JP2003057113A - 光電変換装置、測光センサ及び撮像装置 - Google Patents
光電変換装置、測光センサ及び撮像装置Info
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- JP2003057113A JP2003057113A JP2001245540A JP2001245540A JP2003057113A JP 2003057113 A JP2003057113 A JP 2003057113A JP 2001245540 A JP2001245540 A JP 2001245540A JP 2001245540 A JP2001245540 A JP 2001245540A JP 2003057113 A JP2003057113 A JP 2003057113A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面倒な演算等を行うことなく、測光精度を
低下させないようにする。 【解決手段】 被写界を複数の測光領域に分割し光強度
に比例した電荷を発生し蓄積する光電変換素子１と、光
電変換素子２で蓄積している電荷を転送する転送手段２
と、転送手段２から転送された電荷を保持し電圧に変換
する電荷電圧変換手段５，２１と、電荷電圧変換手段
５，２１を基準レベルにリセットするリセット手段６
と、光電変換素子１で蓄積している電荷を電荷電圧変換
手段５，２１に転送しないようにするための転送手段３
と、転送手段３で転送された電荷を排出する電荷排出手
段７，８とを備える。
低下させないようにする。 【解決手段】 被写界を複数の測光領域に分割し光強度
に比例した電荷を発生し蓄積する光電変換素子１と、光
電変換素子２で蓄積している電荷を転送する転送手段２
と、転送手段２から転送された電荷を保持し電圧に変換
する電荷電圧変換手段５，２１と、電荷電圧変換手段
５，２１を基準レベルにリセットするリセット手段６
と、光電変換素子１で蓄積している電荷を電荷電圧変換
手段５，２１に転送しないようにするための転送手段３
と、転送手段３で転送された電荷を排出する電荷排出手
段７，８とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置、測
光センサ及び撮像装置に関し、特に、デジタルカメラ、
デジタルスチルカメラなどの光電変換装置、測光センサ
及び撮像装置に関するものである。
光センサ及び撮像装置に関し、特に、デジタルカメラ、
デジタルスチルカメラなどの光電変換装置、測光センサ
及び撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、デジタルカメラなどに搭載されて
いる測光センサは、フォトダイオードで所定時間、光信
号を電荷に変換すると共に変換した電荷を蓄積し、その
電荷の蓄積量に基づいて露出を決定するために明るさを
計測していた。
いる測光センサは、フォトダイオードで所定時間、光信
号を電荷に変換すると共に変換した電荷を蓄積し、その
電荷の蓄積量に基づいて露出を決定するために明るさを
計測していた。
【０００３】図８は、従来の測光センサの電荷の蓄積時
間の説明図である。図８において、５０２は高輝度時に
おける電荷の蓄積タイミングを示すパルスであり、ハイ
レベル時に電荷を蓄積するようにしている。５０３は低
輝度時における電荷の蓄積タイミングを示すパルスであ
り、ハイレベル時に電荷を蓄積するようにしている。
間の説明図である。図８において、５０２は高輝度時に
おける電荷の蓄積タイミングを示すパルスであり、ハイ
レベル時に電荷を蓄積するようにしている。５０３は低
輝度時における電荷の蓄積タイミングを示すパルスであ
り、ハイレベル時に電荷を蓄積するようにしている。
【０００４】図８に示すように、従来の測光センサは、
輝度に応じてフォトダイオードで変換された電荷の蓄積
時間を変えている。具体的には、低輝度時の電荷の蓄積
時間Ｔ２を例えば１０ｍＳとし、高輝度時の電荷の蓄積
時間Ｔ１を例えば１０μＳとしている。
輝度に応じてフォトダイオードで変換された電荷の蓄積
時間を変えている。具体的には、低輝度時の電荷の蓄積
時間Ｔ２を例えば１０ｍＳとし、高輝度時の電荷の蓄積
時間Ｔ１を例えば１０μＳとしている。
【０００５】このように輝度に応じて電荷の蓄積時間を
変えるのは、明るすぎて電荷が多いときにフォトダイオ
ードの電荷が飽和することで明るさの計測ができなくな
るのを防止するためである。
変えるのは、明るすぎて電荷が多いときにフォトダイオ
ードの電荷が飽和することで明るさの計測ができなくな
るのを防止するためである。
【０００６】なお、上記の電荷の蓄積時間Ｔ１，Ｔ２は
例示であり、実際には、蓄積時間Ｔ１は前回の測光で得
られた輝度情報に基づいて、次回の測光の際の電荷の蓄
積時間を決定していることが多い。蓄積時間Ｔ２は蛍光
灯の発光波形の周期である１０ｍＳとすることが多い。
例示であり、実際には、蓄積時間Ｔ１は前回の測光で得
られた輝度情報に基づいて、次回の測光の際の電荷の蓄
積時間を決定していることが多い。蓄積時間Ｔ２は蛍光
灯の発光波形の周期である１０ｍＳとすることが多い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術
は、以下説明するような問題がある。
は、以下説明するような問題がある。
【０００８】図９は、図８に示す電荷の蓄積タイミング
を示すパルスと蛍光灯の光量波形とを示す図である。図
９において、５０１は蛍光灯の光量波形、５０４はＢ点
で測光を行った場合の蛍光灯の光量、５０５はＡ点で測
光を行った場合の蛍光灯の光量、５０６は蛍光灯の光量
の平均値である。
を示すパルスと蛍光灯の光量波形とを示す図である。図
９において、５０１は蛍光灯の光量波形、５０４はＢ点
で測光を行った場合の蛍光灯の光量、５０５はＡ点で測
光を行った場合の蛍光灯の光量、５０６は蛍光灯の光量
の平均値である。
【０００９】ここで、低輝度時の測光での電荷の蓄積時
間Ｔ１は、蛍光灯の光量波形の周期と同じ１０ｍＳとす
ることが多いので、どのようなタイミングで測光を行っ
ても、蛍光灯の光量変化によって測光精度は変わらな
い。
間Ｔ１は、蛍光灯の光量波形の周期と同じ１０ｍＳとす
ることが多いので、どのようなタイミングで測光を行っ
ても、蛍光灯の光量変化によって測光精度は変わらな
い。
