JPH1098648A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPH1098648A
JPH1098648A JP8252519A JP25251996A JPH1098648A JP H1098648 A JPH1098648 A JP H1098648A JP 8252519 A JP8252519 A JP 8252519A JP 25251996 A JP25251996 A JP 25251996A JP H1098648 A JPH1098648 A JP H1098648A
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JP
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unit
vertical charge
photoelectric conversion
vertical
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Yasutaka Nakashiba
康隆 中柴
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NEC Corp
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Publication date
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    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
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    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 垂直電荷転送部を形成する電荷転送電極の多
層化が必要ないプログレッシブ方式の固体撮像装置を提
供する。 【解決手段】 第１、及び第２の垂直電荷転送部７０
２，７０３は、４つの電荷転送電極７０４、７０５ａ、
ｂで繰り返し単位となる１段の垂直電荷転送部を構成
し、垂直方向に隣接する２つの光電変換部７０１に対し
て前記１段の垂直電荷転送部が構成されており、更に、
４つの電荷転送電極７０４、７０５の隣接した２つの電
荷転送電極順序が、光電変換部７０１を挟んで反転して
形成されており、更に、４つの電荷転送電極７０４、７
０５の１電荷転送電極７０４下に光電変換部７０１から
の信号読み出し部７０７が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術】本発明は、プログレッシブ動作が
可能な固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、電子スティルカメラ、パソコンの
入力として使用されている固体撮像装置は、カメラ一体
型ＶＴＲ用に開発されたものを流用しており、標準テレ
ビ受像機の表示方式（インタレース方式）とパソコン用
モニタとの表示方式（プログレッシブ方式）の違いのた
め、画素数や走査方式を変換する等の信号処理が必要と
なっている。このため、電子スティルカメラ、パソコン
の入力として簡単に使用できる固体撮像装置を提供する
必要がある。
【０００３】図１１は、従来の２層電極４相駆動方式の
電荷転送装置を垂直電荷転送部に有するインタレース方
式の固体撮像装置の平面概念図である。図１１に示すよ
うに、従来のインタレース方式の固体撮像装置は、光電
変換部１１０１、２層電極４相駆動方式の電荷転送装置
からなる垂直電荷転送部１１０２、水平電荷転送部１１
０３、出力回路部１１０４等で構成されている。また、
垂直方向の２個の光電変換部に対して１段の垂直電荷転
送部、すなわち１個の光電変換部に対して1/2段の垂直
電荷転送部が対応して配置されている構成となってい
る。
【０００４】このような従来の２層電極４相駆動方式の
電荷転送装置を垂直電荷転送部に有する固体撮像装置の
