JPH02309877A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH02309877A JPH02309877A JP1132168A JP13216889A JPH02309877A JP H02309877 A JPH02309877 A JP H02309877A JP 1132168 A JP1132168 A JP 1132168A JP 13216889 A JP13216889 A JP 13216889A JP H02309877 A JPH02309877 A JP H02309877A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/715—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame interline transfer [FIT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は複数の受光部から垂直転送部に信号電荷が転送
され、その信号電荷が蓄積部を介して水平転送部に転送
されるフレームインターライン転送型（ＦＩＴ型）の固
体撮像装置に関する。
され、その信号電荷が蓄積部を介して水平転送部に転送
されるフレームインターライン転送型（ＦＩＴ型）の固
体撮像装置に関する。
本発明は、受光部からの信号電荷が垂直転送部へ読み出
され、その垂直転送部から蓄積部へ信号電荷の高速転送
が行われる転送方式の固体撮像装置において、その高速
転送中に各受光部を信号電荷を蓄積させない状態にする
ことにより、プルーミング等を抑制するものである。
され、その垂直転送部から蓄積部へ信号電荷の高速転送
が行われる転送方式の固体撮像装置において、その高速
転送中に各受光部を信号電荷を蓄積させない状態にする
ことにより、プルーミング等を抑制するものである。
ＦＩＴ型のＣＣＤは、マトリクス状に配列された受光部
と垂直転送部を有してなる逼像部と、一時的に電荷を蓄
積するための蓄積部と、ライン毎の電荷の転送を行う水
平転送部とを主たる要素とした固体撮像装置であり、こ
のような技術を記載した文献としては、特開昭５６−８
９６６号公報等が存在する。
と垂直転送部を有してなる逼像部と、一時的に電荷を蓄
積するための蓄積部と、ライン毎の電荷の転送を行う水
平転送部とを主たる要素とした固体撮像装置であり、こ
のような技術を記載した文献としては、特開昭５６−８
９６６号公報等が存在する。
ところで、このようなＦＩＴ型のＣＣＤでは、その垂直
ブランキング期間に、受光部の信号電荷が垂直転送部に
読み出された後、蓄積部のレジスタの段数に応じた高速
転送が行われる。そして、その高速転送によって蓄積部
に転送された信号電荷が水平転送部によって１ライン毎
に出カバソファを介して出力される。
ブランキング期間に、受光部の信号電荷が垂直転送部に
読み出された後、蓄積部のレジスタの段数に応じた高速
転送が行われる。そして、その高速転送によって蓄積部
に転送された信号電荷が水平転送部によって１ライン毎
に出カバソファを介して出力される。
〔発明が解決しようとする課題う
ところが、信号電荷の垂直転送部から蓄積部への高速転
送中に、受光部に過剰キャリアが発生し、受光部から垂
直転送部に電荷が溢れてブルーミング現象が生じた場合
では、それがモニター画面上では白い縦筋となって現れ
ることになる。
送中に、受光部に過剰キャリアが発生し、受光部から垂
直転送部に電荷が溢れてブルーミング現象が生じた場合
では、それがモニター画面上では白い縦筋となって現れ
ることになる。
そこで、本発明は、高速転送期間中のブルーミングを抑
えて、良好な画像信号を出力するような固体撮像装置の
提供を目的とする。
えて、良好な画像信号を出力するような固体撮像装置の
提供を目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は
、マトリクス状に配される複数の受光部に得られる信号
電荷を、上記受光部の垂直列に沿って設けられた垂直転
送部に読み出し、その垂直転送部から蓄積部へ上記信号
電荷を高速転送し、その蓄積部に一時蓄積された上記信
号電荷を１水平ライン毎に水平転送部を介して出力する
ようにされるものであって、上記高速転送中に上記各受
光部を信号電荷が蓄積されない状態にすることを特徴と
する。
、マトリクス状に配される複数の受光部に得られる信号
電荷を、上記受光部の垂直列に沿って設けられた垂直転
送部に読み出し、その垂直転送部から蓄積部へ上記信号
電荷を高速転送し、その蓄積部に一時蓄積された上記信
号電荷を１水平ライン毎に水平転送部を介して出力する
ようにされるものであって、上記高速転送中に上記各受
光部を信号電荷が蓄積されない状態にすることを特徴と
する。
