JPH0262170A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0262170A JPH0262170A JP63213023A JP21302388A JPH0262170A JP H0262170 A JPH0262170 A JP H0262170A JP 63213023 A JP63213023 A JP 63213023A JP 21302388 A JP21302388 A JP 21302388A JP H0262170 A JPH0262170 A JP H0262170A
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- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、固体撮像装置に関し、特に不要電荷を掃き出
すための掃き出し用垂直シフトレジスタを備え、電子シ
ャッタ動作に適した構造になされた固体撮像装置に関す
る。
すための掃き出し用垂直シフトレジスタを備え、電子シ
ャッタ動作に適した構造になされた固体撮像装置に関す
る。
［従来の技術］
従来のこの種の固体撮像装置は、第５図に示すように、
フォトダイオード（以下、ＰＤと略す）１１、垂直シフ
トレジスタ（以下、ＶＣＣＤと略す）１４、水平シフト
レジスタ（以下、ＨＣＣＤと略す）１５およびドレイン
１２により構成されており、通常モードで撮像するとき
は、第６図（ａ）に示すように、フォトダイオード１１
による光電変換領域で光電変換し、蓄積された信号電荷
は、垂直ブランキング期間毎にＶＣＣＤ Ｉ４に読み出
され、１フイ一ルド期間を通じてＶＣＣＤ内の電荷は、
ＨＣＣＤへ１水平周期毎に転送され、ＨＣＣＤの電荷は
１水平周期内に転送され、テレビジョンレートで出力さ
れる０例えばＮＴＳＣ方式の場合、蓄積時間は１／６０
秒となり、この蓄積時間で蓄積された電荷量で像を構築
するため、速く動くものを撮った場合、画像がぼけると
いう欠点があった。
フォトダイオード（以下、ＰＤと略す）１１、垂直シフ
トレジスタ（以下、ＶＣＣＤと略す）１４、水平シフト
レジスタ（以下、ＨＣＣＤと略す）１５およびドレイン
１２により構成されており、通常モードで撮像するとき
は、第６図（ａ）に示すように、フォトダイオード１１
による光電変換領域で光電変換し、蓄積された信号電荷
は、垂直ブランキング期間毎にＶＣＣＤ Ｉ４に読み出
され、１フイ一ルド期間を通じてＶＣＣＤ内の電荷は、
ＨＣＣＤへ１水平周期毎に転送され、ＨＣＣＤの電荷は
１水平周期内に転送され、テレビジョンレートで出力さ
れる０例えばＮＴＳＣ方式の場合、蓄積時間は１／６０
秒となり、この蓄積時間で蓄積された電荷量で像を構築
するため、速く動くものを撮った場合、画像がぼけると
いう欠点があった。
この欠点を改善するため、蓄積期間を短くする電子シャ
ッタ動作が実用化されている。この電子シャッタの動作
は、第６図（ｂ）に示すように垂直ブランキング期間に
ゲートに２回ＰＤ読み出しパルスを印加し、その間に、
高速垂直転送パルスを加えて最初のＰＤ読み出しパルス
で読み出された不要蓄積電荷をＶＣＣＤ １４を介して
電荷転送し、ドレイン１２に掃き出す。第１回目のＰＤ
Ｉみ出しパルス印加後にＰＤＩＩに蓄積された電荷が２
回目のＰＤ読み出しパルスで読み出され出力される。こ
の期間が電子シャッタ時間となり、例えば１／１０００
秒のシャッタ時間の場合、不要電荷蓄積時間は、有効蓄
積時間より約１６倍長くなりブルーミング制御で決定す
るＰＤｌｌの飽和レベルまで電荷を蓄積することになる
。
ッタ動作が実用化されている。この電子シャッタの動作
は、第６図（ｂ）に示すように垂直ブランキング期間に
ゲートに２回ＰＤ読み出しパルスを印加し、その間に、
高速垂直転送パルスを加えて最初のＰＤ読み出しパルス
で読み出された不要蓄積電荷をＶＣＣＤ １４を介して
電荷転送し、ドレイン１２に掃き出す。第１回目のＰＤ
Ｉみ出しパルス印加後にＰＤＩＩに蓄積された電荷が２
回目のＰＤ読み出しパルスで読み出され出力される。こ
の期間が電子シャッタ時間となり、例えば１／１０００
秒のシャッタ時間の場合、不要電荷蓄積時間は、有効蓄
積時間より約１６倍長くなりブルーミング制御で決定す
るＰＤｌｌの飽和レベルまで電荷を蓄積することになる
。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の固体撮像装置は、電子シャッタ動作時に
は、ＶＣＣＤを介して不要蓄積電荷をドレインに掃き出
すものであるが、その掃き出し期間が、画像に影響の無
い垂直ブランキング期間に限られるため、電子シャッタ
を使用した場合、通常の垂直転送周波数より高い周波数
で高速転送する必要がある。しかし、２層あるいは３層
のポリシリコンで形成されるＶＣＣＤ電極は、比較的大
