JPS63148778A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS63148778A JPS63148778A JP61295611A JP29561186A JPS63148778A JP S63148778 A JPS63148778 A JP S63148778A JP 61295611 A JP61295611 A JP 61295611A JP 29561186 A JP29561186 A JP 29561186A JP S63148778 A JPS63148778 A JP S63148778A
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- Japan
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Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 29
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 235000016623 Fragaria vesca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009088 Fragaria x ananassa Species 0.000 description 1
- 235000011363 Fragaria x ananassa Nutrition 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷転送素子を使用した固体撮像素子に関す
る。
る。
本発明は、電荷転送素子を使用した固体撮像素子におい
て、l垂直周期期間に断続的に光電変換素子に范稍され
た′R1荷を、垂直シフトレジスタ内で加算し、これを
水平シフトレジスタに転送して出力するようにしたこと
により、v3画に不連続感を生じさせることなく、M積
時間を制御して感度を制御できるようにすると共に、特
殊な装置を用いることなく高速度の物体の撮像が可能と
なるようにしたものである。
て、l垂直周期期間に断続的に光電変換素子に范稍され
た′R1荷を、垂直シフトレジスタ内で加算し、これを
水平シフトレジスタに転送して出力するようにしたこと
により、v3画に不連続感を生じさせることなく、M積
時間を制御して感度を制御できるようにすると共に、特
殊な装置を用いることなく高速度の物体の撮像が可能と
なるようにしたものである。
従来、電荷転送素子を使用した固体撮像素子において、
蓄積時間を制御することにより、感度制御を行なうこと
が提案されている。例えば、第4図Bに示すように蓄積
終了時点を一定とすると共にm積開始時点を制御するこ
とにより感度制御を行なうように構成される。尚、第4
図Aは棄直同期パルスVDを示している。
蓄積時間を制御することにより、感度制御を行なうこと
が提案されている。例えば、第4図Bに示すように蓄積
終了時点を一定とすると共にm積開始時点を制御するこ
とにより感度制御を行なうように構成される。尚、第4
図Aは棄直同期パルスVDを示している。
また従来、蓄積時間を1/ 500〜1/ 2000s
ec程度とすることで、高速度の物体の撮像をし、物体
の動作解析等に用いることが考えられている。
ec程度とすることで、高速度の物体の撮像をし、物体
の動作解析等に用いることが考えられている。
上述したように、蓄積時間を制御することにより感度制
御を行なうものによれば、ffi!時間が短かくなると
、動画に不連続感が生じる問題があった。
御を行なうものによれば、ffi!時間が短かくなると
、動画に不連続感が生じる問題があった。
また、上述したようにM積時間を短かくして高速度の物