【００１０】一方、高輝度時の測光での電荷の蓄積時間
Ｔ２は、例えば１０μＳとしているので、Ａ点で測光を
行った場合とＢ点でタイミングで測光を行った場合とで
は、蛍光灯の発光光量が異なることになり、蛍光灯の光
量変化によって測光精度が低下する。
Ｔ２は、例えば１０μＳとしているので、Ａ点で測光を
行った場合とＢ点でタイミングで測光を行った場合とで
は、蛍光灯の発光光量が異なることになり、蛍光灯の光
量変化によって測光精度が低下する。
【００１１】このため、測光精度を低下させないように
するためには、高輝度時に、複数回の測光を行って平均
値５０６を求めておいたり、予め最適な電荷の蓄積時間
を決定しておく必要が生じる。
するためには、高輝度時に、複数回の測光を行って平均
値５０６を求めておいたり、予め最適な電荷の蓄積時間
を決定しておく必要が生じる。
【００１２】複数回の測光を行う場合には電荷の蓄積量
を平均化するための演算処理が必要になるし、予め最適
な電荷の蓄積時間を決定するための複雑な演算が必要に
なり、いずれの手法を採用しても、測光時間が増加す
る。
を平均化するための演算処理が必要になるし、予め最適
な電荷の蓄積時間を決定するための複雑な演算が必要に
なり、いずれの手法を採用しても、測光時間が増加す
る。
【００１３】さらに、従来の技術では、前回の測光の際
の輝度状態と次回の測光の際の輝度状態が急激に変化し
た場合には、前回の測光の際の輝度情報からは、次回の
測光の際の最適な蓄積時間を決定することができず、こ
の決定までに多大な時間を必要とする。この結果例えば
閃光手段の発光時のように急激に被写界の輝度が変化し
た場合には正確な測光を行うことができない。
の輝度状態と次回の測光の際の輝度状態が急激に変化し
た場合には、前回の測光の際の輝度情報からは、次回の
測光の際の最適な蓄積時間を決定することができず、こ
の決定までに多大な時間を必要とする。この結果例えば
閃光手段の発光時のように急激に被写界の輝度が変化し
た場合には正確な測光を行うことができない。
【００１４】そこで、本発明は、面倒な演算等を行うこ
となく、測光精度を低下させないようにすることを課題
とする。また急激に被写界の輝度情報が変化した場合に
おいても正確な測光を行うことを目的としている。
となく、測光精度を低下させないようにすることを課題
とする。また急激に被写界の輝度情報が変化した場合に
おいても正確な測光を行うことを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光電変換装置は、蓄積期間内に光電変換素
子で変換された電荷を選択的に複数回抽出する抽出手段
と、前記抽出手段で抽出された電荷を加算する加算手段
と、前記蓄積期間内に光電変換素子で変換された電荷を
選択的に複数回排出する排出手段とを備える。
に、本発明の光電変換装置は、蓄積期間内に光電変換素
子で変換された電荷を選択的に複数回抽出する抽出手段
と、前記抽出手段で抽出された電荷を加算する加算手段
と、前記蓄積期間内に光電変換素子で変換された電荷を
選択的に複数回排出する排出手段とを備える。
【００１６】また、本発明の光電変換装置は、複数の画
素を有する光電変換装置であって、各々の前記画素は、
光電変換素子と、前記光電変換素子で変換された電荷を
転送する第１，第２転送手段と、前記第１転送手段で転
送された電荷を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の入
力部をリセットするリセット手段と、を含む。
素を有する光電変換装置であって、各々の前記画素は、
光電変換素子と、前記光電変換素子で変換された電荷を
転送する第１，第２転送手段と、前記第１転送手段で転
送された電荷を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の入
力部をリセットするリセット手段と、を含む。
【００１７】さらに、本発明の測光センサは、上記いず
れかの光電変換装置と、前記光電変換装置で加算された
電荷に基づいて前記光電変換素子への入射光の明るさを
計測する演算手段とを備える。
れかの光電変換装置と、前記光電変換装置で加算された
電荷に基づいて前記光電変換素子への入射光の明るさを
計測する演算手段とを備える。
【００１８】また、本発明の測光センサは、複数の画素
を有する光電変換装置であって、前記複数の画素は、蓄
積期間内に光電変換素子で変換された電荷を複数回選択
的に抽出し、該抽出された電荷を加算する第１の画素
と、前記光電変換素子の電荷を抽出されるまでの時間
が、第１の画素よりも長い第２の画素とを含み、前記各
光電変換素子で変換された電荷に基づいて当該各光電変
換素子への入射光の明るさを計測する演算手段とを備え
ることを特徴とする。
を有する光電変換装置であって、前記複数の画素は、蓄
積期間内に光電変換素子で変換された電荷を複数回選択
的に抽出し、該抽出された電荷を加算する第１の画素
と、前記光電変換素子の電荷を抽出されるまでの時間
が、第１の画素よりも長い第２の画素とを含み、前記各
光電変換素子で変換された電荷に基づいて当該各光電変
換素子への入射光の明るさを計測する演算手段とを備え
ることを特徴とする。
【００１９】また、本発明の撮像装置は、上記いずれか
の測光センサを備える。
の測光センサを備える。
【００２０】
【発明の実施の形態】（実施形態１）
「原理の説明」図１は、本発明の実施形態１の測光セン
サの動作原理の説明図である。図１において、１００は
蛍光灯の光量波形である。
サの動作原理の説明図である。図１において、１００は
蛍光灯の光量波形である。
【００２１】また、１０１は低輝度時における電荷の蓄
積タイミングを示すパルスであり、ハイレベル時に電荷
を蓄積するようにしている。ここで、ハイレベルの期間
Ｔ２は、フリッカの影響を受けないように例えば蛍光灯
の周期である１０ｍＳとしている。
積タイミングを示すパルスであり、ハイレベル時に電荷
を蓄積するようにしている。ここで、ハイレベルの期間
Ｔ２は、フリッカの影響を受けないように例えば蛍光灯
の周期である１０ｍＳとしている。
【００２２】また、１０２は高輝度時における電荷の蓄
積タイミングを示すパルスであり、ハイレベル時に電荷
を蓄積するようにしている。ここで、ハイレベルの期間
ｔ１，ｔ２，…ｔ１０は、例えば１μＳとしており、例
えば１０ｍＳ内に１０回ハイ／ローを切り替えるように
している。なお、高輝度時とは低輝度時のタイミングで
