JPH04268764A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04268764A JPH04268764A JP3050214A JP5021491A JPH04268764A JP H04268764 A JPH04268764 A JP H04268764A JP 3050214 A JP3050214 A JP 3050214A JP 5021491 A JP5021491 A JP 5021491A JP H04268764 A JPH04268764 A JP H04268764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- light receiving
- storage section
- solid
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は受光部に蓄積された電荷
が転送レジスタによって順次転送されるCCD(電荷結
合素子)型の固体撮像装置に関する。
が転送レジスタによって順次転送されるCCD(電荷結
合素子)型の固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】CCD型の固体撮像装置では、信号電荷
の蓄積時間をシャッタ速度に対応した時間に設定するこ
とで、高速なシャッタが実現される。この高速シャッタ
を設定することで、ゴルフのスイングの如き動きの速い
ものもブレることなく撮影することができ、動解像度が
向上する。また、そのシャッタ機能を用いて、一定の期
間中に複数回のシャッタを切り、いわゆるマルチストロ
ボ画面効果をもった画像を得ることもできる。このよう
なマルチシャッター動作を行うために、例えばフレーム
インタライン転送(FIT)型CCDでは、フィールド
期間中に受光部から信号電荷が複数回垂直レジスタに掃
き出され、その垂直レジスタに複数回分の信号電荷が蓄
積される。また、インターライン転送(IT)型CCD
でも、受光部に隣接した蓄積部を設け、その蓄積部に何
回も信号電荷を読み出す技術があり、このような技術は
特開平2−56182号公報に記載されている。
の蓄積時間をシャッタ速度に対応した時間に設定するこ
とで、高速なシャッタが実現される。この高速シャッタ
を設定することで、ゴルフのスイングの如き動きの速い
ものもブレることなく撮影することができ、動解像度が
向上する。また、そのシャッタ機能を用いて、一定の期
間中に複数回のシャッタを切り、いわゆるマルチストロ
ボ画面効果をもった画像を得ることもできる。このよう
なマルチシャッター動作を行うために、例えばフレーム
インタライン転送(FIT)型CCDでは、フィールド
期間中に受光部から信号電荷が複数回垂直レジスタに掃
き出され、その垂直レジスタに複数回分の信号電荷が蓄
積される。また、インターライン転送(IT)型CCD
でも、受光部に隣接した蓄積部を設け、その蓄積部に何
回も信号電荷を読み出す技術があり、このような技術は
特開平2−56182号公報に記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に、垂直レジスタや受光部にそれぞれ隣接した蓄積部に
信号電荷を単に蓄積する場合では、垂直レジスタや蓄積
部に流れ込む暗電流によって、白点等の雑音が発生して
画質が劣化する。そこで、本発明はマルチシャッター動
作時にも良好な画質の画像信号を得ることができる固体
撮像装置の提供を目的とする。
に、垂直レジスタや受光部にそれぞれ隣接した蓄積部に
信号電荷を単に蓄積する場合では、垂直レジスタや蓄積
部に流れ込む暗電流によって、白点等の雑音が発生して
画質が劣化する。そこで、本発明はマルチシャッター動
作時にも良好な画質の画像信号を得ることができる固体
撮像装置の提供を目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上述の目的の達成のため
、本発明の固体撮像装置は、受光部と、該受光部に蓄積
した電荷を一時的に蓄えておく蓄積部と、該蓄積部に蓄
えた電荷を読み出して順次転送する転送レジスタとを有
し、上記受光部及び上記蓄積部はそれぞれ表面領域に正
電荷蓄積層を有することを特徴とする。
、本発明の固体撮像装置は、受光部と、該受光部に蓄積
した電荷を一時的に蓄えておく蓄積部と、該蓄積部に蓄
えた電荷を読み出して順次転送する転送レジスタとを有
し、上記受光部及び上記蓄積部はそれぞれ表面領域に正
電荷蓄積層を有することを特徴とする。
【0005】
【作用】本発明の固体撮像装置の蓄積部は受光部と転送
レジスタの間の信号電荷の転送経路中に設けられ、蓄積
部に信号電荷が一時的に蓄積され、高速シャッター動作
が可能となる。そして、受光部の表面領域に正電荷蓄積
層を形成する構造(いわゆるHADセンサー構造)に加
えて、その蓄積部の表面領域にも正電荷蓄積層を形成す
ることで当該蓄積部における暗電流を抑えることができ
、画質の劣化を防止することが可能となる。
レジスタの間の信号電荷の転送経路中に設けられ、蓄積
部に信号電荷が一時的に蓄積され、高速シャッター動作
が可能となる。そして、受光部の表面領域に正電荷蓄積
層を形成する構造(いわゆるHADセンサー構造)に加
えて、その蓄積部の表面領域にも正電荷蓄積層を形成す