体の撮像をするものによれば、蓄積期間が1垂直周期期
間内に1度であるため、蓄積期間には目的とする物体が
画面内からはずれてしまうおそれがあった。このような
問題がなく高速度の物体を撮像する方法として光源の発
光時間を制御する方法も用いられているが、この方法で
は特殊な光源が必要となる問題があった。
体の撮像をするものによれば、蓄積期間が1垂直周期期
間内に1度であるため、蓄積期間には目的とする物体が
画面内からはずれてしまうおそれがあった。このような
問題がなく高速度の物体を撮像する方法として光源の発
光時間を制御する方法も用いられているが、この方法で
は特殊な光源が必要となる問題があった。
本発明は斯る点に鑑み、動画に不連続感を生じさせるこ
となく感度制御が可能となるようにすると共に、特殊な
装置を用いることなく高速度の物体を確実に撮像できる
ようにするものである。
となく感度制御が可能となるようにすると共に、特殊な
装置を用いることなく高速度の物体を確実に撮像できる
ようにするものである。
(問題点を解決するための手段〕
本発明は、マトリクス状に配された複数の光電変換素子
(1)と、電荷を垂直方向に転送する垂直シフトレジス
タ(2)と、複数の光電変換素子(1)によって発生さ
れた電荷を垂直シフトレジスタ(2)に転送制御する転
送ゲート(3)と、複数の光電変換素子(1)によって
発生された電荷を転送ゲート(3)を介さずに吸収し得
るように構成した所定のドレイン部(4)と、電荷を水
平方向に転送する水平シフトレジスタ(9)とを有する
ものである。そして、l垂直周期期間に断続的に光電変
換素子(1)にN積されたtri荷。
(1)と、電荷を垂直方向に転送する垂直シフトレジス
タ(2)と、複数の光電変換素子(1)によって発生さ
れた電荷を垂直シフトレジスタ(2)に転送制御する転
送ゲート(3)と、複数の光電変換素子(1)によって
発生された電荷を転送ゲート(3)を介さずに吸収し得
るように構成した所定のドレイン部(4)と、電荷を水
平方向に転送する水平シフトレジスタ(9)とを有する
ものである。そして、l垂直周期期間に断続的に光電変
換素子(1)にN積されたtri荷。
を複数回にわたり転送ゲート(3)を介して垂直シフト
レジスタ(2)に転送し、複数回転送された電荷を垂直
シフトレジスタ(2)内で加算し、水平シフトレジスタ
(9)に転送するようにしたものである。
レジスタ(2)に転送し、複数回転送された電荷を垂直
シフトレジスタ(2)内で加算し、水平シフトレジスタ
(9)に転送するようにしたものである。
上述構成においては、l垂直周期期間に数度断続的に光
電変換素子+1)に蓄積された電荷を垂直シフトレジス
タ(2)で加算し、これを水平シフトレジスタ(9)に
転送して出力するようにしたものであり、蓄積期間が1
垂直周期期間内に数回となるため、蓄積時間を短かくし
ても、動画に不連続感が生じなくなる。また、蓄積期間
が1垂直周期期間内に数度となるため、NMi期間に目
的とする物体が画面内からはずれることは少なくなり、
高速度の物体が確実にIMflされる。
電変換素子+1)に蓄積された電荷を垂直シフトレジス
タ(2)で加算し、これを水平シフトレジスタ(9)に
転送して出力するようにしたものであり、蓄積期間が1
垂直周期期間内に数回となるため、蓄積時間を短かくし
ても、動画に不連続感が生じなくなる。また、蓄積期間
が1垂直周期期間内に数度となるため、NMi期間に目
的とする物体が画面内からはずれることは少なくなり、
高速度の物体が確実にIMflされる。
以下、第1図を参照しながら本発明の一実施例について
説明しよう。本例は、いわゆるハイブリッド転送方式の
COD固体撮像素子に通用した例である。
説明しよう。本例は、いわゆるハイブリッド転送方式の
COD固体撮像素子に通用した例である。
