JP4479436B2 - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、特に、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型の固体撮像装置およびその製造方法に関する。

デジタルスチルカメラ用の撮像装置として、ＣＣＤ固体撮像装置が多く使用されており、多くはインターライン・トランスファー型（いわゆるＩＴ型）ＣＣＤである。ＩＴ型ＣＣＤのなかにも、インターレース読み出し型と全画素読み出し（ノンインターレース）型がある。

インターレース読み出しでは、２回以上にわけて全部の画素情報を読み出すことで、垂直転送部（垂直ＣＣＤ）のダイナミックレンジによる制限を回避できるなどのメリットがある。しかし、数回に分けて読み出すゆえに、信号電荷の熱的流出やフィールド間の暗電流差の問題などのデメリットがある。

全画素読み出しでは、全画素を同時に読み出すことができるために高精度の光シャッタ（多くはメカニカルシャッタ）を必要としないなどのメリットがある。しかし、転送電極が、３層以上のポリシリコン電極構造となり、プロセスは複雑で工程は多くなる。また、垂直転送部の凹凸が顕著になり、光入射のけられ（本来受光部に入射すべき光が遮光膜によって遮られてしまうことを称する）がこの凹凸に起因して発生しやすくなる。従って、感度シェーディングやレンズ開放側感度低下の原因になりやすい。

全画素読み出し型の固体撮像装置として、単層電極構造の転送電極を用い、当該転送電極のうち浮島状に分離した転送電極に対して、当該転送電極の上層の金属配線により駆動パルスを供給するようにした固体撮像装置が開示されている（特許文献１参照）。
特許第２８７８５４６号

しかしながら、上記特許文献１に記載の固体撮像装置では、上層の金属配線が遮光膜を兼ねており、当該金属配線が転送電極の略全面を覆うように形成されていることから、受光部と転送電極との間に大きな段差が依然として存在する。この結果、上記したような入射光のけられを低減することができない。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、全画素読み出しに適用することができる電極構成をもち、かつ、受光部の周縁部での入射光の遮りを低減することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、水平方向および垂直方向に配置された複数の受光部と、前記各受光部間に配置された、垂直方向に伸びる複数の転送チャネルと、前記各転送チャネル上において同一平面に繰り返し配置された、第１転送電極、第２転送電極、および第３転送電極と、前記第１転送電極と同一平面に配置され、前記水平方向に並ぶ複数の前記第１転送電極を接続する画素間配線と、前記第１転送電極および前記画素間配線上において水平方向に伸び、水平方向に並ぶ複数の前記第２転送電極にそれぞれ接続された第２転送電極駆動用配線と、前記第１、第２および第３転送電極上において前記垂直方向に伸び、垂直方向に並ぶ前記第３転送電極にそれぞれ接続された第３転送電極駆動用配線を有する。

上記の本発明の固体撮像装置では、１つの受光部に対して３種類の転送電極が配置されている。第２転送電極駆動用配線、第３転送電極駆動用配線のうち少なくともいずれかに読み出しパルスを供給することにより、全ての受光部に蓄積された信号電荷が、転送チャネルへと読み出される。読み出し後、垂直方向に配列した第１、第２、第３転送電極に位相の異なる転送パルスが供給されて、信号電荷は垂直方向に転送される。このように、本発明の固体撮像装置は、全画素読み出しに適用可能である。
第２転送電極を駆動するための第２転送電極駆動用配線は、第１転送電極および画素間配線上において水平方向に伸びて配置されている。また、第３転送電極を駆動するための第３転送電極駆動用配線は、第１、第２、第３転送電極上において垂直方向に伸びる。
このように水平方向および垂直方向に第２転送電極駆動用配線および第３転送電極駆動用配線を配置したことから、受光部の周縁における段差が緩和される。

本発明によれば、全画素読み出しに適用することができる電極構成をもち、かつ、受光部の周縁部での入射光の遮りを低減した固体撮像装置を実現することができる。

以下に、本発明の固体撮像装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。

図１は、本実施形態に係る固体撮像装置の画素部の要部平面図である。本実施形態では、全画素読み出しに適用可能であって、３相駆動の固体撮像装置について説明する。

画素部には、画素を構成する受光部１が配置されている。受光部１は、水平方向Ｈおよび垂直方向Ｖに複数配置されている。受光部１は、フォトダイオードからなり、入射光量に応じた信号電荷を生成し、一定期間蓄積する。