ここで、受光部を信号電荷が蓄積されない状態にするこ
ととは、受光部の不要な電荷を基板やドレイン等に掃き
出して、受光部の信号電荷を無くしたり、減少させたり
する状態にすることであり、このような状態には、例え
ば電子シャンク−等の作動により取り扱い電荷盪を小く
させることにより行っても良い。また、受光部のポテン
シャルを深くさせて、その受光部から流出するほど信号
電荷が蓄積されないように制御することも可能である。
ととは、受光部の不要な電荷を基板やドレイン等に掃き
出して、受光部の信号電荷を無くしたり、減少させたり
する状態にすることであり、このような状態には、例え
ば電子シャンク−等の作動により取り扱い電荷盪を小く
させることにより行っても良い。また、受光部のポテン
シャルを深くさせて、その受光部から流出するほど信号
電荷が蓄積されないように制御することも可能である。
高速転送中に、受光部を信号電荷が蓄積されない状態に
することにより、その高速転送中では過剰な電荷が受光
部から溢れることはない、このため受光部に隣接して設
けられる垂直転送部にも受光部から電荷が漏れ込まず、
高速転送は信号電荷に関してのみ行うことができる。こ
の高速転送は、信号電荷の蓄積時間（例えばフィールド
読み出しでは６０分の１秒）に比較して極めて短い時間
である。このため感度の低下は問題とならない。
することにより、その高速転送中では過剰な電荷が受光
部から溢れることはない、このため受光部に隣接して設
けられる垂直転送部にも受光部から電荷が漏れ込まず、
高速転送は信号電荷に関してのみ行うことができる。こ
の高速転送は、信号電荷の蓄積時間（例えばフィールド
読み出しでは６０分の１秒）に比較して極めて短い時間
である。このため感度の低下は問題とならない。
〔実施例］
本発明の好適な実施例を図面を参照しなから説明する。
本実施例はＦＩＴ型のＣＣＤであり、高速転送中に、基
板電圧が高レベルにされて、プルーミングの発生が防止
される例である。
板電圧が高レベルにされて、プルーミングの発生が防止
される例である。
まず、全体のブロック構造を第２図に示す。本実施例の
ＣＣＤ １は、撮像部２を構成するように、マトリクス
状に配列されフォトセンサーからなる複数の受光部４と
、垂直転送部である第１の垂直レジスタ部５を有してい
る。受光部４は後述するように不要電荷を基板に掃き出
す縦型オーバーフロードレイン構造を有する。第１の垂
直レジスタ部５は受光部４の各垂直列に沿って形成され
る。
ＣＣＤ １は、撮像部２を構成するように、マトリクス
状に配列されフォトセンサーからなる複数の受光部４と
、垂直転送部である第１の垂直レジスタ部５を有してい
る。受光部４は後述するように不要電荷を基板に掃き出
す縦型オーバーフロードレイン構造を有する。第１の垂
直レジスタ部５は受光部４の各垂直列に沿って形成され
る。
各受光部４と第１の垂直レジスタ部５の間には信号電荷
の読み出しのための転送ゲートが設けられる。これら第
１の垂直レジスタ部５には、それぞれ転送信号ＩＭΦｌ
〜ＩＭΦ４が供給され、これら４相の転送信号ＩＭΦｌ
−ＩＭΦ４のパルスによって第１の垂直レジスタ部５の
電荷が蓄積部３に高速転送される。
の読み出しのための転送ゲートが設けられる。これら第
１の垂直レジスタ部５には、それぞれ転送信号ＩＭΦｌ
〜ＩＭΦ４が供給され、これら４相の転送信号ＩＭΦｌ
−ＩＭΦ４のパルスによって第１の垂直レジスタ部５の
電荷が蓄積部３に高速転送される。
本実施例のＣＣＤＩには、それら第１の垂直レジスタ部
５に連続して蓄積部３が形成される。この蓄積部３は、
各垂直列毎に設けられた第１の垂直レジスタ部５に対応
して各垂直列毎に設けられる第２の垂直レジスタ部６か
らなる。これら第２の垂直レジスタ部６に第１の垂直レ
ジスタ部５から信号電荷が高速転送され、一時的にその
信号電荷が蓄積される。これら第２の垂直レジスタ部６
には、４相の転送信号ＳＴΦｌ−３ＴΦ４が供給され、
これら４和の転送信号ＳＴΦ１〜ＳＴΦ４によって第２
の垂直レジスフ部６の電荷が転送される。
５に連続して蓄積部３が形成される。この蓄積部３は、
各垂直列毎に設けられた第１の垂直レジスタ部５に対応
して各垂直列毎に設けられる第２の垂直レジスタ部６か
らなる。これら第２の垂直レジスタ部６に第１の垂直レ
ジスタ部５から信号電荷が高速転送され、一時的にその
信号電荷が蓄積される。これら第２の垂直レジスタ部６
には、４相の転送信号ＳＴΦｌ−３ＴΦ４が供給され、
これら４和の転送信号ＳＴΦ１〜ＳＴΦ４によって第２
の垂直レジスフ部６の電荷が転送される。
その第２の垂直レジスタ部６の第１の垂直レジスタ部５
と反対側には、水平レジスタ部７が配設される。この水
平レジスタ部７は、蓄積部３の各第２の垂直レジスフ部
６に蓄積された電荷を１水平ライン毎に読み出すための
レジスタである。この水平レジスタ部７には、全部の第
２の垂直レジスタ部６から１水平ライン分の電荷が転送
