992-06-13 | ||
| JP17946692 | 1992-06-13 | ||
| JP5139411A JPH0661468A (ja) | 1992-06-13 | 1993-05-18 | Ｃｃｄイメージセンサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661468A true JPH0661468A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=26472232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5139411A Pending JPH0661468A (ja) | 1992-06-13 | 1993-05-18 | Ｃｃｄイメージセンサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002145A (en) * | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Matsushita Electronics Corporation | Solid-state imaging device |
| EP1405663B1 (en) * | 2002-10-02 | 2010-07-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and device for gas purifying by combined use of plasma treatment and filtration |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP5139411A patent/JPH0661468A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002145A (en) * | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Matsushita Electronics Corporation | Solid-state imaging device |
| EP1405663B1 (en) * | 2002-10-02 | 2010-07-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and device for gas purifying by combined use of plasma treatment and filtration |
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