動作を以下に説明する。
【０００５】まず、平面上に配置された光電変換部１１
０１にて入射光の光量に応じて信号電荷が蓄積される。
次に、第１フィールドでは、水平方向の奇数行の光電変
換部１１０１、たとえば信号電荷１１、１２、１３、３
１、３２、３３、５１、５２、５３が対応する垂直電荷
転送部１１０２へと読み出されたのち、各垂直電荷転送
部１１０２中を垂直方向に転送された水平の１ライン毎
に水平電荷転送部１１０３へ送られ、水平電荷転送部１
１０３中を水平方向に転送され出力回路部１１０４を介
して出力される。
【０００６】次に、第２フィールドでは、水平方向の偶
数行の光電変換部、たとえば信号電荷２１、２２、２
３、４１、４２、４３、６１、６２、６３が対応する垂
直電荷転送部１１０２へと読み出されたのち、前記第１
フィールドの場合と同様にして出力される。
【０００７】これによって１フレームすなわち、全フォ
トダイオードの信号電荷が読み出されることになる（参
考文献：竹村裕夫著「ＣＣＤカメラ技術」ラジオ技術社
pp46-50）。
【０００８】このような従来の２層電極４相駆動方式の
電荷転送装置を垂直電荷転送部に有する固体撮像装置の
構成と駆動方法による信号電荷の読み出し方は、水平の
奇数行と偶数行の信号電荷を第１フィールドと第２フィ
ールドとに分けて交互に読み出すものであり、インタレ
ース動作に適合した読み出し方となっている。また、各
フィールドでは、全光電変換部の信号電荷のうち半分し
か読み出されないから、垂直電荷転送部は２個の光電変
換部に対して１段だけ配置された構成となっており、プ
ログレッシブ動作を行わせることができないという欠点
があった。
【０００９】一方、プログレッシブ動作を行わせる場合
には、各フィールドで全光電変換部を読み出す必要があ
り、このため、１個の光電変換部に対して１段の垂直電
荷転送部を配置させる必要がある。たとえば、１段の垂
直電荷転送部に３つの電荷転送電極を配置し、それぞれ
の電荷転送電極に１２０度位相の異なるパルスを印加す
ることにより、プログレッシブ方式の固体撮像装置を構
成することが可能となる（参考文献：竹村裕夫著「ＣＣ
Ｄカメラ技術」ラジオ技術社 pp23-30）。
【００１０】図１２は、従来の３層電極３相駆動方式の
電荷転送装置を垂直電荷転送部に有するプログレッシブ
方式の固体撮像装置の平面概念図である。図１２におい
て、従来のプログレッシブ方式の固体撮像装置は、光電
変換部１１０１、３層電極３相駆動方式の電荷転送装置
からなる垂直電荷転送部１１０２、水平電荷転送部１１
０３、出力回路部１１０４で構成されている。また、垂
直方向の１個の光電変換部に対して１段の垂直電荷転送
部が対応して配置されている構成となっている。
【００１１】このような従来の３層電極３相駆動方式の
電荷転送装置を垂直電荷転送部に有する固体撮像装置の
動作を以下に説明する。
【００１２】まず、平面上に配置された光電変換部１１
０１にて入射光の光量に応じて信号電荷が蓄積される。
次に、すべての光電変換部１１、１２、１３、…、６３
の信号電荷が対応する垂直電荷転送部１１０２へと読み
出されたのち、３つの転送電極で繰り返し単位となって
いる垂直電荷転送部１１０２の各電荷転送電極にそれぞ
れ１２０度位相の異なるパルス電圧を印加することによ
り、各垂直電荷転送部１１０２中を垂直方向に転送さ
れ、水平の１ライン毎に水平電荷転送部１１０３へ送ら
れ、水平電荷転送部１１０３中を水平方向に転送され出
力回路部１１０４を介して出力される。
【００１３】この３層電極３相駆動方式の電荷転送装置
で構成される垂直電荷転送部の動作を図１３、図１４、
図１５を用いて詳細に説明する。
【００１４】図１３は、従来の固体撮像装置のセル部の
平面図であり、光電変換部１２０１、垂直電荷転送部１
２０２、第１の電荷転送電極１２０４、第２の電荷転送
電極１２０５、第３の電荷転送電極１２０６、信号読み
出し部１２０７から構成されている。
【００１５】図１４は、図１２、図１３のＩ−Ｉ’線に
おけるのセル部の断面図であり、Ｐ型半導体基板１３０
１、Ｎ型半導体領域１３０２、１層目の多結晶シリコン