され、その電荷が出力回路８に対して出力される。この
水平レジスタ部７には、２相の転送信号■１Φ１゜ＨΦ
２が供給され、転送は転送信号ＨΦ１．ＨΦ２によって
行われる。
と反対側には、水平レジスタ部７が配設される。この水
平レジスタ部７は、蓄積部３の各第２の垂直レジスフ部
６に蓄積された電荷を１水平ライン毎に読み出すための
レジスタである。この水平レジスタ部７には、全部の第
２の垂直レジスタ部６から１水平ライン分の電荷が転送
され、その電荷が出力回路８に対して出力される。この
水平レジスタ部７には、２相の転送信号■１Φ１゜ＨΦ
２が供給され、転送は転送信号ＨΦ１．ＨΦ２によって
行われる。
この水平レジスタ部７からは、水平レジスタ部７の終端
部に位置するフローティングディフュージョン１０ｆを
介して、例えばソースホロワ等の構成を有する出力回路
８へ信号が取り出される。
部に位置するフローティングディフュージョン１０ｆを
介して、例えばソースホロワ等の構成を有する出力回路
８へ信号が取り出される。
リセットは、リセットトランジスタ１０により行われ、
そのリセットトランジスタ１０のゲートに供給されるプ
リチャージゲート制′４１■信号ΦＰＧによって、上記
フローティングディフュージョン１０ｆとリセット用の
プリチャージ電圧ＶＰＤとリセットドレイン１０ｄの間
のオン・オフが制御される。そして、出力回路８の出力
端子９より、このＣＣＤ １の画像信号■。ＬＩＴが出
力される。
そのリセットトランジスタ１０のゲートに供給されるプ
リチャージゲート制′４１■信号ΦＰＧによって、上記
フローティングディフュージョン１０ｆとリセット用の
プリチャージ電圧ＶＰＤとリセットドレイン１０ｄの間
のオン・オフが制御される。そして、出力回路８の出力
端子９より、このＣＣＤ １の画像信号■。ＬＩＴが出
力される。
第４図は受光部４及び第１の垂直レジスタ部５の断面構
造を示す。このＣＣＤ ｌは、ｎ型のシリコン基板１１
を用いており、ｎ型のシリコン基板１１に形成されたｐ
型のウェル領域１２内に受光部４や第１の垂直レジスタ
部５が形成される。
造を示す。このＣＣＤ ｌは、ｎ型のシリコン基板１１
を用いており、ｎ型のシリコン基板１１に形成されたｐ
型のウェル領域１２内に受光部４や第１の垂直レジスタ
部５が形成される。
受光部４は、上記ｐ型のウェル領域１２内のｎ型の不純
物領域１３を用いたフォトセンサーにより構成され、基
板表面に形成されたポリシリコン１１４の間の開口部１
５より光が入射する。なお、基板表面にはセンサーゲー
ト部１６が形成される。
物領域１３を用いたフォトセンサーにより構成され、基
板表面に形成されたポリシリコン１１４の間の開口部１
５より光が入射する。なお、基板表面にはセンサーゲー
ト部１６が形成される。
このＣＣＤ１は、不要電荷を掃き出すための構造として
縦型オーバーフロードレイン構造を有している。すなわ
ち、ｎ型のシリコン基板１１がオーバーフロードレイン
であり、ｐ型のウェル領域１２がオーバーフローバリア
となる。従って、ｎ型のシリコン基板１１に印加される
基板電圧Ｖ ｓｕｂを高くすることで、電子シャッター
動作が行われ、特に、後述するように電子シャッター動
作を高速転送中に行うことでプルーミングの抑制が可能
となる。
縦型オーバーフロードレイン構造を有している。すなわ
ち、ｎ型のシリコン基板１１がオーバーフロードレイン
であり、ｐ型のウェル領域１２がオーバーフローバリア
となる。従って、ｎ型のシリコン基板１１に印加される
基板電圧Ｖ ｓｕｂを高くすることで、電子シャッター
動作が行われ、特に、後述するように電子シャッター動
作を高速転送中に行うことでプルーミングの抑制が可能
となる。
第１の垂直レジスタ部５は、上記ポリシリコン層１４を
転送Ｍｍとし、スメア防止用に形成された第２のｐ型の
ウェル領域１７上の埋め込みチャンネル領域１８により
電荷を転送できる。この埋め込みチャンネル領域１８は
基板表面に臨み、他の垂直列とはチャンネルストッパー
領域１９により分離され、ポリシリコン層１４の下部で
上記ｎ型の不純物領域１３と離間した領域２０が読み出
しゲートとして機能する領域となる。
転送Ｍｍとし、スメア防止用に形成された第２のｐ型の
ウェル領域１７上の埋め込みチャンネル領域１８により
電荷を転送できる。この埋め込みチャンネル領域１８は
基板表面に臨み、他の垂直列とはチャンネルストッパー
領域１９により分離され、ポリシリコン層１４の下部で
上記ｎ型の不純物領域１３と離間した領域２０が読み出
しゲートとして機能する領域となる。
次に、第２図及び第３図を参照して、縦型オーバーフロ
ードレイン構造を用いた電子シャッター動作について説
明する。
ードレイン構造を用いた電子シャッター動作について説
明する。
第２図及び第３図は、それぞれ第４図のＡ点−Ｂ点＝Ｃ
点に沿ったポテンシャルエネルギーを示す図であり、第
