JPH022793A - 2次元ccd撮像素子の駆動方法 - Google Patents
2次元ccd撮像素子の駆動方法Info
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- JPH022793A JPH022793A JP63148769A JP14876988A JPH022793A JP H022793 A JPH022793 A JP H022793A JP 63148769 A JP63148769 A JP 63148769A JP 14876988 A JP14876988 A JP 14876988A JP H022793 A JPH022793 A JP H022793A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
- H04N3/1568—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for disturbance correction or prevention within the image-sensor, e.g. biasing, blooming, smearing
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子の駆動方法に関し、特にインター
ライン転送方式2次元CCD撮像素子の電子シャッタ駆
動方法に関するものである。
ライン転送方式2次元CCD撮像素子の電子シャッタ駆
動方法に関するものである。
従来のインターライン転送方式CCD撮像素子は、フォ
トダイオードによる光電変換領域で光電変換し蓄積され
た電荷は垂直ブランキング期間毎に読み出されるため、
例えばNTSC方式では1/60秒の蓄積時間を有する
ことになる。従って1/60秒期間で蓄積された電荷量
で像を撮らえるため、速く動くものを撮った場合、画面
がぼけるのが常であった。この欠点を改善するため、蓄
積時間を短かくする電子シャッター動作が最近実用化さ
れてきた。
トダイオードによる光電変換領域で光電変換し蓄積され
た電荷は垂直ブランキング期間毎に読み出されるため、
例えばNTSC方式では1/60秒の蓄積時間を有する
ことになる。従って1/60秒期間で蓄積された電荷量
で像を撮らえるため、速く動くものを撮った場合、画面
がぼけるのが常であった。この欠点を改善するため、蓄
積時間を短かくする電子シャッター動作が最近実用化さ
れてきた。
このような電子シャッター動作は写真工業出版社発行の
ビデオα1987年8月号P145〜148に示されて
いるように一般には第6図のように水平CODレジスタ
61と反対側にドレイン60を設けたインターライン方
式CCD撮像素子を用い、第7図のように垂直ブランキ
ング期間70に2回のフォトダイオード(以後PDとす
る)読み出しパルス71.72を設け、その間に高速垂
直逆転送パルス73を加えて最初のPD読み出しパルス
71で読み出された不要蓄積電荷を垂直CODレジスタ
62を介してドレイン60に電荷転送し掃き出す。この
掃き出し動作期間に蓄積された電荷が、有効蓄積電荷と
して2回目のPD読み出しパルス72で読み出され出力
される。
ビデオα1987年8月号P145〜148に示されて
いるように一般には第6図のように水平CODレジスタ
61と反対側にドレイン60を設けたインターライン方
式CCD撮像素子を用い、第7図のように垂直ブランキ
ング期間70に2回のフォトダイオード(以後PDとす
る)読み出しパルス71.72を設け、その間に高速垂
直逆転送パルス73を加えて最初のPD読み出しパルス
71で読み出された不要蓄積電荷を垂直CODレジスタ
62を介してドレイン60に電荷転送し掃き出す。この
掃き出し動作期間に蓄積された電荷が、有効蓄積電荷と
して2回目のPD読み出しパルス72で読み出され出力
される。
このような2回の読み出し期間t1がシャッタ時間とな
る。このような動作は、垂直ブランキング70内で行な
わなければならず、第6図に示したような一般的なイン
ターライン方式CCDでは1/1000秒以下のシャッ
タ期間しか出来ない。
る。このような動作は、垂直ブランキング70内で行な