同図において、(1)は各画素に対応して配された光電
変換素子、(2)は列状に配置されている第1の垂直シ
フトレジスタである。光電変換素子(1)及び第1の垂
直シフトレジスタ(2)の間には、光電変換素子(1)
に蓄積された*荷を第1の垂直シフトレジスタ(2)に
転送制御する転送ゲート(3)が配置される。
変換素子、(2)は列状に配置されている第1の垂直シ
フトレジスタである。光電変換素子(1)及び第1の垂
直シフトレジスタ(2)の間には、光電変換素子(1)
に蓄積された*荷を第1の垂直シフトレジスタ(2)に
転送制御する転送ゲート(3)が配置される。
また、(4)はm荷扱収部を構成するオーバーフロード
レインであり、光電変換素子(1)の隣にオーバーフロ
ーコントロールゲート(5)を介して平面上に配置され
、いわゆる横型オーバーフロー構造とされる0以上の光
電変換素子(1)、第1の垂直シフトレジスタ(2)、
転送ゲート(3)、オーバーフロードレイン(4)、オ
ーバーフローコントロールゲート(5)でイメージ部(
6)が形成される。
レインであり、光電変換素子(1)の隣にオーバーフロ
ーコントロールゲート(5)を介して平面上に配置され
、いわゆる横型オーバーフロー構造とされる0以上の光
電変換素子(1)、第1の垂直シフトレジスタ(2)、
転送ゲート(3)、オーバーフロードレイン(4)、オ
ーバーフローコントロールゲート(5)でイメージ部(
6)が形成される。
また、イメージ部(6)の第1の垂直シフトレジスタ(
2)の一端には、この第1の垂直シフトレジスタ(2)
と電気的に結合された第2の垂直シフトレジスタ(7)
が配置される。この第2の垂直シフトレジスタ(7)の
電荷転送段数は、第1の垂直シフトレジスタ(2)の段
数と等しいか、それより少し多くされる。
2)の一端には、この第1の垂直シフトレジスタ(2)
と電気的に結合された第2の垂直シフトレジスタ(7)
が配置される。この第2の垂直シフトレジスタ(7)の
電荷転送段数は、第1の垂直シフトレジスタ(2)の段
数と等しいか、それより少し多くされる。
この第2の垂直シフトレジスタ(7)でストレージ部(
8)が形成される。
8)が形成される。
また、ストレージ部(8)の第2の垂直シフトレジスタ
(7)の他の一端には、この第2の垂直シフトレジスタ
(7)と電気的に結合された水平シフトレジスタ(9)
が配置される。また、この水平シフトレジスタ(9)の
一端には電荷検出部(10)が配置され、これから外部
に信号が出力される。
(7)の他の一端には、この第2の垂直シフトレジスタ
(7)と電気的に結合された水平シフトレジスタ(9)
が配置される。また、この水平シフトレジスタ(9)の
一端には電荷検出部(10)が配置され、これから外部
に信号が出力される。
上述の構成は従来周知のものであるが、本例ではさらに
以下のように構成される。
以下のように構成される。
即ち本例においては、オーバーフローコントロールゲー
ト(5)に、第2図Bに示すように1垂直周期期間内に
3度高レベル“1”となるゲートパルスPoeが供給さ
れる。尚、第2図Aは垂直同期パルスVDを示している
。また、転送ゲート(3)に、第2図Cに示すようにゲ
ートパルスPooの高レベル期間の終り間際に対応して
高レベル“1”となるゲートパルスPRGが供給される
。この場合、ゲートパルスPoGが高レベル“11で、
かつゲートパルスPRGが低レベル10′であるときの
各部の電位関係は第3図Aに示すようになり、光電変換
ベル″l″となるときの電位関係は第3図Bに示すよう
になり、垂直シフトレジスタ(2)の電位の弁片が深く
なり、光電変換素子(1)にW$Aされた電荷は垂直シ
フトレジスタ(2)に転送される。さらに、ゲートパル
スPoGが低レベル“O”で、かつゲートパルスPRG
が低レベル′0″となるときの各部の電位関係は第3図
Cに示すようになり、オーバーフロードレイン(4)に
対応する電位の井戸が深くなり、光電変換素子(1)に
N積された電荷はオーバーフロードレイン(4)に転送
されて基板中に吸いとられる。
ト(5)に、第2図Bに示すように1垂直周期期間内に
3度高レベル“1”となるゲートパルスPoeが供給さ
れる。尚、第2図Aは垂直同期パルスVDを示している
。また、転送ゲート(3)に、第2図Cに示すようにゲ
ートパルスPooの高レベル期間の終り間際に対応して
高レベル“1”となるゲートパルスPRGが供給される
。この場合、ゲートパルスPoGが高レベル“11で、
かつゲートパルスPRGが低レベル10′であるときの
各部の電位関係は第3図Aに示すようになり、光電変換
ベル″l″となるときの電位関係は第3図Bに示すよう
になり、垂直シフトレジスタ(2)の電位の弁片が深く
なり、光電変換素子(1)にW$Aされた電荷は垂直シ
フトレジスタ(2)に転送される。さらに、ゲートパル
スPoGが低レベル“O”で、かつゲートパルスPRG
が低レベル′0″となるときの各部の電位関係は第3図
Cに示すようになり、オーバーフロードレイン(4)に
対応する電位の井戸が深くなり、光電変換素子(1)に
N積された電荷はオーバーフロードレイン(4)に転送
されて基板中に吸いとられる。
また本例においては、1!t!直周期期間内の3度の期
間に光電変換素子(1)にN積された電荷をゲートパル
スPRGによって3度にわたり第1のU直シフトレジス
タ(2)に転送した後、第1の垂直シフトレジスタ(2
)より第2の垂直シフトレジスタ(7)に電荷が高速で
転送される。例えば、第2図りに示すように光電変換素
子(1)より第1の垂直シフトレジスタ(2)に3度目
の電荷転送がなされた直後のT。
間に光電変換素子(1)にN積された電荷をゲートパル
スPRGによって3度にわたり第1のU直シフトレジス
タ(2)に転送した後、第1の垂直シフトレジスタ(2
)より第2の垂直シフトレジスタ(7)に電荷が高速で
転送される。例えば、第2図りに示すように光電変換素
子(1)より第1の垂直シフトレジスタ(2)に3度目
の電荷転送がなされた直後のT。
の期間で転送される。この場合、転送は、例えば2相、
3相、4相等の駆動方式とされる。
3相、4相等の駆動方式とされる。
また、ストレージ部(8)の第2の垂直シフトレジスタ
(7)に転送された電荷は、続く1垂直周期期間の間に
1ライン分ずつ水平シフトレジスタ(9)に転送され、
電荷検出部(10)より外部に信号が出力される。
(7)に転送された電荷は、続く1垂直周期期間の間に
1ライン分ずつ水平シフトレジスタ(9)に転送され、
電荷検出部(10)より外部に信号が出力される。
本例は、以上のように構成され、オーバーフローコント
ロールゲート(5)には、第2図Bに示すようなゲート
パルスPoeが供給され、このゲートパルスPocが高
レベル′″l”である期間τのみ光電変換素子(1)に
電荷がM#iIされるので、光電変換素子には1!t!
直周期期間内に3度断続的に電荷が蓄積される。また、
転送ゲート(3)には、第2図Cに示すようなゲートパ
ルスPRGが供給され、このゲートパルスPRGが高レ
ベル“1”である期間、光電変換素子<1)にMMiさ
れた電荷が第1の垂直シフトレジスタ(2)に転送され
ると共に、ゲートパルスPRGはゲートパルスPoeO
高レベル期間の終り間際に対応して高レベル“1”とな
るので、光電変換素子+1)に断続的に蓄積された電荷
は順次第1の垂直シフトレジスタ(2)に転送され、加
算される。
ロールゲート(5)には、第2図Bに示すようなゲート
パルスPoeが供給され、このゲートパルスPocが高
レベル′″l”である期間τのみ光電変換素子(1)に
電荷がM#iIされるので、光電変換素子には1!t!
直周期期間内に3度断続的に電荷が蓄積される。また、
転送ゲート(3)には、第2図Cに示すようなゲートパ
ルスPRGが供給され、このゲートパルスPRGが高レ
ベル“1”である期間、光電変換素子<1)にMMiさ
れた電荷が第1の垂直シフトレジスタ(2)に転送され
ると共に、ゲートパルスPRGはゲートパルスPoeO
高レベル期間の終り間際に対応して高レベル“1”とな
るので、光電変換素子+1)に断続的に蓄積された電荷
は順次第1の垂直シフトレジスタ(2)に転送され、加
算される。
そして、この第1の垂直シフトレジスタ(2)で加算さ
れた電荷は、3度目の電荷転送がなされた直後のT o
の期間(第2図り参照)で、第2の垂直シフトレジスタ
(7)に高速転送され、この第2の垂直シフトレジスタ
(7)に転送された電荷は、続く1垂直周期期間の間に
1ライン分ずつ水平シフトレジスタ(9)に転送される
。そして、電荷検出部(10)より外部に信号が出力さ
れる。
れた電荷は、3度目の電荷転送がなされた直後のT o
の期間(第2図り参照)で、第2の垂直シフトレジスタ
(7)に高速転送され、この第2の垂直シフトレジスタ
(7)に転送された電荷は、続く1垂直周期期間の間に
1ライン分ずつ水平シフトレジスタ(9)に転送される
。そして、電荷検出部(10)より外部に信号が出力さ
れる。
ここで、第2の垂直シフトレジスタ(7)に転送された
′KX荷が順次出力されている1!i!直周期期間の間
に、次のL垂直周期期間の間に出力すべき電荷が上述し
たと同様に光電変換素子+1>より第1の垂直シフトレ
ジスタ(2)に転送され加算されるので、m荷検出部(
10)より外部に信号が連続して出力される。
′KX荷が順次出力されている1!i!直周期期間の間
に、次のL垂直周期期間の間に出力すべき電荷が上述し
たと同様に光電変換素子+1>より第1の垂直シフトレ
ジスタ(2)に転送され加算されるので、m荷検出部(
10)より外部に信号が連続して出力される。
尚、ゲートパルスPoeの高レベル期間τを変えること
により、88時間が制御され、感度が制御される。
により、88時間が制御され、感度が制御される。
このように本例によれば、1垂直周期期間に3度1tl
r続的に光電変換素子+1)に苺積された電荷を第1の
垂直シフトレジスタ(2)で加算して出力するので、蓄
積時間を短かくしても動画に不連続感が生じなくなる。
r続的に光電変換素子+1)に苺積された電荷を第1の
垂直シフトレジスタ(2)で加算して出力するので、蓄
積時間を短かくしても動画に不連続感が生じなくなる。
したがって本例によれば、動画に不連続感を生じさせる
ことなくM積時間を制御して感度を制御することができ
る。また、本例によれば苺積期間が1垂直周期期間内に
数度となるため、蓄積期間に目的とする物体が画面内か
らはずれることが少なくなるので、特殊な装置を用いる
ことなく高速度の物体を確実に撮像することができる。
ことなくM積時間を制御して感度を制御することができ
る。また、本例によれば苺積期間が1垂直周期期間内に
数度となるため、蓄積期間に目的とする物体が画面内か
らはずれることが少なくなるので、特殊な装置を用いる
ことなく高速度の物体を確実に撮像することができる。
したがって、高速度の物体の動作解析に使用して好適と
なる。
なる。
尚、上述実施例においては、lT!!直周期期間内に3
度断続的に光itt変換素子(1)に蓄積された?l荷
を第1の垂直シフトレジスタ(2)で加算して出力する
ものであるが、3度に限定されるものでなく、その他の
回数とすることもできる。
度断続的に光itt変換素子(1)に蓄積された?l荷
を第1の垂直シフトレジスタ(2)で加算して出力する
ものであるが、3度に限定されるものでなく、その他の
回数とすることもできる。
また上述実施例においては、ストレージ部(8)を有す
る、いわゆるハイブリッド転送方式の例を示したもので
あるが、このストレージ部(8)のないインターライン
転送方式のものにも本発明を同様に適用することができ
る。しかしその場合には、ストレージ部(8)がないこ
とから、信号を連続して出力することはできず、断続的
にti直周期期間分の信号を出力できるだけである。
る、いわゆるハイブリッド転送方式の例を示したもので
あるが、このストレージ部(8)のないインターライン
転送方式のものにも本発明を同様に適用することができ
る。しかしその場合には、ストレージ部(8)がないこ
とから、信号を連続して出力することはできず、断続的
にti直周期期間分の信号を出力できるだけである。
また、上述実施例においては、横型オーバーフロー構造
のものを示したが、縦型オーバーフロー構造のものであ
っても同様に構成することができる。要は、光電変換素
子(1)によって発生された電荷を転送ゲート(3)を
介さずに例えば基板に吸収し得るように構成してあれば
よい。
のものを示したが、縦型オーバーフロー構造のものであ
っても同様に構成することができる。要は、光電変換素
子(1)によって発生された電荷を転送ゲート(3)を
介さずに例えば基板に吸収し得るように構成してあれば
よい。
以上述べた本発明によれば、1垂直周期期間に断続的に
光電変換素子に蓄積された電荷を、垂直シフトレジスタ
内で加算し、これを水平シフトレジスタに転送して出力
するので、動画に不連続感を生じさせることなく蓄積時
間を制御して感度制御を行なうことができる。また、特
殊な装置を用いることなく高速度の物体を確実に撮像す
ることができ、高速度の物体の動作解析に使用して好適
である。
光電変換素子に蓄積された電荷を、垂直シフトレジスタ
内で加算し、これを水平シフトレジスタに転送して出力
するので、動画に不連続感を生じさせることなく蓄積時
間を制御して感度制御を行なうことができる。また、特
殊な装置を用いることなく高速度の物体を確実に撮像す
ることができ、高速度の物体の動作解析に使用して好適
である。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図及び第
3図はその説明のための図、第4図は従来例の説明のた
めの図である。 (1)は光電変換素子、(2)は第1の垂直シフトレジ
スタ、(3)は転送ゲート、(4)はオーバーフロード
レイン、(5)はオーバーフローコントロールゲート、
(6)はイメージ部、(7)は第2の垂直シフトレジス
タ、(8)はストレージ部、(9)は水平シフトレジス
タ、(10)は電荷検出部である。
3図はその説明のための図、第4図は従来例の説明のた
めの図である。 (1)は光電変換素子、(2)は第1の垂直シフトレジ
スタ、(3)は転送ゲート、(4)はオーバーフロード
レイン、(5)はオーバーフローコントロールゲート、
(6)はイメージ部、(7)は第2の垂直シフトレジス
タ、(8)はストレージ部、(9)は水平シフトレジス
タ、(10)は電荷検出部である。
Claims (1)
- マトリクス状に配された複数の光電変換素子と、電荷を
垂直方向に転送する垂直シフトレジスタと、上記複数の
光電変換素子によって発生された電荷を上記垂直シフト
レジスタに転送制御する転送ゲートと、上記複数の光電
変換素子によって発生された電荷を上記転送ゲートを介
さずに吸収し得るように構成した所定のドレイン部と、
電荷を水平方向に転送する水平シフトレジスタとを有し
、1垂直周期期間に断続的に上記光電変換素子に蓄積さ
れた電荷を複数回にわたり上記転送ゲートを介して上記
垂直シフトレジスタに転送し、複数回転送された電荷を
上記垂直シフトレジスタ内で加算し、上記水平シフトレ
ジスタに転送するようにしたことを特徴とする固体撮像
素子。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61295611A JPS63148778A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 固体撮像素子 |
GB8728554A GB2200509B (en) | 1986-12-11 | 1987-12-07 | Solid state image pick-up device |
DE3741963A DE3741963C2 (de) | 1986-12-11 | 1987-12-10 | CCD-Bildaufnahmevorrichtung und Verfahren zu deren Steuerung |
KR1019870014070A KR960002643B1 (ko) | 1986-12-11 | 1987-12-10 | 고체 촬상 소자 |
FR8717342A FR2608341B1 (fr) | 1986-12-11 | 1987-12-11 | Appareil capteur d'image a l'etat solide du type a dispositif a couplage de charge et procede de commande d'un tel appareil |
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