ることで当該蓄積部における暗電流を抑えることができ
、画質の劣化を防止することが可能となる。
【0006】
【実施例】本発明の好適な実施例を図面を参照しながら
説明する。本実施例の固体撮像装置は、インターライン
転送型のCCDイメージセンサーであり、図1に示す概
略的なレイアウトを有する。このCCDイメージセンサ
ー10は、シリコン基板が使用され、その基板表面に2
次元マトリクス状に複数の受光部11が形成される。こ
れら受光部11は後述する正電荷蓄積層を有したフォト
ダイオードの構造を有し、入射光に基づく光電変換によ
って信号電荷を発生させる。各受光部11にはそれぞれ
1つの蓄積部12が図中H方向に並んで隣接する。各蓄
積部12は受光部11からの信号電荷を一時的に蓄積す
る機能を有し、後述するように表面領域に正電荷蓄積層
を有する。
説明する。本実施例の固体撮像装置は、インターライン
転送型のCCDイメージセンサーであり、図1に示す概
略的なレイアウトを有する。このCCDイメージセンサ
ー10は、シリコン基板が使用され、その基板表面に2
次元マトリクス状に複数の受光部11が形成される。こ
れら受光部11は後述する正電荷蓄積層を有したフォト
ダイオードの構造を有し、入射光に基づく光電変換によ
って信号電荷を発生させる。各受光部11にはそれぞれ
1つの蓄積部12が図中H方向に並んで隣接する。各蓄
積部12は受光部11からの信号電荷を一時的に蓄積す
る機能を有し、後述するように表面領域に正電荷蓄積層
を有する。
【0007】各蓄積部12の受光部11と反対側には垂
直レジスタ13が形成される。この垂直レジスタ13は
、マトリクス状に配列された各受光部11の垂直列毎に
それぞれ設けられ、図中V方向に並ぶ受光部11が1つ
の垂直レジスタ13に対応する。垂直レジスタ13のV
方向の端部には、水平レジスタ14が設けられており、
垂直レジスタ13の電荷は水平レジスタ14に転送され
、この水平レジスタ14で1ライン毎の電荷の転送が行
われる。水平レジスタ14の端部には出力部15が設け
られ、その出力部15から撮像した画像信号が出力され
る。
直レジスタ13が形成される。この垂直レジスタ13は
、マトリクス状に配列された各受光部11の垂直列毎に
それぞれ設けられ、図中V方向に並ぶ受光部11が1つ
の垂直レジスタ13に対応する。垂直レジスタ13のV
方向の端部には、水平レジスタ14が設けられており、
垂直レジスタ13の電荷は水平レジスタ14に転送され
、この水平レジスタ14で1ライン毎の電荷の転送が行
われる。水平レジスタ14の端部には出力部15が設け
られ、その出力部15から撮像した画像信号が出力され
る。
【0008】図2は図1のII−II線断面に対応した
素子断面図である。CCDイメージセンサーはn型のシ
リコン基板21を用いて形成される。このシリコン基板
21には、2種類のp型のウェル領域22,23が形成
される。p型のウェル領域22は、p型の不純物拡散領
域からなり、蓄積部12と垂直レジスタ13の領域に対
して形成されるウェル領域である。このウェル領域22
によって基板からの拡散による電流成分を抑えることが
でき、垂直レジスタ13の底部には、スミア低減用の第
2のウェル領域を付加することもできる。p型のウェル
領域23は、p型の不純物拡散領域からなり、受光部1
1の領域に対して形成されるウェル領域である。このp
型のウェル領域23は、基板に不要電荷を掃き出す場合
のオーバーフロードレイン障壁として機能し、所要の高
い基板電圧をシリコン基板21に印加することで、当該
ウェル領域23を越えて電子がシリコン基板21に掃き
出される。
素子断面図である。CCDイメージセンサーはn型のシ
リコン基板21を用いて形成される。このシリコン基板
21には、2種類のp型のウェル領域22,23が形成
される。p型のウェル領域22は、p型の不純物拡散領
域からなり、蓄積部12と垂直レジスタ13の領域に対
して形成されるウェル領域である。このウェル領域22
によって基板からの拡散による電流成分を抑えることが
でき、垂直レジスタ13の底部には、スミア低減用の第
2のウェル領域を付加することもできる。p型のウェル
領域23は、p型の不純物拡散領域からなり、受光部1
1の領域に対して形成されるウェル領域である。このp
型のウェル領域23は、基板に不要電荷を掃き出す場合
のオーバーフロードレイン障壁として機能し、所要の高
い基板電圧をシリコン基板21に印加することで、当該
ウェル領域23を越えて電子がシリコン基板21に掃き
出される。
【0009】次に、そのウェル領域23内に形成される
フォトダイオードは、p型のウェル領域23の表面側に
形成されたn+ 型の不純物拡散領域24と、そのn+
型の不純物拡散領域24の表面領域に形成されたp+
+型の不純物拡散領域からなる正電荷蓄積層25とを有
する。 n+ 型の不純物拡散領域24は、入射光が光電変換さ
れて発生する信号電荷を蓄積する領域である。正電荷蓄
積層25は正孔を蓄積して暗電流を低減させるための領
域である。積層されたn+ 型の不純物拡散領域24及
び正電荷蓄積層25と、隣接する他の垂直列の垂直レジ
スタ13との間の基板表面にはチャンネルストップ領域
26が形成されている。正電荷蓄積層25の上部は、絶
縁膜28が形成され、さらにその絶縁膜28上に積層さ
れた遮光膜であるアルミニューム膜29は正電荷蓄積層