きな抵抗と静電容量を有するため、このような高い周波
数で駆動すると、素子内部での波形のなまり、および遅
延により最大転送電荷量が大幅に減少する。特に画面中
央部では通常転送時の１／２乃至１／３程度まで減少し
、掃き出し残りとなって、飽和信号レベルの白い妨害画
像を生じることになる。これを避けるために、掃き出し
転送回数を垂直レジスタの段数より多くとり掃き出し残
りを減少させているが、垂直ブランキング期間の制限に
よって、十分な転送回数は得られない。そのため高輝度
被写体が画面内に入った場合、ＰＤｌｌには飽和レベル
の電荷が蓄積され、この電荷の転送を受けたＶＣＣＤは
、これを完全には掃き出すことができず、ここに掃き出
しのこりが生じることになる。
は、ＶＣＣＤを介して不要蓄積電荷をドレインに掃き出
すものであるが、その掃き出し期間が、画像に影響の無
い垂直ブランキング期間に限られるため、電子シャッタ
を使用した場合、通常の垂直転送周波数より高い周波数
で高速転送する必要がある。しかし、２層あるいは３層
のポリシリコンで形成されるＶＣＣＤ電極は、比較的大
きな抵抗と静電容量を有するため、このような高い周波
数で駆動すると、素子内部での波形のなまり、および遅
延により最大転送電荷量が大幅に減少する。特に画面中
央部では通常転送時の１／２乃至１／３程度まで減少し
、掃き出し残りとなって、飽和信号レベルの白い妨害画
像を生じることになる。これを避けるために、掃き出し
転送回数を垂直レジスタの段数より多くとり掃き出し残
りを減少させているが、垂直ブランキング期間の制限に
よって、十分な転送回数は得られない。そのため高輝度
被写体が画面内に入った場合、ＰＤｌｌには飽和レベル
の電荷が蓄積され、この電荷の転送を受けたＶＣＣＤは
、これを完全には掃き出すことができず、ここに掃き出
しのこりが生じることになる。
［問題点を解決するための手段］
本発明の固体撮像装置は、水平および垂直方向に配列さ
れた複数の受゛光部と該受光部の垂直方向の列に沿って
設けられ、該受光部からの電荷を受け取りこれを転送す
る複数の垂直シフトレジスタと、該複数の垂直シフトレ
ジスタからの電荷を並列に受け取り、これを出力部へ転
送する水平シフトレジスタとを具備しており、そして、
更に、前記受光部の垂直方向の列に沿って、前記受光部
からの電荷を受け取りこれを転送する複数の掃き出し用
垂直シフトレジスタが設けられ、かつ、該掃き出し用垂
直シフトレジスタの後段には、掃き出し用ドレインが設
けられているものである。
れた複数の受゛光部と該受光部の垂直方向の列に沿って
設けられ、該受光部からの電荷を受け取りこれを転送す
る複数の垂直シフトレジスタと、該複数の垂直シフトレ
ジスタからの電荷を並列に受け取り、これを出力部へ転
送する水平シフトレジスタとを具備しており、そして、
更に、前記受光部の垂直方向の列に沿って、前記受光部
からの電荷を受け取りこれを転送する複数の掃き出し用
垂直シフトレジスタが設けられ、かつ、該掃き出し用垂
直シフトレジスタの後段には、掃き出し用ドレインが設
けられているものである。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例を示す平面図であって、本
実施例においては、複数列にＰＤｌｌが配置され、ＰＤ
の各列の両側には、ＶＣＣＤ Ｉ ４と掃き出し用ＶＣ
ＣＤ １３とが配置され、ＰＤｌｌと各垂直シフトレジ
スタ間には、それぞれ、ＰＤｌｌ内に蓄積された電荷を
読み出すためのトランスファゲート１６．１７が設けら
れている。そして、掃き出し用ＶＣＣＤ １３へ読み出
された不要な電荷は、トレイン１２へ掃き出され、また
ＶＣＣＤ １４へ読み出された電荷は、従来例で行われ
ていたのと同様に、不要な電荷はドレイン１２へ高速転
送され、必要な信号電荷はＨＣＣＤへ転送される。
実施例においては、複数列にＰＤｌｌが配置され、ＰＤ
の各列の両側には、ＶＣＣＤ Ｉ ４と掃き出し用ＶＣ
ＣＤ １３とが配置され、ＰＤｌｌと各垂直シフトレジ
スタ間には、それぞれ、ＰＤｌｌ内に蓄積された電荷を
読み出すためのトランスファゲート１６．１７が設けら
れている。そして、掃き出し用ＶＣＣＤ １３へ読み出
された不要な電荷は、トレイン１２へ掃き出され、また
ＶＣＣＤ １４へ読み出された電荷は、従来例で行われ
ていたのと同様に、不要な電荷はドレイン１２へ高速転
送され、必要な信号電荷はＨＣＣＤへ転送される。
この撮像装置は、次のように駆動される。
■通常動作時
第６図（ａ）に示した従来例の場合と同様に、垂直ブラ
ンキング期間内に読み出しパルスを印加して、それまで
にＰＤｌｌに蓄積してあった電荷をＶＣＣＤ電極へ読み
出し、これをＨＣＣＤ １５へ転送する。この通常動作
時には掃き出し用ＶＣＣＤ１３は使用しない。
ンキング期間内に読み出しパルスを印加して、それまで