２図が蓄積状態を示し、第３図が掃き出し状態を示す。
点に沿ったポテンシャルエネルギーを示す図であり、第
２図が蓄積状態を示し、第３図が掃き出し状態を示す。
第２図に示すように、蓄積状態では、ｎ型の不純物領域
１３による点Ｐ３がポテンシャル井戸となり、ｐ型のウ
ェル領域１２による点Ｐ４及び読み出しゲートによる点
Ｐ２にポテンシャル障壁が形成されて、ｎ型の不純物領
域１３の点Ｐ、側へ電荷が蓄積されることになる。また
、読み出しは、読み出しゲートにかかる点Ｐ２が高電位
■□によって下げられて、ｎ型の不純物領域１３の点Ｐ
３側から埋め込みチャンネル領域１８の点Ｐｌ側へ電荷
が流れることにより行われる。なお、電荷の転送は、低
電位■、と中間電位ｖ、Ｉが供給されるポリシリコン層
１４により、点Ｐ２．Ｐ、の電位が所要の駆動周期で変
化することで行われる。
１３による点Ｐ３がポテンシャル井戸となり、ｐ型のウ
ェル領域１２による点Ｐ４及び読み出しゲートによる点
Ｐ２にポテンシャル障壁が形成されて、ｎ型の不純物領
域１３の点Ｐ、側へ電荷が蓄積されることになる。また
、読み出しは、読み出しゲートにかかる点Ｐ２が高電位
■□によって下げられて、ｎ型の不純物領域１３の点Ｐ
３側から埋め込みチャンネル領域１８の点Ｐｌ側へ電荷
が流れることにより行われる。なお、電荷の転送は、低
電位■、と中間電位ｖ、Ｉが供給されるポリシリコン層
１４により、点Ｐ２．Ｐ、の電位が所要の駆動周期で変
化することで行われる。
第３図は掃き出し状態すなわち電子シャッター動作時の
ポテンシャルの状態を示す。高電圧の基板電圧Ｖ ｓｕ
ｂが印加されることで、ポテンシャルバリヤとしてのウ
ェル領域１２による点Ｐ４のポテンシャルが下げられ、
点Ｐ３側に蓄積されていた電荷はｎ型の半導体基板１１
へ掃き出される。
ポテンシャルの状態を示す。高電圧の基板電圧Ｖ ｓｕ
ｂが印加されることで、ポテンシャルバリヤとしてのウ
ェル領域１２による点Ｐ４のポテンシャルが下げられ、
点Ｐ３側に蓄積されていた電荷はｎ型の半導体基板１１
へ掃き出される。
この状態で受光部４は蓄積状態とはならない。本実施例
のＣＣＤ Ｉは、このような電子シャンク−動作を行う
ことができる。
のＣＣＤ Ｉは、このような電子シャンク−動作を行う
ことができる。
次に、第１図を参照して、本実施例のＣＣＤ １の動作
について説明する。信号（ａ）は垂直ブランキング期間
Ｔ ｌｔｘと映像期間ＴＶＤの区別を示す。信号Ｑ）ｌ
はＣＣＤの垂直駆動パルスを示す。信号（Ｃ）は基板電
圧Ｖ ｓｕｂを示す。
について説明する。信号（ａ）は垂直ブランキング期間
Ｔ ｌｔｘと映像期間ＴＶＤの区別を示す。信号Ｑ）ｌ
はＣＣＤの垂直駆動パルスを示す。信号（Ｃ）は基板電
圧Ｖ ｓｕｂを示す。
まず、映像期間Ｔｖｅ中では、ラインシフトパルスΦ１
．によって第２の垂直レジスタ部６から水平レジスタ部
７へ１ライン毎に信号電荷が転送され、その水平レジス
タ部７より出力回路８を介して画像信号■。ｕｔが出力
される。
．によって第２の垂直レジスタ部６から水平レジスタ部
７へ１ライン毎に信号電荷が転送され、その水平レジス
タ部７より出力回路８を介して画像信号■。ｕｔが出力
される。
次に、垂直ブランキング期間Ｔ、。では、初めに期間１
．に不要電荷の掃き出し動作が行われる。
．に不要電荷の掃き出し動作が行われる。
この掃き出し動作は、垂直レジスタ部５．６の不要電荷
を掃きだすものであり、例えば信号電荷の転送方向と同
一の方向やその逆方向に不要電荷を転送し、所要の電荷
吸収部に不要電荷を掃き出すことにより行われる。
を掃きだすものであり、例えば信号電荷の転送方向と同
一の方向やその逆方向に不要電荷を転送し、所要の電荷
吸収部に不要電荷を掃き出すことにより行われる。
このような不要電荷の掃き出し転送が行われた後、読み
出しパルスΦ７が印加され、受光部４の信号電荷が第１
の垂直レジスタ部５に読み出される。
出しパルスΦ７が印加され、受光部４の信号電荷が第１
の垂直レジスタ部５に読み出される。
この読み出し動作後、同じ垂直ブランキング期間Ｔ Ｅ
ＬＫ内の期間ｔ２に、第１の垂直レジスフ部５から第２
の垂直レジスタ部６へ読み出された信号電荷の高速転送
が行われる。そして、特にこの期間ｔ２に基板電圧Ｖ
ｓｕｂが高い電圧とされる。
ＬＫ内の期間ｔ２に、第１の垂直レジスフ部５から第２
の垂直レジスタ部６へ読み出された信号電荷の高速転送
が行われる。そして、特にこの期間ｔ２に基板電圧Ｖ
ｓｕｂが高い電圧とされる。
すると、受光部４の状態は、第２回に示したようなポテ
ンシャル状態の電荷の蓄積状態から、第３図のようなポ
テンシャル状態の電荷の基板への掃き出しを行う状態に
なる。このため、高速転送期間Ｌ２中は、受光部４に電
荷が蓄積されることがなく、転送中に受光部４から過剰
な電荷が垂直レジスタに溢れ出て、白い縦筋を生ずるよ
うなブルーミングが未然に防止されることになる。高速