25の上部で窓部29を有する。従って、入射光は窓部
29,絶縁膜28及び正電荷蓄積層25を介してn+
型の不純物拡散領域24に到達し、そこで光電変換され
る。
フォトダイオードは、p型のウェル領域23の表面側に
形成されたn+ 型の不純物拡散領域24と、そのn+
型の不純物拡散領域24の表面領域に形成されたp+
+型の不純物拡散領域からなる正電荷蓄積層25とを有
する。 n+ 型の不純物拡散領域24は、入射光が光電変換さ
れて発生する信号電荷を蓄積する領域である。正電荷蓄
積層25は正孔を蓄積して暗電流を低減させるための領
域である。積層されたn+ 型の不純物拡散領域24及
び正電荷蓄積層25と、隣接する他の垂直列の垂直レジ
スタ13との間の基板表面にはチャンネルストップ領域
26が形成されている。正電荷蓄積層25の上部は、絶
縁膜28が形成され、さらにその絶縁膜28上に積層さ
れた遮光膜であるアルミニューム膜29は正電荷蓄積層
25の上部で窓部29を有する。従って、入射光は窓部
29,絶縁膜28及び正電荷蓄積層25を介してn+
型の不純物拡散領域24に到達し、そこで光電変換され
る。
【0010】n+ 型の不純物拡散領域24のチャンネ
ルストップ領域25が配されている側と反対側の基板表
面は、ウェル領域22の一部が臨む。このウェル領域2
2の一部上には、絶縁膜28を介してゲート電極27が
形成される。このゲート電極27は、受光部11と蓄積
部12の間の電荷の転送を制御するものであり、ゲート
電極27に高電位を与えることで、n+ 型の不純物拡
散領域24に蓄積されている信号電荷が蓄積部12に転
送される。
ルストップ領域25が配されている側と反対側の基板表
面は、ウェル領域22の一部が臨む。このウェル領域2
2の一部上には、絶縁膜28を介してゲート電極27が
形成される。このゲート電極27は、受光部11と蓄積
部12の間の電荷の転送を制御するものであり、ゲート
電極27に高電位を与えることで、n+ 型の不純物拡
散領域24に蓄積されている信号電荷が蓄積部12に転
送される。
【0011】このゲート電極27を挟んでn+ 型の不
純物拡散領域24には蓄積部12を構成するn++型の
不純物拡散領域30とp++型の不純物拡散領域からな
る正電荷蓄積層31が積層された領域が対向する。n+
+型の不純物拡散領域30はp型のウェル領域22との
間に形成される容量に、受光部11からの信号電荷を一
時的に蓄積するための領域であり、マルチストロボ動作
させる場合では、1フィールド期間中に何度も受光部1
1からの電荷が転送される。蓄積部12の正電荷蓄積層
31は、暗電流を低減させるためにn++型の不純物拡
散領域30の表面側に形成された層であり、このような
正電荷蓄積層31を形成することで白点を抑えて画質を
向上させることができる。
純物拡散領域24には蓄積部12を構成するn++型の
不純物拡散領域30とp++型の不純物拡散領域からな
る正電荷蓄積層31が積層された領域が対向する。n+
+型の不純物拡散領域30はp型のウェル領域22との
間に形成される容量に、受光部11からの信号電荷を一
時的に蓄積するための領域であり、マルチストロボ動作
させる場合では、1フィールド期間中に何度も受光部1
1からの電荷が転送される。蓄積部12の正電荷蓄積層
31は、暗電流を低減させるためにn++型の不純物拡
散領域30の表面側に形成された層であり、このような
正電荷蓄積層31を形成することで白点を抑えて画質を
向上させることができる。
【0012】このような蓄積部12のゲート電極27の
反対側の基板表面部分のp型のウェル領域22は、読み
出しゲートが臨む読み出しゲート部32とされる。すな
わち、n++型の不純物拡散領域30に蓄積されている
電荷は読み出しゲート部32を介して垂直レジスタ13
に転送される。読み出しゲート部32を挟んで蓄積部1
2と反対側には、電荷を垂直方向(図面の面内方向に垂
直な方向)に転送するための垂直レジスタ13の埋め込
みチャンネル層34が設けられ、その埋め込みチャンネ
ル層34上には、絶縁膜28を介して転送電極33が形
成される。この埋め込みチャンネル層34は、n+ 型
の不純物拡散領域からなり、転送電極33に供給される
駆動信号に従って電荷が転送される。転送電極33の一
部は上記読み出しゲート部32上まで延在されており、
例えば転送電極33に所要の3値レベルのパルス等を駆
動信号として供給することにより、蓄積部12から垂直
レジスタ13への電荷の読み出し及び垂直レジスタ13
内の転送が行われる。
反対側の基板表面部分のp型のウェル領域22は、読み
出しゲートが臨む読み出しゲート部32とされる。すな
わち、n++型の不純物拡散領域30に蓄積されている
電荷は読み出しゲート部32を介して垂直レジスタ13
に転送される。読み出しゲート部32を挟んで蓄積部1
2と反対側には、電荷を垂直方向(図面の面内方向に垂
直な方向)に転送するための垂直レジスタ13の埋め込
みチャンネル層34が設けられ、その埋め込みチャンネ
ル層34上には、絶縁膜28を介して転送電極33が形
成される。この埋め込みチャンネル層34は、n+ 型
の不純物拡散領域からなり、転送電極33に供給される
駆動信号に従って電荷が転送される。転送電極33の一
部は上記読み出しゲート部32上まで延在されており、
例えば転送電極33に所要の3値レベルのパルス等を駆