電荷を蓄積しようとした場合に、蓄積している電荷が飽
和する時を云う。
積タイミングを示すパルスであり、ハイレベル時に電荷
を蓄積するようにしている。ここで、ハイレベルの期間
ｔ１，ｔ２，…ｔ１０は、例えば１μＳとしており、例
えば１０ｍＳ内に１０回ハイ／ローを切り替えるように
している。なお、高輝度時とは低輝度時のタイミングで
電荷を蓄積しようとした場合に、蓄積している電荷が飽
和する時を云う。
【００２３】上記のような蓄積時間にすると、高輝度時
と低輝度時とで電荷の蓄積時間の比が１：１０００にな
る。ちなみに、高輝度時に蓄積した電荷は加算の後に、
測光のための演算処理を行う。
と低輝度時とで電荷の蓄積時間の比が１：１０００にな
る。ちなみに、高輝度時に蓄積した電荷は加算の後に、
測光のための演算処理を行う。
【００２４】ちなみに、一般的には、カメラの測光装置
に要求される測光可能範囲は、ＥＶ０〜ＥＶ２０、すな
わちダイナミックレンジにして２０ＥＶ程度であるとさ
れている。しかし、撮像素子のほとんどのダイナミック
レンジは１０ＥＶ程度である。
に要求される測光可能範囲は、ＥＶ０〜ＥＶ２０、すな
わちダイナミックレンジにして２０ＥＶ程度であるとさ
れている。しかし、撮像素子のほとんどのダイナミック
レンジは１０ＥＶ程度である。
【００２５】そこで、蓄積時間を調整して要求される測
光可能範囲を、主要被写体を含む最適レベルに調節する
必要が生じる。
光可能範囲を、主要被写体を含む最適レベルに調節する
必要が生じる。
【００２６】具体的には、被写界での輝度値がＥＶ０〜
ＥＶ２０であると、標準的な撮影レンズを装着した場合
での光電変換素子の受光面上での照度はおよそ０．０１
Ｌｘ〜１００００Ｌｘとなる。
ＥＶ２０であると、標準的な撮影レンズを装着した場合
での光電変換素子の受光面上での照度はおよそ０．０１
Ｌｘ〜１００００Ｌｘとなる。
【００２７】光電変換素子の感度を仮に約２０Ｖ／ｌｘ
・Ｓ、飽和出力を約２Ｖとすると、電荷の蓄積時間が１
０μＳである時には測光可能範囲は約ＥＶ１０〜ＥＶ２
０であり、電荷の蓄積時間が１０ｍＳである時には測光
可能範囲はＥＶ０〜ＥＶ１０となる。
・Ｓ、飽和出力を約２Ｖとすると、電荷の蓄積時間が１
０μＳである時には測光可能範囲は約ＥＶ１０〜ＥＶ２
０であり、電荷の蓄積時間が１０ｍＳである時には測光
可能範囲はＥＶ０〜ＥＶ１０となる。
【００２８】すなわち、光電変換素子の蓄積時間を１０
μＳ〜１０ｍＳの範囲で調節することにより、初めてカ
メラの測光装置に要求される測光可能範囲であるＥＶ０
〜ＥＶ２０のダイナミックレンジが実現可能になる。
μＳ〜１０ｍＳの範囲で調節することにより、初めてカ
メラの測光装置に要求される測光可能範囲であるＥＶ０
〜ＥＶ２０のダイナミックレンジが実現可能になる。
【００２９】「構成の説明」図２は、図１に示す動作を
実現する測光センサの等価回路図である。図２におい
て、１は光を電荷に変換すると共に変換した電荷を蓄積
する光電変換素子であるフォトダイオード、２，３はフ
ォトダイオード１に蓄積されている電荷を選択的に転送
する転送スイッチ、４，７は転送スイッチ２，３による
電荷の転送先の電位を基準電位にリセットするリセット
スイッチ、５は転送スイッチ２によって転送された電荷
に基づく増幅信号を生成するためのソースフォロア、６
は増幅信号の読み出しを選択する選択スイッチ、１０は
ソースフォロア５と共に増幅信号の読み出しを行う負荷
電流源、９は読み出された増幅信号を出力線２２に送る
スイッチ、８は転送スイッチ３によって転送された電荷
を蓄積する容量、２１は転送スイッチ２によって電荷が
転送されるフローティングディフュージョン（以下、
「ＦＤ」と称する。）である。
実現する測光センサの等価回路図である。図２におい
て、１は光を電荷に変換すると共に変換した電荷を蓄積
する光電変換素子であるフォトダイオード、２，３はフ
ォトダイオード１に蓄積されている電荷を選択的に転送
する転送スイッチ、４，７は転送スイッチ２，３による
電荷の転送先の電位を基準電位にリセットするリセット
スイッチ、５は転送スイッチ２によって転送された電荷
に基づく増幅信号を生成するためのソースフォロア、６
は増幅信号の読み出しを選択する選択スイッチ、１０は
ソースフォロア５と共に増幅信号の読み出しを行う負荷
電流源、９は読み出された増幅信号を出力線２２に送る
スイッチ、８は転送スイッチ３によって転送された電荷
を蓄積する容量、２１は転送スイッチ２によって電荷が
転送されるフローティングディフュージョン（以下、
「ＦＤ」と称する。）である。
【００３０】なお、リセットスイッチ７は、容量８に蓄
積されている電荷がフォトダイオード１に蓄積されてい
る電荷に影響を与えなければ、必ずしも作動させなくて
もよい。
積されている電荷がフォトダイオード１に蓄積されてい
る電荷に影響を与えなければ、必ずしも作動させなくて
もよい。
【００３１】また、容量８に代えてＶＣＣやＧＮＤなど
の基準電圧に転送スイッチ３を接続するようにしてもよ
い。
の基準電圧に転送スイッチ３を接続するようにしてもよ
い。
【００３２】「動作の説明」図３は、図２のリセットス
イッチ４，７、選択スイッチ６、転送スイッチ２，３及
びスイッチ９の各ゲートに印加するパルス信号の高輝度
時の様子を示す図である。なお、図３には、図１に示す
蓄積時間ｔ１〜ｔ１０も付している。以下、図３を用い
つつ、図２の測光センサの動作について説明する。
イッチ４，７、選択スイッチ６、転送スイッチ２，３及
びスイッチ９の各ゲートに印加するパルス信号の高輝度
時の様子を示す図である。なお、図３には、図１に示す
蓄積時間ｔ１〜ｔ１０も付している。以下、図３を用い
つつ、図２の測光センサの動作について説明する。
【００３３】まず、高輝度時の動作について説明する。
リセットスイッチ４のゲートに印加されているローレベ
ルのパルス信号φＲ１が一時的にハイレベルに切り替え
られ、ＦＤ２１の電位がリセットされる。ＦＤ２１の電
位はダークレベルとなる。
リセットスイッチ４のゲートに印加されているローレベ
ルのパルス信号φＲ１が一時的にハイレベルに切り替え
られ、ＦＤ２１の電位がリセットされる。ＦＤ２１の電
位はダークレベルとなる。
【００３４】それから、フォトダイオード１に光が入射
され、入射光が電荷に変換される。変換された電荷はフ
ォトダイオード１の内部に蓄積される。
され、入射光が電荷に変換される。変換された電荷はフ