１３０３で形成された第１の電荷転送電極１２０４、２
層目の多結晶シリコン１３０４で形成された第２の電荷
転送電極１２０５、３層目の多結晶シリコン１３０５で
形成された第３の電荷転送電極１２０６、絶縁膜１３０
６および金属配線１３０７から構成されている。
【００１６】図１５（ａ）は、図１４に示した断面図の
模式図であり、図１５（ｂ）〜（ｇ）は、図１５（ａ）
に示した垂直電荷転送部１２０２の第１の電荷転送電極
１２０４ａ，ｂと、第２の電荷転送電極１２０５ａ，ｂ
に印加される図１６に示したクロックパルスΦ1 〜Φ4
の時刻ｔ1 〜ｔ6 に於ける電位ポテンシャル図を示した
ものである。
【００１７】時刻ｔ1 の時、（ｂ）に示すように読み出
しパルスＶT により光電変換部１２０１より垂直電荷転
送部１２０２に読み出された信号電荷１４０１は、読み
出しパルスＶT が印加されている第２の電荷転送電極１
２０５下に蓄積される。
【００１８】時刻ｔ２の時、クロックパルスの印加電圧
変動による電位ポテンシャル変動に従い信号電荷１４０
１は、（ｃ）に示すようにハイ電圧ＶH が印加されてい
る第２の電荷転送電極１２０５と第１の電荷転送電極１
２０４下に蓄積される。以下同様にして時刻ｔ３の時、
信号電荷１４０１は、（ｄ）に示すようにハイ電圧ＶH
が印加されている第１の電荷転送電極１２０４下に移動
し、時刻ｔ4 の時には、第３の電荷転送電極１２０６下
に（ｅ）、時刻ｔ5 の時には、第３の電荷転送電極１２
０６と第２の電荷転送電極１２０５下に（ｆ）、時刻ｔ
6 の時には、第２の電荷転送電極１２０５下に順次移動
する（ｇ）。
【００１９】以降この動作を繰り返すことにより信号電
荷１４０１は、垂直電荷転送部を転送されていく。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようなプログレッシブ動作を行わせる固体撮像装置の
構成と駆動方法では、各フィールドで全光電変換部を読
み出す必要があり、１個の光電変換部に対して第１、第
２、第３の電荷転送電極からなる１段の垂直電荷転送部
を配置させる必要があるため、垂直電荷転送部を形成す
る電荷転送電極の３層化が必要となり、インタレース方
式の固体撮像装置に比べて、製造工程数が増加するとい
う欠点があった。
【００２１】（発明の目的）本発明の目的は、製造工程
数が増加することなく、プログレッシブ動作を行わせる
ことができる電荷転送装置を垂直電荷転送部に有する固
体撮像装置と駆動方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、２次元的に配置された光電変換部と、前記光電変換
部の両側に配置された第１および第２の垂直電荷転送部
と、前記第１および第２の垂直電荷転送部の一端に配置
された水平電荷転送部を有している。
【００２３】この垂直電荷転送部は、４つの転送電極で
繰り返し単位となる１段の垂直電荷転送部を構成し、前
記１段の垂直電荷転送部は垂直方向に隣接する２つの光
電変換部に対して前記１段の垂直電荷転送部が構成され
ていてもよい。
【００２４】あるいは、本発明の固体撮像装置は、２次
元的に配置された光電変換部と、前記光電変換部の両側
に配置された第１および第２の垂直電荷転送部と、前記
第１の垂直電荷転送部の一端に配置された第１の水平電
荷転送部と、前記第１の水平電荷転送部と反対側の前記
第２の垂直電荷転送部の一端に配置された第２の水平電
荷転送部を有している。
【００２５】この垂直電荷転送部は、４つの電荷転送電
極で繰り返し単位となる１段の垂直電荷転送部を構成
し、前記１段の垂直電荷転送部は垂直方向に隣接する２
つの光電変換部に対して前記１段の垂直電荷転送部が構
成されていてもよい。
【００２６】更に、この垂直電荷転送部を構成する４つ
の電荷転送電極の隣接した２つの電荷転送電極順序が、
光電変換部を挟んで反転して形成されていてもよい。
【００２７】更に、この垂直電荷転送部を構成する４つ
の電荷転送電極の任意の１電荷転送電極下に光電変換部
からの信号読み出し領域が形成されていてもよい。
【００２８】
【実施例】次に、本発明の第１の実施例を図面を参照し