にＰＤｌｌに蓄積してあった電荷をＶＣＣＤ電極へ読み
出し、これをＨＣＣＤ １５へ転送する。この通常動作
時には掃き出し用ＶＣＣＤ１３は使用しない。
■掃き出し用ＶＣＣＤ １３使用時
ＰＤＩＩに蓄積した光電変換キャリアを、適当な時期に
トランスファゲート１７を用いて掃き出し用ＶＣＣＤ
１３へ読み出す、その後、ＰＤＩＩで蓄積した信号電荷
は、垂直ブランキング期間内にトランスファゲート１６
を用いてＶＣＣＤ１４へ読み出す９両方のＶＣＣＤに読
み出された電荷は、同じ周波数のパルスを用いて、一方
は、ドレイン１２へ、他方はＨＣＣＤＩ ５へ転送され
る。
トランスファゲート１７を用いて掃き出し用ＶＣＣＤ
１３へ読み出す、その後、ＰＤＩＩで蓄積した信号電荷
は、垂直ブランキング期間内にトランスファゲート１６
を用いてＶＣＣＤ１４へ読み出す９両方のＶＣＣＤに読
み出された電荷は、同じ周波数のパルスを用いて、一方
は、ドレイン１２へ、他方はＨＣＣＤＩ ５へ転送され
る。
この場合、シャッタ時間は１／６０秒以下の任意の時間
に設定できる。
に設定できる。
■掃き出し用ＶＣＣＤとＶＣＣＤの高速掃き出し動作と
の併用 第２図（ｂ）に示すように、まず、トランスファゲート
１７に読み出しパルスを印加して、不要な蓄積電荷を掃
き出し用ＶＣＣＤへ読み出す。その後、第２図（ａ）に
示すように、時間ｔｏ経過後に、トランスファゲート１
６に読み出しパルスを印加して、時間１ｏの期間にＰＤ
ｌｌに蓄積された電荷を、ＶＣＣＤＩ４へ読み出し、こ
れを高速転送してドレイン１２へ掃き出す、トランスフ
ァゲート１６に１番目の読み出しパルスを印加した後、
電子シャッタ時間１＋ （例えば、１／１０００秒）
経過後に、２番目の読み出しパルスを印加して、必要な
信号電荷をＶＣＣＤ１４へ読み出す。
の併用 第２図（ｂ）に示すように、まず、トランスファゲート
１７に読み出しパルスを印加して、不要な蓄積電荷を掃
き出し用ＶＣＣＤへ読み出す。その後、第２図（ａ）に
示すように、時間ｔｏ経過後に、トランスファゲート１
６に読み出しパルスを印加して、時間１ｏの期間にＰＤ
ｌｌに蓄積された電荷を、ＶＣＣＤＩ４へ読み出し、こ
れを高速転送してドレイン１２へ掃き出す、トランスフ
ァゲート１６に１番目の読み出しパルスを印加した後、
電子シャッタ時間１＋ （例えば、１／１０００秒）
経過後に、２番目の読み出しパルスを印加して、必要な
信号電荷をＶＣＣＤ１４へ読み出す。
その後、先の■の場合と同様に、不要な電荷は、ドレイ
ン１２へ、必要とする信号電荷は、ＨＣＣＤＩ５へ転送
される。この例においては、ＶＣＣＤ１４へ読み出され
た不要電荷は、高速転送されるが、転送すべき電荷が少
量であって、高速転送可能な範囲内の量であるので、Ｖ
ＣＣＤ１４は、不要な電荷を完全にドレインへ婦き出す
ことができる。
ン１２へ、必要とする信号電荷は、ＨＣＣＤＩ５へ転送
される。この例においては、ＶＣＣＤ１４へ読み出され
た不要電荷は、高速転送されるが、転送すべき電荷が少
量であって、高速転送可能な範囲内の量であるので、Ｖ
ＣＣＤ１４は、不要な電荷を完全にドレインへ婦き出す
ことができる。
次に、第３図を参照して本発明の他の実施例を説明する
。この実施例においては、掃き出し用ＶＣＣＤ １３も
ＶＣＣＤ １４とも同一方向に電荷を転送する。そして
、両方のＶＣＣＤは、ともに電荷をＨＣＣＤ １５へ送
り込む。この場合に、掃き出し用ＶＣＣＤ １３とＶＣ
ＣＤ１４とは交互に電荷をＨＣＣＤＩ５へ送り込むよう
にして、不要な電荷がＨＣＣＤ １５へ送り込まれた場
合には、トランスファゲート１８を操作して、この電荷
をドレイン１２へ掃き出す。
。この実施例においては、掃き出し用ＶＣＣＤ １３も
ＶＣＣＤ １４とも同一方向に電荷を転送する。そして
、両方のＶＣＣＤは、ともに電荷をＨＣＣＤ １５へ送
り込む。この場合に、掃き出し用ＶＣＣＤ １３とＶＣ
ＣＤ１４とは交互に電荷をＨＣＣＤＩ５へ送り込むよう
にして、不要な電荷がＨＣＣＤ １５へ送り込まれた場
合には、トランスファゲート１８を操作して、この電荷
をドレイン１２へ掃き出す。
この実施例の変更例として、両方のＶＣＣＤＩ３．１４
の電荷を並列にＨＣＣＤに送り込み、ＨＣＣＤの出力部
において、不要電荷と信号電荷とを弁別するようにして
もよい。
の電荷を並列にＨＣＣＤに送り込み、ＨＣＣＤの出力部
において、不要電荷と信号電荷とを弁別するようにして
もよい。
第４図は、更に、他の実施例を示すものであって、この
実施例では、ＶＣＣＤ１４と掃き出し用ＶＣＣＤ１３と
がトランスファーゲート（図示なし）を介して隣り合う
、この例においては、不要の電荷を−ＨＶＣＣＤ１４へ
読み出し、これを図示しないトランスファーゲートに転
送パルスを印加することにより、掃き出し用ＶＣＣＤ１
３へ転送する。
実施例では、ＶＣＣＤ１４と掃き出し用ＶＣＣＤ１３と
がトランスファーゲート（図示なし）を介して隣り合う
