JPS6252988B2

JPS6252988B2 -

Info

Publication number: JPS6252988B2
Application number: JP54083455A
Authority: JP
Inventors: Naryuki Ochi
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1979-07-03
Filing date: 1979-07-03
Publication date: 1987-11-09
Also published as: JPS568966A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、CCD（Charge Coupled Device：
電荷結合素子）やBBD（Bucket Brigade
Device：電荷転送素子）等をイメージセンサと
して用いた固体撮像装置に関する。

従来より例えばCCD撮像装置としては、用い
られるCCDの構造により大別されるフレーム・
トランスフア型とインタライントランスフア型の
二種類のものが提案されている。

フレーム・トランスフア型CCD撮像装置は、
第１図に原理的な構造を示すように、各々一絵素
に対応する複数の受光素子１ａをマトリクス状に
配列して成る受光部１と、この受光部１にて得ら
れる信号電荷を一時記憶する複数の蓄積素子２ａ
をマトリクス状に配列して成る蓄積部２と、この
蓄積部２から信号電荷を一水平ライン毎に読出す
水平転送レジスタ部３とを備えたCCDをイメー
ジセンサとして用いている。上記受光部１は、第
２図Ａおよび第２図Ｂに示すような２相クロツク
信号φ_S1，φ_S2が供給されており、一フイールド
期間1F中の第１のクロツク信号φ_S1が順バイア
スされている期間Ｔ_a2では該受光部１を形成して
いる半導体表面がアキユームレーシヨン状態にな
つているので、撮像光の照射によつて発生する電
子・正孔対が再結合し、CCD電極下に蓄積され
ず、不活性状態を維持し、上記第１のクロツク信
号φ_S1が高電位状態となつている期間Ｔ_a3中に撮
像光に応じて発生する電子がCCD電極下に蓄積
される。このようにして得られる信号電荷は、次
の垂直転送期間Ｔ_a1中に受光部１から蓄積部２に
転送される。上記蓄積部２は、第２図Ｃおよび第
２図Ｄに示すような２相クロツク信号φ_M1，φ_M2
が供給されており、この２相クロツク信号φ_M1，
φ_M2によつて、上記信号電荷を一水平走査期間
1H毎に一水平ライン分ずつ水平転送レジスタ部
３に転送する。上記水平転送レジスタ部３に入つ
た信号電荷は、第３図Ｂ、および第３図Ｃに示す
ような２相の水平転送クロツク信号φ_H1，φ_H2に
より水平転送され、１絵素分ずつ読出される。な
お、第３図Ａは、上記蓄積部２に供給されている
第２のクロツク信号φ_M2を示している。

上述の如きフレーム・トランスフア型CCD撮
像装置では、受光部１における受光蓄積時間すな
わち期間Ｔ_a3によつて電子シヤツタ時間が決まる
ので、一フイールド期間1F中の不活性期間Ｔ_a2を
長くして、その分だけ受光蓄積時間（期間Ｔ_a3）
を短くすることによつてシヤツタスピードを速く
することができる。

しかし、上記受光部１には信号電荷の垂直転送
期間Ｔ_a1中にも撮像光を照射され続けているの
で、この光による垂直方向のスメア
（Smearing：垂直輝線）が発生し、スメアによつ
て画質が劣化されてしまう。上記画質の劣化は、
シヤツタスピードを速くする（期間Ｔ_a3を短くす
る）程、信号対スメア比が小さくなつて著しくな
る。