ォトダイオード１の内部に蓄積される。
【００３５】なお、電荷の蓄積開始時には、転送スイッ
チ２，３はそれぞれオフしており、フォトダイオード１
とＦＤ２１及び容量７とは電気的に接続されていないの
で、ＦＤ２１及び容量８にはフォトダイオード１で変換
された電荷は転送されない。
チ２，３はそれぞれオフしており、フォトダイオード１
とＦＤ２１及び容量７とは電気的に接続されていないの
で、ＦＤ２１及び容量８にはフォトダイオード１で変換
された電荷は転送されない。
【００３６】つぎに、選択スイッチ６のゲートに印加さ
れているローレベルのパルス信号φＳＥＬがハイレベル
とされ、負荷電流源１０とソースフォロア５とが作動さ
れる。
れているローレベルのパルス信号φＳＥＬがハイレベル
とされ、負荷電流源１０とソースフォロア５とが作動さ
れる。
【００３７】この状態で、転送スイッチ２，３のゲート
に印加されているパルス信号φＴＸ１，φＴＸ２が連続
して交互にハイ／ローと切り替えられ、フォトダイオー
ド１に蓄積された電荷がＦＤ２１又は容量８に転送され
る。
に印加されているパルス信号φＴＸ１，φＴＸ２が連続
して交互にハイ／ローと切り替えられ、フォトダイオー
ド１に蓄積された電荷がＦＤ２１又は容量８に転送され
る。
【００３８】この際、転送スイッチ２，３がそれぞれオ
ンされる毎に、リセットスイッチ７に印加しているパル
ス信号φＲ２がローレベルからハイレベルに切り替えら
れ、容量８の電位がリセットされる。
ンされる毎に、リセットスイッチ７に印加しているパル
ス信号φＲ２がローレベルからハイレベルに切り替えら
れ、容量８の電位がリセットされる。
【００３９】ちなみに、フォトダイオード１では、転送
スイッチ２，３がローレベルに切り替えられた瞬間から
電荷の蓄積が開始され、ハイレベルに切り替えられた瞬
間から蓄積している電荷の転送を開始する。換言する
と、パルス信号φＴＸ２がローレベルに切り替えられた
後、フォトダイオード１の電荷をＦＤ２１上に転送し、
パルス信号ＴＸ１がオフするまでの時間が蓄積時間ｔ
１，ｔ２，…となる。
スイッチ２，３がローレベルに切り替えられた瞬間から
電荷の蓄積が開始され、ハイレベルに切り替えられた瞬
間から蓄積している電荷の転送を開始する。換言する
と、パルス信号φＴＸ２がローレベルに切り替えられた
後、フォトダイオード１の電荷をＦＤ２１上に転送し、
パルス信号ＴＸ１がオフするまでの時間が蓄積時間ｔ
１，ｔ２，…となる。
【００４０】ここで、図３に示すように、パルス信号φ
Ｒ２，φＴＸ１及びφＴＸ２を各スイッチ７，２及び３
に印加すると、ＦＤ２１には図１に示すパルス１０２に
同期したタイミングで電荷が転送される。
Ｒ２，φＴＸ１及びφＴＸ２を各スイッチ７，２及び３
に印加すると、ＦＤ２１には図１に示すパルス１０２に
同期したタイミングで電荷が転送される。
【００４１】また、転送スイッチ２をオフすると、転送
された電荷によってＦＤ２１の電圧は保持、加算され
る。その後、スイッチ９のゲートに印加しているφＴ１
をオンすると、ＦＤ２１で加算された電荷に基づく増幅
信号が出力線２２に送られる。
された電荷によってＦＤ２１の電圧は保持、加算され
る。その後、スイッチ９のゲートに印加しているφＴ１
をオンすると、ＦＤ２１で加算された電荷に基づく増幅
信号が出力線２２に送られる。
【００４２】最後に、選択スイッチ６のゲートに印加さ
れているパルス信号φＳＥＬがローレベルに戻され、図
３に示す動作が終了する。
れているパルス信号φＳＥＬがローレベルに戻され、図
３に示す動作が終了する。
【００４３】つぎに、低輝度時の動作について説明す
る。低輝度時には、転送スイッチ３のゲートに印加して
いるパルス信号φＴＸ２をローレベルのままにし、転送
スイッチ３をオフした状態で、転送スイッチ２のゲート
に印加しているパルス信号φＴＸ１のハイ／ローを切り
替えて、転送スイッチ２を例えば１０ｍＳオンする。他
のパルス信号φＲ１，φＲ２、φＳＥＬ、φＴ１は図３
と同様である。
る。低輝度時には、転送スイッチ３のゲートに印加して
いるパルス信号φＴＸ２をローレベルのままにし、転送
スイッチ３をオフした状態で、転送スイッチ２のゲート
に印加しているパルス信号φＴＸ１のハイ／ローを切り
替えて、転送スイッチ２を例えば１０ｍＳオンする。他
のパルス信号φＲ１，φＲ２、φＳＥＬ、φＴ１は図３
と同様である。
【００４４】すると、ＦＤ２１には図１に示すパルス１
０１に同期したタイミングで電荷が転送され、その後、
スイッチ９のゲートに印加しているφＴ１をオンする
と、ＦＤ２１に転送された電荷に基づく増幅信号が出力
線２２に送られる。
０１に同期したタイミングで電荷が転送され、その後、
スイッチ９のゲートに印加しているφＴ１をオンする
と、ＦＤ２１に転送された電荷に基づく増幅信号が出力
線２２に送られる。
【００４５】（実施形態２）本発明の実施形態２では、
例えば図２に等価回路で示したフォトダイオード１等を
マトリクス状、デルタ状、ハニカム状のように２次元的
に配列し、奇数行で低輝度用の電荷の蓄積を行い、偶数
行で高輝度用の電荷の蓄積を行うようにしている。
例えば図２に等価回路で示したフォトダイオード１等を
マトリクス状、デルタ状、ハニカム状のように２次元的
に配列し、奇数行で低輝度用の電荷の蓄積を行い、偶数
行で高輝度用の電荷の蓄積を行うようにしている。
【００４６】図４は、本発明の実施形態２の測光センサ
３１０の平面図である。図４における矩形は、それぞれ
図２の等価回路図で示すフォトダイオード１等を示して
いる。なお、図４には、各行３０１〜３０８における電
荷の蓄積時間を付しており、奇数行３０１，３０３等の
蓄積時間は図１のパルス１０１に相当し、偶数行３０
２，３０４等の蓄積時間は図１のパルス１０２に相当す
る。
３１０の平面図である。図４における矩形は、それぞれ
図２の等価回路図で示すフォトダイオード１等を示して
いる。なお、図４には、各行３０１〜３０８における電
荷の蓄積時間を付しており、奇数行３０１，３０３等の
蓄積時間は図１のパルス１０１に相当し、偶数行３０
２，３０４等の蓄積時間は図１のパルス１０２に相当す
る。
【００４７】図４に示すように低輝度用と高輝度用との
電荷蓄積を行えるようにすると、広いダイナミックレン
ジを確保することができるようになると共に、被写界の
輝度状態が急に変化しても測光精度が低下しなくなる。
電荷蓄積を行えるようにすると、広いダイナミックレン