て説明する。
【００２９】図１は、本発明の第１の実施例である２層
電極４相駆動方式の電荷転送装置を垂直電荷転送部に有
するプログレッシブ方式の固体撮像装置の平面概念図で
ある。
【００３０】図１において、本発明の第１の実施例であ
るプログレッシブ方式の固体撮像装置は、光電変換部１
０１、２層電極４相駆動方式の電荷転送装置からなる第
１の垂直電荷転送部１０２ａ、２層電極４相駆動方式の
電荷転送装置からなる第２の垂直電荷転送部１０２ｂ、
水平電荷転送部１０３、出力回路部１０４等を有し、垂
直方向の１個の光電変換部１０１に対して、左右どちら
かに１段の垂直電荷転送部１０２が対応して配置されて
いる構成となっている。
【００３１】このような本発明の第１の実施例である２
層電極４相駆動方式の電荷転送装置を第１および第２の
垂直電荷転送部１０２ａ、１０２ｂに有する固体撮像装
置の動作を以下に説明する。
【００３２】まず、平面上に配置された光電変換部１０
１にて入射光の光量に応じて信号電荷が蓄積される。
【００３３】次に、第１の読み出しパルスＶT1にて、水
平方向の奇数行の光電変換部１０１の信号電荷１１、１
２、１３、３１、３２、３３、５１、５２、５３が対応
する第１の垂直電荷転送部１０２ａへと読み出されると
共に、第２の読み出しパルスＶT2にて、水平方向の偶数
行の光電変換部１０１の信号電荷２１、２２、２３、４
１、４２、４３、６１、６２、６３が対応する第２の垂
直電荷転送部１０２ｂへと読み出される。
【００３４】続いて、４つの転送電極で繰り返し単位と
なっている垂直電荷転送部の各電荷転送電極にそれぞれ
９０度位相の異なるパルス電圧を印加することにより、
垂直電荷転送部中を、第１の垂直電荷転送部１０２ａお
よび第２の垂直電荷転送部１０２ｂ共に垂直方向に転送
され、水平の１ライン毎に水平電荷転送部１０３へ送ら
れ、水平電荷転送部１０３中を水平方向に転送され出力
回路部１０４を介して出力される。
【００３５】この動作により１フレームすなわち、全光
電変換部の信号電荷が出力されることになる。
【００３６】続いて、この２層電極４相駆動方式の電荷
転送装置で構成される垂直電荷転送部の動作を図２、図
３、図４を用いて詳細に説明する。
【００３７】図２は、本発明の第１の実施例の固体撮像
装置のセル部の平面図であり、光電変換部２０１、第１
の垂直電荷転送部２０２、第２の垂直電荷転送部２０
３、第１の電荷転送電極２０４、第２の電荷転送電極２
０５、信号読み出し部２０７等から構成されている。
【００３８】図３は、図１、図２のＩ−Ｉ’線における
セル部の断面図であり、Ｐ型半導体基板３０１、Ｎ型半
導体領域３０２、１層目の多結晶シリコン３０３で形成
された第１の電荷転送電極２０４、２層目の多結晶シリ
コン３０４で形成された第２の電荷転送電極２０５、絶
縁膜３０６、金属配線３０７から構成されている。
【００３９】図４（ａ）は、図３に示した断面図の模式
図であり、図４（ｂ）〜（ｇ）は、図４（ａ）に示した
第２の垂直電荷転送部２０３の第１の電荷転送電極２０
４ａ，ｂと、第２の電荷転送電極２０５ａ，ｂに印加さ
れる図５に示したクロックパルスΦ1 〜Φ4 の時刻ｔ1
〜ｔ6 に於ける電位ポテンシャル図を示したものであ
る。なお、第１の垂直電荷転送部２０２と第２の垂直電
荷転送部２０３は同様の動作となるため、ここでは、第
２の垂直電荷転送部２０３について説明する。
【００４０】まず、時刻ｔ1 の時、読み出しパルスＶT1
により光電変換部２０１より第２の垂直電荷転送部２０
３に読み出された信号電荷４０１は、同図（ｂ）に示す
ように読み出しパルスＶT1が印加されている第２の電荷
転送電極２０５ａ下に蓄積される。
【００４１】時刻ｔ2 の時、クロックパルスの印加電圧
変動による電位ポテンシャル変動に従い信号電荷４０１
は、同図（ｃ）に示すようにハイ電圧ＶH が印加されて
いる第２の電荷転送電極２０５ａと第１の電荷転送電極
２０４ｂ下に蓄積される。以下同様にして時刻ｔ3 の
時、信号電荷４０１は、ハイ電圧ＶH が印加されている
第１の電荷転送電極２０４ｂと第２の電荷転送電極２０
５ｂ下に移動し（同図（ｄ））、時刻ｔ4 の時には、第