転送期間ｔ、の終了後、基板電圧Ｖ ｓｕｂは元の電圧
に戻され、受光部４は再び蓄積状態になる。高速転送期
間ｔ２の間に電荷の蓄積がない分だけ、感度が低下する
ことになるが、その率は数パーセントに過ぎない。
ンシャル状態の電荷の蓄積状態から、第３図のようなポ
テンシャル状態の電荷の基板への掃き出しを行う状態に
なる。このため、高速転送期間Ｌ２中は、受光部４に電
荷が蓄積されることがなく、転送中に受光部４から過剰
な電荷が垂直レジスタに溢れ出て、白い縦筋を生ずるよ
うなブルーミングが未然に防止されることになる。高速
転送期間ｔ、の終了後、基板電圧Ｖ ｓｕｂは元の電圧
に戻され、受光部４は再び蓄積状態になる。高速転送期
間ｔ２の間に電荷の蓄積がない分だけ、感度が低下する
ことになるが、その率は数パーセントに過ぎない。
このように本実施例のＣＣＤは、垂直ブランキング期間
の高速転送中に、受光部４が電荷を蓄積しない状態にさ
れる。このため、ブルーミング現象の発生が未然に防止
され、白い縦筋などの欠陥の発生を抑えることができる
。
の高速転送中に、受光部４が電荷を蓄積しない状態にさ
れる。このため、ブルーミング現象の発生が未然に防止
され、白い縦筋などの欠陥の発生を抑えることができる
。
なお、本実施例のＣＣＤでは、縦型オーバーフロードレ
インを動作させて、受光部に電荷を蓄積させない状態と
しているが、高速転送中に横型オーバーフロードレイン
を作動させても良（、受光部のポテンシャル井戸を深く
したり、読み出しゲートのバリアを高くするようにして
も良い。
インを動作させて、受光部に電荷を蓄積させない状態と
しているが、高速転送中に横型オーバーフロードレイン
を作動させても良（、受光部のポテンシャル井戸を深く
したり、読み出しゲートのバリアを高くするようにして
も良い。
（発明の効果）
本発明の固体撮像装置は、その高速転送中に、受光部が
電荷の蓄積されない状態にされるために、垂直転送部へ
電荷が漏れることがない。このためブルーミング現象が
未然に防止され、白い縦筋などの欠陥の発生を抑えるこ
とができる。
電荷の蓄積されない状態にされるために、垂直転送部へ
電荷が漏れることがない。このためブルーミング現象が
未然に防止され、白い縦筋などの欠陥の発生を抑えるこ
とができる。
第１図は本発明の固体措像装πの一例の動作を説明する
ためのタイミングチャート、第２図及び第３図は上記−
例についての第４図中のＡ、 Ｂ。 Ｃの各点に沿った各々ポテンシャル分布図であって、第
２図は電荷の蓄積状態を示し、第３図は電荷の掃き出し
状態を示す。第４図は上記−例の素子構造を示す要部断
面図、第５図は上記−例の全体の構成を示すブロック図
である。 １・・・ＣＣＤ ２・・・１最像部 ３・・・蓄積部 ４・・・受光部 ５・・・第１の垂直レジスタ部 ６・・・第２の垂直レジスタ部 ７・・・水平レジスタ部 Ｔ ！ＬＫ・・・垂直ブランキング期間Ｔｖｏ・・・映
像期間 Ｖ ｓｕｂ・・・基板電圧 特許出願人 ソニー株式会社 代理人弁理士 小泡 晃（他２名） 第３図 第４図
ためのタイミングチャート、第２図及び第３図は上記−
例についての第４図中のＡ、 Ｂ。 Ｃの各点に沿った各々ポテンシャル分布図であって、第
２図は電荷の蓄積状態を示し、第３図は電荷の掃き出し
状態を示す。第４図は上記−例の素子構造を示す要部断
面図、第５図は上記−例の全体の構成を示すブロック図
である。 １・・・ＣＣＤ ２・・・１最像部 ３・・・蓄積部 ４・・・受光部 ５・・・第１の垂直レジスタ部 ６・・・第２の垂直レジスタ部 ７・・・水平レジスタ部 Ｔ ！ＬＫ・・・垂直ブランキング期間Ｔｖｏ・・・映
像期間 Ｖ ｓｕｂ・・・基板電圧 特許出願人 ソニー株式会社 代理人弁理士 小泡 晃（他２名） 第３図 第４図
Claims (1)
- マトリクス状に配される複数の受光部に得られる信号電
荷を、上記受光部の垂直列に沿って設けられた垂直転送
部に読み出し、その垂直転送部から蓄積部へ上記信号電
荷を高速転送し、その蓄積部に一時蓄積された上記信号
電荷を１水平ライン毎に水平転送部を介して出力するよ
うにされる固体撮像装置であって、上記高速転送中に上
記各受光部を信号電荷が蓄積されない状態にすることを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132168A JPH02309877A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 固体撮像装置 |
| EP90109982A EP0399551B1 (en) | 1989-05-25 | 1990-05-25 | Method of Driving a CCD Imager of Frame Interline Transfer Type |
