JPS62277761A - 固体イメ−ジセンサ− - Google Patents
固体イメ−ジセンサ−Info
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- JPS62277761A JPS62277761A JP61120182A JP12018286A JPS62277761A JP S62277761 A JPS62277761 A JP S62277761A JP 61120182 A JP61120182 A JP 61120182A JP 12018286 A JP12018286 A JP 12018286A JP S62277761 A JPS62277761 A JP S62277761A
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Links
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野１
本発明は固体イメージセンナに関し、更に特定りれば、
１シヨツトで１フイールドの静止画像を２録する電子カ
メラにとって好適に改良された■Ｌ Ｔ （Ｉｎｔｅｒ
Ｌｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）方式の固体イメージセ
ンサに関する。
１シヨツトで１フイールドの静止画像を２録する電子カ
メラにとって好適に改良された■Ｌ Ｔ （Ｉｎｔｅｒ
Ｌｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）方式の固体イメージセ
ンサに関する。
［従来技術］
従来のＩＬＴ方式の固体イメージセンサは、第２図に図
示したとおり、相互に分離した複数の光電変換素子を形
成する受光エレメント１と、垂直方向の画素１列に１本
ずつ配列した！Ｉ！直転送ＣＣＤ２及び図示しない水平
転送ＣＯＤとを備えており、各垂直転送Ｃ０Ｄ２は１画
素に対して水平方向に沿った２本のポリシリコン電極３
，４を配置した構成から成っている。
示したとおり、相互に分離した複数の光電変換素子を形
成する受光エレメント１と、垂直方向の画素１列に１本
ずつ配列した！Ｉ！直転送ＣＣＤ２及び図示しない水平
転送ＣＯＤとを備えており、各垂直転送Ｃ０Ｄ２は１画
素に対して水平方向に沿った２本のポリシリコン電極３
，４を配置した構成から成っている。
このＩＬＴ方式のイメージセンナは、外部駆動方法によ
りフレーム蓄積又はフィールド蓄積して、各画素の信号
電荷を垂直方向に１つおき又は２つずつ加輝した形で転
送ゲート５を通しで垂直転送ＣＣＬ）へ移し、読出して
いる。
りフレーム蓄積又はフィールド蓄積して、各画素の信号
電荷を垂直方向に１つおき又は２つずつ加輝した形で転
送ゲート５を通しで垂直転送ＣＣＬ）へ移し、読出して
いる。
処で、１シヨツトによる１フイールドの静止画像を小径
の磁気ディスクに約５０枚記録する電子カメラでは、こ
のカメラに適用される固体イメージセン脅すはフィール
ド蓄積できる構成であれば良い。
の磁気ディスクに約５０枚記録する電子カメラでは、こ
のカメラに適用される固体イメージセン脅すはフィール
ド蓄積できる構成であれば良い。
［発明が解決しようどする問題点］
しかしながら、従来素子は、フレーム蓄積による駆動制
御も可能に設けられており、特にフレーム蓄積では前述
したとおり、偶数フィールド及び奇数フィールド毎に垂
直方向の画素を１つおきに読出すため、垂直方向に隣接
する各画素間は必ず分離されかつ各光電変換素子毎に転
送ゲートを右していなければならず、その分だけ素子パ
ターンを複雑にしていた。
御も可能に設けられており、特にフレーム蓄積では前述
したとおり、偶数フィールド及び奇数フィールド毎に垂
直方向の画素を１つおきに読出すため、垂直方向に隣接
する各画素間は必ず分離されかつ各光電変換素子毎に転
送ゲートを右していなければならず、その分だけ素子パ
ターンを複雑にしていた。
本発明の目的は、上記事情に基づいて行われたもので、
フィード囮影する例えば電子カメラに専用に用いられて
、残像がなく鮮明画像が得られると共に、！７３ｎ上の
バラツキも少ない固体イメージセンサを提供することに
ある。
フィード囮影する例えば電子カメラに専用に用いられて
、残像がなく鮮明画像が得られると共に、！７３ｎ上の
バラツキも少ない固体イメージセンサを提供することに
ある。
Ｅ問題点を解決するための手段及び作用］すなわら、本
発明の上記目的は、２次元に配列された光電変換素子の
信号を垂直転送ＣＯＤ及び水平転送ＣＯＤを用いて順次
読出すインクライン転送形の固体イメージセンサに於て
、垂直方向に隣接する２つの光電変換素子を１組として
各列が水平方向に沿って素子間分離され、かつ前記２つ
の光電変換素子は１つの共通な転送ゲートを有したこと
を特徴とする固体イメージセンサにより達成される。
発明の上記目的は、２次元に配列された光電変換素子の
信号を垂直転送ＣＯＤ及び水平転送ＣＯＤを用いて順次
読出すインクライン転送形の固体イメージセンサに於て
、垂直方向に隣接する２つの光電変換素子を１組として
各列が水平方向に沿って素子間分離され、かつ前記２つ
の光電変換素子は１つの共通な転送ゲートを有したこと
を特徴とする固体イメージセンサにより達成される。
このように設けることにより、垂直方向に２つずつの光
電変換素子の信号電荷が予め加算した形で１つの転送ゲ
ートから一斉に垂直転送ＣＯＤへ転送されて、１フイ一
ルド画が読出される。
