JP2009158689A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009158689A JP2009158689A JP2007334273A JP2007334273A JP2009158689A JP 2009158689 A JP2009158689 A JP 2009158689A JP 2007334273 A JP2007334273 A JP 2007334273A JP 2007334273 A JP2007334273 A JP 2007334273A JP 2009158689 A JP2009158689 A JP 2009158689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- pixel
- solid
- state imaging
- conversion elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
【課題】水素アニール時の水素原子の移動経路を確保すると共に反射防止膜による絶縁性を維持する。
【解決手段】半導体基板の受光領域に配列形成された複数の光電変換素子11と、光電変換素子11の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜27と、光電変換素子11の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタ31であって個々の光電変換素子11の上部に前記複数色のうちの1色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタ31と、該複数色のカラーフィルタのうちの特定色(R)のカラーフィルタに対応する光電変換素子11の光入射面を覆う反射防止膜27に設けられた窓27aとを備える。
【選択図】図2
【解決手段】半導体基板の受光領域に配列形成された複数の光電変換素子11と、光電変換素子11の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜27と、光電変換素子11の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタ31であって個々の光電変換素子11の上部に前記複数色のうちの1色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタ31と、該複数色のカラーフィルタのうちの特定色(R)のカラーフィルタに対応する光電変換素子11の光入射面を覆う反射防止膜27に設けられた窓27aとを備える。
【選択図】図2
Description
本発明は固体撮像素子に係り、特に、光電変換素子の光入射面に反射防止膜が形成された固体撮像素子に関する。
半導体基板上に二次元アレイ状に配列形成された複数の光電変換素子(フォトダイオード)を備える固体撮像素子では、シリコン窒化膜等の反射防止膜を各光電変換素子の光入射面に形成し、各光電変換素子への入射光率を高めている。
また、固体撮像素子は、その特性を改善するために、製造工程終盤において水素雰囲気中でアニールを行うのが一般的である。しかし、緻密な原子構造を持つ反射防止膜は水素原子の透過を阻害するため、反射防止膜の所々に窓を開けて水素アニールを行う様になっている。
例えば下記の特許文献1,2に記載の固体撮像素子では、CCD型固体撮像素子の例であるが、光電変換素子以外の垂直電荷転送路上で反射防止膜に窓を開けておき、水素アニールを行っている。この窓を通して半導体基板内に浸入した水素原子は、光電変換素子の所まで拡散するため、光電変換素子の特性を改善することができる。
光電変換素子以外の場所で反射防止膜に窓を開けても、この窓を通して半導体基板内に浸入した水素原子は半導体基板内で拡散するため、水素アニール効果を得ることができる。しかし、反射防止膜は反射防止機能の他に絶縁膜としての機能も有するため、光電変換素子以外の場所では絶縁膜として使用しているのが普通である。従って、水素原子の移動パスとして窓を設けた場合、この窓の箇所での絶縁性が低下してしまうという問題が生じる。
本発明の目的は、水素アニール効果を得ることが可能で、しかも、反射防止膜を絶縁膜として用いた箇所の絶縁性も確保可能な固体撮像素子を提供することにある。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板の受光領域に配列形成された複数の光電変換素子と、該光電変換素子の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜と、前記光電変換素子の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタであって個々の前記光電変換素子の上部に前記複数色のうちの1色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタと、該複数色のカラーフィルタのうちの特定色のカラーフィルタに対応する前記光電変換素子の前記光入射面を覆う前記反射防止膜に設けられた窓とを備えることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記複数色のカラーフィルタがレッド,グリーン,ブルーのカラーフィルタであり、前記特定色のカラーフィルタがレッドのカラーフィルタであることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記特定色のカラーフィルタが積層される前記光電変換素子として高感度撮像用と低感度撮像用の2種類が用意される場合には該低感度撮像用の光電変換素子に前記窓が設けられることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子の前記2種類が用意される