ジを確保することができるようになると共に、被写界の
輝度状態が急に変化しても測光精度が低下しなくなる。
【００４８】なお、ここでは奇数行と偶数行とで、それ
ぞれ低輝度用と高輝度用との電荷の蓄積を行う場合を例
に説明したが、例えばこれらの中間に値する中輝度用の
電荷の蓄積を行うようにしてもよい。また奇数列と偶数
列とで電荷の蓄積時間を変えたり、斜め格子状に電荷の
蓄積時間を変えてもよい。
ぞれ低輝度用と高輝度用との電荷の蓄積を行う場合を例
に説明したが、例えばこれらの中間に値する中輝度用の
電荷の蓄積を行うようにしてもよい。また奇数列と偶数
列とで電荷の蓄積時間を変えたり、斜め格子状に電荷の
蓄積時間を変えてもよい。
【００４９】（実施形態３）本発明の実施形態３の測光
センサは、図２に示す測光センサに、各スイッチ２〜５
等のスイッチング時に発生するノイズを除去するノイズ
除去手段を備えたものである。
センサは、図２に示す測光センサに、各スイッチ２〜５
等のスイッチング時に発生するノイズを除去するノイズ
除去手段を備えたものである。
【００５０】「構成の説明」図５は、本発明の実施形態
３の測光センサの等価回路図である。図５において、１
２はスイッチ９によって伝送された増幅信号に基づく信
号を出力するＭＯＳトランジスタ、１１はノイズ信号電
荷及びこれを含む光信号電荷を蓄積する蓄積容量、１４
は電源電圧ＶDDに接続されたＭＯＳトランジスタ、１３
はＭＯＳトランジスタ１２からの信号を取り出す負荷電
源、１６はノイズ信号電荷を読み出すための読出用ＭＯ
Ｓトランジスタ、１８はノイズ信号電荷を読み出すため
の容量、１５はノイズ成分を含む光信号電荷を読み出す
ための読出用ＭＯＳトランジスタ、１７はノイズ成分を
含む光信号電荷を読み出すための容量、１９は容量１
７，１８の電位をリセットするリセットＭＯＳトランジ
スタ、２０は光信号電荷からノイズ信号電荷を差分する
差動アンプである。
３の測光センサの等価回路図である。図５において、１
２はスイッチ９によって伝送された増幅信号に基づく信
号を出力するＭＯＳトランジスタ、１１はノイズ信号電
荷及びこれを含む光信号電荷を蓄積する蓄積容量、１４
は電源電圧ＶDDに接続されたＭＯＳトランジスタ、１３
はＭＯＳトランジスタ１２からの信号を取り出す負荷電
源、１６はノイズ信号電荷を読み出すための読出用ＭＯ
Ｓトランジスタ、１８はノイズ信号電荷を読み出すため
の容量、１５はノイズ成分を含む光信号電荷を読み出す
ための読出用ＭＯＳトランジスタ、１７はノイズ成分を
含む光信号電荷を読み出すための容量、１９は容量１
７，１８の電位をリセットするリセットＭＯＳトランジ
スタ、２０は光信号電荷からノイズ信号電荷を差分する
差動アンプである。
【００５１】なお、ＭＯＳトランジスタ１２，１４と、
負荷電源１３と、ノイズ蓄積蓄積容量１１とによってノ
イズ成分除去手段を構成している。また、図５において
図２と同様の部分には同一符号を付している。
負荷電源１３と、ノイズ蓄積蓄積容量１１とによってノ
イズ成分除去手段を構成している。また、図５において
図２と同様の部分には同一符号を付している。
【００５２】「動作の説明」図６は、図５のリセットス
イッチ４，７、選択スイッチ６、転送スイッチ２，３、
スイッチ９、読出用ＭＯＳトランジスタ１５，１６及び
リセットＭＯＳトランジスタ１９の各ゲートに印加する
パルス信号の高輝度時の様子を示す図である。以下、図
６を用いつつ、図５の測光センサの動作について説明す
る。
イッチ４，７、選択スイッチ６、転送スイッチ２，３、
スイッチ９、読出用ＭＯＳトランジスタ１５，１６及び
リセットＭＯＳトランジスタ１９の各ゲートに印加する
パルス信号の高輝度時の様子を示す図である。以下、図
６を用いつつ、図５の測光センサの動作について説明す
る。
【００５３】まず、高輝度時の動作について説明する。
リセットスイッチ４及びリセットＭＯＳトランジスタ１
９のゲートに印加されているパルス信号φＲ１，φＣＲ
がローレベルの状態から一時的にハイレベルに切り替え
られ、ＦＤ２１の電位、容量１７，１８がリセットされ
る。ＦＤ２１の電位はダークレベルとなる。
リセットスイッチ４及びリセットＭＯＳトランジスタ１
９のゲートに印加されているパルス信号φＲ１，φＣＲ
がローレベルの状態から一時的にハイレベルに切り替え
られ、ＦＤ２１の電位、容量１７，１８がリセットされ
る。ＦＤ２１の電位はダークレベルとなる。
【００５４】それから、フォトダイオード１に光が入射
され、入射光が電荷に変換される。変換された電荷はフ
ォトダイオード１の内部に蓄積される。なお、実施形態
１と同様に、電荷の蓄積開始時には、転送スイッチ２，
３はそれぞれオフしている。
され、入射光が電荷に変換される。変換された電荷はフ
ォトダイオード１の内部に蓄積される。なお、実施形態
１と同様に、電荷の蓄積開始時には、転送スイッチ２，
３はそれぞれオフしている。
【００５５】つぎに、選択スイッチ６のゲートに印加さ
れているローレベルのパルス信号がハイレベルに切り替
えられ、負荷電流源１０とソースフォロア５とが作動さ
れる。
れているローレベルのパルス信号がハイレベルに切り替
えられ、負荷電流源１０とソースフォロア５とが作動さ
れる。
【００５６】つぎに、スイッチ９のゲートに印加されて
いるパルス信号φＴ１がハイレベルとされ、ＦＤ２１の
リセット時に発生したノイズ成分が蓄積容量１１に蓄積
される。
いるパルス信号φＴ１がハイレベルとされ、ＦＤ２１の
リセット時に発生したノイズ成分が蓄積容量１１に蓄積
される。
【００５７】それから、転送スイッチ２，３のゲートに
印加されているパルス信号φＴＸ１，φＴＸ２が連続し
て交互にハイ／ローとされ、フォトダイオード１に蓄積
された電荷がＦＤ２１又は容量８に転送される。
印加されているパルス信号φＴＸ１，φＴＸ２が連続し
て交互にハイ／ローとされ、フォトダイオード１に蓄積
された電荷がＦＤ２１又は容量８に転送される。
【００５８】この際、転送スイッチ２，３がそれぞれオ
ンされる毎に、リセットスイッチ７に印加しているパル
ス信号φＲ２がローレベルからハイレベルに切り替えら
れ、容量８の電位がリセットされる。
ンされる毎に、リセットスイッチ７に印加しているパル
ス信号φＲ２がローレベルからハイレベルに切り替えら
れ、容量８の電位がリセットされる。
【００５９】ちなみに、フォトダイオード１では、転送
スイッチ２，３がオフされた瞬間から電荷の蓄積が開始