動信号として供給することにより、蓄積部12から垂直
レジスタ13への電荷の読み出し及び垂直レジスタ13
内の転送が行われる。
【0013】図3は図2の断面に沿った受光部11,蓄
積部12及び垂直レジスタ13の各ポテンシャルを示す
図である。蓄積部12のポテンシャルと受光部のポテン
シャルの間には、ゲート電極27に対応したポテンシャ
ル障壁があり、このポテンシャル障壁は該ゲート電極2
7のゲート電圧Φstに制御される。蓄積部12のポテ
ンシャルは受光部11のポテンシャルよりも深く設定さ
れ、ゲート電極27のゲート電圧Φstを高レベルとす
ることで、受光部11の電荷が蓄積部12に流れ込む。 蓄積部12のポテンシャルと垂直レジスタ13のポテン
シャルの間には、読み出しゲート部32に対応したポテ
ンシャル障壁が形成されており、読み出し時には、転送
電極33の電位を大きく下げることで、図中破線で示す
ように、蓄積部12から垂直レジスタ13に対して信号
電荷が流入する。
積部12及び垂直レジスタ13の各ポテンシャルを示す
図である。蓄積部12のポテンシャルと受光部のポテン
シャルの間には、ゲート電極27に対応したポテンシャ
ル障壁があり、このポテンシャル障壁は該ゲート電極2
7のゲート電圧Φstに制御される。蓄積部12のポテ
ンシャルは受光部11のポテンシャルよりも深く設定さ
れ、ゲート電極27のゲート電圧Φstを高レベルとす
ることで、受光部11の電荷が蓄積部12に流れ込む。 蓄積部12のポテンシャルと垂直レジスタ13のポテン
シャルの間には、読み出しゲート部32に対応したポテ
ンシャル障壁が形成されており、読み出し時には、転送
電極33の電位を大きく下げることで、図中破線で示す
ように、蓄積部12から垂直レジスタ13に対して信号
電荷が流入する。
【0014】マルチストロボ動作を行う場合、フィール
ド期間内に何度も電荷が受光部11から蓄積部12に対
して転送される。すなわち、ゲート電極27のゲート電
圧Φstが或るフイールド期間内に複数回高レベルとさ
れる。そして、蓄積部12は前述のように、n++型の
不純物拡散領域30の表面側に正電荷蓄積層31を有す
る構造とされているため、暗電流が抑制され、出力され
る画像信号の画質が改善されることになる。
ド期間内に何度も電荷が受光部11から蓄積部12に対
して転送される。すなわち、ゲート電極27のゲート電
圧Φstが或るフイールド期間内に複数回高レベルとさ
れる。そして、蓄積部12は前述のように、n++型の
不純物拡散領域30の表面側に正電荷蓄積層31を有す
る構造とされているため、暗電流が抑制され、出力され
る画像信号の画質が改善されることになる。
【0015】図4はマルチストロボ動作を行う場合の各
信号の波形図であり、信号FLD(a)の低レベルの期
間が垂直ブランキング期間BLKである。信号ΦV(e
)は、垂直レジスタ13の垂直方向への電荷の転送を図
るための信号であり、1水平周期で1ビットずつ電荷が
水平レジスタに対して転送される。信号Xsub(b)
は基板への不要電荷の掃き出し用のパルスを示すもので
あり、水平ブランキング期間中に基板21に印加される
パルスにより受光部11のn+ 型の不純物拡散領域2
4に蓄積された不要電荷がシリコン基板21に掃き出さ
れる。信号Φst(c)は前記ゲート電極27に供給さ
れるゲート電圧であり、この信号Φstが高レベルとな
ったタイミングで受光部11から蓄積部12への電荷の
転送が行われる。また、信号ROG(d)は読み出しゲ
ート部32における電荷の転送を制御するための信号で
あり、その信号ROGが高レベルとなった時、蓄積部1
2から垂直レジスタ13への電荷の転送が行われる。こ
の蓄積部12から垂直レジスタ13への電荷の転送は、
1フィールドに一回垂直ブランキング期間BLK中に行
われる。
信号の波形図であり、信号FLD(a)の低レベルの期
間が垂直ブランキング期間BLKである。信号ΦV(e
)は、垂直レジスタ13の垂直方向への電荷の転送を図
るための信号であり、1水平周期で1ビットずつ電荷が
水平レジスタに対して転送される。信号Xsub(b)
は基板への不要電荷の掃き出し用のパルスを示すもので
あり、水平ブランキング期間中に基板21に印加される
パルスにより受光部11のn+ 型の不純物拡散領域2
4に蓄積された不要電荷がシリコン基板21に掃き出さ
れる。信号Φst(c)は前記ゲート電極27に供給さ
れるゲート電圧であり、この信号Φstが高レベルとな
ったタイミングで受光部11から蓄積部12への電荷の
転送が行われる。また、信号ROG(d)は読み出しゲ
ート部32における電荷の転送を制御するための信号で
あり、その信号ROGが高レベルとなった時、蓄積部1
2から垂直レジスタ13への電荷の転送が行われる。こ
の蓄積部12から垂直レジスタ13への電荷の転送は、
1フィールドに一回垂直ブランキング期間BLK中に行
われる。
【0016】マルチストロボ動作は、1フィールド期間
中に、信号Φstのパルスが複数回発生することで行わ
れる。まず、高速シャッタ作動時では、信号信号Xsu
bのパルスが連続的に発生し、そのパルスが一時的に停
止して、受光部11は信号電荷の蓄積期間すなわちシャ
ッター開放期間となる。この蓄積期間は、1フィールド
期間中に複数回発生し、図示の例では、二回の蓄積期間
t1,t2 を示す。そして、これら蓄積期間t1,t