光電変換素子は、ホワイトのカラーフィルタが積層された輝度検出用の光電変換素子であることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板の受光領域に配列形成された高感度撮像用の複数の光電変換素子及び低感度撮像用の複数の光電変換素子と、該光電変換素子の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜と、前記光電変換素子の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタであって個々の前記光電変換素子の上部に前記複数色のうちの1色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタと、前記低感度撮像用の前記光電変換素子の前記光入射面を覆う前記反射防止膜に設けられた窓とを備えることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記半導体基板に配列形成された光電変換素子の素子数に対して、前記窓を設ける光電変換素子の素子数が1/2〜1/100であることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記半導体基板に配列形成される複数の光電変換素子が二次元状に配列形成されること特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記半導体基板に配列形成される複数の光電変換素子が一次元状に配列形成されること特徴とする。
本発明によれば、水素アニール時に水素原子の通路となる窓が光電変換素子の光入射面に設けられるため、反射防止膜の絶縁性が阻害されることがなく、また、平坦面上に窓が形成されるためパターニングも容易となる。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子10の平面模式図である。図示する固体撮像素子10では、半導体基板の受光領域上に多数のフォトダイオード(光電変換素子:以下、画素ともいう。)11が二次元アレイ状すなわち面状に配列形成され、奇数行のフォトダイオード11に対して偶数行のフォトダイオード11が1/2ピッチづつずらして配置(所謂、ハニカム画素配列)されている。
各フォトダイオード11上に図示した「R」「G」「B」は各フォトダイオード上に積層されたカラーフィルタの色(赤=R,緑=G,青=B)を表しており、各フォトダイオード11は、3原色のうちの1色の受光量に応じた信号電荷を蓄積する。図示する例では、奇数行(奇数列)の画素にはGフィルタが積層され、偶数行(偶数列)の画素にはRフィルタとBフィルタとが交互に積層されている。
半導体基板表面の水平方向には、各フォトダイオード11を避けるように蛇行して垂直転送電極V1,V2,…V8が敷設されている。半導体基板には垂直方向に並ぶフォトダイオード列の側部に図示しない埋め込みチャネルが、フォトダイオード11を避けるように垂直方向に蛇行して形成されている。
この埋め込みチャネルと、この上に設けられ垂直方向に蛇行して配置される垂直転送電極とで、垂直電荷転送路(VCCD)12が形成され、図示しない撮像素子駆動部から出力される垂直転送パルスφV1〜φV8によって転送駆動される。
半導体基板の下辺部には、水平電荷転送路(HCCD)13が設けられている。この水平電荷転送路13も、埋め込みチャネルとその上に設けられた水平転送電極とで構成され、この水平電荷転送路13は、上記の撮像素子駆動部から出力される水平転送パルスφH1,φH2によって2相駆動される。
水平電荷転送路13の出力端部には、出力アンプ14が設けられる。出力アンプ14は、水平電荷転送路13の端部まで転送されてきた信号電荷の電荷量に応じた電圧値信号を画像信号として出力する。
尚、「垂直」「水平」という用語を使用して説明したが、これは、半導体基板表面に沿う「1方向」「この1方向に対して略直角の方向」という意味である。
図2は図1に示す固体撮像素子10のうち2画素(フォトダイオード)分の断面模式図であり、Rフィルタを搭載したフォトダイオード11と、これに水平方向に隣接するBフィルタを搭載したフォトダイオード11の断面模式図である。
n型半導体基板20の表面部にはpウェル層21が形成され、このpウェル層21の表面部に、n型不純物領域11が形成されることで、フォトダイオード11が形成される。各フォトダイオード11の光入射面側の表面には、暗電流抑制用のp型表面層22が形成される。
各水平方向に隣接するフォトダイオード11間には、垂直電荷転送路12を形成するn型埋め込みチャネル12aが形成され、各埋め込みチャネル12aに対して、図示する例では右側のフォトダイオード11との間に高濃度p領域でなる素子分離帯23が設けられている。
この半導体基板20の最表面にはゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜24が形成されている。フォトダイオード11が形成された部分の上部以外では、シリコン酸化膜24の上に薄いシリコン窒化膜,薄いシリコン酸化膜が更に積層された3層(ONO膜(酸化膜―窒化膜―酸化膜)構造25となっている。
埋め込みチャネル12a上のONO膜25の上には、垂直電荷転送路12を構成する垂直転送電極膜がポリシリコンにより形成されている。垂直転送電極膜は、図示する例では2層構造となっており、1層目のポリシリコン膜12bと2層目のポリシリコン膜12cとが絶縁膜26を介して積層されている。
フォトダイオード11の上のシリコン酸化膜24の上や、垂直転送電極膜12b,12cの上の、図1に示す固体撮像素子10の受光領域全面には、シリコン窒化膜27が積層されている。このシリコン窒化膜27は、フォトダイオード11上では反射防止膜として機能し、それ以外の場所では絶縁膜,保護膜として機能する。
そして、シリコン窒化膜27の上には、全面に亘って透明な酸化膜(絶縁膜)28が積層され、更にその上に、タングステンやアルミニウムなどの金属膜でなる遮光膜29が積層されている。この遮光膜29は、フォトダイオード11上で開口29aが形成されており、この開口29を介して入射光がフォトダイオードの光入射面に入射する様になっている。
遮光膜29の上には透明な平坦化膜30が形成され、その上に、R,G,Bのカラーフィルタ層31が積層され、更にその上に、透明な平坦化膜32,マイクロレンズ33等が積層される。
本実施形態の固体撮像素子10では、Rカラーフィルタが積層されたフォトダイオード11の上部に積層された反射防止膜27のうち、遮光膜開口29aの下の部分の光入射領域となる部分が削成されて窓27aが形成されており、この窓27aの内側はその上の透明な絶縁膜28で埋められている。GカラーフィルタやBカラーフィルタが積層されたフォトダイオード11の上部の反射防止膜27には窓27aは設けられず、特定画素だけ本実施形態ではR画素(Rカラーフィルタが積層された画素)だけに窓27aが設けられる。
斯かる構成でなる固体撮像素子10は、製造工程終盤で水素アニール処理が行われるが、このとき水素原子が各窓27aを通して半導体基板内に浸入して特性改善が行われ、撮像画像上に暗電流ノイズが白キズとして発生する不具合が改善される。
図1に示す総画素のうち、等方的周期的な位置にある1/2〜1/100の画素にだけ水素原子の浸入パスがあれば、浸入した水素原子は半導体基板内で拡散するため、白キズ低減効果は全画素に及ぶ。従って、全画素のうちの1/4を占めるR画素だけに水素原子の浸入パスを設ければ、十分な効果を得ることが可能となる。
更に、本実施形態でR画素に水素原子の移動通路となる窓27aを設けた理由は以下の通りである。3原色のカラーフィルタを持つ固体撮像素子では、Rフィルタが赤色光を透過し、Gフィルタが緑色光を透過し、Bフィルタが青色光を透過して、各フォトダイオードが受光量に応じた信号電荷を蓄積することになる。
この3色R,G,B光のうち、最も光量が多いのは赤外光を含む赤色光であり、赤色光が少しくらい減光しても、撮像画像への影響は小さい。むしろ、赤色光を減光しR画素の感度をG画素やB画素に較べて低下させた方が3色の画素の平均化(例えばホワイトバランス)を図ることができ好適である。
反射防止膜は光入射面における反射を防止する機能を有し、反射防止膜が有る場合に対して反射防止膜が無い場合には、反射が生じて入射光は約20%程度の減光となる。各画素への光入射領域は、遮光膜開口29aと、マイクロレンズによって決まる錯乱円とが重なった領域となるが、この領域内の反射防止膜27を削除し窓27aを形成することで、R画素への入射光はフォトダイオード11の光入射面(主としてp型表面層22の表面)で約20%が反射され、減光されることで感度低下が起きる。
G画素,B画素においては、窓27aが無く、反射防止膜27が存在するため、その入射光の入射光率は高く、固体撮像素子10の高感度化を図るのに好適である。
本実施形態のように、R画素の光入射面に窓27aを設けて反射防止膜27を削除する構成とすることで、更に次の様な効果を得ることができる。
近年の固体撮像素子は、数百万画素以上を搭載する関係で各画素の微細化が進み、製造するためのパターニング精度が非常に厳しくなっている。このため、上記実施形態とは逆に、G画素,B画素の光入射面だけに反射防止膜を形成する構成にすると、製造が困難になってしまい、反射防止膜が各光入射面から少しでもずれると、感度低下や感度ムラが生じてしまう。
これに対し、全画素に対して1/2〜1/100の特定画素にのみ、上記実施形態では1/4の特定画素にのみ反射防止膜を削除した窓27aを設ける構成のため、パターニングが容易となり、製造歩留まりが向上する。
また、従来技術の様に、水素原子の移動通路となる窓を転送電極上に設ける場合、窓の下に転送電極や酸化膜等の平坦面でない構造物があるため、確実な窓を形成するのが困難で、その絶縁性が低下し印加電圧に対する耐圧が低下する虞がある。しかし、本実施形態の様に、光入射面という、電圧を印加しない平坦面に窓を設ける構成とすることで、水素原子の移動通路を確実に確保することが可能になる共にパターニングが容易となって窓の位置ズレ等に起因する感度ムラが回避でき、更に耐圧の問題も生じない。
以上述べた様に、入射光を受光する全画素のうち感度低下を図る1/2〜1/100の特定画素、本実施形態ではR画素の光入射面に設ける反射防止膜を削除して水素原子の移動通路を確保したため、水素アニール効果の向上が図れると共に高品質な画像を得ることが可能となる。
図3は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。図示する固体撮像素子40は、各画素がハニカム画素配列(市松配列)になっている。
ハニカム画素配列は、正方格子状に配列された第1の画素配列と、正方格子状に配列された第2の画素配列とが重なるように、且つ、第2の画素配列の各画素が第1の画素配列の各画素間の中間に来るように配列される構造になっている。
図3に示すカラーフィルタ配列は、第1の画素配列に対してR,G,Bのカラーフィルタをベイヤー配列し、第2の画素配列に対しては全てホワイト(白:W,wで標記)のカラーフィルタを積層した配列となっている。
ホワイトのカラーフィルタは透明な平坦化膜で形成される。ホワイトのカラーフィルタを搭載したW画素は輝度を直接検出する画素であり、入射光の全てを利用して光電変換するので非常に高感度である。このため、他のR画素,G画素,B画素に較べて直ぐに飽和してしまう虞が高い。
そこで、W画素については、低感度なW画素(図3では、小文字のwを用いている。)を用意するのが好適であり、図3に示す実施形態では、垂直方向,水平方向共に、Wフィルタとwフィルタとを交互に設ける構成としている。
wフィルタとしては、Wフィルタが透明フィルタであるのに対し、NDフィルタの様に光の透過率を落としたフィルタを用いる。