され、オンされた瞬間から蓄積している電荷の転送を開
始する。
スイッチ２，３がオフされた瞬間から電荷の蓄積が開始
され、オンされた瞬間から蓄積している電荷の転送を開
始する。
【００６０】また、転送スイッチ２をオフすると、転送
された電荷によってＦＤ２１の電圧は保持、加算され
る。
された電荷によってＦＤ２１の電圧は保持、加算され
る。
【００６１】そして、最後の電荷の蓄積が終了した後、
読出用ＭＯＳトランジスタ１６のゲートに印加している
パルス信号φＴＮをローレベルからハイレベルに切り替
え、ＭＯＳトランジスタ１４のゲートに印加しているパ
ルス信号をローレベルからハイレベルに切り替えると、
蓄積容量１１に蓄積されていたノイズ成分が容量１８に
転送される。
読出用ＭＯＳトランジスタ１６のゲートに印加している
パルス信号φＴＮをローレベルからハイレベルに切り替
え、ＭＯＳトランジスタ１４のゲートに印加しているパ
ルス信号をローレベルからハイレベルに切り替えると、
蓄積容量１１に蓄積されていたノイズ成分が容量１８に
転送される。
【００６２】その後、スイッチ９のゲートに印加してい
るφＴ１をオンすると、ＦＤ２１で加算された電荷に基
づく増幅信号が出力線２２に送られ、蓄積容量１１に転
送される。
るφＴ１をオンすると、ＦＤ２１で加算された電荷に基
づく増幅信号が出力線２２に送られ、蓄積容量１１に転
送される。
【００６３】それから、読出用ＭＯＳトランジスタ１７
のゲートに印加しているパルス信号φＴＮをローレベル
からハイレベルに切り替えると、蓄積容量１１に蓄積さ
れていたノイズ成分を含む光信号電荷が容量１７に転送
される。
のゲートに印加しているパルス信号φＴＮをローレベル
からハイレベルに切り替えると、蓄積容量１１に蓄積さ
れていたノイズ成分を含む光信号電荷が容量１７に転送
される。
【００６４】その後、ＭＯＳトランジスタ１４のゲート
に印加しているパルス信号をローレベルに戻し、容量１
７，１８と差動アンプ２０との間に設けられているＭＯ
Ｓトランジスタのゲートに印加されているパルス信号が
ローレベルからハイレベル切り替えられると、容量１
７，１８にそれぞれ保持された信号成分が差動アンプ２
０に送られ、ノイズ除去が行われる。
に印加しているパルス信号をローレベルに戻し、容量１
７，１８と差動アンプ２０との間に設けられているＭＯ
Ｓトランジスタのゲートに印加されているパルス信号が
ローレベルからハイレベル切り替えられると、容量１
７，１８にそれぞれ保持された信号成分が差動アンプ２
０に送られ、ノイズ除去が行われる。
【００６５】最後に、選択スイッチ６のゲートに印加さ
れているパルス信号がローレベルに戻され、図６に示す
動作が終了する。
れているパルス信号がローレベルに戻され、図６に示す
動作が終了する。
【００６６】つぎに、低輝度時の動作について説明す
る。低輝度時には、転送スイッチ３のゲートに印加して
いるパルス信号φＴＸ２をローレベルのままにし、転送
スイッチ３をオフした状態で、転送スイッチ２のゲート
に印加しているパルス信号φＴＸ１のハイ／ローを切り
替えて、転送スイッチ２を例えば１０ｍＳオンする。他
のパルス信号φＲ１，φＲ２、φＴ１、φＴＳ、φＴ
Ｎ、φＣＲは図６と同様である。
る。低輝度時には、転送スイッチ３のゲートに印加して
いるパルス信号φＴＸ２をローレベルのままにし、転送
スイッチ３をオフした状態で、転送スイッチ２のゲート
に印加しているパルス信号φＴＸ１のハイ／ローを切り
替えて、転送スイッチ２を例えば１０ｍＳオンする。他
のパルス信号φＲ１，φＲ２、φＴ１、φＴＳ、φＴ
Ｎ、φＣＲは図６と同様である。
【００６７】すると、ＦＤ２１には図１に示すパルス１
０１に同期したタイミングで電荷が転送され、ノイズ成
分が除去された光信号電荷が差動アンプ２０から出力さ
れる。
０１に同期したタイミングで電荷が転送され、ノイズ成
分が除去された光信号電荷が差動アンプ２０から出力さ
れる。
【００６８】（実施形態４）図７は、本発明の実施形態
４の撮像装置の構成的な構成を示すブロック図である。
図７において、５１はレンズのプロテクトとメインスイ
ッチを兼ねるバリア、５２は被写体の光学像を固体撮像
素子５４に結像させるレンズ、５３はレンズ５２を通っ
た光量を可変するための絞り、５４はレンズ５２で結像
された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像
素子、５５は固体撮像素子５４から出力される画像信号
に各種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処理回
路、５６は固体撮像素子５４より出力される画像信号の
アナログ−ディジタル変換を行うＡ／Ｄ変換器、５７は
Ａ／Ｄ変換器５６より出力された画像データに各種の補
正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、５８は固体
撮像素子５４，撮像信号処理回路５５，Ａ／Ｄ変換器５
６，信号処理部５７，測光センサ６４に各種タイミング
信号を出力するタイミング発生部、５９は各種演算とス
チルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、６
０は画像データを一時的に記憶するためのメモリ部、６
１は記録媒体に記録又は読み出しを行うための記録媒体
制御インターフェース部、６２は画像データの記録又は
読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録
媒体、６３は外部コンピュータ等と通信するための外部
インターフェース（Ｉ／Ｆ）部、６４は実施形態１〜３
で説明した測光センサである。
４の撮像装置の構成的な構成を示すブロック図である。
図７において、５１はレンズのプロテクトとメインスイ
ッチを兼ねるバリア、５２は被写体の光学像を固体撮像
素子５４に結像させるレンズ、５３はレンズ５２を通っ
た光量を可変するための絞り、５４はレンズ５２で結像
された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像
素子、５５は固体撮像素子５４から出力される画像信号
に各種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処理回
路、５６は固体撮像素子５４より出力される画像信号の
アナログ−ディジタル変換を行うＡ／Ｄ変換器、５７は
