JP2008517541A - 高利得デジタル画像システム - Google Patents
高利得デジタル画像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008517541A JP2008517541A JP2007537086A JP2007537086A JP2008517541A JP 2008517541 A JP2008517541 A JP 2008517541A JP 2007537086 A JP2007537086 A JP 2007537086A JP 2007537086 A JP2007537086 A JP 2007537086A JP 2008517541 A JP2008517541 A JP 2008517541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- transistor
- readout circuit
- detector
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 112
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 112
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 72
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000002594 fluoroscopy Methods 0.000 claims description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009607 mammography Methods 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YIAXEFITNBBEOD-UHFFFAOYSA-N gadolinium(3+) trisulfide Chemical compound [S--].[S--].[S--].[Gd+3].[Gd+3] YIAXEFITNBBEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 claims 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 17
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 9
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004154 testing of material Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/42—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by switching between different modes of operation using different resolutions or aspect ratios, e.g. switching between interlaced and non-interlaced mode
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/51—Control of the gain
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
【選択図】 図5c
Description
用語「検出器」は、電磁放射の光子を電荷に変換する装置を定義するのに使用される。この放射線は、電磁スペクトルの任意の部分からの任意の波長または波長範囲であってもよい。例えば、X線光子、紫外光子、赤外光子または容易に理解できる他の光子は、かかる装置によって電荷に変換されてもよい。
図4aは、本発明の一実施形態による、画像構造を示す。この実施形態では、RESETトランジスタ41、READ1トランジスタ45、検出器43およびAMPトランジスタ44は、画像パネル上のそれぞれのピクセル400内に存在する。電荷積分器471、フィードバックキャパシタ461、AMP_RESET1トランジスタ481、単独で制御可能な電流源49、スイッチ491およびスイッチ492は、オフピクセル読出回路の一部を形成する。上記の素子のそれぞれは、オフパネル素子またはオンパネル素子であってもよい。
本発明の別の実施形態では、読出回路は、読出回路内の第2の増幅段階を実装することによって、検出器からの入力信号に大きな増幅、それ故に追加のノイズ免疫を供給することができる。この実施形態では、検出器全体に生成される電圧変化は、第1の増幅段階、または前置増幅段階への入力信号を生成する。前置増幅段階からの出力信号は、第2の増幅段階へまたは増幅トランジスタへの入力信号を形成し、その後、出力信号に、増幅トランジスタによって単独に得られた利得より大きな利得を提供する。しかしながら、追加の増幅段階もまた実装されてもよく、これは回路の複雑性を増大させる可能性がある。
Claims (46)
- a)入射する光子に応答して第一の信号を生成する検出器、および
b)前記検出器に結合され、前記第一の信号を受信して前記第一の信号を表す第二の信号を生成する、第一のオンピクセル増幅器を含む読出回路、を含むデジタル画像装置であって、
前記第二の信号が前記デジタル画像装置から続いて出力される、デジタル画像装置。 - 前記第二の信号は、増幅された第一の信号を表す、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、前記第二の信号を出力するための1つまたは複数のトランジスタをさらに含む、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、前記第二の信号を事前定義された値にリセットするための1つまたは複数のトランジスタをさらに含む、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、前記第二の信号を出力し、前記第二の信号を事前定義された値にリセットするための1つまたは複数のトランジスタをさらに含む、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、トランジスタ、レジスタ、キャパシタ、インダクタ、および電源を含むグループから選択された1つまたは複数の装置をさらに含む、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記第一のオンピクセル増幅器が単一トランジスタである、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記第一のオンピクセル増幅器は、トランジスタ、レジスタ、キャパシタ、インダクタ、および電源を含むグループから選択された1つまたは複数の装置をさらに含む、請求項7に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、第二の増幅器をさらに含む、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記第二の増幅器がオンピクセルである、請求項9に記載のデジタル画像装置。
- 前記第二の増幅器は、前記第一の信号を受信し、前記第二の増幅器が中間信号を生成し、前記中間信号が前記第一のオンピクセル増幅器への入力となる、請求項10に記載のデジタル画像装置。
- 前記第二の増幅器は、飽和負荷増幅器、負荷抵抗増幅器、直線負荷増幅器、飽和負荷カスコード増幅器、負荷抵抗カスコード増幅器、および直線負荷カスコード増幅器から成るグループから選択される、請求項9に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、1つまたは複数の動作モードで動作することができ、それによって前記第一の信号を表す1つまたは複数の第二の信号を生成する、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、2つ以上の前記動作モードを切り替えることができ、前記第一の信号の特性または前記第二の信号の特性に基づいて望ましい動作モードが決定される、請求項13に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、前記動作モードのいずれかで同時に動作できる、請求項13に記載のデジタル画像装置。