2 の終端時には、信号ΦstのパルスSM,SM が
それぞれ発生して、受光部11の電荷が蓄積部12にそ
れぞれ転送される。そして、該フィールド期間の終了時
において、信号ROGにパルスT0 が発生し、このパ
ルスT0 のタイミングで複数回分の電荷が転送された
蓄積部12から垂直レジスタ13への電荷の転送が行わ
れる。
中に、信号Φstのパルスが複数回発生することで行わ
れる。まず、高速シャッタ作動時では、信号信号Xsu
bのパルスが連続的に発生し、そのパルスが一時的に停
止して、受光部11は信号電荷の蓄積期間すなわちシャ
ッター開放期間となる。この蓄積期間は、1フィールド
期間中に複数回発生し、図示の例では、二回の蓄積期間
t1,t2 を示す。そして、これら蓄積期間t1,t
2 の終端時には、信号ΦstのパルスSM,SM が
それぞれ発生して、受光部11の電荷が蓄積部12にそ
れぞれ転送される。そして、該フィールド期間の終了時
において、信号ROGにパルスT0 が発生し、このパ
ルスT0 のタイミングで複数回分の電荷が転送された
蓄積部12から垂直レジスタ13への電荷の転送が行わ
れる。
【0017】この時に垂直レジスタ13に転送される電
荷は、蓄積部12において暗電流が抑えられているため
、ノイズの少ない良質なものであり、従って、本実施例
のCCDイメージセンサーは、優れたマルチストロボ効
果を持った画像を出力することができる。
荷は、蓄積部12において暗電流が抑えられているため
、ノイズの少ない良質なものであり、従って、本実施例
のCCDイメージセンサーは、優れたマルチストロボ効
果を持った画像を出力することができる。
【0018】本実施例のCCDイメージセンサーは、垂
直レジスタ13と蓄積部12と受光部11が直線上に配
される構造としたが、この平面レイアウトに限定されず
、例えばL字状に配されるような構造でも良い。また、
本実施例では、不要電荷の掃き出しをシリコン基板21
に行うものとしているが、受光部の側部にオーバーフロ
ードレイン領域を形成しても良く、また蓄積部12から
基板への掃き出しを行うようにすることもできる。 また、蓄積部12を有しているため、任意のタイミング
でシャッター動作を作動させるように制御することも可
能であり、インターライン転送のみならずフレームイン
ターライン転送構造とすることも可能である。
直レジスタ13と蓄積部12と受光部11が直線上に配
される構造としたが、この平面レイアウトに限定されず
、例えばL字状に配されるような構造でも良い。また、
本実施例では、不要電荷の掃き出しをシリコン基板21
に行うものとしているが、受光部の側部にオーバーフロ
ードレイン領域を形成しても良く、また蓄積部12から
基板への掃き出しを行うようにすることもできる。 また、蓄積部12を有しているため、任意のタイミング
でシャッター動作を作動させるように制御することも可
能であり、インターライン転送のみならずフレームイン
ターライン転送構造とすることも可能である。
【0019】
【発明の効果】本発明の固体撮像装置は、上述のように
、受光部のみならず蓄積部の表面領域にも正電荷蓄積層
を有している。このため蓄積部における暗電流を低減さ
せることができ、マルチストロボ動作させた場合でも、
白点の発生を抑えて良質な画質の画像信号を出力できる
。
、受光部のみならず蓄積部の表面領域にも正電荷蓄積層
を有している。このため蓄積部における暗電流を低減さ
せることができ、マルチストロボ動作させた場合でも、
白点の発生を抑えて良質な画質の画像信号を出力できる
。
【図1】本発明の固体撮像装置の一例の平面レイアウト
を概略的に示すブロック図
を概略的に示すブロック図
【図2】本発明の固体撮像装置の一例の受光部から垂直
レジスタにかけての断面を示す素子断面図
レジスタにかけての断面を示す素子断面図
【図3】図2
の断面に対応した受光部から垂直レジスタにかけてのポ
テンシャルエネルギーの状態を示すポテンシャル図
の断面に対応した受光部から垂直レジスタにかけてのポ
テンシャルエネルギーの状態を示すポテンシャル図
【図4】本発明の固体撮像装置の一例の或るフィールド
期間におけるマルチストロボ動作を説明するための波形
図
期間におけるマルチストロボ動作を説明するための波形
図
11…受光部
12…蓄積部
13…垂直レジスタ
14…水平レジスタ
21…シリコン基板
22,23…ウェル領域
24…n+ 型の不純物拡散領域
25,31…正電荷蓄積層
27…ゲート電極
30…n++型の不純物拡散領域
33…転送電極
34…埋め込みチャンネル層
Claims (1)
- 【請求項1】 受光部と、該受光部に蓄積した電荷を
一時的に蓄えておく蓄積部と、該蓄積部に蓄えた電荷を
読み出して順次転送する転送レジスタとを有する固体撮
像装置において、上記受光部及び上記蓄積部はそれぞれ
表面領域に正電荷蓄積層を有することを特徴とする固体
撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3050214A JPH04268764A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3050214A JPH04268764A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04268764A true JPH04268764A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=12852835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3050214A Pending JPH04268764A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04268764A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005235893A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 光飛行時間型距離センサ |
WO2008069141A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | National University Corporation Shizuoka University | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
JP2008258571A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-10-23 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2009047662A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置及び距離画像測定装置 |
JP2009268083A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-11-12 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
KR20100090189A (ko) * | 2009-02-05 | 2010-08-13 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 전자 기기 |
JP2010182888A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP2010182886A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP2015188049A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3050214A patent/JPH04268764A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005235893A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 光飛行時間型距離センサ |
KR101030263B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2011-04-22 | 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸 | 반도체 거리 측정 소자 및 고체 촬상 장치 |
WO2008069141A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | National University Corporation Shizuoka University | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
JPWO2008069141A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2010-03-18 | 国立大学法人静岡大学 | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
JP5105549B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-12-26 | 国立大学法人静岡大学 | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
US8289427B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-10-16 | National University Corporation Shizuoka University | Semiconductor range-finding element and solid-state imaging device |
JP2008258571A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-10-23 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2009047662A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置及び距離画像測定装置 |
US8767189B2 (en) | 2007-08-22 | 2014-07-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid state imaging device and distance image measurement device |
US8570410B2 (en) | 2008-04-03 | 2013-10-29 | Sony Corporation | Solid state imaging device, driving method of the solid state imaging device, and electronic equipment |
JP2009268083A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-11-12 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
US8934036B2 (en) | 2008-04-03 | 2015-01-13 | Sony Corporation | Solid state imaging device, driving method of the solid state imaging device and electronic equipment |
JP2010182886A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP2010182888A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
KR20100090189A (ko) * | 2009-02-05 | 2010-08-13 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 전자 기기 |
JP2015188049A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4322753A (en) | Smear and/or blooming in a solid state charge transfer image pickup device | |
US6400404B2 (en) | Solid-state imaging device and camera using the same | |
JP2525781B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
US6724022B1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP4314693B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法、固体撮像装置および撮像システム | |
US7659933B2 (en) | Imaging device and driving method for solid-state imaging device | |
US5426317A (en) | Frame interline transfer CCD imager | |
JPH04268764A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH022793A (ja) | 2次元ccd撮像素子の駆動方法 | |
JPH0262170A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2554621B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0775020A (ja) | 電荷結合装置 | |
JP2002151673A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH0374554B2 (ja) | ||
JPH0421351B2 (ja) | ||
JPH01125074A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS63294080A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH031871B2 (ja) | ||
JPH0150156B2 (ja) | ||
JPS59122085A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2987844B2 (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
JP4269701B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
JP3805097B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2004221339A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH08279608A (ja) | 電荷転送素子及び電荷転送素子の駆動方法 |