JP6485674B1 - 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6485674B1 JP6485674B1 JP2018561735A JP2018561735A JP6485674B1 JP 6485674 B1 JP6485674 B1 JP 6485674B1 JP 2018561735 A JP2018561735 A JP 2018561735A JP 2018561735 A JP2018561735 A JP 2018561735A JP 6485674 B1 JP6485674 B1 JP 6485674B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- imaging device
- solid
- signal
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 72
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 22
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 26
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 4
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4865—Time delay measurement, e.g. time-of-flight measurement, time of arrival measurement or determining the exact position of a peak
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
- G01S17/10—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
- G01S17/89—Lidar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
- G01S17/894—3D imaging with simultaneous measurement of time-of-flight at a 2D array of receiver pixels, e.g. time-of-flight cameras or flash lidar
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/484—Transmitters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4861—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
- G01S7/4863—Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4868—Controlling received signal intensity or exposure of sensor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/20—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming only infrared radiation into image signals
- H04N25/21—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming only infrared radiation into image signals for transforming thermal infrared radiation into image signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
Description
物体までの距離を検知する複数の方式の中で、測定対象物まで光が往復する飛行時間を利用して測距を行うTOF方式が知られている。
図1は、本発明の実施の形態1に係る測距撮像装置1000の概略構成の一例を示す機能ブロック図である。同図に示すように、測距撮像装置1000は、固体撮像装置100と、光源ドライバ200と、プロセッサ300と、光学レンズ400と、光源部500とを備える。また、固体撮像装置100は、撮像部101と、AD変換部102と、タイミング生成部103と、シャッタドライバ104とを備える。
d=c×Tp/2×{(A1−A2)/(A0−A2+A1−A2)}
とすることが出来る。
A0=A0(TG1)
A1=A1(TG2)
であり、ここで(TG1)(TG2)の記載は、それぞれTG1、TG2が印加される第1の読み出しゲート6a、第2の読み出しゲート6bで読み出されたことを示す。
A0=A0(TG2)
A1=A1(TG1)
となる。
A0=A0(TG1)+A0(TG2)
A1=A1(TG1)+A1(TG2)
となり、A0、A1共にTG1、TG2が印加される第1の読み出しゲート6a、第2の読み出しゲート6bで読み出された成分を均等に含み、また電荷蓄積位置についても均等に分けられおり、2つの読み出しゲート6、電荷蓄積部2を備えていても、1フレーム内の露光期間で読み出された場所及び電荷蓄積位置の差による信号の差をキャンセルすることが出来る。
本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置及びその駆動方法について、上記の実施の形態1との相違点を中心に説明する。
A1=A1(TG2)+DS2+Sm2
A2=DS3+Sm3
A0=A0(TG2)+DS2+Sm2+DSX+SmX
A1=A1(TG1)+DS1+Sm1
A2=DS3+Sm3
入れ替え動作(2)と露光(3)の間においては、入れ替え動作(2)時に、A2信号が電荷保持部10に転送されるため、電荷保持部10の暗電流DSXと寄生感度SmXがA2に加わり、また露光(3)では光源部500の発光は行わず、読み出しパルスはTG2のみであり背景光成分(BG)が読み出されるため、
A0=DS3+Sm3
A1=DS1+Sm1
A2=BG(TG2)+DS2+Sm2+DSX+SmX
入れ替え動作(3)と露光(4)の間においては、入れ替え動作(3)時に、A1信号が電荷保持部10に転送されるため、電荷保持部10の暗電流DSXと寄生感度SmXがA1に加わり、また露光(4)では光源部500の発光は行わず、読み出しパルスはTG1のみであり背景光成分(BG)が読み出されるため、
A0=DS3+Sm3
A1=DS2+Sm2+DSX+SmX
A2=BG(TG1)+DS1+Sm1
入れ替え動作(4)と露光(5)の間においては、入れ替え動作(4)時に、A0信号が電荷保持部10に転送されるため、電荷保持部10の暗電流DSXと寄生感度SmXがA0に加わり、また露光(5)では光源部500の発光は行わず、読み出しパルスは印加しないため、
A0=DS2+Sm2+DSX+SmX
A1=DS3+Sm3
A2=DS1+Sm1
入れ替え動作(5)と露光(6)の間においては、入れ替え動作(5)時に、A2信号が電荷保持部10に転送されるため、電荷保持部の暗電流DSXと寄生感度SmXがA2に加わり、また露光(6)では光源部500の発光は行わず、読み出しパルスは印加しないため、
A0=DS1+Sm1
A1=DS3+Sm3
A2=DS2+Sm2+DSX+SmX
入れ替え動作(6)後では、入れ替え動作(6)時に、A1信号が電荷保持部10に転送されるため、電荷保持部の暗電流DSXと寄生感度SmXがA1に加わり、また露光は行わないため、その他の寄生感度と暗電流は殆ど無視でき0とすると、
A0=0
A1=DSX+SmX
A2=0
がA0、A1、A2に蓄積される。
A0=A0(TG1)+A0(TG2)
+2×DS1+2×Sm1+2×DS2+2×Sm2+2×DS3+2×Sm3
+2×DSX+2×SmX
A1=A1(TG1)+A1(TG2)
+2×DS1+2×Sm1+2×DS2+2×Sm2+2×DS3+2×Sm3