電変換素子の信号電荷が予め加算した形で１つの転送ゲ
ートから一斉に垂直転送ＣＯＤへ転送されて、１フイ一
ルド画が読出される。
［実施例１
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の固体イメージセンサの１実施例を説
明する要部表面図である。
明する要部表面図である。
本発明の固体イメージセンナは、概略構成が従 ゛
来周知のインタライン転送ＣＣＤによって設けられてい
る。このインタライン転送ＣＯＤは、２次元に配列され
た光電変換素子であるフォトダイオードで形成される受
光エレメント１０と、該受光エレメント１０の縦１列毎
に並設された！］！直転送ＣＣＤ１１と、該垂直転送Ｃ
ＯＤの出力端に水平方向に沿って配列された図示しない
１木の水平転送ＣＣＤとを備えている。
来周知のインタライン転送ＣＣＤによって設けられてい
る。このインタライン転送ＣＯＤは、２次元に配列され
た光電変換素子であるフォトダイオードで形成される受
光エレメント１０と、該受光エレメント１０の縦１列毎
に並設された！］！直転送ＣＣＤ１１と、該垂直転送Ｃ
ＯＤの出力端に水平方向に沿って配列された図示しない
１木の水平転送ＣＣＤとを備えている。
前記垂直転送ＣＣＤ １１は受光エレメント毎に対応さ
せて垂直方向に並べられた転送エレメント群から成り、
相互の動作でもって信号電荷を水平転送ＣＯＤへ転送す
る機能を有する所謂自己走査型のシフトレジスタで形成
され、かつその表面は遮光されている。
せて垂直方向に並べられた転送エレメント群から成り、
相互の動作でもって信号電荷を水平転送ＣＯＤへ転送す
る機能を有する所謂自己走査型のシフトレジスタで形成
され、かつその表面は遮光されている。
図に於て、斜線で示した部分がシリコン基板に形成され
たブ１１ンネルストツパ１２であり、ヂ１７ンネルスｌ
−ツバ１２で囲まれた部分に受光エレメント１０及び垂
直転送ＣＣＤ １１が形成されている。前記チャンネル
スＩ−ツバ１２は、垂直方向に隣接する２つの受光エレ
メント１０を１組とし、かつ該受光エレメントの組が水
平方向に沿って並設されるように囲んでいる。
たブ１１ンネルストツパ１２であり、ヂ１７ンネルスｌ
−ツバ１２で囲まれた部分に受光エレメント１０及び垂
直転送ＣＣＤ １１が形成されている。前記チャンネル
スＩ−ツバ１２は、垂直方向に隣接する２つの受光エレ
メント１０を１組とし、かつ該受光エレメントの組が水
平方向に沿って並設されるように囲んでいる。
垂直転送ＣＣＤ１１は、水平方向に相互に分離して延設
されたポリシリコン配線よりなる複数の転送電極１３〜
１６が形成され、これらの転送電極１３へ・１６により
垂直転送ＣＧＤＩＩに形成される個々のチャンネル部分
が転送エレメント１１ａに相当する。
されたポリシリコン配線よりなる複数の転送電極１３〜
１６が形成され、これらの転送電極１３へ・１６により
垂直転送ＣＧＤＩＩに形成される個々のチャンネル部分
が転送エレメント１１ａに相当する。
転送電極１３〜１６は各受光エレメント１０に対し２本
配線されかつ受光エレメント１０の表面を覆わないよう
にするため凹部が形成されている。
配線されかつ受光エレメント１０の表面を覆わないよう
にするため凹部が形成されている。
前記チャンネルストツパ１２によって囲まれた垂直方向
の２つの受光エレメント１０と垂直転送ＣＣＤ１ｌとを
仕切るチャンネルストツバ１２の一部分には、前記２つ
の受光エレメント１０に発生するイハ号゛市荷の垂直転
送ＣＣＤ １１への移動を制御する１つの転送ゲート１
１が形成されている。
の２つの受光エレメント１０と垂直転送ＣＣＤ１ｌとを
仕切るチャンネルストツバ１２の一部分には、前記２つ
の受光エレメント１０に発生するイハ号゛市荷の垂直転
送ＣＣＤ １１への移動を制御する１つの転送ゲート１
１が形成されている。
即ら、転送ゲート１１はチ１７ンネルス１〜ツバ１２に
より囲まれた２つの受光エレメント１０に対して共通に
設けられており、前記２つの受光エレメント上に配設さ
れた４本の転送電極１３〜１６のうち、内側２木の電極
下の略全面にわたって形成されている。従って、この転
送ゲート１７のヂ１１ンネル幅Ｗは従来素子における２
つの受光エレメントのそれぞれのチャンネル幅の和より
も大きり設（）られている。
より囲まれた２つの受光エレメント１０に対して共通に
設けられており、前記２つの受光エレメント上に配設さ
れた４本の転送電極１３〜１６のうち、内側２木の電極
下の略全面にわたって形成されている。従って、この転
送ゲート１７のヂ１１ンネル幅Ｗは従来素子における２
つの受光エレメントのそれぞれのチャンネル幅の和より
も大きり設（）られている。
なお、前記転送電極１３〜１６及び転送ゲート１７は図
示しない駆動制御部により制御され、−前記転送？ｔｉ
極は４相駆動される。
示しない駆動制御部により制御され、−前記転送？ｔｉ
極は４相駆動される。
かかる構成の固体イメージセンサが適用された電子カメ
ラは、シャッタ操作により被写体の光学像が囮影レンズ
を介して結像されると、光の強弱に対応して、おのおの
のフォトダイオードに電荷か誘起、蓄積されて電荷像が
形成される。各フォトダイオードの信号蓄積を ７６０
秒、すなわち１フイ一ルド期間蓄積したのら、信号電荷
は垂直ブランキング期間の１部で全画素いっせいに垂直
転送ＣＧ Ｄ １１へ転送される。この際、垂直方向に
隣接した２つの受光エレメントの信Ｐ３電向は合算した
形て１つの転送ゲート１１から読出される。転送ゲート