この様に、R画素,G画素,B画素,W画素,w画素を有する固体撮像素子40において、本実施形態では、低感度のホワイト画素すなわちw画素の光入射面における反射防止膜27に、図2のR画素と同様の窓27aを設ける。窓27aを設けることで、反射率が高まるため感度が低下するが、もともと感度低下を狙った画素であるため問題はなく、これにより、水素アニール処理における水素原子の移動通路の確保が可能となる。
図4は、本発明の第3実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。この固体撮像素子50も所謂ハニカム画素配列になっており、図3で説明した様に、正方格子状に配列された第1の画素配列と、正方格子状に配列された第2の画素配列とが重なるように、且つ、第2の画素配列の各画素が第1の画素配列の各画素間の中間に来るように配列される構造になっている。
本実施形態では、第1の画素配列を構成する各画素は、R画素,G画素,B画素,W画素で構成され、第2の画素配列を構成する各画素は、r画素,g画素,b画素,w画素で構成される。
アルファベット大文字で記載した画素は高感度画素であり、小文字で記載した画素は低感度画素であり、撮像画像の広ダイナミックレンジ化を図ることができる構成となっている。高感度画素に対して低感度画素をどの様な手法で低感度にするかは任意である。例えばフォトダイオードの受光面積を変えても良く、また、マイクロレンズの大きさを変えても良い。また、カラーフィルタの透過率を変えて実現しても良い。あるいは、低感度画素とする画素に対する露光蓄積時間を短くすることで実現することでも良い。
図示する例の固体撮像素子50では、高感度画素配列では垂直方向,水平方向共に、WBWRWBWR…と並ぶ行(列)とGWGWGWGW…と並ぶ行(列)とが交互に設けられ、低感度画素配列においても、垂直方向,水平方向共に、wbwrwbwr…と並ぶ行(列)とgwgwgwgw…と並ぶ行(列)とが交互に設けられる。そして、ペアとなる同色2画素(Rr)(Gg)(Bb)(Ww)が斜め方向に隣接する様に配列される。
斯かる固体撮像素子50においては、低感度画素r,g,b,wの光入射面に設けられる反射防止膜に、図2のR画素と同様の窓27aを設け、水素原子の移動経路を確保する。低感度画素に反射防止膜の窓を設けることで、低感度画素の更なる低感度化を図ることも可能となり、撮像画像の一層の広ダイナミックレンジ化が可能となる。
尚、全ての低感度画素に窓27aを設けるのではなく、w画素についてのみ窓27aを設けても良く、あるいは、第1実施形態で説明したように赤色光の光量が多いため、r画素とw画素についてのみ窓27aを設ける構成としても良い。
図5は、本発明の第4実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。本実施形態の固体撮像素子60は、各画素11が正方格子配列されており、3原色のカラーフィルタR,G,Bはベイヤー配列になっている。
本実施形態でも、図1,図2に示す実施形態と同様に、R画素に反射防止膜27の窓27aを設けることで、水素アニール時の水素原子の移動パスを確保し、特性改善を図ることが可能になる。
尚、図5に示す例はW画素を設けていないが、図3の実施形態と同様に、高感度のW画素及び低感度のw画素を設け、低感度のw画素に窓27aを設ける構成や、低感度のw画素とR画素とに窓27aを設ける構成とすることも可能である。
また、図4の実施形態と同様に、高感度のR画素,G画素,B画素(更にW画素を設けても良い。)と低感度のr画素,g画素,b画素(w画素)を設け、低感度画素に窓27aを設ける構成としても良い。
図6は、本発明の第5実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。本実施形態の固体撮像素子はカラーラインセンサであり、光量を検出する画素が一次元状すなわち線状に配列形成されている。
図6(a)のカラーラインセンサ61では、3行の画素行が、赤色(R)フィルタを搭載したR画素行、緑色(G)フィルタを搭載したG画素行、青色(B)フィルタを搭載したB画素行で構成されている。
図6(b)に示すカラーラインセンサ62は、2行の画素行が1/2画素ピッチずらして配置され、一方の画素行にRフィルタとBフィルタとが交互に積層され、他方の画素行にGフィルタが積層されて構成されている。
図6(c)に示すカラーラインセンサ63は、1行の画素行で構成され、Rフィルタ,Gフィルタ,Bフィルタが巡回的に積層されて構成されている。
図6(d)に示すカラーラインセンサ64は、2行の画素行で構成され、一方の画素行にはRフィルタ,Gフィルタ,Bフィルタが巡回的に積層され、他方の画素行には、高感度のW画素と低感度のw画素とが交互に設けられている。
この様なカラーラインセンサにおいても、図1,図2に示す実施形態と同様に、R画素に窓27aを設けることで、あるいはR画素とw画素とに窓27aを設けることで、水素アニール時の水素原子の移動パスが確保可能となる。
尚、ラインセンサにおいても、高感度のR画素,G画素,B画素と低感度のr画素,g画素,b画素を設け、低感度画素側に窓27aを設ける構成も可能である。
以上述べた様に、本発明の各実施形態では、固体撮像素子の受光領域全面に亘って反射防止膜を形成し、全画素のうち特定画素の光入射面についてのみその画素の光入射領域を覆う窓を反射防止膜に開けるため、水素アニール時に水素原子の移動通路が確保され、白キズ改善等の特性向上を図ることが可能となる。
ここで特定画素とは、全画素中で感度低下を図る画素であり、カラーフィルタ配列に対応し特定カラーフィルタを積層した画素とする。あるいは、低感度画素と高感度画素とが設けられる場合には、低感度画素を特定画素とする。これにより、全受光領域において等方的周期的な位置に水素原子の移動通路が確保され、固体撮像素子の受光領域全面における均質な特性改善を図ることが可能となる。
