JP2009047662A - 固体撮像装置及び距離画像測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一対の第1ゲート電極IGR,IGLが、光感応領域SAと一対の第1蓄積領域AR,ALとの間のポテンシャルφTX1,φTX2が交互に傾斜するよう半導体基板100上に設けられている。一対の第2ゲート電極IGR,IGLは、第1蓄積領域AR,ALと第2蓄積領域FDR,FDLとの間にそれぞれ介在する第1ポテンシャル障壁φBGの高さを制御するよう半導体基板100上に設けられており、光検出素子によって検出される背景光の出力が高いほどキャリアに対する第1ポテンシャル障壁φBGの高さを増加させる。
【選択図】 図6
Description
第2蓄積領域FDR,FDLを電源電位V+に接続し、しかる後、トランジスタ(IGR,IGL)とトランジスタ(EX1,EX2)をOFFする。これにより、このフローティング・ディフュージョン領域のリセットを行う。このとき、各トランジスタ(IGR,IGL)とトランジスタ(EX1,EX2)のゲート電極に印加される電圧の大きさは、上記リセットが行われる程度に大きく設定する。
Claims (4)
- 背景光を検出する光検出手段と、
複数の画素からなる撮像領域と、
を備えた固体撮像装置であって、
個々の前記画素は、
半導体基板内に設けられた光感応領域と、
前記半導体基板内に設けられた一対の第1蓄積領域と、
前記光感応領域と一対の前記第1蓄積領域との間のポテンシャルが交互に傾斜するよう前記半導体基板上に設けられた一対の第1ゲート電極と、
前記半導体基板内に設けられた一対の第2蓄積領域と、
前記第1蓄積領域と前記第2蓄積領域との間にそれぞれ介在する第1ポテンシャル障壁高さを制御するよう前記半導体基板上に設けられ、前記光検出手段によって検出される背景光の出力が高いほどキャリアに対する前記第1ポテンシャル障壁高さを増加させる一対の第2ゲート電極と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体基板内に設けられた一対の第3蓄積領域と、
前記第2蓄積領域と前記第3蓄積領域との間にそれぞれ介在する第2ポテンシャル障壁高さを制御するよう前記半導体基板上に設けられた一対の第3ゲート電極と、
を備え、
キャリアに対する前記第2ポテンシャル障壁の高さを低下させることで、前記第2蓄積領域に蓄積されたキャリアを前記第3蓄積領域に転送した後、前記第2ポテンシャル障壁の高さを増加させ、第3蓄積領域にキャリアを保持した状態で、一対の前記第1蓄積領域に交互にキャリアが蓄積されるよう、前記第1、第2及び第3ゲート電極への印加電位を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記光感応領域は前記光検出手段を兼用しており、
前記光感応領域の出力に応じて、前記第2ゲート電極への印加電位を出力する制御手段を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
一対の前記第1ゲート電極への印加電位に同期したパルス光を対象物に出射する光源と、
一対の前記第2蓄積領域から出力されたキャリアの電荷量に応じて前記対象物までの距離を演算する演算回路と、
を備えることを特徴とする距離画像測定装置。
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