Ａ／Ｄ変換器５６より出力された画像データに各種の補
正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、５８は固体
撮像素子５４，撮像信号処理回路５５，Ａ／Ｄ変換器５
６，信号処理部５７，測光センサ６４に各種タイミング
信号を出力するタイミング発生部、５９は各種演算とス
チルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、６
０は画像データを一時的に記憶するためのメモリ部、６
１は記録媒体に記録又は読み出しを行うための記録媒体
制御インターフェース部、６２は画像データの記録又は
読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録
媒体、６３は外部コンピュータ等と通信するための外部
インターフェース（Ｉ／Ｆ）部、６４は実施形態１〜３
で説明した測光センサである。
【００６９】つぎに、前述の構成における撮影時のスチ
ルビデオカメラの動作について、説明する。バリア５１
がオープンされるとメイン電源がオンされ、つぎにコン
トロール系の電源がオンし、さらに、Ａ／Ｄ変換器５６
などの撮像系回路の電源がオンされる。
ルビデオカメラの動作について、説明する。バリア５１
がオープンされるとメイン電源がオンされ、つぎにコン
トロール系の電源がオンし、さらに、Ａ／Ｄ変換器５６
などの撮像系回路の電源がオンされる。
【００７０】それから、露光量を制御するために、全体
制御・演算部５９は絞り５３を開放にし、測光センサ６
４に被写界からの光が入射される。測光センサ６４は、
実施形態１〜３で説明したような手順で駆動され、全体
制御・演算部５９に電荷に基づく信号を出力する。
制御・演算部５９は絞り５３を開放にし、測光センサ６
４に被写界からの光が入射される。測光センサ６４は、
実施形態１〜３で説明したような手順で駆動され、全体
制御・演算部５９に電荷に基づく信号を出力する。
【００７１】全体制御・演算部５９は、この出力信号に
基づいて被写界の明るさを判断し、その結果に応じて絞
り５３を制御する。
基づいて被写界の明るさを判断し、その結果に応じて絞
り５３を制御する。
【００７２】つぎに、撮像を行う。まず、被写界からの
光が固体撮像素子５４に入力され、固体撮像素子５４か
ら出力される電荷に基づく信号をもとに、高周波成分を
取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部５
９で行う。
光が固体撮像素子５４に入力され、固体撮像素子５４か
ら出力される電荷に基づく信号をもとに、高周波成分を
取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部５
９で行う。
【００７３】その後、レンズ５２を駆動して合焦か否か
を判断し、合焦していないと判断したときは、再びレン
ズ５２を駆動し測距を行う。そして、合焦が確認された
後に本露光が始まる。
を判断し、合焦していないと判断したときは、再びレン
ズ５２を駆動し測距を行う。そして、合焦が確認された
後に本露光が始まる。
【００７４】露光が終了すると、固体撮像素子５４から
出力された画像信号は、撮像信号処理回路５５において
補正等がされ、さらにＡ／Ｄ変換器５６でＡ／Ｄ変換さ
れ、信号処理部５７を通り全体制御・演算５９によりメ
モリ部６０に蓄積される。
出力された画像信号は、撮像信号処理回路５５において
補正等がされ、さらにＡ／Ｄ変換器５６でＡ／Ｄ変換さ
れ、信号処理部５７を通り全体制御・演算５９によりメ
モリ部６０に蓄積される。
【００７５】その後、メモリ部６０に蓄積されたデータ
は、全体制御・演算部５９の制御により記録媒体制御Ｉ
／Ｆ部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体６２
に記録される。また外部Ｉ／Ｆ部６３を通り直接コンピ
ュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
は、全体制御・演算部５９の制御により記録媒体制御Ｉ
／Ｆ部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体６２
に記録される。また外部Ｉ／Ｆ部６３を通り直接コンピ
ュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
【００７６】
【発明の効果】以上に示したように、本発明によると、
光電変換素子で変換され選択的に一定周期で抽出された
電荷を加算することが可能なので、面倒な演算等を行う
ことなく、測光精度を低下させないようにすることがで
きる。
光電変換素子で変換され選択的に一定周期で抽出された
電荷を加算することが可能なので、面倒な演算等を行う
ことなく、測光精度を低下させないようにすることがで
きる。
【図１】本発明の実施形態１の測光センサの動作原理の
説明図である。
説明図である。
【図２】図１に示す動作を実現する測光センサの等価回
路図である。
路図である。
【図３】図２のリセットスイッチ４，７、選択スイッチ
６、転送スイッチ２，３及びスイッチ９の各ゲートに印
加するパルス信号の高輝度時の様子を示す図である。
６、転送スイッチ２，３及びスイッチ９の各ゲートに印
加するパルス信号の高輝度時の様子を示す図である。
【図４】本発明の実施形態２の測光センサ３１０の平面
図である。
図である。
【図５】本発明の実施形態３の測光センサの等価回路図
である。
である。
【図６】図５のリセットスイッチ４，７、選択スイッチ
６、転送スイッチ２，３、スイッチ９、読出用ＭＯＳト
ランジスタ１５，１６及びリセットＭＯＳトランジスタ
１９の各ゲートに印加するパルス信号の高輝度時の様子
を示す図である。
６、転送スイッチ２，３、スイッチ９、読出用ＭＯＳト
ランジスタ１５，１６及びリセットＭＯＳトランジスタ
１９の各ゲートに印加するパルス信号の高輝度時の様子
を示す図である。
【図７】本発明の実施形態４の撮像装置の構成的な構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図８】従来の測光センサの電荷の蓄積時間の説明図で
ある。
ある。
【図９】図８に示す電荷の蓄積タイミングを示すパルス
と蛍光灯の発光波形とを示す図である。
と蛍光灯の発光波形とを示す図である。