水平方向Ｈに並ぶ２つの受光部１間に、垂直方向Ｖに伸びる転送チャネル２が配置されている。転送チャネル２は、信号電荷を垂直方向Ｖに転送するポテンシャル分布を生成する。

垂直方向Ｖに伸びる転送チャネル２上には、位相の異なる転送パルスΦＶ１，ΦＶ２、ΦＶ３がそれぞれ供給される３種類の転送電極３が配列している。転送電極３は、転送パルスΦＶ１が供給される第１転送電極３−１と、転送パルスΦＶ２が供給される第２転送電極３−２と、転送パルスΦＶ３が供給される第３転送電極３−３とに分けられる。なお、特に第１転送電極３−１と、第２転送電極３−２と、第３転送電極３−３とを区別する必要がない場合には、単に転送電極３と称する。

本実施形態では、第１転送電極３−１と、第２転送電極３−２と、第３転送電極３−３が同一平面に形成された単層転送電極構造を採用している。転送電極３は、例えばポリシリコンにより形成される。

第３転送電極３−３、第２転送電極３−２、第１転送電極３−１が垂直方向Ｖに繰り返し配列している。上記の転送電極３と転送チャネル２とにより、垂直方向Ｖに並ぶ受光部１の列毎に共通配置されたいわゆる垂直転送部（垂直ＣＣＤ）が構成される。

水平方向Ｈに並ぶ複数の第１転送電極３−１は、画素間配線３−１ａにより連結されている。画素間配線３−１ａは、垂直方向Ｖに並ぶ受光部１の間隙において水平方向Ｈに伸び、転送電極３−１と同一平面に形成されている。すなわち、画素間配線３−１ａは、第１転送電極３−１と一体形成されたポリシリコンからなる。

第２転送電極３−２は、転送チャネル２上において浮島状、すなわち水平方向Ｈに連結されずに分離した形状となっている。転送電極３−２は、受光部１に隣接して配置されている。

第３転送電極３−３は、転送チャネル２上において浮島状、すなわち水平方向Ｈに連結されずに分離した形状となっている。第３転送電極３−３は、受光部１に隣接して配置されている。

第１転送電極３−１および画素間配線３−１ａ上には、絶縁膜を介して水平方向Ｈに伸びるシャント配線（第２転送電極駆動用配線）４が配置されている。シャント配線４は、各第１転送電極３−１上において垂直方向Ｖに張り出しており、コンタクト部４ａにおいて第２転送電極３−２に接続されている。１本のシャント配線４は、水平方向Ｈに並ぶ複数の第２転送電極３−２に接続されている。シャント配線４の幅は、画素間配線３−１ａの幅よりも狭い。

シャント配線４は、ポリシリコン、あるいはタングステン等の金属材料により形成される。シャント配線４として、金属材料を用いる場合には、ポリシリコンを用いる場合に比べて、膜厚や幅を小さくしても同等の抵抗値が得られるため、受光部１の周縁に発生する段差を緩和できるという利点がある。

シャント配線４よりも上層であって、垂直方向Ｖに配列された転送電極３上に、絶縁膜を介して垂直方向Ｖに伸びるシャント配線（第３転送電極駆動用配線）５が配置されている。シャント配線５は、コンタクト部５ａにおいて第３転送電極３−３に接続されている。１本のシャント配線５は、垂直方向Ｖに並ぶ複数の第３転送電極３−３に接続されている。シャント配線５の幅は、転送電極３の幅Ｗよりも狭い。

シャント配線５は、ポリシリコン、あるいはタングステン等の金属材料により形成される。シャント配線５として、金属材料を用いる場合の利点については、シャント配線４と同様である。

上記の固体撮像装置では、１つの受光部１に対して、３つの転送電極３−１，３−２，３−３が設けられている。１つの受光部１に対して、３つの転送電極が配置されていることにより、全画素読み出しに適用可能となる。