+2×DSX+2×SmX
A2=BG(TG1)+BG(TG2)
+2×DS1+2×Sm1+2×DS2+2×Sm2+2×DS3+2×Sm3
+2×DSX+2×SmX
となり、A0、A1、A2にはそれぞれ、異なる二つの読み出しゲート6で読み出されたA0、A1、BG信号が加算された状態で含まれるため、読み出し特性の差はキャンセルされる。
図9は、本発明の実施の形態3に係る固体撮像装置の備える画素20bのレイアウト構成を示す概略平面図である。図9に示されるように、画素20bは、電荷保持部リセットゲート18と、電荷保持部リセットドレイン19とを備える。実施の形態3に係る固体撮像装置は、上記の実施の形態2と比較して、電荷保持部リセットゲート18と電荷保持部リセットドレイン19を追加した点が異なるため、他の説明は説明済みであるとして省略し、電荷保持部リセットゲート18と電荷保持部リセットドレイン19とを中心に説明する。
2 電荷蓄積部
2a 第1の電荷蓄積部
2b 第2の電荷蓄積部
4 転送チャネル
5、5a、5b、5c、5d、5e、5f、5g 転送電極
6 読み出しゲート
6a 第1の読み出しゲート
6b 第2の読み出しゲート
8、8a、8b 露光制御ゲート
9、9a、9b オーバーフロードレイン
10 電荷保持部
11 電荷保持ゲート
12 転送制御ゲート
13 出力制御ゲート
14 浮遊拡散層
15 リセットゲート
16 リセットドレイン
18 電荷保持部リセットゲート
19 電荷保持部リセットドレイン
20、20a、20b 画素
100 固体撮像装置
103 タイミング生成部
Claims (14)
- 半導体基板に画素を備える固体撮像装置であって、
前記画素は、
受光した光を信号電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部から前記信号電荷を読み出す複数の読み出しゲートと、
前記複数の読み出しゲートにより読み出される前記信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部と、
前記複数の電荷蓄積部のうちの1つから、当該電荷蓄積部に蓄積される前記信号電荷の転送を受けて保持し、保持する前記信号電荷を、前記複数の電荷蓄積部のうちの1つに転送する電荷保持部と、を備える
固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、行列状に配置される複数の前記画素を備え、
前記複数の画素は、前記光電変換部から、前記複数の画素の前記配置における行方向において同じ向きに前記信号電荷が読み出される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の電荷蓄積部のそれぞれは、前記信号電荷を転送するための転送チャネルの一部と、前記半導体基板の平面視において当該転送チャネルの一部に重なる、転送電極の一部とを含み、
前記転送チャネルは、1画素当たり1本である
請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の読み出しゲートは、第1の読み出しゲートと第2の読み出しゲートとを含み、
前記固体撮像装置は、前記第1の読み出しゲートによって第1の信号電荷が読み出され、前記第2の読み出しゲートによって第2の信号電荷が読み出された場合における、当該第1の信号電荷が蓄積される場所と、当該第2の信号電荷が蓄積される場所との入れ替えを行うタイミング生成部を備える
請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の読み出しゲート及び前記第2の読み出しゲートは、それぞれ、第1の位相差で、前記第1の信号電荷の読み出しと、前記第2の信号電荷の読み出しとを行う
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の電荷蓄積部は、第1の電荷蓄積部と第2の電荷蓄積部とを含み、
前記タイミング生成部は、前記第1の位相差で行われる、前記第1の読み出しゲートによる前記第1の電荷蓄積部への前記第1の信号電荷の読み出しと、前記第2の読み出しゲートによる前記第2の電荷蓄積部への前記第2の信号電荷の読み出しとの後に、前記入れ替えを行う
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の読み出しゲート及び前記第2の読み出しゲートは、それぞれ、前記第1の位相差と180度位相の異なる第2の位相差で、前記第1の読み出しゲートによる前記第2の電荷蓄積部への前記信号電荷の読み出しと、前記第2の読み出しゲートによる前記第1の電荷蓄積部への前記信号電荷の読み出しとを行う
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記タイミング生成部は、信号読み出し期間に、前記入れ替えを行う
請求項4〜7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記タイミング生成部は、前記第1の信号電荷が前記電荷保持部に転送される回数と、前記第2の信号電荷が前記電荷保持部に転送される回数とが等しくなるように、前記入れ替えを複数回行う
請求項4〜8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部は、電荷保持チャネルの少なくとも一部と、前記半導体基板の平面視において当該電荷保持チャネルの少なくとも一部に重なる、電荷保持ゲートの少なくとも一部とを含み、
前記電荷保持ゲートは、前記電荷保持部が前記信号電荷を保持する期間を除く期間のうちの少なくとも一部の期間、前記電荷保持チャネルと前記電荷保持ゲートとの界面がピンニングされるように、負電圧が印加される
請求項1〜9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部の少なくとも一部が遮光膜で覆われている
請求項1〜10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記画素は、更に、
前記電荷保持部から、前記信号電荷の少なくとも一部を排出する電荷保持部リセットドレインと、
前記電荷保持部リセットドレインへの前記排出を制御する電荷保持部リセットゲートと、を備える
請求項1〜11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記画素は、更に、
前記光電変換部から、前記信号電荷の少なくとも一部を排出するオーバーフロードレインと、
前記オーバーフロードレインへの前記排出を制御する露光制御ゲートと、を備える
請求項1〜12のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
複数のタイミングで赤外光をパルス状に発光する光源部と、
前記固体撮像装置の出力信号に基づいて、距離画像を生成するプロセッサとを備える
撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017176994 | 2017-09-14 | ||
JP2017176994 | 2017-09-14 | ||
PCT/JP2018/029870 WO2019054099A1 (ja) | 2017-09-14 | 2018-08-09 | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019019142A Division JP2019075826A (ja) | 2017-09-14 | 2019-02-05 | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6485674B1 true JP6485674B1 (ja) | 2019-03-20 |
JPWO2019054099A1 JPWO2019054099A1 (ja) | 2019-11-07 |
Family
ID=65722501
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018561735A Active JP6485674B1 (ja) | 2017-09-14 | 2018-08-09 | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 |