また、インターライン・トランスフア型CCD
撮像装置は、第４図に原理的な構造を示すよう
に、各絵素に対応してマトリクス状に配列された
複数の受光部１１と、この受光部１１の一側にト
ランスフア・ゲート１２を介して設けられた各垂
直転送レジスタ部１３と、上記受光部１１の他側
にオーバーフロー・コントロール・ゲート１４を
介して設けられた各オーバーフロー・ドレイン１
５と、上記垂直転送レジスタ部１３の終端側に設
けられた水平転送レジスタ部１６とを備えて成る
CCDをイメージセンサとして用いている。上記
受光部１１には、一フイールド期間1Fの最終側
に受光蓄積期間Ｔ_b3を有する第５図Ａに示すよう
なクロツク信号φ_Sが供給され、オーバーフロ
ー・コントロール・ゲート１４には第５図Ｂに示
すようなゲートクロツク信号φ_0FCが供給されて
いる。上記受光蓄積期間Ｔ_b3中は、クロツク信号
φ_Sが高位電位状態となつており、受光部１１に
おいて撮像光の照射量に応じた電荷を蓄積する。
このとき、ゲートクロツク信号φ_0FCは、低電位
状態となつており、上記受光部１１における蓄積
電荷がオーバーフローするまでオーバーフロー・
ドレイン１５に捨てられないように、オーバーフ
ロー・コントロール・ゲート１４を閉成せしめて
いる。また、不活性期間Ｔ_b2中は、クロツク信号
φ_Sが低電位状態でゲートクロツク信号φ_0FCが高
電位状態となつており、撮像光の照射により受光
部１１に発生される電荷がオーバーフロー・ドレ
イン１５に全て捨てられるように、オーバーフロ
ー・コントロール・ゲート１４を開成せしめてあ
る。上記受光部１１にて得られる信号電荷（蓄積
電荷）は、第５図Ｃに示すようなゲートクロツク
信号φ_TGで、一フイールド期間1F毎に期間Ｔ_b1だ
けトランスフア・ゲート１２が開成されることに
よつて、垂直転送レジスタ部１３に読出される。
このようにして、一フイールド期間1F毎に受光
部１１から垂直転送レジスタ部１３に読出される
信号電荷は、第５図Ｄおよび第５図Ｅに示すよう
な２相の垂直転送クロツク信号φ_V1，φ_V2に従つ
て、１水平走査期間1H毎に１水平ライン分ずつ
垂直転送され、水平転送レジスタ部１６に読出さ
れる。上記水平転送レジスタ部１６に入つた信号
電荷は、第６図Ｂおよび第６図Ｃに示すような２
相の水平転送クロツク信号φ_H1，φ_H2により水平
転送され、一絵素分ずつCCD外に読出される。
なお、第６図Ａは、上記垂直転送クロツク信号φ
_V2を示している。

上述の如きインターライン・トランスフア型
CCD撮像装置においては、電子シヤツタ時間を
受光蓄積期間Ｔ_b3によつて決めることができ、不
活性期間Ｔ_b2を長くし、その分受光蓄積期間Ｔ_b1
を短くすればシヤツタスピードが速くなる。とこ
ろで、受光部１１を通じて入射した光は波長の長
い光ほどバルク表面から奥深く入りバルク中に電
荷を発生させ、この電荷がバルク中を横方向にも
拡散するので、信号電荷の垂直転送中に上記電荷
が垂直転送レジスタ部１３に漏れ込んで垂直方向
のスメアが発生し、このスメアによつて画質が劣
化されてしまう。上記画質の劣化は、シヤツタス
ピードを速くする（受光蓄積期間Ｔ_b3を短くす
る）程信号対スメア比が小さくなつて、著しくな
る。

通常、動きを伴う被写体像を撮像する場合に
は、画質のブレを軽減させて解像度を向上するた
めにシヤツタスピードを速くする必要がある。し
かし、上述の如く従来の固体撮像装置において
は、シヤツタスピードを速くするとスメアによる
画質の劣化を生じてしまうので、シヤツタスピー
ドを速くすることができない。

そこで、本発明は、上述の如き従来例における
問題点に鑑み、水平及び垂直方向にマトリクス状
に配された複数の受光部と、該受光部からの電荷
を垂直方向に転送する複数列の電荷転送装置から
なる第一の垂直シフトレジスタ群と、該垂直シフ
トレジスタ群の各々の一端に電気的に結合される
第二の垂直シフトレジスタ群からなる記憶部と、
上記第二の垂直シフトレジスタの他の一端に電気
的に結合される電荷転送型の水平シフトレジスタ
とよりなり、一垂直周期の可変制御可能なタイミ
ングまでに上記受光部で発生した電荷を所定のド
レイン部に掃き出すとともに、上記のタイミング
以降上記受光部に発生した電荷を上記第一の垂直
シフトレジスタに読出し上記第一の垂直シフトレ
ジスタから上記第二の垂直シフトレジスタに高速
転送し、上記第二の垂直シフトレジスタより一水
平期間周期で電荷を上記水平シフトレジスタへ転
送して読み出すようになし、制御可能な電子的シ
ヤツタ機能を有するようにしたことを特徴とする
ことによつてスメアによる画質の劣化を防止し
て、シヤツタスピードを速くしても画質の良好な
撮像出力信号を得られる固体撮像装置を提供する
ものである。