- 前記第一の信号の特性が前記第一の信号の大きさを含む、請求項14に記載のデジタル画像装置。
- 前記第二の信号の特性が前記第二の信号の大きさを含む、請求項14に記載のデジタル画像装置。
- 前記第二の信号の特性が前記第二の信号の読出時間を含む、請求項14に記載のデジタル画像装置。
- 前記大きさが事前定義された閾値以下であり、前記読出回路の前記望ましい動作モードが、前記第二の信号を生成するための前記第一の信号の増幅を含む、請求項16に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、手動スイッチを使用することによって、前記2つ以上の動作モードをそれぞれ切り替えることができる、請求項14に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、自動スイッチを使用することによって、前記2つ以上の動作モードそれぞれを切り替えることができる、請求項14に記載のデジタル画像装置。
- 前記自動スイッチは、フィードバック回路を含む、請求項21に記載のデジタル画像装置。
- 前記自動スイッチが事前定義されたシーケンスに応答する、請求項21に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路に結合された前記1つまたは複数の追加検出器をさらに含む、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路の一部が1つまたは複数の画像パネル上にある、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路の全体が1つまたは複数の画像パネル上にある、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記画像パネルが堅いまたは柔軟である、請求項25または26に記載のデジタル画像装置。
- 前記検出器および前記読出回路が1つまたは複数の平面で組み立てられる、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、様々なキャパシタンス値を持つ2つ以上のキャパシタを含み、前記2つ以上のキャパシタが連続して、または平行して、あるいはその組み合わせで配置され、切り替え可能となるように構成されることによって2つ以上の利得を提供する、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、様々な抵抗値を持つ2つ以上のレジスタを含み、前記2つ以上のレジスタが連続して、または平行して、あるいはその組み合わせで配置され、切り替え可能となるように構成されることによって、2つ以上の利得を提供する、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、1つまたは複数のトランジスタを含み、前記トランジスタが非晶質シリコンTFT、多結晶シリコンTFT、微結晶TFT、ナノ結晶TFT、および結晶シリコントランジスタを含むグループから選択される、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は、1つまたは複数のトランジスタを含み、前記トランジスタがn型、p型、または両極性の特性を示す、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記検出器がガス検出器または固体検出器である、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記検出器が直接探知検出器または間接探知検出器である、請求項1に記載のデジタル画像装置。
- 前記直接探知検出器は、非晶質セレン、テルル化カドミウム、シリコン、ゲルマニウム、および非晶質シリコンを含むグループから選択される材料で組み立てられる、請求項34に記載のデジタル画像装置。
- 前記間接探知検出器は、非晶質セレン、シリコン、ゲルマニウム、ヨウ化セシウム、硫化ガドリニウム、および非晶質シリコンを含むグループから選択される材料で組み立てられる、請求項34に記載のデジタル画像装置。
- 前記読出回路は3つの動作モードを含む、請求項13に記載のデジタル画像装置。
- 一連のデジタル画像装置を含むデジタル画像システムであって、それぞれのデジタル画像装置は、
a)入射する光子に応答して第一の信号を生成する検出器、および
b)前記検出器に結合され、前記第一の信号を受信して前記第一の信号を表す第二の信号を生成する、第一のオンピクセル増幅器を含む読出回路を含み、
前記第二の信号が前記デジタル画像装置から続いて出力されるデジタル画像装置から成るデジタル画像システム。 - 2つ以上のデジタル画像装置から成る特定のグループは、前記読出回路の共通部分を有する、請求項38に記載のデジタル画像システム。
- 前記システムは、前記読出回路の共通部分に対して信号を多重化できる多重化回路をさらに含む、請求項39に記載のデジタル画像システム。
- 前記多重化回路が1つまたは複数のマルチプレクサを含む、請求項40に記載のデジタル画像システム。
- 前記多重化回路が1つまたは複数の切り替え回路を含む、請求項40に記載のデジタル画像システム。
- 請求項1に記載の前記デジタル画像装置のX線写真術、X線断層合成、または視像における使用。
- X線写真術が蛍光透視、胸部X線写真、および乳房撮影を含む、請求項43に記載の前記デジタル画像装置の使用。
- 蛍光透視がリアルタイム蛍光透視を含む、請求項44に記載の前記デジタル画像装置の使用。
- デジタル画像の方法は、
a)入射する光子を検出器により検出するステップと、
b)前記光子に応答して第一の信号を前記検出器により生成するステップと、
c)前記第一の信号を前記検出器に結合される読出回路により受信するステップと、
d)前記第一の信号を表す第二の信号を前記読出回路により生成し、前記読出回路は第一のオンピクセル増幅器を含むステップと、および
e)前記第二の信号をデジタル信号プロセッサに転送するステップ
と、を含むデジタル画像方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US62082504P | 2004-10-20 | 2004-10-20 | |
CA002494602A CA2494602A1 (en) | 2005-01-08 | 2005-01-08 | Digital imaging apparatus and system |
PCT/CA2005/001610 WO2006042407A1 (en) | 2004-10-20 | 2005-10-20 | High gain digital imaging system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008517541A true JP2008517541A (ja) | 2008-05-22 |
JP2008517541A5 JP2008517541A5 (ja) | 2010-03-11 |
Family
ID=36646266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007537086A Pending JP2008517541A (ja) | 2004-10-20 | 2005-10-20 | 高利得デジタル画像システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7995113B2 (ja) |
EP (1) | EP1813096A4 (ja) |
JP (1) | JP2008517541A (ja) |
KR (1) | KR20070114265A (ja) |
CA (2) | CA2494602A1 (ja) |
WO (1) | WO2006042407A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010063096A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Csem Centre Suisse D'electronique & De Microtechnique Sa Recherche & Developpement | 単一光子画像形成素子 |
JP2011206536A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | General Electric Co <Ge> | 画像データ取得のための方法及びシステム |
JP2013532421A (ja) * | 2010-06-01 | 2013-08-15 | 博立▲碼▼杰通▲訊▼(深▲せん▼)有限公司 | 感光素子、感光素子の読み込み方法、及び感光素子の読み込み回路 |