尚、CCD型固体撮像素子について述べたが、CMOSイメージセンサの様な他の形式の固体撮像素子にも同様に適用可能である。
本発明に係る固体撮像素子は、水素アニール時の水素原子の半導体基板内への移動通路が確保されるため、白キズが低減された撮像画像を得ることができ、デジタルカメラ等に搭載する固体撮像素子として有用である。
10,40,50,60,61,62,63,64 固体撮像素子
11 画素(光電変換素子)
20 半導体基板
22 高濃度表面p層
24 ゲート酸化膜
27 反射防止膜
27a 窓(貫通孔)
29 遮光膜
29a 開口
31 カラーフィルタ
R 赤色フィルタを搭載した高感度画素
r 赤色フィルタを搭載した低感度画素
G 緑色フィルタを搭載した高感度画素
g 緑色フィルタを搭載した低感度画素
B 青色フィルタを搭載した高感度画素
b 青色フィルタを搭載した低感度画素
W 白色フィルタ(透明フィルタ)を搭載した高感度画素
w NDフィルタを搭載した低感度画素
11 画素(光電変換素子)
20 半導体基板
22 高濃度表面p層
24 ゲート酸化膜
27 反射防止膜
27a 窓(貫通孔)
29 遮光膜
29a 開口
31 カラーフィルタ
R 赤色フィルタを搭載した高感度画素
r 赤色フィルタを搭載した低感度画素
G 緑色フィルタを搭載した高感度画素
g 緑色フィルタを搭載した低感度画素
B 青色フィルタを搭載した高感度画素
b 青色フィルタを搭載した低感度画素
W 白色フィルタ(透明フィルタ)を搭載した高感度画素
w NDフィルタを搭載した低感度画素
Claims (8)
- 半導体基板の受光領域に配列形成された複数の光電変換素子と、該光電変換素子の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜と、前記光電変換素子の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタであって個々の前記光電変換素子の上部に前記複数色のうちの1色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタと、該複数色のカラーフィルタのうちの特定色のカラーフィルタに対応する前記光電変換素子の前記光入射面を覆う前記反射防止膜に設けられた窓とを備えることを特徴とする固体撮像素子。
- 前記複数色のカラーフィルタがレッド,グリーン,ブルーのカラーフィルタであり、前記特定色のカラーフィルタがレッドのカラーフィルタであることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記特定色のカラーフィルタが積層される前記光電変換素子として高感度撮像用と低感度撮像用の2種類が用意される場合には該低感度撮像用の光電変換素子に前記窓が設けられることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像素子。
- 前記2種類が用意される光電変換素子は、ホワイトのカラーフィルタが積層された輝度検出用の光電変換素子であることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像素子。
- 半導体基板の受光領域に配列形成された高感度撮像用の複数の光電変換素子及び低感度撮像用の複数の光電変換素子と、該光電変換素子の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜と、前記光電変換素子の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタであって個々の前記光電変換素子の上部に前記複数色のうちの1色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタと、前記低感度撮像用の前記光電変換素子の前記光入射面を覆う前記反射防止膜に設けられた窓とを備えることを特徴とする固体撮像素子。
- 前記半導体基板に配列形成された光電変換素子の素子数に対して、前記窓を設ける光電変換素子の素子数が1/2〜1/100であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板に配列形成される複数の光電変換素子は二次元状に配列形成されること特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板に配列形成される複数の光電変換素子は一次元状に配列形成されること特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007334273A JP2009158689A (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007334273A JP2009158689A (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009158689A true JP2009158689A (ja) | 2009-07-16 |
Family
ID=40962396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007334273A Pending JP2009158689A (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009158689A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011066637A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2011216730A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