以下、本発明について、一実施例を示す図面に
従つて詳細に説明する。

本発明に係る固体撮像装置の一実施例につい
て、その原理的な構造を第７図および第８図に示
す。

この実施例においては、第７図に示すように、
各絵素に対応してマトリクス状に配列された受光
部２１、一垂直ライン毎の受光部２１の各一側に
各々トランスフア・ゲート２２を介して設けられ
た垂直転送レジスタ部２３、上記一垂直ライン毎
の受光部２１の各他側に各々オーバーフロー・コ
ントロール・ゲート２４を介して設けられたオー
バーフロー・ドレイン２５、信号電荷を読出すた
めの水平転送レジスタ部２７、上記垂直転送レジ
スタ部２３と、水平転送レジスタ部２７との間に
一垂直ライン毎に設けられた記憶部２６および各
垂直ライン間等を分離するためのチヤンネルスト
ツパ２８とを備えて成るCCDがイメージセンサ
として用いられる。上記受光部２１以外の各部分
は、第８図に斜線を施して示すように全て遮光が
施されている。

撮像光の照射によつて上記受光部２１に発生さ
れる電荷は、オーバーフロー・コントロール・ゲ
ート２４が低電位状（以下、論理「０」とい
う。）のゲートクロツク信号φ_0FCによつて閉じら
れているときに、該受光部２１に高電位状態（以
下、論理「１」という。）のクロツク信号φ_Sが供
給されていると、オーバーフローするまで該受光
部２１のポテンシヤルウエルに蓄積される。ま
た、論理「１」なる上記ゲートクロツク信号φ_0F
_Ｃによつて上記オーバーフロー・コントロール・
ゲート２４が開かれ、且つ論理「０」なるクロツ
ク信号φ_Sが上記受光部２１に供給されていると
きには、上記撮像光による発生電荷はオーバーフ
ロー・ドレイン２５に全て捨てられる。この実施
例では、上記受光部２１には、第９図Ａに示すよ
うに、一フイールド期間1Fの最終側の期間（以
下、受光蓄積期間という。）Ｔ_Cだけ一フイールド
期間1F毎に論理「１」となるようなクロツク信
号φ_Sが供給されている。また、上記オーバーフ
ロー・コントロール・ゲート２４には、第９図Ｂ
に示すように、上記期間Ｔ_Cおよび次の一フイー
ルド期間の最初の所定期間（以下、読出期間とい
う。）Ｔ_Rに亘る期間Ｔ_Oだけ一フイールド期間1F
毎に論理「０」となるようなゲートクロツク信号
φ_0FCが供給されている。

上記一フイールド期間1F中の受光蓄積期間Ｔ_C
に受光部２１に蓄積された信号電荷は、第９図Ｃ
に示すように、上記読出期間Ｔ_R中に論理「１」
となるようなゲートクロツク信号φ_TGでトランス
フアー・ゲート２２を開くことによつて、上記受
光部２１から垂直転送レジスタ部２３に一フイー
ルド周期1F毎に読出される。上記垂直転送レジ
スタ部２３への信号電荷の読出しは、第９図Ｄに
示すように論理「１」なる第１の垂直転送クロツ
ク信号φ_V1が該垂直転送レジスタ部２３に供給さ
れた状態で、且つ論理「０」なるクロツク信号φ
_Sが上記受光部２１に供給されているときに、上
記トランスフア・ゲート２２が開かれることによ
つて、該第１の垂直転送クロツク信号φ_V1による
ポテンシヤルウエルに信号電荷が転送されること
によつて行われる。上記第１の垂直転送クロツク
信号φ_V1は、上記読出期間に続く期間（以下、垂
直転送期間という。）Ｔ_V中に高速な繰返し周期Ｔ
_fをもつて一垂直ラインの絵素数に対応した数だ
け論理「０」と論理「１」とを繰返すようになつ
ている。また、上記垂直転送レジスタ部２３に
は、第９図Ｅに示すように上記第１の垂直転送ク
ロツク信号φ_V1と逆相の第２の垂直転送クロツク
信号φ_V2が供給されている。さらに、上記記憶部
２６には、上記第２の垂直転送クロツク信号φ_V2
に対して360゜の位相差を有する信号に一水平走
査期間1H毎の信号を重畳したような第９図Ｆに
示す如き第３の垂直転送クロツク信号φ_M1および
該第３の垂直転送クロツク信号φ_M1と逆相の第９
図Ｇに示す如き第４の垂直転送クロツク信号φ_M2
が供給されている。