わなければならず、第6図に示したような一般的なイン
ターライン方式CCDでは1/1000秒以下のシャッ
タ期間しか出来ない。
これの改良型として、第8図のように蓄積部85を設け
る事でシャッタ期間を1/250まで広げたものがある
。この改良型においては、1回目のPD読み出しは有効
走査期間に行なわれるが、この不要蓄積電荷の掃き出し
は、前記の場合と同様、垂直ブランキング期間に行なわ
れる。ところで、この不要蓄積電荷は、高速シャッタ動
作では有効蓄積期間より不要蓄積期間が4〜16倍程度
長くなりブルーミング制御で決定するPDの飽和レベル
まで電荷を蓄積することになるため掃き出し動作に際し
て次のような問題を生じる。
る事でシャッタ期間を1/250まで広げたものがある
。この改良型においては、1回目のPD読み出しは有効
走査期間に行なわれるが、この不要蓄積電荷の掃き出し
は、前記の場合と同様、垂直ブランキング期間に行なわ
れる。ところで、この不要蓄積電荷は、高速シャッタ動
作では有効蓄積期間より不要蓄積期間が4〜16倍程度
長くなりブルーミング制御で決定するPDの飽和レベル
まで電荷を蓄積することになるため掃き出し動作に際し
て次のような問題を生じる。
このような垂直CODレジスタを介して不要蓄積電荷を
掃き出すことによる電子シャッタ駆動方法では、その掃
き出し期間が画像に影響の無い垂直ブランキング期間内
に限られるため、通常の垂直転送周波数より高い800
KHz程度の周波数で高速転送することが必要となる。
掃き出すことによる電子シャッタ駆動方法では、その掃
き出し期間が画像に影響の無い垂直ブランキング期間内
に限られるため、通常の垂直転送周波数より高い800
KHz程度の周波数で高速転送することが必要となる。
しかしながら、2層あるいは3層のポリシリコンで形成
される垂直COD電極は、比較的大きな抵抗と静電容量
を有するため、このような高い周波数の駆動では素子内
部での波形の遅延及びなまりによって最大転送電荷量が
大巾に減少し、特にその影響の大きい画面中央部では、
通常転送時の1/2〜1/3程度まで減少し、掃き出し
のこりとなって、飽和信号レベルの白い妨害画像を生じ
る。
される垂直COD電極は、比較的大きな抵抗と静電容量
を有するため、このような高い周波数の駆動では素子内
部での波形の遅延及びなまりによって最大転送電荷量が
大巾に減少し、特にその影響の大きい画面中央部では、
通常転送時の1/2〜1/3程度まで減少し、掃き出し
のこりとなって、飽和信号レベルの白い妨害画像を生じ
る。
そこで、通常掃き出し転送回数を垂直転送レジスタの段
数より多く取ることによって掃き出しのこりを減少させ
る方法を用いている。しかしながら、この方法において
も垂直ブランキング期間の制限によって十分な転送回数
が得られないため、大面積の高輝度被写体が画面内に入
った場合は掃き出しのこりを生じる。そこで、多くの場
合、ブルーミング制御電圧を高目に設定し、PD最大蓄
積電荷量を掃き出しのこりを生じないレベルまで減少さ
せるダイナミックレンジとのトレードオフによって解決
を図るか、あるいはこのような場合の多少の掃き出し残
りを許容しなければならない欠点があった。
数より多く取ることによって掃き出しのこりを減少させ
る方法を用いている。しかしながら、この方法において
も垂直ブランキング期間の制限によって十分な転送回数
が得られないため、大面積の高輝度被写体が画面内に入
った場合は掃き出しのこりを生じる。そこで、多くの場
合、ブルーミング制御電圧を高目に設定し、PD最大蓄
積電荷量を掃き出しのこりを生じないレベルまで減少さ
せるダイナミックレンジとのトレードオフによって解決
を図るか、あるいはこのような場合の多少の掃き出し残
りを許容しなければならない欠点があった。
本発明によれば、複数の光電変換領域の蓄積電荷を垂直
電荷転送レジスタを介して掃き出し転送することによっ
て除去し蓄積時間を制御する2次元CCD撮像素子の駆
動法において、有効蓄積期間以外の期間、前記光電変換
領域の最大蓄積電荷量を有効蓄積期間より小さく設定す
る2次元CCD撮像素子の駆動方法を得る。すなわち、
従来の高速垂直転送掃き出し方式の電子シャッタ駆動方
法では有効蓄積期間とそれ以外の不要蓄積期間でのPD
での最大蓄積電荷量が同一となっているため高速掃き出
