JPH04262679A - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子の駆動方法Info
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- JPH04262679A JPH04262679A JP3044262A JP4426291A JPH04262679A JP H04262679 A JPH04262679 A JP H04262679A JP 3044262 A JP3044262 A JP 3044262A JP 4426291 A JP4426291 A JP 4426291A JP H04262679 A JPH04262679 A JP H04262679A
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- JP
- Japan
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- transferred
- hccd
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- electric charge
- charges
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/441—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading contiguous pixels from selected rows or columns of the array, e.g. interlaced scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子の駆動方
法に関し、特に完全フレーム読み出し型固体撮像素子の
駆動方法に関する。
法に関し、特に完全フレーム読み出し型固体撮像素子の
駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤイメージセンサは、家庭用、産業
用および放送用ＶＴＲカメラの撮像素子として用いられ
る外、電子スチルカメラへの応用も行われている。ビデ
オカメラ用に開発されたインターライン転送ＣＣＤ撮像
素子は、通常、フレーム蓄積読み出しまたはフィールド
蓄積読み出し方式によりインターレース動作を行いうる
ように設計されている。しかし、電子スチルカメラにお
いては、インターレース動作の１フィールド映像信号で
は垂直解像度が１／２に低下するので、全画素の電荷を
同時に読み出し独立に転送できるように、１画素に１転
送段を割り当てる構成となっている。
用および放送用ＶＴＲカメラの撮像素子として用いられ
る外、電子スチルカメラへの応用も行われている。ビデ
オカメラ用に開発されたインターライン転送ＣＣＤ撮像
素子は、通常、フレーム蓄積読み出しまたはフィールド
蓄積読み出し方式によりインターレース動作を行いうる
ように設計されている。しかし、電子スチルカメラにお
いては、インターレース動作の１フィールド映像信号で
は垂直解像度が１／２に低下するので、全画素の電荷を
同時に読み出し独立に転送できるように、１画素に１転
送段を割り当てる構成となっている。
【０００３】図４は完全フレーム読み出し型固体撮像素
子のブロック図である。同図において、１はフォトダイ
オード（以下、ＰＤ記す）、２は３相駆動方式の垂直Ｃ
ＣＤレジスタ（以下、ＶＣＣＤと記す）、３はＰＤ１で
光電変換された電荷をＶＣＣＤ２へ読み出すためのトラ
ンスファゲート、４はＶＣＣＤ２から転送されてきた電
荷を水平方向に転送するための水平ＣＣＤレジスタ（以
下、ＨＣＣＤと記す）、５は電荷を電圧信号に変換する
出力部、６は不要電荷を吸い取るためのオーバーフロー
ドレインである。そして、この撮像素子はフォトダイオ
ード領域内の過剰電荷をフォトダイオード領域直下の基
板に吸い取る縦型オーバーフロードレイン構造のものと
することができる。
子のブロック図である。同図において、１はフォトダイ
オード（以下、ＰＤ記す）、２は３相駆動方式の垂直Ｃ
ＣＤレジスタ（以下、ＶＣＣＤと記す）、３はＰＤ１で
光電変換された電荷をＶＣＣＤ２へ読み出すためのトラ
ンスファゲート、４はＶＣＣＤ２から転送されてきた電
荷を水平方向に転送するための水平ＣＣＤレジスタ（以
下、ＨＣＣＤと記す）、５は電荷を電圧信号に変換する
出力部、６は不要電荷を吸い取るためのオーバーフロー
ドレインである。そして、この撮像素子はフォトダイオ
ード領域内の過剰電荷をフォトダイオード領域直下の基
板に吸い取る縦型オーバーフロードレイン構造のものと
することができる。
【０００４】図５は完全フレーム読み出しをするための
ＶＣＣＤ２の詳細図である。同図において、Ｖ１、Ｖ２
、Ｖ３は垂直転送電極（以下、単にＶ１、Ｖ２、Ｖ３と
記す）、Ｈ２は水平転送電極（以下、単にＨ２と記す）
である。同図に示されるように、このＶＣＣＤでは１画
素当たり１転送段が割り当てられており、そして１転送
段は３転送電極によって構成されている、
ＶＣＣＤ２の詳細図である。同図において、Ｖ１、Ｖ２
、Ｖ３は垂直転送電極（以下、単にＶ１、Ｖ２、Ｖ３と
記す）、Ｈ２は水平転送電極（以下、単にＨ２と記す）
である。同図に示されるように、このＶＣＣＤでは１画
素当たり１転送段が割り当てられており、そして１転送
段は３転送電極によって構成されている、
【０００５】
図６はこの固体撮像素子の従来の駆動方法を説明するた
めのタイミングチャートである。垂直ブランキング期間
（以下、ＶＢＬＫと記す）にすべてのＰＤに蓄えられて
いた信号電荷は読み出しパルス（以下、ＴＧパルスと記
す）により、図５に示されるように、ＶＣＣＤへ同時に
読み出される。読み出された電荷は水平ブランキング期
間（以下、ＨＢＬＫと記す）にラインシフトパルスＡに
よって１ラインずつＨＣＣＤへ並列転送される。ＶＣＣ
Ｄより１ライン分の電荷を受け取ったＨＣＣＤはこれを
出力部へ順次転送する。
図６はこの固体撮像素子の従来の駆動方法を説明するた
めのタイミングチャートである。垂直ブランキング期間
（以下、ＶＢＬＫと記す）にすべてのＰＤに蓄えられて
いた信号電荷は読み出しパルス（以下、ＴＧパルスと記
す）により、図５に示されるように、ＶＣＣＤへ同時に
読み出される。読み出された電荷は水平ブランキング期
間（以下、ＨＢＬＫと記す）にラインシフトパルスＡに
よって１ラインずつＨＣＣＤへ並列転送される。ＶＣＣ
Ｄより１ライン分の電荷を受け取ったＨＣＣＤはこれを
出力部へ順次転送する。
【０００６】図７にラインシフトパルスＡの詳細なタイ
ミングチャートを、また、図８に図７の各タイミング時
の電荷の流れを示す。ＴＧパルスにより読み出された電
荷は、図８の時刻ａにおいて、Ｖ２下に形成されるポテ
ンシャルウェル内に蓄積される。この電荷は時刻ｂでＶ
３下にポテンシャルウェルが形成されることにより、Ｖ
２、Ｖ３下に蓄積され、時刻ｃにおいてＶ２下のポテン
シャルウェルが消滅すると、Ｖ３下に転送される。
ミングチャートを、また、図８に図７の各タイミング時
の電荷の流れを示す。ＴＧパルスにより読み出された電
荷は、図８の時刻ａにおいて、Ｖ２下に形成されるポテ
ンシャルウェル内に蓄積される。この電荷は時刻ｂでＶ
３下にポテンシャルウェルが形成されることにより、Ｖ
２、Ｖ３下に蓄積され、時刻ｃにおいてＶ２下のポテン
シャルウェルが消滅すると、Ｖ３下に転送される。
【０００７】さらに、時刻ｄにおいて、Ｖ３、Ｖ１下に
移動し、時刻ｅにおいてＶ１下に転送される。続いて、
時刻ｆにおいて、Ｖ２にポテンシャルウェルが形成され
て電荷はＶ１、Ｖ２下に移され、時刻ｇにおいてＶ２下
に転送されてここに１段転送が完了する。第８図に示さ
れるように、１段転送が完了すると最終段にある電荷Ｑ
Ｎ はＨ２下に転送されＨＣＣＤにより出力部へ転送さ
れる。
移動し、時刻ｅにおいてＶ１下に転送される。続いて、
時刻ｆにおいて、Ｖ２にポテンシャルウェルが形成され
て電荷はＶ１、Ｖ２下に移され、時刻ｇにおいてＶ２下
に転送されてここに１段転送が完了する。第８図に示さ
れるように、１段転送が完了すると最終段にある電荷Ｑ
Ｎ はＨ２下に転送されＨＣＣＤにより出力部へ転送さ
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の固体撮
像素子の駆動方法では、垂直に隣接するＰＤの信号電荷
を加算することができず、フィールド蓄積を行なうこと
ができないため、この固体撮像素子は、ＶＴＲカメラ用
として使用することができず、用途が静止画のみのスチ
ルカメラ用に限定されてしまうという不都合があった。
像素子の駆動方法では、垂直に隣接するＰＤの信号電荷
を加算することができず、フィールド蓄積を行なうこと
ができないため、この固体撮像素子は、ＶＴＲカメラ用
として使用することができず、用途が静止画のみのスチ
ルカメラ用に限定されてしまうという不都合があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子の
駆動方法は、水平方向および垂直方向にマトリックス状
に配列された複数の受光部と、前記受光部から信号電荷
の転送を受けこれを垂直方向に転送する複数列の垂直Ｃ
ＣＤレジスタと、前記垂直ＣＣＤレジスタの一端に配置
され該垂直ＣＣＤレジスタから信号電荷の転送を受けこ
れを出力部へ向けて転送する水平ＣＣＤレジスタとを具
備する固体撮像素子の駆動方法に係るものであって、す
べての受光部から信号電荷を同時にかつ独立して前記垂
直ＣＣＤレジスタに読み出し、１水平ブランキング期間
内に垂直ＣＣＤレジスタ内の信号電荷を２垂直転送段分
転送することを特徴とするものである。
駆動方法は、水平方向および垂直方向にマトリックス状
に配列された複数の受光部と、前記受光部から信号電荷
の転送を受けこれを垂直方向に転送する複数列の垂直Ｃ
ＣＤレジスタと、前記垂直ＣＣＤレジスタの一端に配置
され該垂直ＣＣＤレジスタから信号電荷の転送を受けこ
れを出力部へ向けて転送する水平ＣＣＤレジスタとを具
備する固体撮像素子の駆動方法に係るものであって、す
べての受光部から信号電荷を同時にかつ独立して前記垂
直ＣＣＤレジスタに読み出し、１水平ブランキング期間
内に垂直ＣＣＤレジスタ内の信号電荷を２垂直転送段分
転送することを特徴とするものである。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例を説明するための
タイミングチャートであり、図２は図１におけるライン
シフトパルスＢの詳細なタイミングチャートである。
て説明する。図１は本発明の一実施例を説明するための
タイミングチャートであり、図２は図１におけるライン
シフトパルスＢの詳細なタイミングチャートである。
【００１１】図３は図２のタイミングにおける電荷の流
れを示す図である。時刻ａからｇまでは図８と同様であ
って、時刻ｇでは１段転送が完了した状態となっており
、電荷ＱＮ がＨ２下のポテンシャルウェルに蓄えられ
ている。
れを示す図である。時刻ａからｇまでは図８と同様であ
って、時刻ｇでは１段転送が完了した状態となっており
、電荷ＱＮ がＨ２下のポテンシャルウェルに蓄えられ
ている。
【００１２】時刻ｈにおいて、Ｖ３下にポテンシャルウ
ェルが形成され、Ｖ２、Ｖ３下に電荷が蓄えられ、時刻
ｉに電荷ＱはＶ３下に転送される。時刻ｊにおいて、Ｖ
３、Ｖ１下に電荷は蓄えられ、時刻ｋにおいてＶ１下に
転送される。時刻ｌにはＶ２下にポテンシャルウェルが
形成されて電荷はＶ１、Ｖ２下に蓄えられる。この時Ｈ
２下の電荷ＱＮ と電荷ＱＮ＋１ が加算される。時刻
ｍにおいて、Ｖ１下のポテンシャルウェルが消滅するこ
とにより電荷はＶ２下に転送され、ここに２段目の転送
が完了する。
ェルが形成され、Ｖ２、Ｖ３下に電荷が蓄えられ、時刻
ｉに電荷ＱはＶ３下に転送される。時刻ｊにおいて、Ｖ
３、Ｖ１下に電荷は蓄えられ、時刻ｋにおいてＶ１下に
転送される。時刻ｌにはＶ２下にポテンシャルウェルが
形成されて電荷はＶ１、Ｖ２下に蓄えられる。この時Ｈ
２下の電荷ＱＮ と電荷ＱＮ＋１ が加算される。時刻
ｍにおいて、Ｖ１下のポテンシャルウェルが消滅するこ
とにより電荷はＶ２下に転送され、ここに２段目の転送
が完了する。
【００１３】すなわち、ラインシフトパルスＢにより、
１ＨＢＬＫ期間内にＶＣＣＤにおいては電荷は２段転送
され、ＨＣＣＤにおいて隣接するフォトダイオードの電
荷が加算されるのである。
１ＨＢＬＫ期間内にＶＣＣＤにおいては電荷は２段転送
され、ＨＣＣＤにおいて隣接するフォトダイオードの電
荷が加算されるのである。
【００１４】次に、図１を参照して、本実施例のフィー
ルド蓄積読み出し方式について説明する。図１の（Ａ）
に示すタイミングチャートは、第２フィールド時のもの
である。映像に影響にない垂直ブランキング期間内にＴ
Ｇパルスにより電荷はＰＤから一斉にＶＣＣＤに読み出
される。次に、ラインシフトパルスＢにより、ＶＣＣＤ
内の電荷は順次ＨＣＣＤへ転送され、ＨＣＣＤにおいて
隣接する２つのＰＤ（図５に示される例ではＰＤ１とＰ
Ｄ２）の電荷が加算される。加算された電荷はＨＣＣＤ
により出力部へ転送され、電圧信号に変換された後テレ
ビジョンレートで出力される。
ルド蓄積読み出し方式について説明する。図１の（Ａ）
に示すタイミングチャートは、第２フィールド時のもの
である。映像に影響にない垂直ブランキング期間内にＴ
Ｇパルスにより電荷はＰＤから一斉にＶＣＣＤに読み出
される。次に、ラインシフトパルスＢにより、ＶＣＣＤ
内の電荷は順次ＨＣＣＤへ転送され、ＨＣＣＤにおいて
隣接する２つのＰＤ（図５に示される例ではＰＤ１とＰ
Ｄ２）の電荷が加算される。加算された電荷はＨＣＣＤ
により出力部へ転送され、電圧信号に変換された後テレ
ビジョンレートで出力される。
【００１５】図１の（Ｂ）は、第１フィールド時のＶ系
タイミングチャートである。第１フィールドにおいてＴ
Ｇパルスにより読み出された電荷は、ラインシフトパル
スＡにより１転送段転送される。その結果、ＨＣＣＤに
最も近いＰＤ（図５の例ではＰＤ１）の電荷はＨＣＣＤ
へ送り込まれ、ＨＣＣＤにより出力部へ転送される。次
に、残余のＶＣＣＤ内の電荷はラインシフトパルスＢに
より順次ＨＣＣＤへ転送され、ここで隣接する２つのＰ
Ｄ（図５の例ではＰＤ２とＰＤ３）の電荷が加算される
。加算された電荷は出力部へ転送され、信号出力として
テレビジョンレートで出力される。
タイミングチャートである。第１フィールドにおいてＴ
Ｇパルスにより読み出された電荷は、ラインシフトパル
スＡにより１転送段転送される。その結果、ＨＣＣＤに
最も近いＰＤ（図５の例ではＰＤ１）の電荷はＨＣＣＤ
へ送り込まれ、ＨＣＣＤにより出力部へ転送される。次
に、残余のＶＣＣＤ内の電荷はラインシフトパルスＢに
より順次ＨＣＣＤへ転送され、ここで隣接する２つのＰ
Ｄ（図５の例ではＰＤ２とＰＤ３）の電荷が加算される
。加算された電荷は出力部へ転送され、信号出力として
テレビジョンレートで出力される。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、１水平
ブランキング期間内にＶＣＣＤ内の電荷を２転送段分転
送してＨＣＣＤで隣接するフォトダイオードの電荷を加
算するものであるので、本発明によれば、完全フレーム
読み出し型固体撮像素子のフィールド蓄積読み出しが可
能となる。したがって、本発明によれば、フレーム読み
出し型固体撮像素子をスチルカメラ用のみならず、ビデ
オカメラ用としても使用することができるようになり、
固体撮像素子の用途を拡大することができる。
ブランキング期間内にＶＣＣＤ内の電荷を２転送段分転
送してＨＣＣＤで隣接するフォトダイオードの電荷を加
算するものであるので、本発明によれば、完全フレーム
読み出し型固体撮像素子のフィールド蓄積読み出しが可
能となる。したがって、本発明によれば、フレーム読み
出し型固体撮像素子をスチルカメラ用のみならず、ビデ
オカメラ用としても使用することができるようになり、
固体撮像素子の用途を拡大することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのタイミング
チャート。
チャート。
【図２】図１の部分詳細図。
【図３】図２に示されるタイミングでの電荷転送状態図
。
。
【図４】完全フレーム読み出し型固体撮像素子の平面図
。
。
【図５】図４の部分詳細図。
【図６】従来例を説明するためのタイミングチャート。
【図７】図６の部分詳細図。
【図８】図７に示されるタイミングでの電荷転送状態図
。
。
Claims (1)
- 【請求項１】 水平方向および垂直方向にマトリック
ス状に配列された複数の受光部と、前記受光部から信号
電荷の転送を受けこれを垂直方向に転送する複数列の垂
直ＣＣＤレジスタと、前記垂直ＣＣＤレジスタの一端に
配置され該垂直ＣＣＤレジスタから信号電荷の転送を受
けこれを出力部へ向けて転送する水平ＣＣＤレジスタと
を具備する固体撮像素子の駆動方法であって、すべての
受光部から信号電荷を同時にかつ独立して前記垂直ＣＣ
Ｄレジスタに読み出し、１水平ブランキング期間内に垂
直ＣＣＤレジスタ内の信号電荷を２垂直転送段分転送す
ることを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3044262A JPH04262679A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 固体撮像素子の駆動方法 |
| US07/828,165 US5239380A (en) | 1991-02-15 | 1992-01-30 | Method of driving a solid-state imaging device by two-step signal charge vertical transfer in one horizontal blanking period |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3044262A JPH04262679A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04262679A true JPH04262679A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12686601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3044262A Pending JPH04262679A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5239380A (ja) |
| JP (1) | JPH04262679A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6211507B1 (en) | 1997-10-15 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Signal charge transferring method in image sensor in which clock signal phase is switched |
| KR20010060310A (ko) * | 1999-11-12 | 2001-07-06 | 가네꼬 히사시 | 고체촬상장치 및 그 구동방법 |
| US6355949B1 (en) | 1998-12-10 | 2002-03-12 | Nec Corporation | Solid state imaging apparatus with horizontal charge transfer register which can transfer signal charge faster |
| US6744466B1 (en) | 1998-03-12 | 2004-06-01 | Nec Electronics Corporation | Method of driving solid-state image sensor |
| JP2006352422A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | エリアイメージセンサの駆動方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0759099A (ja) * | 1992-12-23 | 1995-03-03 | Loral Fairchild Corp | 高解像度モノクローム全フレームｃｃｄ撮像装置を用いた電子カラー写真撮影方法及び装置 |
| JP3088591B2 (ja) * | 1993-06-17 | 2000-09-18 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置および駆動方法 |
| US5786852A (en) * | 1994-06-20 | 1998-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pick-up apparatus having an image sensing device including a photoelectric conversion part and a vertical transfer part |
| JP3492029B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2004-02-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JPH0965269A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Olympus Optical Co Ltd | 撮影装置 |
| JPH09298693A (ja) * | 1996-05-08 | 1997-11-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子スチルカメラの記録制御方法 |
| JPH10136244A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Olympus Optical Co Ltd | 電子的撮像装置 |
| US6452634B1 (en) * | 1996-12-26 | 2002-09-17 | Sony Corporation | Charge transfer device and method of driving the same, and solid state imaging device and method of driving the same |
| JP4305970B2 (ja) * | 1998-06-05 | 2009-07-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法 |
| AU2222701A (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor energy sensor |
| JP2002320143A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Olympus Optical Co Ltd | 撮像装置 |
| US7701498B2 (en) * | 2002-12-20 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Solid-state image pickup device, drive method therefor and camera |
| JP5474020B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2014-04-16 | 富士フイルム株式会社 | 撮影装置、撮影プログラム、及び撮影方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0642723B2 (ja) * | 1984-11-13 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子の駆動方法 |
| JPS61179679A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電荷転送型固体撮像装置 |
| US4959723A (en) * | 1987-11-06 | 1990-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus having multi-phase scanning pulse to read out accumulated signal |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP3044262A patent/JPH04262679A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-30 US US07/828,165 patent/US5239380A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6744466B1 (en) | 1998-03-12 | 2004-06-01 | Nec Electronics Corporation | Method of driving solid-state image sensor |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5239380A (en) | 1993-08-24 |
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