そして、上記読出期間Ｔ_R中に受光部２１から
垂直転送レジスタ部２３に読出された信号電荷
は、垂直転送期間Ｔ_V中に、上記垂直転送レジス
タ部２３が第１および第２の垂直転送クロツク信
号φ_V1，φ_V2によつて二相駆動されるとともに、
上記記憶部２６が第３および第４の垂直転送クロ
ツク信号φ_M1，φ_M2によつて二相駆動されること
によつて、該垂直転送レジスタ部２３から記憶部
２６に高速にて垂直転送され、全て該記憶部２６
に移される。ここで、上記記憶部２６は、受光部
２１の総数すなわち全絵素数に等しい記憶場所を
有している必要があるが、CCDにおける記憶内
容はその占有面積に略比例するので、受光部２１
や垂直転送レジスタ部２３により占められる面積
に比べて第７図に示すように小さな占有面積にて
形成することができる。

このようにして、上記記憶部２６に移された信
号電荷は、上記第３および第４の垂直転送クロツ
ク信号φ_M1，φ_M2によつて、一フイールド期間1F
中の読出期間Ｔ_Rおよび垂直転送期間Ｔ_Vを除いた
期間Ｔ_F中に、一水平走査期間1H毎に一水平ライ
ン分ずつ、水平転送レジスタ部２７に順次に読出
され、第１０図Ｂおよび第１０図Ｃに示すような
二相の水平転送クロツク信号φ_H1，φ_H2によつ
て、上記水平転送レジスタ部２７から一絵素分ず
つCCD外部に読出される。なお第１０図Ａは、
上記第４の垂直転送クロツク信号φ_M2を示してい
る。

上述の如き実施例においては、受光蓄積期間Ｔ
_Cによつて電子シヤツタ時間が決まるので、不活
性期間Ｔ_Aを長くして、その分だけ受光蓄積期間
Ｔ_Cを短くすればシヤツタスピードを速くするこ
とができる。

そして、垂直転送レジスタ部２３は遮光されて
いるので、従来のフレーム・トランスフア型
CCD撮像装置のような垂直転送期間Ｔ_V中の入射
光によるスメアが発生しない。また、受光部２１
からバルク中を横方向に拡散して電荷が垂直転送
レジスタ部２３に漏れ込む現象によるスメアも、
受光部２１から垂直転送レジスタ部２３に読出し
た信号電荷を高速にて記憶部２６に転送してしま
うので、従来のインターライン・トランスフア型
CCD撮像装置に比較して、著しく改善できる。

例えば、NTSC標準方式に準じたフイールドス
チルカメラを考えた場合、従来のフレーム・トラ
ンスフア型CCD撮像装置では、遮光の施されて
いない垂直転送レジスタ部を信号電荷を転送され
るので、高速シヤツタにして真の信号受光期間が
短くなる程、垂直転送中に入射している有害なス
メア成分の影響が大きくなる。垂直転送速度を無
限に速くすることができるならば、上記影響を無
視することが可能であるが、現実には、1.6M
Hz／bitすなわち最大160μｓ程度／250bitの不要
照射時間を除去することができない。また、従来
のインターライン・トランスフア型CCD撮像装
置では、NTSC標準方式によれば、約15.7KHz／
lineの垂直転送で読出されるので、最高16.7ｍ
ｓ／1fieldの間、信号電荷が垂直転送レジスタ部
に滞在し、この間に、受光部からの入射光で発生
した電荷がバルク中の横方向拡散により垂直転送
レジスタ部に漏れ込んでスメアとなる。このよう
な各従来例に対して、上述の実施例では、受光部
２１から垂直転送レジスタ部２３に読出された信
号電荷は一垂直転送を約1.6MHzすなわち167μ
ｓ／1feild程度の速度で十分に高速転送できるの
で、従来のインターライン型CCD撮像装置に比
較して約１／１００にスメアを改善することができる。