本実施形態は３相駆動の固体撮像装置の例である。画素間配線３−１ａを通じて水平方向に並ぶ全ての第１転送電極３−１に転送パルスΦＶ１が供給される。シャント配線４を通じて水平方向に並ぶ全ての第２転送電極３−２に転送パルスΦＶ２が供給される。シャント配線５を通じて垂直方向に並ぶ全ての第３転送電極３−３に転送パルスΦＶ３が供給される。転送パルスΦＶ１，ΦＶ２、ΦＶ３は例えば−７Ｖ〜０Ｖである。

受光部１に隣接する浮島状の第２転送電極３−２および第３転送電極３−３には、シャント配線４，５を通じて、転送パルスΦＶ２、ΦＶ３の他に受光部１に蓄積された信号電荷を転送チャネル２へ転送するための読み出しパルスΦＲが供給される。読み出しパルスΦＲは、例えば＋１２Ｖ〜＋１５Ｖである。なお、第２転送電極３−２あるいは第３転送電極３−３のいずれかのみに、読み出しパルスΦＲを供給してもよい。

図２（ａ）は図１のＡ−Ａ‘線における断面図であり、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線における断面図である。

本実施形態では、例えばｎ型シリコンからなる半導体基板１０を用いる。半導体基板１０には、ｐ型ウェル１１が形成されている。ｐ型ウェル１１内には、ｎ型領域１２が形成され、ｎ型領域１２よりも表面側にはｐ型領域１３が形成されている。ｎ型領域１２とｐ型ウェル１１とのｐｎ接合によるフォトダイオードによって受光部１が構成される。ｎ型領域１２の表面側にｐ型領域１３が形成されていることにより、暗電流を低減した埋め込みフォトダイオードが構成される。

ｎ型領域１２に隣接して、ｐ型ウェル１４が形成されており、ｐ型ウェル１４内にｎ型領域からなる転送チャネル２が形成されている。転送チャネル２に隣接して、隣接する受光部１間での信号電荷の流出入を防止するためのｐ型のチャネルストップ部１６が形成されている。図示する例では、受光部１と、受光部１の左側の転送チャネル２との間が、読み出しゲート部１７となる。従って、転送電極３（より詳細には、第２転送電極３−２、第３転送電極３−３の双方、あるいはいずれか）により、読み出しゲート部１７のポテンシャル分布が制御されて、受光部１の信号電荷は左側の転送チャネル２に読み出される。

種々の半導体領域が形成された半導体基板１０上には、ゲート絶縁膜２０を介してポリシリコンからなる転送電極３（図示する例では第２転送電極３−２）および画素間配線３−１ａが形成されている。

転送電極３および画素間配線３−１ａを被覆するように、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜２１が形成されている。画素間配線３−１ａ上には、絶縁膜２１を介してポリシリコン、あるいはタングステンなどの金属材料からなるシャント配線４が形成されている。シャント配線４は、第２転送電極３−２上にも形成されている。絶縁膜２１には、コンタクト部４ａにおいて開口が形成されており、コンタクト部４ａにおいてシャント配線４と第２転送電極３−２とが接続されている。なお、シャント配線４として、タングステンなどの金属材料を用いる場合には、コンタクト部４ａにおいてシャント配線４を構成する金属材料と第２転送電極３−２とを直接接続せずに、バリアメタルを介在させてもよい。

シャント配線４を被覆するように、酸化シリコンなどからなる絶縁膜２２が形成されている。転送電極３上には、絶縁膜２２を介してポリシリコン、あるいはタングステンなどの金属材料からなるシャント配線５が形成されている。図示はしないが、絶縁膜２２には、コンタクト部５ａ（図１参照）において開口が形成されており、コンタクト部５ａにおいてシャント配線５と第３転送電極３−３とが接続されている。なお、シャント配線５として、タングステンなどの金属材料を用いる場合には、コンタクト部５ａにおいてシャント配線５と第３転送電極３−３とを直接接続せずに、バリアメタルを介在させてもよい。

シャント配線５を被覆するように、酸化シリコンなどからなる絶縁膜２３が形成されている。絶縁膜２１，２２，２３を介在させた状態で、転送電極３、画素間配線３−１ａ、シャント配線４，５を被覆する遮光膜６が形成されている。遮光膜６には、受光部１の上方に開口部６ａが形成されている。