US9793310B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-10-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor devices using offset pixel patterns |
WO2023045764A1 (zh) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 华为技术有限公司 | 一种图像传感器、摄像头模组、电子设备及图像处理方法 |
-
2007
- 2007-12-26 JP JP2007334273A patent/JP2009158689A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011066637A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
CN102025927A (zh) * | 2009-09-16 | 2011-04-20 | 索尼公司 | 固态成像器件和电子装置 |
US8848073B2 (en) | 2009-09-16 | 2014-09-30 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US9288410B2 (en) | 2009-09-16 | 2016-03-15 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2011216730A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
US9793310B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-10-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor devices using offset pixel patterns |
WO2023045764A1 (zh) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 华为技术有限公司 | 一种图像传感器、摄像头模组、电子设备及图像处理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4384198B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 | |
US9349766B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP4866656B2 (ja) | 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置 | |
KR101068698B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
WO2013054663A1 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置 | |
JP4659788B2 (ja) | 裏面照射型撮像素子 | |
JP5396809B2 (ja) | 固体撮像装置、カメラ、および、固体撮像装置の製造方法 | |
JP2009081169A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4696104B2 (ja) | 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 | |
US20110031573A1 (en) | Solid-state imaging device, imaging apparatus, and manufacturing method of solid-state imaging device | |
JP2009158689A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4495949B2 (ja) | 2板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ | |
JP4070639B2 (ja) | Ccd型カラー固体撮像装置 | |
JP4763424B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
WO2013136981A1 (ja) | 固体撮像装置、電子機器 | |
JP2007066962A (ja) | カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ | |
JP2009049117A (ja) | 固体撮像素子のカラーフィルタ形成方法及び固体撮像素子、並びに固体撮像素子用パターンマスクセット | |
JP4902106B2 (ja) | 固体撮像素子及びデジタルカメラ | |
JP2006210497A (ja) | 光電変換層積層型固体撮像素子及びその信号補正方法 | |
US7755091B2 (en) | Solid state image pickup device | |
JP3339238B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2010153603A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2010245177A (ja) | 撮像素子、撮像素子の製造方法、撮像素子の駆動方法及び撮像装置 | |
JP4751846B2 (ja) | Ccd固体撮像素子 | |
JP2008047608A (ja) | 単板式カラー固体撮像素子 |