また、NTSC標準方式を無視して、できるだけ
高速に信号電荷を読出すようなカメラの場合、フ
レーム・トランスフア型CCD撮像装置ではスメ
アが非常に大きく実用化することができない。ま
た、インターライン・トランスフア型CCD撮像
装置では、水平のCCD転送速度を20MHz／bitと
すれば、水平転送段数が500bitだと一水平走査期
間が約25μｓとなり、250lineのCCDを有してい
れば、全垂直転送期間は6.25ｍｓとなつて、この
間にスメアの影響を被むることになる。これに対
して、上述の実施例を用いれば、水平のCCD転
送速度により垂直転送期間が影響を受けないの
で、167μｓ／1fieldで読出すと、スメアに関し
て上記インターライン・トランスフア型CCD撮
像装置と比較して約１／３８に改善できる。

さらに、CCD撮像装置からの出力側に設けら
れるアナログ・デジタル変換器や電磁変換系等を
考慮してCCD出力信号の取扱いを容易にするた
めCCDからの低速読出しを行う場合を考える
と、この場合にはCCDの暗電流が問題になるが
冷却手段を考慮して10sec／field程度を仮定し、
インターライン・トランスフア型CCD撮像装置
では信号電荷が垂直転送レジスタ部に10sec間滞
在していることになるので、この間にスメアの影
響を被る。しかし、上述の実施例を用いれば、約
167μｓ／1fieldの速度で信号電荷を記憶部に転
送してから約10sec間に読出せば良いので、上記
インターラインランスフア型CCD撮像装置に比
較してスメアを1/60000程度に著しく改善するこ
とができる。

なお、上述の実施例では、クロツク信号を論理
「０」にするとスメア電荷の蓄積されるポテンシ
ヤルウエルが無くなつてしまうような、転送電荷
が半導体表面を移動するSCCD（Surface CCD：
表面CCD）にて垂直転送レジスタ部２３を形成
する場合を仮定している。

クロツク信号を論理「０」にしても何らかのポ
テンシヤルウエルが残存し、それにスメア電荷が
蓄積されてしまうような、BCCCD（Buried
Channel CCD：埋込みチヤンネルCCD）にて上
記垂直転送レジスタ部２３を形成する場合には、
電子シヤツタを押す前に、常に垂直転送レジスタ
部２３から記憶部２６、記憶部２６から水平転送
レジスタ部２７へと空転送を行つて、スメア電荷
を掃き出してしまうようにすれば良い。また、こ
のようにすると、水平転送レジスタ部２７の速度
で全体のスメア掃き出し速度が制限されるので、
例えば、上述の実施例では、垂直転送レジスタ部
２３を４相駆動あるいは３相駆動にして正逆方向
転送可能にし、電子シヤツタを押す前に常に垂直
転送レジスタ部２３から記憶部２６へとは逆方に
空転送を行つてスメア電荷の掃き出しを行えば良
い。さらに、不活性期間Ｔ_A中に、垂直転送レジ
スタ部２３に漏れ込んだスメア電荷は、トランス
フア・ゲート２２を介して受光部２１に逆流さ
せ、さらに受光部２１からオーバーフロー・コン
トロール・ゲート２４を介してオーバーフロー・
ドレイン２５に捨てるようにすれば良い。

また、第１１図に示す実施例のように、上述の
第７図に示した実施例における垂直転送レジスタ
部２３とオーバフロー・ドレイン２５との間のチ
ヤンネルストツパ２８の代りに、第２のオーバー
フロー・コントロール・ゲート２４′を設けてる
ようにすれば、BCCCDで垂直転送レジスタ部２
３を形成するようにした場合に、受光蓄積期間Ｔ
_C中におけるスメア電荷を除去するようにもでき
る。なお、この実施例において、他の各構成要素
は上述の第７図に示した実施例と同様であるので
図面中に共通番号を附し、その詳細な説明を省略
する。また、この実施例においても、受光部２１
以外の各部分は、第１２図に斜線を施して示すよ
うに遮光が施こされている。

この実施例において、受光部２１、オーバーフ
ロー・コントロール・ゲート２４、トランスフ
ア・ゲート２２、垂直転送レジスタ部２３、記憶
部２６および水平転送レジスタ部２７には、上述
の実施例と同様なタイミングにて、第１３図Ａな
いし第１３図Ｇおよび第１４図Ａないし第１４図
Ｃに示すような、クロツク信号φ_S、各ゲートク
ロツク信号φ_0FC，φ_TG、各垂直転送クロツク信
号φ_V1，φ_V2，φ_M1，φ_M2および水平転送クロツ
ク信号φ_H1，φ_H2が供給されている。そして、上
記オーバーフロー・ドレイン２５と垂直転送レジ
スタ部２３との間に設けた第２のオーバーフロ
ー・コントロール・ゲート２４′には、第１３図
B′に示すように、不活性期間Ｔ_Aと受光蓄積期間
Ｔ_Cにに亘る期間Ｔ_S中に論理「１」となるような
ゲートクロツク信号φ_0FC′が供給されている。