図示はしないが、遮光膜６の上層には必要に応じて、平坦化膜、カラーフィルタ、およびオンチップレンズが形成される。

次に、上記の本実施形態に係る固体撮像装置の動作について説明する。

受光部１に光が入射すると、光電変換により入射光量に応じた信号電荷（本例では電子）が生成され、受光部１のｎ型領域１２内で一定期間蓄積される。

シャント配線４，５を通じて、第２転送電極３−２および第３転送電極３−３に読み出しパルスΦＲが供給されると、読み出しゲート部１７のポテンシャル分布が制御されて、全ての受光部１に蓄積された信号電荷が転送チャネル２に読み出される。なお、第２転送電極３−２あるいは第３転送電極３−３のいずれかにのみ読み出しパルスΦＲを供給してもよい。

信号電荷が転送チャネル２に読み出された後、画素間配線３−１ａ、シャント配線４，５を通じて、垂直方向に並ぶ転送電極３−１，３−２，３−３に、３相の転送パルスΦＶ１〜ΦＶ３が供給される。３相の転送パルスΦＶ１〜ΦＶ３により、転送チャネル２のポテンシャル分布が制御されて、信号電荷が垂直方向Ｖに転送される。

図示はしないが、信号電荷が垂直方向Ｖに転送された後、水平転送部により水平方向Ｈに信号電荷が転送されて出力部に送られる。出力部では、信号電荷は信号電荷量に応じた電圧に変換されて出力される。

なお、上記構成の固体撮像装置は、インターレース読み出しを行うことも可能である。この場合には、シャント配線４を通じて第２転送電極３−２のみに読み出しパルスΦＲを供給し、かつ、例えば第１フィールドにおいて奇数ラインのシャント配線４にのみ読み出しパルスΦＲを供給し、第２フィールドにおいて偶数ラインのシャント配線４にのみ読み出しパルスΦＲを供給すればよい。

次に、上記の本実施形態に係る固体撮像装置の効果について説明する。

本実施形態に係る固体撮像装置では、単層転送電極構造の３種の転送電極３−１，３−２，３−３の上層には、当該転送電極の幅Ｗよりも細い幅のシャント配線４，５が水平方向Ｈおよび垂直方向Ｖに形成されている。

水平方向Ｈに配置された、第２転送電極３−２に転送パルスΦＶ２を供給するためのシャント配線４は、画素間配線３−１ａ上に形成されている。このため、垂直方向Ｖに配列した受光部１の間隙を配線１本分だけ確保すれば良く、受光部１の垂直方向Ｖの寸法を大きくすることができる。垂直方向Ｖの寸法を大きくできることから、画素間配線３−１ａおよびシャント配線４を被覆する遮光膜６による、垂直方向Ｖからの入射光のけられが低減される。

垂直方向Ｖに配置された、第３転送電極３−３に転送パルスΦＶ３を供給するためのシャント配線５は、転送電極３上に形成されており、さらに、転送電極３の幅Ｗよりも幅が狭い。このため、受光部１の周縁に急峻な段差が発生することが防止される。この結果、転送電極３およびシャント配線５を被覆する遮光膜６によって、水平方向Ｈから入射する光のけられが低減される。

上記のように、画素間において水平方向Ｈにシャント配線４を配置し、転送電極３の上層において垂直方向Ｖにシャント配線５を配置することにより、入射光のけられが低減されることから、受光部１の感度やダイナミックレンジを大きくすることができる。

また、受光部１に隣接して浮島状の第２転送電極３−２および第３転送電極３−３を配置しているため、この第２転送電極３−２および第３転送電極３−３の双方に読み出しパルスΦＲを供給する場合には、読み出し幅ＲＷを大きくすることができる。この結果、狭チャネル効果（読み出し幅ＲＷが大きくなることによりしきい値が高くなる現象）を抑えて、読み出しパルスΦＲの電圧を低減することができる。

