JP2009047658A - 測距センサ及び測距装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光感応領域1G内でイオン化された不純物によるポテンシャルφPGと、第1及び第2半導体領域FD1、FD2内でイオン化された不純物によるポテンシャルφFD1,φFD2の差は、光感応領域と第1及び第2半導体領域で導電型が異なるので、これらの導電型が同一の場合よりも、大きくなる。このようにポテンシャルの差がある状態で、光感応領域1Gの導電型を半導体基板1A,1A’と同一のP型とし、その不純物濃度を低下させると、光感応領域1Gにおけるポテンシャルの横方向分布が、一方向のみに傾斜しやすくなる。光感応領域1G内で発生したキャリアが第1半導体領域FD1及び第2半導体領域FD2内に確実に流れ込みやすくなり、光感応領域1G内におけるキャリアの残留を抑制することができる。
【選択図】 図5
Description
・パルス駆動信号SP:
・V(t)=1(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=0(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・検出用ゲート信号SL:
・V(t)=1(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=0(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・検出用ゲート信号SR(=SLの反転):
・V(t)=0(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=1(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・基板本体1A:厚さ10〜100μm/不純物濃度1×1012〜1019cm−3
・エピタキシャル層1A’:厚さ1〜5μm/不純物濃度1×1012〜1016cm−3
・半導体領域FD1,FD2:厚さ0.1〜0.4μm/不純物濃度1×1018〜1020cm−3
・光感応領域1G:厚さ0.2〜3μm/不純物濃度1×1012〜1015cm−3
・リセットドレイン領域RD1,RD2:厚さ0.1〜0.4μm/不純物濃度1×1018〜1020cm−3
Claims (2)
- 半導体基板の表面上に設定された光感応領域と、
前記表面上において前記光感応領域に隣接して設けられた第1及び第2ゲート電極と、
前記光感応領域から前記第1及び第2ゲート電極直下の領域に流れ込むキャリアをそれぞれ読み出すための第1及び第2半導体領域と、
を備え、
前記第1及び第2半導体領域の導電型と前記光感応領域の導電型とは逆であって、
前記半導体基板と前記光感応領域の導電型は同一であり、且つ、
前記光感応領域の不純物濃度は、前記半導体基板の不純物濃度よりも低く設定されている、
ことを特徴とする測距センサ。 - 請求項1に記載の測距センサと、
光を出射する光源と、
前記光源にパルス駆動信号を与える駆動回路と、
前記第1及び第2ゲート電極に、前記パルス駆動信号に同期した検出用ゲート信号を与える制御回路と、
前記第1及び第2半導体領域から読み出された信号から、対象物までの距離を演算する演算回路と、
を備えることを特徴とする測距装置。
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