２の電荷転送電極２０５ｂと第１の電荷転送電極２０４
ａ下に（同図（ｅ））、時刻ｔ5 の時には、第１の電荷
転送電極２０４ａと第２の電荷転送電極２０５ａ下に
（同図（ｆ））、時刻ｔ6 の時には、第２の電荷転送電
極２０５ａと第１の電荷転送電極２０４ｂ下に順次移動
する（同図（ｇ））。
【００４２】以降この動作を繰り返すことにより信号電
荷４０１は、垂直電荷転送部を転送されていく。
【００４３】次に、本発明の第２の実施例を図面を参照
して説明する。
【００４４】図６は、本発明の第２の実施例である２層
電極４相駆動方式の電荷転送装置を垂直電荷転送部に有
するプログレッシブ方式の固体撮像装置の平面概念図で
ある。図６において、本発明の第２の実施例であるプロ
グレッシブ方式の固体撮像装置は、光電変換部６０１、
２層電極４相駆動方式の電荷転送装置からなる第１の垂
直電荷転送部６０２ａ、２層電極４相駆動方式の電荷転
送装置からなる第２の垂直電荷転送部６０２ｂ、第１の
水平電荷転送部６０３ａ、第２の水平電荷転送部６０３
ｂ、第１の出力回路部６０４ａ、第２の出力回路部６０
４ｂ等で構成されている。また、垂直方向の１個の光電
変換部に対して、左右どちらかに１段の垂直電荷転送部
が対応して配置されている構成となっている。
【００４５】このような本発明の第２の実施例である２
層電極４相駆動方式の電荷転送装置を第１および第２の
垂直電荷転送部に有する固体撮像装置の動作を以下に説
明する。
【００４６】まず、平面上に配置された光電変換部６０
１にて入射光の光量に応じて信号電荷が蓄積される。次
に、１電荷転送電極下に光電変換部からの信号読み出し
領域が形成されているため、読み出しパルスＶT にて、
水平方向の奇数行の光電変換部６０１の信号電荷１１、
１２、１３、３１、３２、３３、５１、５２、５３が対
応する第１の垂直電荷転送部６０２ａへと読み出される
と共に、水平方向の偶数行の光電変換部６０１の信号電
荷２１、２２、２３、４１、４２、４３、６１、６２、
６３が対応する第２の垂直電荷転送部６０２ｂへと読み
出される。
【００４７】続いて、４つの転送電極で繰り返し単位と
なっている第１の垂直電荷転送部６０２ａの転送電極と
第２の垂直電荷転送部６０２ｂの転送電極が光電変換部
６０１を挟んで反転して形成されているため、各電荷転
送電極にそれぞれ９０度位相の異なるパルス電圧を印加
することにより、第１の垂直電荷転送部６０２ａの信号
電荷１１、１２、１３、３１、３２、３３、５１、５
２、５３は上部垂直方向に、第２の垂直電荷転送部６０
２ｂの信号電荷２１、２２、２３、４１、４２、４３、
６１、６２、６３は下部垂直方向に転送され、水平の１
ライン毎にそれぞれ第１の垂直電荷転送部６０２ａの信
号電荷は第１の水平電荷転送部６０３ａへ、第２の垂直
電荷転送部６０２ｂの信号電荷は第２の水平電荷転送部
６０３ｂへ送られ、図１の水平電荷転送部６０３ａ中を
水平方向に転送された信号電荷は第１の出力回路部６０
４ａを介して出力され、第２の水平電荷転送部６０３ｂ
中を水平方向に転送された信号電荷は第２の出力回路部
６０４ｂを介して出力される。
【００４８】続いて、この２層電極４相駆動方式の電荷
転送装置で構成される垂直電荷転送部の動作を図７、図
８、図９を用いて詳細に説明する。図７は、本発明の第
１の実施例の固体撮像装置のセル部の平面図であり、光
電変換部７０１、第１の垂直電荷転送部７０２、第２の
垂直電荷転送部７０３、第１の電荷転送電極７０４、第
２の電荷転送電極７０５、信号読み出し部７０６から構
成されている。
【００４９】図８は、図６、図７のＩ−Ｉ’面のセル部
の断面図であり、Ｐ型半導体基板８０１、Ｎ型半導体領
域８０２、１層目の多結晶シリコン８０３で形成された
第１の電荷転送電極７０４、２層目の多結晶シリコン８
０４で形成された第２の電荷転送電極７０５、絶縁膜８
０６、金属配線８０７から構成されている。
【００５０】図９（ａ）は、図８に示した断面図の模式
図であり、図９（ｂ）〜（ｇ）は、図９（ａ）に示した
第１の垂直電荷転送部７０２の第１の電荷転送電極７０
４ａ，ｂと第２の電荷転送電極７０５ａ，ｂに印加され