JP2016181698A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
US9535172B2 (en) | 2013-08-27 | 2017-01-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and apparatuses for adaptively determining voltage reset timing |
WO2021256291A1 (ja) * | 2020-06-19 | 2021-12-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8243876B2 (en) | 2003-04-25 | 2012-08-14 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray scanners |
US7847846B1 (en) * | 2006-05-16 | 2010-12-07 | University Of Rochester | CMOS image sensor readout employing in-pixel transistor current sensing |
US7924332B2 (en) | 2007-05-25 | 2011-04-12 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Current/voltage mode image sensor with switchless active pixels |
US8199236B2 (en) | 2007-09-11 | 2012-06-12 | Simon Fraser University/Industry Liason Office | Device and pixel architecture for high resolution digital |
US7619197B2 (en) * | 2008-02-04 | 2009-11-17 | Carestream Health, Inc. | Digital radiographic imaging apparatus |
US8773564B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-07-08 | Truesense Imaging, Inc. | Image sensor with charge multiplication |
US8479374B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-07-09 | Truesense Imaging, Inc. | Method of producing an image sensor having multiple output channels |
KR20130049076A (ko) * | 2011-11-03 | 2013-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광검출 화소, 광검출 장치, 및 그 구동방법 |
JP5554313B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2014-07-23 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム |
TWI452520B (zh) | 2011-12-27 | 2014-09-11 | Ind Tech Res Inst | 感測裝置及其驅動方法 |
JP6740230B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2020-08-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
US11558567B2 (en) * | 2020-03-17 | 2023-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical active pixel sensor using TFT pixel circuit |
US20230168391A1 (en) * | 2020-03-18 | 2023-06-01 | Analogic Canada Corporation | Multi-stage pixel architecture for synchronous read/integrate radiation imaging, and related systems, devices and methods |
DE102020210957A1 (de) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | Siemens Healthcare Gmbh | Auswerteeinheit für einen Röntgendetektor, Röntgendetektor, medizinische Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben eines Röntgendetektors |
US20240272094A1 (en) * | 2020-12-29 | 2024-08-15 | Analogic Canada Corporation | Two-stage pixel device with adaptive frame grabbing for x-ray imaging with or without automatic exposure control, and related systems, methods and devices |
TWI750991B (zh) * | 2021-01-07 | 2021-12-21 | 友達光電股份有限公司 | 感測器 |
CN113489464B (zh) * | 2021-07-02 | 2022-10-04 | 西安电子科技大学 | 用于纳米孔基因测序的读出电路及半边共享读出阵列 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08256293A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子及び固体撮像ユニット並びに撮像カメラ |
JPH0951476A (ja) * | 1995-06-02 | 1997-02-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JP2002320146A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Innotech Corp | 可変利得アンプ、固体撮像装置及び光信号読み出し方法 |
JP2003057113A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-26 | Canon Inc | 光電変換装置、測光センサ及び撮像装置 |
JP2003134396A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Canon Inc | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、その撮像素子を用いた放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
WO2003061277A2 (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-24 | European Organization For Nuclear Research | Charge or particle sensing |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5083016A (en) | 1990-03-27 | 1992-01-21 | Hughes Aircraft Company | 3-transistor source follower-per-detector unit cell for 2-dimensional focal plane arrays |
