JP4751846B2 - Ccd固体撮像素子 - Google Patents
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Description
前記第1垂直電荷転送路の幅に対し前記第2垂直電荷転送路の幅を幅広に形成し、
前記第2垂直電荷転送路のn領域でなる埋め込みチャネルの表面の層を、不純物濃度が異なるn − 層とn −− 層とを交互に配置して形成して、該埋め込みチャネルの前記n − 層が形成された領域を蓄積領域にすると共に前記n −− 層が形成された領域をバリア領域とし、
前記蓄積部の前記第2垂直電荷転送路の転送休止期間に、前記第2垂直電荷転送路の前記埋め込みチャネルの表面を非空乏化する電圧を該第2垂直電荷転送路の全転送電極に印加して前記蓄積領域に信号電荷を蓄積する
構成としたことを特徴とする。
2 センサ部
3 蓄積部
4 水平電荷転送路(HCCD)
5 出力アンプ
11 フォトダイオード(光電変換素子)
12 第1垂直電荷転送路(VCCD)
15 第2垂直電荷転送路(VCCD)
12a,15a n型領域(n型層:埋め込みチャネル)
12b,15b 転送電極膜
26 絶縁膜
28 遮光膜
Claims (6)
- 二次元アレイ状に配列形成された複数の光電変換素子及び複数の第1垂直電荷転送路を有するセンサ部と、水平電荷転送路と、該水平電荷転送路と前記センサ部との間に設けられ前記第1垂直電荷転送路に連続する複数の第2垂直電荷転送路を有する蓄積部とを備えるフレームインターライントランスファー型のCCD固体撮像素子において、
前記第1垂直電荷転送路の幅に対し前記第2垂直電荷転送路の幅を幅広に形成し、
前記第2垂直電荷転送路のn領域でなる埋め込みチャネルの表面の層を、不純物濃度が異なるn − 層とn −− 層とを交互に配置して形成して、該埋め込みチャネルの前記n − 層が形成された領域を蓄積領域にすると共に前記n −− 層が形成された領域をバリア領域とし、
前記蓄積部の前記第2垂直電荷転送路の転送休止期間に、前記第2垂直電荷転送路の前記埋め込みチャネルの表面を非空乏化する電圧を該第2垂直電荷転送路の全転送電極に印加して前記蓄積領域に信号電荷を蓄積する
構成としたことを特徴とするCCD固体撮像素子。 - 前記第2垂直電荷転送路の転送速度に対して前記第1垂直電荷転送路の転送速度を少なくとも10倍以上に制御したことを特徴とする請求項1に記載のCCD固体撮像素子。
- 前記センサ部に設けられる前記光電変換素子が前記蓄積部に設けられていない分だけ前記第2垂直電荷転送路の幅を幅広に設けたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のCCD固体撮像素子。
- 前記センサ部に設ける光電変換素子の画素サイズを2μm□以下としマルチフィールド読み出しする構成としたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のCCD固体撮像素子。
- 前記光電変換素子、前記第1,第2垂直電荷転送路、前記水平電荷転送路が半導体基板の表面側に形成され、該半導体基板の裏面側から被写界光が入射する裏面照射型であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のCCD型固体撮像素子。
- 前記第1垂直電荷転送路を構成するn領域でなる埋め込みチャネルの下にp層が設けられ、該p層は、前記第1垂直電荷転送路に信号電荷を読み出す前記光電変換素子のn層の表面上まで延びて形成され、前記第1垂直電荷転送路の読出電極兼用の転送電極膜が前記n層の表面上の前記p層を介して該n層とオーバーラップする構成になっていることを特徴とする請求項5に記載のCCD固体撮像素子。
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