JP5660959B2 - 受光装置 - Google Patents
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Description
前記第1導電型不純物層は、前記第1導電型半導体基板の表面側になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されてもよい。
14…撮像部 16…演算部
18…制御部 20…電源
22…第2電源 28…固体撮像装置
30…単位画素 32…画素アレイ
34…画素駆動回路 44…ゲート駆動回路
100…受光装置 102…p型半導体基板
104…光電変換素子 106…光電子振分部
108…光電子排出部 110…フォトゲート
112…第1転送部 114…光電子保持部
116…第2転送部 118、142…浮遊拡散層
120…第1転送ゲート 122…保持ゲート
124…第2転送ゲート 126…リセット用トランジスタ
130…信号読出用トランジスタ 132…信号読出線
134…選択用トランジスタ 140…第3転送部
144…第3転送ゲート 200…p型不純物領域
202、204、210…n型不純物領域
206、208、212、214…p型不純物層
Claims (5)
- 光を検知して光電子に変換する光電変換素子が第1導電型半導体基板上に形成された受光装置であって、
前記受光装置は、前記第1導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、
前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部と、前記光電変換素子に対して前記第1転送部を挟んで反対側に配置され、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記第1転送部に対して前記光電子保持部を挟んで反対側に配置され、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第2転送部と、前記光電子保持部に対して前記第2転送部を挟んで反対側に配置され、転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層と、を備え、
前記光電子保持部には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第1濃度の第1導電型の第1導電型不純物領域が、前記第1導電型半導体基板の表面側に形成され、
前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度と異なる第3濃度の第1導電型不純物層が形成されており、
前記第1導電型不純物層は、前記第1導電型半導体基板の表面側になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されている
ことを特徴とする受光装置。 - 請求項1に記載の受光装置であって、
前記第1転送部の第1転送ゲート及び前記第2転送部の第2転送ゲートと、前記光電子保持部の保持ゲートとの間には、前記第1導電型不純物領域に隣接して第2導電型の第2導電型不純物領域が、前記第1導電型半導体基板の表面側に形成されている
ことを特徴とする受光装置。 - 請求項2に記載の受光装置であって、
前記第1導電型不純物領域が、前記第1転送部の第1転送ゲート及び前記第2転送部の第2転送ゲートと、前記光電子保持部の保持ゲートとの間に形成された前記第2導電型不純物領域よりも深さ方向に深く形成されている
ことを特徴とする受光装置。 - 光を検知して光電子に変換する光電変換素子が第1導電型半導体基板上に形成された受光装置であって、
前記受光装置は、前記第1導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、
前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部と、前記光電変換素子に対して前記第1転送部を挟んで反対側に配置され、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記第1転送部に対して前記光電子保持部を挟んで反対側に配置され、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第2転送部と、前記光電子保持部に対して前記第2転送部を挟んで反対側に配置され、転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層と、を備え、
前記第1導電型半導体基板の表面側に、第2導電型不純物領域が形成され、
前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度と異なる第5濃度の第1導電型不純物層が形成されており、
前記第1導電型不純物層は、基板の表面になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されている
ことを特徴とする受光装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の受光装置であって、
前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、
前記第1転送部、前記光電子保持部、及び前記第2転送部は、MOSダイオード構造により形成されている
ことを特徴とする受光装置。
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