１ フォトダイオード
２，３ 転送スイッチ
４，７ リセットスイッチ
５ ソースフォロア
６ 選択スイッチ
８ 容量
９ スイッチ
１０ 負荷電流源
１２ ＭＯＳトランジスタ
１１ 蓄積容量
１４ ＭＯＳトランジスタ
１３ 負荷電源
１５，１６ 読出用ＭＯＳトランジスタ
１７，１８ 容量
１９ リセットＭＯＳトランジスタ
２０ 差動アンプ
２１ フローティングディフュージョン（ＦＤ）
２２ 出力線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｎ 5/235 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｑ
5/335 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｇ
Ｆターム(参考） 2G065 AA08 BA09 BC07 DA18
2H002 DB01 DB02 DB14 DB24 DB25
HA04 HA05 JA07 ZA01 ZA03
5C022 AA13 AB01 AC69
5C024 AX01 BX01 CX16 EX13 GY31
GZ24
5F049 MA01 NA20 NB05 UA01 UA20
Claims (10)
- 【請求項１】 蓄積期間内に光電変換素子で変換された
電荷を選択的に複数回抽出する抽出手段と、前記抽出手
段で抽出された電荷を加算する加算手段と、前記蓄積期
間内に光電変換素子で変換された電荷を選択的に複数回
排出する排出手段とを備えることを特徴とする光電変換
装置。 - 【請求項２】 前記抽出手段は、前記光電変換素子に並
列に接続されたスイッチ素子を備えており、当該各スイ
ッチ素子のオン／オフを交互に切り替えることによって
前記電荷の抽出を行うことを特徴とする請求項１記載の
光電変換装置。 - 【請求項３】 前記加算手段は、前記抽出手段で抽出さ
れた電荷を保持する保持手段と、前記保持手段で保持さ
れた電荷を電圧に変換する変換手段とを備えることを特
徴とする請求項１又は２記載の光電変換装置。 - 【請求項４】 前記保持手段は、フローティングディフ
ュージョン領域であることを特徴とする請求項３記載の
光電変換装置。 - 【請求項５】 複数の画素を有し、各々の前記画素は、
前記光電変換素子、前記抽出手段、前記排出手段、及び
加算手段を有することを特徴とする請求項１から４のい
ずれか１項記載の光電変換装置。 - 【請求項６】 複数の画素を有する光電変換装置であっ
て、各々の前記画素は、光電変換素子と、前記光電変換
素子で変換された電荷を転送する第１，第２転送手段
と、前記第１転送手段で転送された電荷を増幅する増幅
手段と、前記増幅手段の入力部をリセットするリセット
手段と、を含むことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項７】 さらに、前記抽出手段又は前記第１，第
２転送手段によって生じるノイズを除去する除去手段を
備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項
記載の光電変換装置。 - 【請求項８】 請求項１から７のいずれか１項記載の光
電変換装置と、前記光電変換装置で加算された電荷に基
づいて前記光電変換素子への入射光の明るさを計測する
演算手段とを備えることを特徴とする測光センサ。 - 【請求項９】 複数の画素を有する測光センサであっ
て、前記複数の画素は、蓄積期間内に光電変換素子で変
換された電荷を複数回選択的に抽出し、該抽出された電
荷を加算する第１の画素と、前記光電変換素子の電荷を
抽出されるまでの時間が、第１の画素よりも長い第２の
画素とを含み、前記各光電変換素子で変換された電荷に
基づいて当該各光電変換素子への入射光の明るさを計測
する演算手段とを備えることを特徴とする測光センサ。 - 【請求項１０】 請求項８又は９記載の測光センサを備
えることを特徴とする撮像装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001245540A JP2003057113A (ja) | 2001-08-13 | 2001-08-13 | 光電変換装置、測光センサ及び撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001245540A JP2003057113A (ja) | 2001-08-13 | 2001-08-13 | 光電変換装置、測光センサ及び撮像装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011227441A Division JP5518025B2 (ja) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | 光電変換装置及び撮像装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2001245540A Pending JP2003057113A (ja) | 2001-08-13 | 2001-08-13 | 光電変換装置、測光センサ及び撮像装置 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2007006049A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Funai Electric Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP2008517541A (ja) * | 2004-10-20 | 2008-05-22 | サイモン フレーザー ユニバーシティー | 高利得デジタル画像システム |
| US8199236B2 (en) | 2007-09-11 | 2012-06-12 | Simon Fraser University/Industry Liason Office | Device and pixel architecture for high resolution digital |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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