JP2019019142A Pending JP2019075826A (ja) | 2017-09-14 | 2019-02-05 | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019019142A Pending JP2019075826A (ja) | 2017-09-14 | 2019-02-05 | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11399148B2 (ja) |
JP (2) | JP6485674B1 (ja) |
CN (1) | CN111034177B (ja) |
WO (1) | WO2019054099A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7476170B2 (ja) | 2019-04-05 | 2024-04-30 | ソニーグループ株式会社 | 信号処理装置、信号処理方法、および、測距モジュール |
JP7358771B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-10-11 | 凸版印刷株式会社 | 3d撮像ユニット、カメラ、及び3d画像生成方法 |
JP2021081290A (ja) | 2019-11-19 | 2021-05-27 | ソニーグループ株式会社 | 測距装置及び測距方法 |
JP7464260B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2024-04-09 | 国立大学法人静岡大学 | 距離画像センサ |
JP2021197388A (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光装置およびその製造方法、並びに、測距装置 |
CN111885316B (zh) * | 2020-07-09 | 2022-07-29 | 深圳奥辰光电科技有限公司 | 一种图像传感器像素电路、图像传感器及深度相机 |
JP2022111663A (ja) * | 2021-01-20 | 2022-08-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 測距センサ、測距モジュール |
WO2023189854A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 測距撮像素子、パッケージ、モジュール、および、測距撮像装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009008537A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Fujifilm Corp | 距離画像装置及び撮像装置 |
JP2011082358A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Honda Motor Co Ltd | 光電変換素子、受光装置、受光システム及び測距装置 |
WO2017022220A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2017112420A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6188093B1 (en) * | 1997-09-02 | 2001-02-13 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion devices and photoelectric conversion apparatus employing the same |
US7088395B2 (en) * | 2001-01-29 | 2006-08-08 | Konica Corporation | Image-capturing apparatus |
JP4235729B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2009-03-11 | 国立大学法人静岡大学 | 距離画像センサ |
US7119319B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing element and its design support method, and image sensing device |
JP4893042B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-03-07 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 撮像装置 |
JP5110535B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-12-26 | 国立大学法人静岡大学 | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
JP4395150B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2010-01-06 | 富士フイルム株式会社 | 距離画像センサ |
JP5205002B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2013-06-05 | ブレインビジョン株式会社 | 固体撮像素子の画素構造 |
TWI433307B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-04-01 | Sony Corp | 固態影像感測器、其驅動方法、成像裝置及電子器件 |
JP2010161723A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Olympus Corp | 光電変換装置 |
JP5404112B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2014-01-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子、その駆動方法及び撮像システム |
US8179463B1 (en) * | 2009-05-19 | 2012-05-15 | On Semiconductor Trading Ltd. | Image sensor with shared node |
DE102009037596B4 (de) * | 2009-08-14 | 2014-07-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Pixelstruktur, System und Verfahren zur optischen Abstandsmessung sowie Steuerschaltung für die Pixelstruktur |
US8754939B2 (en) * | 2009-11-09 | 2014-06-17 | Mesa Imaging Ag | Multistage demodulation pixel and method |
KR101666020B1 (ko) * | 2010-06-25 | 2016-10-25 | 삼성전자주식회사 | 깊이 영상 생성 장치 및 그 방법 |
JP5635937B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-12-03 | 本田技研工業株式会社 | 固体撮像装置 |
KR20130011692A (ko) * | 2011-07-22 | 2013-01-30 | 삼성전자주식회사 | 깊이 영상과 컬러 영상을 획득하는 픽셀 구조를 가진 이미지 센서 |
CN103703759B (zh) * | 2011-08-08 | 2017-03-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置及固体摄像装置的驱动方法 |