また、画素間部において、シャント配線４，５の下層には、第１転送電極３−１および画素間配線３−１ａが配置されている。このため、シャント配線４，５に読み出しパルスΦＲが供給されても、第１転送電極３−１および画素間配線３−１ａによる遮蔽効果により、画素間部における半導体基板１０のポテンシャルへの影響はない。このため、信号電荷が隣接する受光部１へ流れ込むことが防止され、すなわち混色が防止される。

次に、上記の本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図３〜図６の工程断面図を参照して説明する。図３〜図６の工程断面図は、図２（ａ）に相当する断面図である。

図３（ａ）に示すように、ｎ型シリコンからなる半導体基板１０に、イオン注入法により、各種の半導体領域を形成する。これにより、ｐ型ウェル１１、ｎ型領域１２、ｐ型領域１３、ｎ型の転送チャネル２、ｐ型ウェル１４、チャネルストップ部１６が形成される。なお、ｐ型領域１３は、転送電極を形成した後にイオン注入により形成してもよい。ここで、ｎ型領域１２と図中左側の転送チャネル２との間のｐ型領域が、読み出しゲート部１７となる。

次に、図３（ｂ）に示すように、たとえば熱酸化法により、半導体基板１０の表面に例えば酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２０を形成する。続いて、ゲート絶縁膜２０上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ポリシリコンを堆積し、ドライエッチングにより加工することにより、転送電極３および画素間配線３−１ａ（図示では第２転送電極３−２）を形成する。

次に、図４（ａ）に示すように、熱酸化法により転送電極３を覆う酸化シリコンなどの絶縁膜２１を形成する。続いて、コンタクト部４ａとなる位置の絶縁膜２１を除去して、第２転送電極３−２の一部を露出させる。

次に、図４（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、絶縁膜２１上にポリシリコン膜を堆積し、ドライエッチングによりポリシリコン膜を加工して、シャント配線４を形成する。なお、スパッタリング法により、窒化チタンなどのバリアメタルと、タングステンなどの金属膜を堆積した後に、ドライエッチングによりバリアメタルと金属膜を加工して、シャント配線４を形成してもよい。シャント配線４は、コンタクト部４ａにおいて第２転送電極３−２と接続される。

次に、図５（ａ）に示すように、熱酸化法あるいはＣＶＤ法により酸化シリコン膜などを堆積させて、シャント配線４を覆う絶縁膜２２を形成する。続いて、コンタクト部５ａ（図１参照）となる位置の絶縁膜２２を除去して、第３転送電極３−３の一部を露出させる。

次に、図５（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、絶縁膜２２上にポリシリコン膜を堆積し、ドライエッチングによりポリシリコン膜を加工して、シャント配線５を形成する。なお、スパッタリング法により、窒化チタンなどのバリアメタルと、タングステンなどの金属膜を堆積した後に、ドライエッチングによりバリアメタルと金属膜を加工して、シャント配線５を形成してもよい。シャント配線５は、コンタクト部５ａにおいて第３転送電極３−３と接続される。

次に、図６（ａ）に示すように、熱酸化法あるいはＣＶＤ法により酸化シリコン膜などを堆積させて、シャント配線５を覆う絶縁膜２３を形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法により、例えばタングステン膜を成膜し、ドライエッチングによりタングステン膜を加工して、転送電極３、画素間配線３−１ａおよびシャント配線４，５を被覆し、受光部１の上方に開口部６ａをもつ遮光膜６を形成する。

以降の工程としては、遮光膜６の上層に、必要に応じて平坦化膜を形成し、平坦化膜上にカラーフィルタを形成し、カラーフィルタ上にオンチップレンズを形成することにより、固体撮像装置が製造される。

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本発明の固体撮像装置は、インターライン転送型や、フレームインターライン転送型の固体撮像装置に適用することができる。遮光膜６よりも上層の構造は種々の変更が可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

本実施形態に係る固体撮像装置における画素部の要部平面図である。 （ａ）は図１のＡ−Ａ‘線における断面図であり、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線における断面図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の製造における工程断面図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の製造における工程断面図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の製造における工程断面図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の製造における工程断面図である。

符号の説明

１…受光部、２…転送チャネル、３…転送電極、３−１…第１転送電極、３−１ａ…画素間配線、３−２…第２転送電極、３−３…第３転送電極、４…シャント配線、４ａ…コンタクト部、５…シャント配線、５ａ…コンタクト部、６…遮光膜、６ａ…開口部、１０…半導体基板、１１…ｐ型ウェル、１２…ｎ型領域、１３…ｐ型領域、１４…ｐ型ウェル、１６…チャネルストップ部、１７…読み出しゲート部、２０…ゲート絶縁膜、２１…絶縁膜、２２…絶縁膜、２３…絶縁膜、Ｈ…水平方向、Ｖ…垂直方向

Claims (12)

1. 水平方向および垂直方向に配置された複数の受光部と、
   前記各受光部間に配置され、ゲート絶縁膜の下層に形成される垂直方向に伸びる複数の転送チャネルと、
   前記各転送チャネル上において同一平面に繰り返し配置された、第１転送電極、第２転送電極、および第３転送電極と、
   前記第１転送電極と同一平面に配置され、前記水平方向に並ぶ複数の前記第１転送電極を接続する画素間配線と、
   前記第１転送電極および前記画素間配線上において水平方向に伸び、水平方向に並ぶ複数の前記第２転送電極にそれぞれ接続された第２転送電極駆動用配線と、
   前記第１、第２および第３転送電極上において前記垂直方向に伸び、垂直方向に並ぶ前記第３転送電極にそれぞれ接続された第３転送電極駆動用配線と、
   前記第３転送電極駆動用配線の上層に、前記各受光部を開口するタングステンの遮光膜とを有し、
   前記第２転送電極駆動用配線の幅は、前記画素間配線の幅よりも狭く、
   前記第３転送電極駆動用配線の幅は、前記第１転送電極の幅よりも狭い
   固体撮像装置。
2. 前記第２および第３転送電極は、前記受光部に隣接して配置された
   請求項１記載の固体撮像装置。
3. 前記第２転送電極駆動用配線は、ポリシリコンあるいは金属材料により形成された
   請求項１記載の固体撮像装置。
4. 前記第３転送電極駆動用配線は、ポリシリコンあるいは金属材料により形成された
   請求項１記載の固体撮像装置。
5. 前記第２転送電極は、それぞれ水平方向に分離した形状となっている
   請求項１記載の固体撮像装置。
6. 前記第３転送電極は、それぞれ水平方向に分離した形状となっている
   請求項１記載の固体撮像装置。
7. 基板に不純物を導入して、水平方向および垂直方向に配置した複数の受光部と、各受光部間に配置され垂直方向に伸びる複数の転送チャネルをゲート絶縁膜の下層に形成する工程と、
   前記基板上に導電層を堆積する工程と、
   前記導電層を加工して、前記各転送チャネル上に同一平面に繰り返し配置された第１転送電極、第２転送電極、第３転送電極を形成し、かつ、前記水平方向に並ぶ複数の前記第１転送電極を接続する画素間配線を形成する工程と、
   前記第１転送電極および前記画素間配線の上層に、水平方向に並ぶ複数の前記第２転送電極に接続される第２転送電極駆動用配線を、前記画素間配線の幅よりも狭い幅で形成する工程と、
   前記第１、第２および前記第３転送電極の上層に、垂直方向に並ぶ複数の前記第３転送電極に接続される第３転送電極駆動用配線を、前記第１転送電極の幅よりも狭い幅で形成する工程と、
   前記第３転送電極駆動用配線の上層に、前記各受光部を開口するタングステンの遮光膜を形成する工程と
   を有する固体撮像装置の製造方法。
8. 前記導電層を加工する工程において、前記受光部に隣接して配置される前記第２転送電極および前記第３転送電極を形成する
   請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。
9. 前記第２転送電極用駆動配線を形成する工程において、ポリシリコンあるいは金属材料をパターン加工して前記第２転送電極用駆動配線を形成する
   請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。
10. 前記第３転送電極用駆動配線を形成する工程において、ポリシリコンあるいは金属材料をパターン加工して前記第３転送電極駆動用配線を形成する
    請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。
11. 前記導電層を加工する工程において、水平方向に分離した形状をもつ前記第２転送電極を形成する
    請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。
12. 前記導電層を加工する工程において、水平方向に分離した形状をもつ前記第３転送電極を形成する
    請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。

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