US5331188A (en) | 1992-02-25 | 1994-07-19 | International Business Machines Corporation | Non-volatile DRAM cell |
JPH07153988A (ja) | 1993-12-01 | 1995-06-16 | Nikon Corp | 「増幅型」光電変換装置及びその駆動方法 |
US5665959A (en) * | 1995-01-13 | 1997-09-09 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Adminstration | Solid-state image sensor with focal-plane digital photon-counting pixel array |
US5962856A (en) | 1995-04-28 | 1999-10-05 | Sunnybrook Hospital | Active matrix X-ray imaging array |
US6172369B1 (en) | 1995-07-31 | 2001-01-09 | Ifire Technology, Inc. | Flat panel detector for radiation imaging with reduced trapped charges |
US5892540A (en) * | 1996-06-13 | 1999-04-06 | Rockwell International Corporation | Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager |
JP3988208B2 (ja) | 1997-06-02 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその撮像方法 |
JP4127416B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2008-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ、光センサの作製方法、リニアイメージセンサ及びエリアセンサ |
US5981932A (en) * | 1997-11-05 | 1999-11-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Noise compensation circuit for image sensors |
JP2000078463A (ja) | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Nikon Corp | 画像取り込み装置 |
US6130423A (en) * | 1998-07-10 | 2000-10-10 | Pixel Cam, Inc. | Method and apparatus for a CMOS image sensor with a distributed amplifier |
US6587142B1 (en) | 1998-09-09 | 2003-07-01 | Pictos Technologies, Inc. | Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset |
US6486504B1 (en) | 1999-10-26 | 2002-11-26 | Eastman Kodak Company | CMOS image sensor with extended dynamic range |
US6463181B2 (en) | 2000-12-22 | 2002-10-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for optimizing visual display of enhanced digital images |
AU2002231535A1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-09-04 | Ignis Innovation Inc. | Active pixel sensor for digital imaging |
JP2003018458A (ja) * | 2001-04-23 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | Cmos型固体撮像素子を用いた撮像システム |
US6952240B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-10-04 | Exar Corporation | Image sampling circuit with a blank reference combined with the video input |
US6855937B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
JP2003209746A (ja) | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Shimadzu Corp | 放射線撮影装置 |
US7023503B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-04-04 | Planar Systems, Inc. | Image sensor with photosensitive thin film transistors |
JP4022862B2 (ja) * | 2002-06-11 | 2007-12-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその制御方法 |
US20040152268A1 (en) | 2003-02-05 | 2004-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Novel method of fabricating split gate flash memory cell without select gate-to-drain bridging |
JP2007502061A (ja) | 2003-08-12 | 2007-02-01 | サイモン フレーザー ユニバーシティー | マルチモード・デジタル・イメージング装置およびシステム |
US7456885B2 (en) * | 2003-08-22 | 2008-11-25 | Micron Technology, Inc. | Per column one-bit ADC for image sensors |
US7310213B2 (en) | 2003-09-26 | 2007-12-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device provided with overheat protection circuit and electronic circuit using the same |
JP4455435B2 (ja) | 2004-08-04 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び同固体撮像装置を用いたカメラ |
US7518645B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-04-14 | Goodrich Corp. | CMOS active pixel sensor with improved dynamic range and method of operation |
US7212939B2 (en) | 2005-02-18 | 2007-05-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturin Co., Ltd. | Method and system for timing measurement of embedded macro module |
US8199236B2 (en) | 2007-09-11 | 2012-06-12 | Simon Fraser University/Industry Liason Office | Device and pixel architecture for high resolution digital |