し転送時に垂直COD最大転送電荷量の減少によって掃
き出しのこりを生じていたが、本発明によれば有効蓄積
期間以外の不要蓄積期間におけるPD最大蓄積電荷量を
有効蓄積期間の1/2〜1/3程度まで制御減少させる
ことによってダイナミックレンジを減少させることなく
掃き出しのこりを完全に防止させることができる。
電荷転送レジスタを介して掃き出し転送することによっ
て除去し蓄積時間を制御する2次元CCD撮像素子の駆
動法において、有効蓄積期間以外の期間、前記光電変換
領域の最大蓄積電荷量を有効蓄積期間より小さく設定す
る2次元CCD撮像素子の駆動方法を得る。すなわち、
従来の高速垂直転送掃き出し方式の電子シャッタ駆動方
法では有効蓄積期間とそれ以外の不要蓄積期間でのPD
での最大蓄積電荷量が同一となっているため高速掃き出
し転送時に垂直COD最大転送電荷量の減少によって掃
き出しのこりを生じていたが、本発明によれば有効蓄積
期間以外の不要蓄積期間におけるPD最大蓄積電荷量を
有効蓄積期間の1/2〜1/3程度まで制御減少させる
ことによってダイナミックレンジを減少させることなく
掃き出しのこりを完全に防止させることができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第3図(b)は本発明に用いる2次元CCD撮像素子の
例で同図(a)は単位画素の断面図である。
例で同図(a)は単位画素の断面図である。
この撮像素子は最も一般的に用いられている縦型オーバ
ーフロードレイン(VOD)構造のインターライン転送
方式の2次元CCDイメージセンサである。N型基板3
4にPウェル35を有し、これらの間を基板電圧源40
で逆バイアスしている。Pウェル35の表面にはN−型
のフォトダイオード33とN型の垂直CODレジスタ3
2とこれらの間のP+型の読み出しゲート部36とP+
型のチャンネルストッパー41を有している。更に表面
には、酸化膜37を介して垂直レジスタ電極38が設け
られており、その上にやはり酸化膜39を介して光シー
ルド電極37が設けられている。
ーフロードレイン(VOD)構造のインターライン転送
方式の2次元CCDイメージセンサである。N型基板3
4にPウェル35を有し、これらの間を基板電圧源40
で逆バイアスしている。Pウェル35の表面にはN−型
のフォトダイオード33とN型の垂直CODレジスタ3
2とこれらの間のP+型の読み出しゲート部36とP+
型のチャンネルストッパー41を有している。更に表面
には、酸化膜37を介して垂直レジスタ電極38が設け
られており、その上にやはり酸化膜39を介して光シー
ルド電極37が設けられている。
第4図は、第3図のイメージセンサの光シールド電極3
7に印加する電圧とフォトダイオードの飽和出力電圧と
の関係を示す図である。第4図のような特性は、光シー
ルド電極37の電気力線がフォトダイオード33の表面
全体に作用し、表面電位を変化させるためと考えられて
いる。第5図は光シールド電極37を+5vの一定にし
た時の基板34の電圧とフォトダイオード33の飽和出
力電圧との関係を示した図である。第1図は、第4図に
示したフォトダイオード飽和蓄積電荷量の制御特性を利
用した本発明の一実施例による駆動方法を示すもので、
第3図の2次元CCD撮像素子を1/1000秒シャッ
タで駆動する場合のタイミング図である。垂直クロック
パルス1は垂直ブランキング期間4に2回の読み出しパ
ルスが設けられている。これら2回の読み出しパルス5
゜6間には高速垂直転送パルス7がある。この高速垂直
転送パルス7は垂直転送電極250段に対し500段分
の転送回数に設定され転送周波数は800KHzである
。この周波数での画面中央部での最大転送電荷量は通常
垂直転送の約1/3の出力電圧換算値0.3■であった
。一方、光シールド電極37へ印加する光シールド電極
パルス3は2回の読み出しパルス5,6間の有効蓄積期
間8のl/1000秒間は少なくとも+5vに保持され
ている。この+5v時のフォトダイオードの最大蓄積電
荷量は第4図に示す飽和出力電圧に相当する0、8vで
あり、通常垂直転送時の垂直CODの最大転送電荷量の
0.9V(出力電圧換算)よりわずかに低い値に設定し
通常垂直転送でのオーバーフローによるブルーミングを
防止している。
7に印加する電圧とフォトダイオードの飽和出力電圧と
の関係を示す図である。第4図のような特性は、光シー
ルド電極37の電気力線がフォトダイオード33の表面
全体に作用し、表面電位を変化させるためと考えられて
いる。第5図は光シールド電極37を+5vの一定にし
た時の基板34の電圧とフォトダイオード33の飽和出
力電圧との関係を示した図である。第1図は、第4図に
示したフォトダイオード飽和蓄積電荷量の制御特性を利
用した本発明の一実施例による駆動方法を示すもので、
第3図の2次元CCD撮像素子を1/1000秒シャッ
タで駆動する場合のタイミング図である。垂直クロック
パルス1は垂直ブランキング期間4に2回の読み出しパ
ルスが設けられている。これら2回の読み出しパルス5
゜6間には高速垂直転送パルス7がある。この高速垂直
転送パルス7は垂直転送電極250段に対し500段分
の転送回数に設定され転送周波数は800KHzである
。この周波数での画面中央部での最大転送電荷量は通常
垂直転送の約1/3の出力電圧換算値0.3■であった
。一方、光シールド電極37へ印加する光シールド電極
パルス3は2回の読み出しパルス5,6間の有効蓄積期
間8のl/1000秒間は少なくとも+5vに保持され
ている。この+5v時のフォトダイオードの最大蓄積電
荷量は第4図に示す飽和出力電圧に相当する0、8vで
あり、通常垂直転送時の垂直CODの最大転送電荷量の
0.9V(出力電圧換算)よりわずかに低い値に設定し
通常垂直転送でのオーバーフローによるブルーミングを
防止している。
この光シールド電極パルス3は、垂直ブランキング期間
4の期間内のT3.T2で一5vに切換えられる。この
T2からT3までのFD電荷低減期間でのフォトダイオ
ード最大蓄積電荷量は第4図に示すように0.2vの飽
和出力電圧に相当した値となる。この最大蓄積電荷量の
0.2vは高速垂直転送パルス7で転送出来る最大転送
電荷t O,3Vを下回っており、掃き出し読み出しパ
ルス5で読み出した不要蓄積電荷は高速垂直転送パルス
7によって完全に掃き出すことが出来る。
4の期間内のT3.T2で一5vに切換えられる。この
T2からT3までのFD電荷低減期間でのフォトダイオ
ード最大蓄積電荷量は第4図に示すように0.2vの飽
和出力電圧に相当した値となる。この最大蓄積電荷量の
0.2vは高速垂直転送パルス7で転送出来る最大転送
電荷t O,3Vを下回っており、掃き出し読み出しパ
ルス5で読み出した不要蓄積電荷は高速垂直転送パルス
7によって完全に掃き出すことが出来る。
ところで、このPD電荷低減期間の光シールド電極電圧
は高速垂直転送パルス38が垂直転送電極数の2倍の転
送回数に設定されているため、この高速転送時の最大転
送電荷量の2倍以内に設定していれば完全な掃き出しが
実現されるため、第4図で0.6■電力電圧以下となる
Ovの光シールド電極電圧でもよい。
は高速垂直転送パルス38が垂直転送電極数の2倍の転
送回数に設定されているため、この高速転送時の最大転
送電荷量の2倍以内に設定していれば完全な掃き出しが
実現されるため、第4図で0.6■電力電圧以下となる
Ovの光シールド電極電圧でもよい。
さらに、光シールド電極印加電圧の変化点であるT 2
、 T 3のタイミング条件はT2は読み出しパルス
6の後縁T1より後にあることが必要条件であり、T、
までの間の任意の時点であれば良い。
、 T 3のタイミング条件はT2は読み出しパルス
6の後縁T1より後にあることが必要条件であり、T、
までの間の任意の時点であれば良い。
ただし、切換ノイズが画面に入らないようにするため垂
直ブランキング期間4あるいは水平ブランキング期間1
1内に設定することが望ましい。
直ブランキング期間4あるいは水平ブランキング期間1
1内に設定することが望ましい。
一方、T3はT。の掃き出し読み出しより後でも動作上
は問題ないが、シャッタ時間と感度の比例関係が狂うた
め、Toより前に設定することが望ましい。しかし、T
3とToとの期間が長くなると、この期間は有効蓄積期
間と同じだけのフォトダイオードの最大蓄積電荷量を持
つため、この期間の蓄積電荷量によって掃き出しのこり
を生じる可能性があり、T3とToの期間はシャッタ時
間に対して無視出来る1/10以下とすることが望まし