| DE69030526T DE69030526T2 (de) | 1989-05-25 | 1990-05-25 | Verfahren zum Betreiben einer CCD-Bildaufnahmevorrichtung mit Zwischenzeilenrasterübertragung |
| US08/185,231 US5426317A (en) | 1989-05-25 | 1994-01-21 | Frame interline transfer CCD imager |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132168A JPH02309877A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02309877A true JPH02309877A (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=15074956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1132168A Pending JPH02309877A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5426317A (ja) |
| EP (1) | EP0399551B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02309877A (ja) |
| DE (1) | DE69030526T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0601638B1 (en) * | 1992-12-09 | 2000-07-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Charge-coupled device |
| BE1007803A3 (nl) * | 1993-11-26 | 1995-10-24 | Philips Electronics Nv | Beeldopneemapparaat. |
| US5900654A (en) * | 1995-07-17 | 1999-05-04 | Spratt; James P. | Radiation hardened charge coupled device |
| US5900769A (en) * | 1995-10-04 | 1999-05-04 | Nec Corporation | Two-dimensional CCD having storage cells for withdrawing charge packets from transfer channels during horizontal scan periods |
| JP3598648B2 (ja) * | 1996-04-02 | 2004-12-08 | ソニー株式会社 | 電荷転送素子及び電荷転送素子の駆動方法 |
| US5872371A (en) * | 1997-02-27 | 1999-02-16 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor with punch-through reset and cross-talk suppression |
| US6778214B1 (en) * | 1998-03-04 | 2004-08-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Charge generation of solid state image pickup device |
| JP4450941B2 (ja) * | 2000-04-12 | 2010-04-14 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、画像処理装置及び画像処理方法 |
| US7508432B2 (en) * | 2006-07-19 | 2009-03-24 | Eastman Kodak Company | CCD with improved substrate voltage setting circuit |
| US7834894B2 (en) | 2007-04-03 | 2010-11-16 | Lifetouch Inc. | Method and apparatus for background replacement in still photographs |
| US8724003B2 (en) | 2012-08-14 | 2014-05-13 | Truesense Imaging, Inc. | Multimode interline CCD imaging methods |