を閉じた後、電荷は順次下方に転送され、水平転送ＣＯ
Ｄを通して出力端で１フイ一ルド画として読出され、磁
気記ａ媒体に記録される。
ラは、シャッタ操作により被写体の光学像が囮影レンズ
を介して結像されると、光の強弱に対応して、おのおの
のフォトダイオードに電荷か誘起、蓄積されて電荷像が
形成される。各フォトダイオードの信号蓄積を ７６０
秒、すなわち１フイ一ルド期間蓄積したのら、信号電荷
は垂直ブランキング期間の１部で全画素いっせいに垂直
転送ＣＧ Ｄ １１へ転送される。この際、垂直方向に
隣接した２つの受光エレメントの信Ｐ３電向は合算した
形て１つの転送ゲート１１から読出される。転送ゲート
を閉じた後、電荷は順次下方に転送され、水平転送ＣＯ
Ｄを通して出力端で１フイ一ルド画として読出され、磁
気記ａ媒体に記録される。
［発明の効果］
以上記載したとおり、本発明の固体イメージセンサによ
れば、フィールド信号のみを出力する構成として、垂直
方向の２画素を１組としたことにより、このペア間の素
子分離を不要にした分だけパターンがＢ素化できる。ま
た、転送ゲートも分離しないで１つにしたことにより、
転送ゲー１−のチャンネル幅が太き（とれ、従ってコン
ダクタンスを高くして残像の発生が低減できた。また、
画素間の素子分離及び転送ゲートの共通化によるパター
ンの簡素化は製造上の加工バラツキを抑制できる。
れば、フィールド信号のみを出力する構成として、垂直
方向の２画素を１組としたことにより、このペア間の素
子分離を不要にした分だけパターンがＢ素化できる。ま
た、転送ゲートも分離しないで１つにしたことにより、
転送ゲー１−のチャンネル幅が太き（とれ、従ってコン
ダクタンスを高くして残像の発生が低減できた。また、
画素間の素子分離及び転送ゲートの共通化によるパター
ンの簡素化は製造上の加工バラツキを抑制できる。
第１図は、本発明の１実施例を説明づる要部表面図、第
２図は従来のインタライン形ＣＯＤを説明する部分表面
図である。 １．１０・・・受光エレメント ２．１１・・・垂直転送Ｃ０Ｄ １３、１４．１５．１６・・・転送電極５．１１・・・
転送ゲート 代 理 人 弁理士 （８１０７）４ｔｉ々木 清
隆（ほか２名） 第 １ 図 第 ２ 図
２図は従来のインタライン形ＣＯＤを説明する部分表面
図である。 １．１０・・・受光エレメント ２．１１・・・垂直転送Ｃ０Ｄ １３、１４．１５．１６・・・転送電極５．１１・・・
転送ゲート 代 理 人 弁理士 （８１０７）４ｔｉ々木 清
隆（ほか２名） 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- ２次元に配列された光電変換素子の信号を垂直転送ＣＣ
Ｄ及び水平転送ＣＣＤを用いて順次読出すインタライン
転送形の固体イメージセンサに於て、垂直方向に隣接す
る２つの光電変換素子を１組として各列が水平方向に沿
つて素子間分離され、かつ前記２つの光電変換素子は１
つの共通な転送ゲートを有したことを特徴とする固体イ
メージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61120182A JPS62277761A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 固体イメ−ジセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61120182A JPS62277761A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 固体イメ−ジセンサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277761A true JPS62277761A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14779944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61120182A Pending JPS62277761A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 固体イメ−ジセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62277761A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6160580A (en) * | 1996-09-25 | 2000-12-12 | Nec Corporation | CCD image sensor having two-layered electrode structure |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61120182A patent/JPS62277761A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6160580A (en) * | 1996-09-25 | 2000-12-12 | Nec Corporation | CCD image sensor having two-layered electrode structure |
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