い。また、この切換時点は垂直あるいは水平ブランキン
グ内とすることが望ましいことはT2と同様である。
は問題ないが、シャッタ時間と感度の比例関係が狂うた
め、Toより前に設定することが望ましい。しかし、T
3とToとの期間が長くなると、この期間は有効蓄積期
間と同じだけのフォトダイオードの最大蓄積電荷量を持
つため、この期間の蓄積電荷量によって掃き出しのこり
を生じる可能性があり、T3とToの期間はシャッタ時
間に対して無視出来る1/10以下とすることが望まし
い。また、この切換時点は垂直あるいは水平ブランキン
グ内とすることが望ましいことはT2と同様である。
第2図は本発明の他の実施例による1/1000秒シャ
ッタでの駆動方法を示すタイミング図である。ブランキ
ング信号2、垂直クロックパルス1は第1図による一実
施例と全く同一である。この他の実施例では第5図に示
した2次元CODイメージセンサの基板電圧に対するフ
ォトダイオードの最大蓄積電荷量に相当するフォトダイ
オード飽和出力電圧の特性を利用している。
ッタでの駆動方法を示すタイミング図である。ブランキ
ング信号2、垂直クロックパルス1は第1図による一実
施例と全く同一である。この他の実施例では第5図に示
した2次元CODイメージセンサの基板電圧に対するフ
ォトダイオードの最大蓄積電荷量に相当するフォトダイ
オード飽和出力電圧の特性を利用している。
垂直ブランキング期間の掃き出し読み出しパルス5の直
前の垂直ブランキング期間に基板電圧を+25■までT
2からT1期間保持する。この基板電圧25V時のフォ
トダイオードの最大蓄積電荷量は第5図に示すように約
0.2V(出力電圧換算)でありT1の直前の基板電圧
9V時に蓄えられていた約0.8V相当の電荷量はT2
からT、の期間に0.2vまで基板に縦型オーバフロー
ドレイン(V、O,D)を介して掃き捨てられる。この
電荷量は高速垂直転送パルス7で転送出来る最大蓄積電
荷量0,3■より少ないため完全に掃き出すことが出来
る。基板印加パルス12のT2.T3のタイミング条件
はT2はT1より後であることが必要条件である等、実
施例と同一でありT3も同様である。また、その時点も
ノイズの発生を防止するため垂直又は水平のブランキン
グ期間内にあることが望ましいことも全く同様である。
前の垂直ブランキング期間に基板電圧を+25■までT
2からT1期間保持する。この基板電圧25V時のフォ
トダイオードの最大蓄積電荷量は第5図に示すように約
0.2V(出力電圧換算)でありT1の直前の基板電圧
9V時に蓄えられていた約0.8V相当の電荷量はT2
からT、の期間に0.2vまで基板に縦型オーバフロー
ドレイン(V、O,D)を介して掃き捨てられる。この
電荷量は高速垂直転送パルス7で転送出来る最大蓄積電
荷量0,3■より少ないため完全に掃き出すことが出来
る。基板印加パルス12のT2.T3のタイミング条件
はT2はT1より後であることが必要条件である等、実
施例と同一でありT3も同様である。また、その時点も
ノイズの発生を防止するため垂直又は水平のブランキン
グ期間内にあることが望ましいことも全く同様である。
以上説明したように本発明は、シャッタ駆動時有効蓄覆
期間以外の期間、光電変換領域の最大蓄積電荷量を有効
蓄積期間より小さく設定することにより、高速垂直転送
による掃き出し残りを有効蓄積期間の光電変換領域の最
大蓄積電荷量を減少させること無く実現でき、従来の掃
き出しのこりとダイナミックレンジのトレードオフある
いは多少の掃き出し残りの許容という欠点を完全に解決
できる効果がある。
期間以外の期間、光電変換領域の最大蓄積電荷量を有効
蓄積期間より小さく設定することにより、高速垂直転送
による掃き出し残りを有効蓄積期間の光電変換領域の最
大蓄積電荷量を減少させること無く実現でき、従来の掃
き出しのこりとダイナミックレンジのトレードオフある
いは多少の掃き出し残りの許容という欠点を完全に解決
できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例による171000秒シャッ
タ駆動での各信号のタイミング図、第2図は本発明の他
の実施例による1/1000秒シャッタ駆動での各信号
のタイミング図、第3図(a)および(b)は本発明に