、この例においては、不要の電荷を−ＨＶＣＣＤ１４へ
読み出し、これを図示しないトランスファーゲートに転
送パルスを印加することにより、掃き出し用ＶＣＣＤ１
３へ転送する。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、電子シャッタ動作時にお
いて不要蓄積電荷を掃き出し用ＶＣＣＤに読み出し、こ
のＶＣＣＤを介して不要蓄積電荷をドレイン部に掃き出
すものであるから、本発明によれば、従来の装置で問題
となった掃き出し残りを完全に無くすことができ、鮮明
な画像を得ることができる。
いて不要蓄積電荷を掃き出し用ＶＣＣＤに読み出し、こ
のＶＣＣＤを介して不要蓄積電荷をドレイン部に掃き出
すものであるから、本発明によれば、従来の装置で問題
となった掃き出し残りを完全に無くすことができ、鮮明
な画像を得ることができる。
第１図、第３図および第４図は、それぞれ本発明の実施
例を示す平面図、第２図は、第１図の装置の駆動パルス
波形図、第５図は、従来例の平面図、第６図は、従来例
装置の駆動パルス波形図である。 １１・・・フォトダイオード、 １２・・・ドレイン
、１３・・・掃き出し用垂直シフトレジスタ、 １４
・・垂直シフトレジスタ、 １５・・・水平シフｌ−レ
ジスタ、 １６．１７．１８・・・トランスファゲート
。
例を示す平面図、第２図は、第１図の装置の駆動パルス
波形図、第５図は、従来例の平面図、第６図は、従来例
装置の駆動パルス波形図である。 １１・・・フォトダイオード、 １２・・・ドレイン
、１３・・・掃き出し用垂直シフトレジスタ、 １４
・・垂直シフトレジスタ、 １５・・・水平シフｌ−レ
ジスタ、 １６．１７．１８・・・トランスファゲート
。
Claims (1)
- 水平および垂直方向に配列された複数の受光部と、該
受光部の垂直方向の列に沿って設けられ、該受光部から
の電荷を受け取りこれを転送する複数の垂直シフトレジ
スタと、該複数の垂直シフトレジスタからの電荷を並列
に受け取り、これを出力部へ転送する水平シフトレジス
タとを具備する固体撮像装置において、前記受光部の垂
直方向の列に沿って、前記受光部からの電荷を受け取り
、これを転送する複数の掃き出し用垂直シフトレジスタ
が設けられ、かつ、該掃き出し用垂直シフトレジスタの
後段には掃き出し用ドレインが設けられていることを特
徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213023A JPH0262170A (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | 固体撮像装置 |
| US07/398,618 US5043818A (en) | 1988-08-27 | 1989-08-25 | Imaging period controllable solid-stage image pickup device comprising a drain shift register |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213023A JPH0262170A (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262170A true JPH0262170A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16632230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63213023A Pending JPH0262170A (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5043818A (ja) |
| JP (1) | JPH0262170A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7375750B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-05-20 | Fujifilm Corporation | Solid-state image capturing device, smear charge removing method and digital still camera using the same |
| US7704775B2 (en) | 2005-06-27 | 2010-04-27 | Fujifilm Corporation | CCD type solid-state imaging apparatus and manufacturing method for the same |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3044779B2 (ja) * | 1990-11-14 | 2000-05-22 | ソニー株式会社 | リニアセンサの駆動方法 |