WO2014002415A1 (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
WO2014122714A1 (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | パナソニック株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
JP6489320B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2019-03-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 測距撮像システム |
JP6231940B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2017-11-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測距装置及び測距装置の駆動方法 |
WO2016031171A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP6571939B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2019-09-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
US9749565B2 (en) * | 2015-05-18 | 2017-08-29 | Analog Devices, Inc. | Interline charge-coupled devices |
JP6734649B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2020-08-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、及び、撮像装置の制御方法 |
US11063072B2 (en) * | 2016-08-08 | 2021-07-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image capturing apparatus and electronic device |
-
2018
- 2018-08-09 JP JP2018561735A patent/JP6485674B1/ja active Active
- 2018-08-09 WO PCT/JP2018/029870 patent/WO2019054099A1/ja active Application Filing
- 2018-08-09 CN CN201880050710.1A patent/CN111034177B/zh active Active
-
2019
- 2019-02-05 JP JP2019019142A patent/JP2019075826A/ja active Pending
-
2020
- 2020-03-12 US US16/817,159 patent/US11399148B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009008537A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Fujifilm Corp | 距離画像装置及び撮像装置 |
JP2011082358A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Honda Motor Co Ltd | 光電変換素子、受光装置、受光システム及び測距装置 |
WO2017022220A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2017112420A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111034177A (zh) | 2020-04-17 |
JPWO2019054099A1 (ja) | 2019-11-07 |
WO2019054099A1 (ja) | 2019-03-21 |
US11399148B2 (en) | 2022-07-26 |
US20200213540A1 (en) | 2020-07-02 |
JP2019075826A (ja) | 2019-05-16 |
CN111034177B (zh) | 2022-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6485674B1 (ja) | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 | |
JP5499789B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 | |
US10356333B2 (en) | Image pickup apparatus and image pickup system with increased saturation charge quantity of pixels | |
JPWO2017022220A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
CN107925733B (zh) | 固体摄像装置 | |
JP2008099066A (ja) | 固体撮像装置 | |
CN112513671B (zh) | 摄像装置、在该摄像装置中使用的固体摄像元件及摄像方法 | |
JP2010251829A (ja) | 固体撮像素子、カメラシステム、及び信号読み出し方法 | |
JP6485725B1 (ja) | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 | |
CN111034179B (zh) | 固体摄像装置及具备该固体摄像装置的摄像装置 | |
JP6676317B2 (ja) | 撮像装置、および、撮像システム | |
JP2013197697A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
US20220006941A1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP6525694B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の駆動方法 | |
JP6485676B1 (ja) | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 | |
JP2019149608A (ja) | 撮像装置および焦点検出装置 | |
JP2007329803A (ja) | 撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181122 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20181122 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20181212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190205 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6485674 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
SZ03 | Written request for cancellation of trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z03 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |