JP2012057987A - 距離センサ及び距離画像センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】距離画像センサ1は、光入射面1FTと裏面1BKとを有する半導体基板1A、フォトゲート電極PG、第1及び第2ゲート電極TX1,TX2、第1及び第2半導体領域FD1,FD2、並びに第3半導体領域SR1を備えている。フォトゲート電極PGは、光入射面1FT上に設けられる。第1及び第2ゲート電極TX1,TX2は、フォトゲート電極PGに隣接して設けられる。第1及び第2半導体領域FD1,FD2は、各ゲート電極TX1,TX2の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。第3半導体領域SR1は、第1及び第2半導体領域FD1,FD2から裏面1BK側に離れて設けられ、第1及び第2半導体領域FD1,FD2と逆の導電型である。
【選択図】図5
Description
パルス駆動信号SP:
・V(t)=1(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=0(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
検出用ゲート信号S1:
・V(t)=1(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=0(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
検出用ゲート信号S2(=S1の反転):
・V(t)=0(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=1(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・半導体基板1Aの第1領域1Aa:厚さ10〜700μm/不純物濃度1×1018〜1020cm−3
・半導体基板1Aの第2領域1Ab:厚さ3〜50μm/不純物濃度1×1012〜1015cm−3
・第1及び第2半導体領域FD1,FD2:厚さ0.1〜0.4μm/不純物濃度1×1018〜1020cm−3
・第3半導体領域SR1:厚さ0.5〜5μm/不純物濃度1×1015〜1019cm−3
Claims (4)
- 光入射面と前記光入射面に対向する裏面とを有する半導体基板と、
前記光入射面上に設けられたフォトゲート電極と、
前記光入射面上において前記フォトゲート電極に隣接して設けられた第1及び第2ゲート電極と、
前記フォトゲート電極直下の領域から前記第1及び第2ゲート電極直下に流れ込む電荷をそれぞれ読み出すための第1及び第2半導体領域と、
前記第1及び第2半導体領域から前記裏面側に離れて設けられ、前記第1及び第2半導体領域と逆の導電型である第3半導体領域と、を備えていることを特徴とする距離センサ。 - 一次元状又は二次元状に配置された複数のユニットからなる撮像領域を半導体基板上に備え、前記ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る距離画像センサにおいて、
1つの前記ユニットは、請求項1に記載の距離センサであることを特徴とする距離画像センサ。 - 前記第1及び第2ゲート電極は、前記第1及び第2半導体領域のそれぞれの周囲に該第1及び第2半導体領域を囲んで設けられていることを特徴とする請求項2に記載の距離画像センサ。
- 前記第1及び第2ゲート電極の形状は、環状であることを特徴とする請求項3に記載の距離画像センサ。
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