| KR930009132A (ko) * | 1991-10-04 | 1993-05-22 | 김광호 | 고체 촬영 소자 |
| GB2262010B (en) * | 1991-11-27 | 1996-01-17 | Eev Ltd | Charge - coupled device |
| US6368214B1 (en) * | 1997-05-31 | 2002-04-09 | Sierra Design Group | Method and device for playing a keno game in which a player is charged for performing game playing actions |
| JP4740781B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| US8987788B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-03-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Metal-strapped CCD image sensors |
| US9749565B2 (en) * | 2015-05-18 | 2017-08-29 | Analog Devices, Inc. | Interline charge-coupled devices |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839386B2 (ja) * | 1978-02-22 | 1983-08-30 | 株式会社東芝 | 電荷転送形イメ−ジセンサ |
| JPS6033345B2 (ja) * | 1979-06-08 | 1985-08-02 | 日本電気株式会社 | 電荷転送撮像装置とその駆動方法 |
| JPS57104377A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image pickup device |
| JPS5928772A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-15 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JPS63256068A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-24 | Fuji Electric Co Ltd | Ｃｃｄ型固体撮像素子を用いた撮像方法 |
-
1988
- 1988-08-27 JP JP63213023A patent/JPH0262170A/ja active Pending
-
1989
- 1989-08-25 US US07/398,618 patent/US5043818A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7375750B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-05-20 | Fujifilm Corporation | Solid-state image capturing device, smear charge removing method and digital still camera using the same |
| US7995122B2 (en) | 2001-12-28 | 2011-08-09 | Fujifilm Corporation | Solid-state image capturing device, smear charge removing method and digital still camera using the same |
| US7704775B2 (en) | 2005-06-27 | 2010-04-27 | Fujifilm Corporation | CCD type solid-state imaging apparatus and manufacturing method for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5043818A (en) | 1991-08-27 |
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