| US9979905B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-05-22 | Microsoft Technology Licensing, Llc. | Multimode photosensor |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104377A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image pickup device |
| JPS57162364A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state image pickup device |
| JPS5919480A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-01-31 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS5928772A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-15 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
| FR2537812A1 (fr) * | 1982-12-10 | 1984-06-15 | Thomson Csf | Procede de reglage du niveau de signal dans un dispositif photosensible a transfert de charge et dispositif pour sa mise en oeuvre |
| JPS6156583A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-22 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6157181A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-24 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| EP0178664B1 (en) * | 1984-10-18 | 1992-08-05 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensing device and method for making the same |
| JPS62269357A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| WO1988000759A1 (en) * | 1986-07-24 | 1988-01-28 | Eastman Kodak Company | Electronic shutter for image sensor using photodiodes |
| US4875100A (en) * | 1986-10-23 | 1989-10-17 | Sony Corporation | Electronic shutter for a CCD image sensor |
-
1989
- 1989-05-25 JP JP1132168A patent/JPH02309877A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-25 EP EP90109982A patent/EP0399551B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-25 DE DE69030526T patent/DE69030526T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-21 US US08/185,231 patent/US5426317A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69030526T2 (de) | 1997-08-07 |
| US5426317A (en) | 1995-06-20 |
| DE69030526D1 (de) | 1997-05-28 |
| EP0399551B1 (en) | 1997-04-23 |
| EP0399551A3 (en) | 1991-04-10 |
| EP0399551A2 (en) | 1990-11-28 |
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