用いる2次元インターライン型CODイメージセンサの
例を示す断面図および平面図、第4図は第3図のイメー
ジセンサの光シール電極電圧に対するフォトダイオード
の飽和出力電圧特性を示す図、第5図は同様に基板電圧
に対するフォトダイオードの飽和出力電圧特性を示す図
、第6図は従来のシャッタ駆動を実施した2次元インタ
ーライン型CODイメージセンサの模式平面図、第7図
は従来の通常垂直駆動パルスと1/1000秒シャッタ
駆動パルスを対比して示した図、第8図は蓄積部を設け
ることによって1/250秒から1/1000秒までの
シャッタスピードを実現した従来の改良型CODイメー
ジセンサの模式平面図である。 l・・・・・・垂直クロックパルス、2・・・・・・ブ
ランキング信号、3・・・・・・光シールド電極パルス
、5・・・・・・掃き出し読み出しパルス、6・・・・
・・読み出しパルス、7・・・・・・高速垂直転送パル
ス、8・・・・・・有効蓄積期間、37・・・・・・光
シールド電極、38・・・・・・垂直CODレジスタ電
極、33・・・・・・フォトダイオード、32・・・・
・・垂直CODレジスタ、34・・・・・・N型基板、
35・・・・・・Pウェル、36・・・・・・読み出し
ゲート部代理人 弁理士 内 原 晋 茅 1 」 茅 211J C0−) (b) 弄 図 [=〒ト(lρドレし ゾ14tCρしジヌダ 茅 を 阿 箒 圏 売)−ルド肇aρゼIECV) 芽4I!I メ郭し’WバCV) $5 閏
タ駆動での各信号のタイミング図、第2図は本発明の他
の実施例による1/1000秒シャッタ駆動での各信号
のタイミング図、第3図(a)および(b)は本発明に
用いる2次元インターライン型CODイメージセンサの
例を示す断面図および平面図、第4図は第3図のイメー
ジセンサの光シール電極電圧に対するフォトダイオード
の飽和出力電圧特性を示す図、第5図は同様に基板電圧
に対するフォトダイオードの飽和出力電圧特性を示す図
、第6図は従来のシャッタ駆動を実施した2次元インタ
ーライン型CODイメージセンサの模式平面図、第7図
は従来の通常垂直駆動パルスと1/1000秒シャッタ
駆動パルスを対比して示した図、第8図は蓄積部を設け
ることによって1/250秒から1/1000秒までの
シャッタスピードを実現した従来の改良型CODイメー
ジセンサの模式平面図である。 l・・・・・・垂直クロックパルス、2・・・・・・ブ
ランキング信号、3・・・・・・光シールド電極パルス
、5・・・・・・掃き出し読み出しパルス、6・・・・
・・読み出しパルス、7・・・・・・高速垂直転送パル
ス、8・・・・・・有効蓄積期間、37・・・・・・光
シールド電極、38・・・・・・垂直CODレジスタ電
極、33・・・・・・フォトダイオード、32・・・・
・・垂直CODレジスタ、34・・・・・・N型基板、
35・・・・・・Pウェル、36・・・・・・読み出し
ゲート部代理人 弁理士 内 原 晋 茅 1 」 茅 211J C0−) (b) 弄 図 [=〒ト(lρドレし ゾ14tCρしジヌダ 茅 を 阿 箒 圏 売)−ルド肇aρゼIECV) 芽4I!I メ郭し’WバCV) $5 閏
Claims (1)
- 複数の光電変換領域の蓄積電荷を垂直電荷転送レジスタ
を介して掃き出し転送することによって除去し、蓄積時
間を制御する2次元CCD撮像素子の駆動法において、
有効蓄積期間以外の期間、前記光電変換領域の最大蓄積
電荷量を有効蓄積期間より小さく設定することを特徴と
する2次元CCD撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (4)
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DE68917533T DE68917533T2 (de) | 1988-06-15 | 1989-06-15 | Regelungsverfahren der elektronischen Überblendung für eine zweidimensionale ladungsgekoppelte Anordnung. |
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