る図１０に示したクロックパルスΦ1 〜Φ4 の時刻ｔ1
〜ｔ6 に於ける電位ポテンシャル図を示したものであ
る。なお、第２の垂直電荷転送部７０３は、上述した本
発明の第１の実施例である図４の第２の垂直電荷転送部
２０３と同様の動作となる。
【００５１】まず、時刻ｔ1 の時、読み出しパルスＶT
により光電変換部７０１より第１の垂直電荷転送部７０
２に読み出された信号電荷９０１は、同図（ｂ）に示す
ように読み出しパルスＶT が印加されている第２の電荷
転送電極７０５ａ下に蓄積される。
【００５２】時刻ｔ2 の時、クロックパルスの印加電圧
変動による電位ポテンシャル変動に従い信号電荷９０１
は、同図（ｃ）に示すようにハイ電圧ＶH が印加されて
いる第２の電荷転送電極７０５ａと第１の電荷転送電極
７０４ｂ下に蓄積される。以下同様にして時刻ｔ3 の
時、信号電荷９０１は、ハイ電圧ＶH が印加されている
第１の電荷転送電極７０４ｂと第２の電荷転送電極７０
５ｂ下に移動し（同図（ｄ））、時刻ｔ4 の時には、第
２の電荷転送電極７０５ｂと第１の電荷転送電極７０４
ａ下に（同図（ｅ））、時刻ｔ5 の時には、第１の電荷
転送電極７０４ａと第２の電荷転送電極７０５ａ下に
（同図（ｆ））、時刻ｔ6 の時には、第２の電荷転送電
極７０５ａと第１の電荷転送電極７０４ｂ下に順次移動
する（同図（ｇ））。
【００５３】以降この動作を繰り返すことにより信号電
荷９０１は、垂直電荷転送部を転送されていく。
【００５４】尚、上述した本発明の実施例では、埋め込
み型の電荷転送装置について記述したが、表面型の電荷
転送装置においても、同様である。
【００５５】また、上述した本発明の実施例では、Ｐ型
半導体基板内に形成した埋め込み型の電荷転送装置につ
いて記述したが、Ｎ型半導体基板内に形成されたＰ型ウ
エル層内に形成した埋め込み型の電荷転送装置において
も同様である。
【００５６】
【発明の効果】本発明の固体撮像装置は、光電変換部の
両側に配置された第１および第２の垂直電荷転送部を有
しており、垂直方向の１個の光電変換部に対して、左右
どちらかに１段の垂直電荷転送部が対応して配置してい
るため、信号電荷を同時に転送でき、垂直電荷転送部を
形成する電荷転送電極の３層化が必要なくなり、工程数
が低減できるという効果がある。
【００５７】更に、本発明の第２の実施例の固体撮像装
置は、１電荷転送電極下に光電変換部からの信号読み出
し領域が形成されているため、本発明の第１の実施例の
固体撮像装置に比べて信号電荷の読み出しに必要なパル
ス数も減らせるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の固体撮像装置の平面概
念図である。
【図２】本発明の第１の実施例の固体撮像装置のセル部
の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の固体撮像装置のセル部
の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例の固体撮像装置の垂直電
荷転送部の駆動動作を説明するための図である。
【図５】本発明の第１の実施例の固体撮像装置の垂直電
荷転送部の電極に印加されるクロックパルス図である。
【図６】本発明の第２の実施例の固体撮像装置の平面図
である。
【図７】本発明の第２の実施例の固体撮像装置のセル部
の平面図である。。
【図８】本発明の第２の実施例の固体撮像装置のセル部
の断面図である。
【図９】本発明の第２の実施例の固体撮像装置の垂直電
荷転送部の駆動動作を説明するための図である。
【図１０】本発明の第２の実施例の固体撮像装置の垂直
電荷転送部の電極に印加されるクロックパルス図であ
る。
【図１１】従来のインターレース方式の固体撮像装置の
平面図である。
【図１２】従来のプログレッシブ方式の固体撮像装置の
平面図である。
【図１３】従来のプログレッシブ方式の固体撮像装置の
セル部の平面図である。
【図１４】従来のプログレッシブ方式の固体撮像装置の
セル部の断面図である。
【図１５】従来のプログレッシブ方式の固体撮像装置の
垂直電荷転送部の駆動動作を説明するための図である。