US8026960B2 (en) * | 2008-04-29 | 2011-09-27 | Xerox Corporation | Image sensor and associated readout system |
-
2005
- 2005-01-08 CA CA002494602A patent/CA2494602A1/en not_active Abandoned
- 2005-10-20 US US11/577,637 patent/US7995113B2/en active Active
- 2005-10-20 CA CA2585375A patent/CA2585375C/en active Active
- 2005-10-20 KR KR1020077011457A patent/KR20070114265A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-10-20 EP EP05799482A patent/EP1813096A4/en not_active Withdrawn
- 2005-10-20 JP JP2007537086A patent/JP2008517541A/ja active Pending
- 2005-10-20 WO PCT/CA2005/001610 patent/WO2006042407A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08256293A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子及び固体撮像ユニット並びに撮像カメラ |
JPH0951476A (ja) * | 1995-06-02 | 1997-02-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JP2002320146A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Innotech Corp | 可変利得アンプ、固体撮像装置及び光信号読み出し方法 |
JP2003057113A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-26 | Canon Inc | 光電変換装置、測光センサ及び撮像装置 |
JP2003134396A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Canon Inc | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、その撮像素子を用いた放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
WO2003061277A2 (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-24 | European Organization For Nuclear Research | Charge or particle sensing |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010063096A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Csem Centre Suisse D'electronique & De Microtechnique Sa Recherche & Developpement | 単一光子画像形成素子 |
JP2011206536A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | General Electric Co <Ge> | 画像データ取得のための方法及びシステム |
JP2013532421A (ja) * | 2010-06-01 | 2013-08-15 | 博立▲碼▼杰通▲訊▼(深▲せん▼)有限公司 | 感光素子、感光素子の読み込み方法、及び感光素子の読み込み回路 |
US9535172B2 (en) | 2013-08-27 | 2017-01-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and apparatuses for adaptively determining voltage reset timing |
JP2016181698A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
WO2021256291A1 (ja) * | 2020-06-19 | 2021-12-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080259182A1 (en) | 2008-10-23 |
WO2006042407A1 (en) | 2006-04-27 |
EP1813096A1 (en) | 2007-08-01 |
CA2585375C (en) | 2014-04-08 |
CA2494602A1 (en) | 2006-07-08 |
KR20070114265A (ko) | 2007-11-30 |
US7995113B2 (en) | 2011-08-09 |
EP1813096A4 (en) | 2008-08-20 |
CA2585375A1 (en) | 2006-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008517541A (ja) | 高利得デジタル画像システム | |
US7791032B2 (en) | Multi-mode digital imaging apparatus and system | |
CA2639498C (en) | Device and pixel architecture for high resolution digital imaging | |
US9476992B2 (en) | Electromagnetic radiation detector with gain range selection | |
US9500752B2 (en) | Pixel architecture for imaging devices | |
US20100329421A1 (en) | Suppression of direct detection events in x-ray detectors | |
US7652240B2 (en) | Image sensor with a plurality of pixels, pixel circuit and method | |
JP3942793B2 (ja) | 電荷量検出回路 | |
US7755364B2 (en) | Image sensor | |
JP2006078235A (ja) | 電荷検出回路およびそれを備えた画像センサ | |
JP2013510423A (ja) | 電磁放射線を検出する検出器ユニット | |
Karim et al. | High-dynamic-range pixel architectures for diagnostic medical imaging | |
JP4322721B2 (ja) | 電荷検出回路およびそれを備えた画像センサ | |
CN100530664C (zh) | 多模式数字成像装置和系统 | |
CA2670180A1 (en) | System, device and method for high dynamic range digital imaging | |
Kim et al. | Design of a Smart CMOS Readout Circuit for Panoramic X-Ray Time Delay and Integration Arrays | |
CA2609838A1 (en) | Fully integrated active pixel sensor imaging architectures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081009 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110608 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110615 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111108 |