すなわち、この実施例では、ゲートクロツク信
号φ_TGによりトランスフア・ゲート２２を開いて
受光部２１に蓄積されている信号電荷を垂直転送
レジスタ部２３に読出す読出期間Ｔ_Rおよび垂直
転送クロツク信号φ_V1，φ_V2，φ_M1，φ_M2により
上記信号電荷を垂直転送レジスタ部２３から記憶
部２６に転送する垂直転送期間Ｔ_Vを除く上記期
間Ｔ_S中に、第２のオーバーフロー・コントロー
ル・ゲート２４′が上記ゲートクロツク信号φ_0F
_Ｃ′によつて開成されているので、不活性期間Ｔ_A
および受光蓄積期間Ｔ_Cにおけるスメア電荷が垂
直転送レジスタ部２３から上記第２のオーバーフ
ロー・コントロール・ゲート２４′を介してオー
バーフロー・ドレイン２５に捨てられる。このよ
うな構成の実施例では、BCCCDにより垂直転送
レジスタ部２３を形成しても、スメアによる影響
を確実に除去することができる。

なお、上述の各実施例では本発明をCCD撮像
装置に適用したが、本発明は、BBD等をイメー
ジセンサとして用いるような他の固体撮像装置に
も適用することができる。

上述の各実施例の説明から明らかなように、本
発明によれば、受光部に蓄積された信号電荷を垂
直転送レジスタ部によつて高速転送して記憶部に
移すので、高速電子シヤツタにて撮像を行つても
スメアによる画質の劣化を著しく軽減することが
でき、所期の目的を十分に達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のフレーム・トランスフア型
CCD撮像装置の原理的な構造を示す模式的平面
図である。第２図および第３図はこの撮像装置の
動作を説明するための各タイムチヤートである。
第４図は従来のインターライン・トランスフア型
CCD撮像装置の原理的な構造を示す模式的平面
図である。第５図および第６図は、この撮像装置
の動作を説明するための各タイムチヤートであ
る。第７図は本発明をCCD撮像装置に適用した
場合の一実施例の原理的な構造を示す模式的平面
図である。第８図はこの実施例におけるCCDの
遮光状態を示す模式的平面図である。第９図およ
び第１０図は、この実施例の動作を説明するため
の各タイムチヤートである。第１１図は本発明の
他の実施例の原理的な構造を示す模式的平面図で
ある。第１２図はこの実施例におけるCCDの遮
光状態を示す模式的平面図である。第１３図およ
び第１４図は、この実施例の動作を説明するため
の各タイムチヤートである。２１…受光部、２２…トランスフア・ゲート、
２３…垂直転送レジスタ部、２４，２４′…オー
バーフロー・コントロール・ゲート、２５…オー
バーフロー・ドレイン、２６…記憶部、２７…水
平転送レジスタ部、２８…チヤンネルストツパ。

Claims

【特許請求の範囲】１水平及び垂直方向にマトリクス状に配された
複数の受光部と、該受光部からの電荷を垂直方向に転送する複数
列の電荷転送装置からなる第一の垂直シフトレジ
スタ群と、該垂直シフトレジスタ群の各々の一端に電気的
に結合される第二の垂直シフトレジスタ群からな
る記憶部と、上記第二の垂直シフトレジスタの他の一端に電
気的に結合される電荷転送型の水平シフトレジス
タとよりなり、一垂直周期の可変制御可能なタイミングまでに
上記受光部で発生した電荷を所定のドレイン部に
掃き出すとともに、上記のタイミング以降上記受
光部に発生した電荷を上記第一の垂直シフトレジ
スタに読出し上記第一の垂直シフトレジスタから
上記第二の垂直シフトレジスタへ高速転送し、上
記第二の垂直シフトレジスタより一水平期間周期
で電荷を上記水平シフトレジスタに転送して読み
出すようになし、制御可能な電子的シヤツタ機能
を有するようにしたことを特徴とする固体撮像装
置。