【図１６】従来のプログレッシブ方式の固体撮像装置の
垂直電荷転送部の電極に印加されるクロックパルス図で
ある。
【符号の説明】
101 …光電変換部 102a…第１の垂直電荷転送部 102b…第２の垂直電荷転送部 103 …水平電荷転送部 104 …出力回路部 201 …光電変換部 202 …第１の垂直電荷転送部 203 …第２の垂直電荷転送部 204 …第１の電荷転送電極 205 …第２の電荷転送電極 207 …信号読み出し部 301 …Ｐ型半導体基板 302 …Ｎ型半導体領域 303 …１層目の多結晶シリコン 304 …１層目の多結晶シリコン 306 …絶縁膜 307 …金属配線 401 …信号電荷 601 …光電変換部 602a…第１の垂直電荷転送部 602b…第２の垂直電荷転送部 603a…第１の水平電荷転送部 603b…第２の水平電荷転送部 604a…第１の出力回路部 604b…第２の出力回路部 701 …光電変換部 702 …第１の垂直電荷転送部 703 …第２の垂直電荷転送部 704 …第１の電荷転送電極 705 …第２の電荷転送電極 707 …信号読み出し部 801 …Ｐ型半導体基板 802 …Ｎ型半導体領域 803 …１層目の多結晶シリコン 804 …１層目の多結晶シリコン 806 …絶縁膜 807 …金属配線 901 …信号電荷 1101…光電変換部 1102…垂直電荷転送部 1103…水平電荷転送部 1104…出力回路部 1201…光電変換部 1202…垂直電荷転送部 1204…第１の電荷転送電極 1205…第２の電荷転送電極 1206…第３の電荷転送電極１２０７…信号読み出し部 1301…Ｐ型半導体基板 1302…Ｎ型半導体領域 1303…１層目の多結晶シリコン 1304…２層目の多結晶シリコン 1305…３層目の多結晶シリコン 1306…絶縁膜 1307…金属配線 1401…信号電荷

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２次元的に配置された光電変換部と、 前記光電変換部の両側に配置された第１および第２の垂
    直電荷転送部と、 前記第１および第２の垂直電荷転送部の一端に配置され
    た水平電荷転送部とを有することを特徴とする固体撮像
    装置。
  2. 【請求項２】 前記垂直電荷転送部は、４つの転送電極
    で繰り返し単位となる１段の垂直電荷転送部を構成し、
    前記１段の垂直電荷転送部は垂直方向に隣接する２つの
    光電変換部に対して前記１段の垂直電荷転送部が構成さ
    れていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装
    置。
  3. 【請求項３】 ２次元的に配置された光電変換部と、 前記光電変換部の両側に配置された第１および第２の垂
    直電荷転送部と、 前記第１の垂直電荷転送部の一端に配置された第１の水
    平電荷転送部と、前記第１の水平電荷転送部と反対側の
    前記第２の垂直電荷転送部の一端に配置された第２の水
    平電荷転送部を有することを特徴とする固体撮像装置。
  4. 【請求項４】 前記垂直電荷転送部は、４つの電荷転送
    電極で繰り返し単位となる１段の垂直電荷転送部を構成
    し、前記１段の垂直電荷転送部は垂直方向に隣接する２
    つの光電変換部に対して前記１段の垂直電荷転送部が構
    成されていることを特徴とする請求項３に記載の固体撮
    像装置。
  5. 【請求項５】 前記垂直電荷転送部を構成する４つの電
    荷転送電極の隣接した２つの電荷転送電極順序が、光電
    変換部を挟んで反転して形成されていることを特徴とす
    る請求項４に記載の固体撮像装置。
  6. 【請求項６】 前記垂直電荷転送部を構成する４つの電
    荷転送電極の任意の１電荷転送電極下に光電変換部から
    の信号読み出し領域が形成されていることを特徴とする
    請求項５に記載の固体撮像装置。
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