JPH04218965A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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Publication number
JPH04218965A
JPH04218965A JP3082334A JP8233491A JPH04218965A JP H04218965 A JPH04218965 A JP H04218965A JP 3082334 A JP3082334 A JP 3082334A JP 8233491 A JP8233491 A JP 8233491A JP H04218965 A JPH04218965 A JP H04218965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
disposed
opposite side
ccd
vertical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3082334A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Nishihara
博 西原
Yasushi Watanabe
恭志 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP3082334A priority Critical patent/JPH04218965A/ja
Publication of JPH04218965A publication Critical patent/JPH04218965A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ,電子ス
チールカメラ等に用いられる2次元の固体撮像素子に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、2次元固体撮像素子には、MOS
型,CCDインターライン型及びこれらの変形型が種々
発表されているが、ここでは、現在主流になっているC
CDインターライン型2次元固体撮像素子を例にとって
説明する。
【0003】図4は、従来の2次元固体撮像素子の平面
図であり、図5は図4のC−C′部の断面図である。図
4,図5において、1はマイクロレンズ、2はオンチッ
プカラーフィルタ、3は垂直転送CCD(以下「V−C
CD」という)、4はAl遮光膜、5は半導体基板、6
はフォトダイオード(以下「PD」という)、7はポリ
シリコンゲート、8,9は平坦化膜、10はBPSG膜
、11はシリコン酸化膜を示す。マイクロレンズ1は、
受光部のPD6の真上に形成されており、Al遮光膜4
はV−CCD3に光が照射されないように設置する。
【0004】従来の固体撮像素子では、画素ピッチ(画
素サイズ)を小さくして画素子上に形成して感度を向上
させるという方法が行われてきた。このとき、マイクロ
レンズは受光画素子の真上にあり、該レンズのセンター
は、画素のセンターと一致している。また、固体撮像素
子では、一般にインターレースという駆動方法が用いら
れている。これは、1フレーム(1/30sec周期)
で画面をA,Bのフィールドに分けて、走査するもので
ある。これを図4の固体撮像素子でいうと、奇数行ライ
ンがAフィールド、偶数行ラインがBフィールドに相当
する(フレーム蓄積モードの場合)。また、2次元の解
像度を向上させるため、いわゆる“絵素ずらし”を行う
方法も用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】近年、CCD素子を中
心とする単板式2次元固体撮像素子を用いたカラーカメ
ラにおいて、高感度化と高解像度化という対立する要求
が存在する。高感度化は、受光部(フォトダイオード)
を大きくしていかなければならないが、この場合、同一
チップサイズでは、画素数を減らす(1画素のサイズは
向上)または画素上にレンズを設ける等を行う必要があ
る。一方、高解像度化は、画素数を増す事で目標は達成
できるものの、同一チップサイズの場合、画素サイズを
小さくしなければならない。また、“絵素ずらし”の問
題点として、画素以外の部分、特に垂直CCD転送部(
図4のV−CCDに相当)なども蛇行させなくてはなら
ない。
【0006】そこで、本発明は、画素サイズを小さくす
ることなく、また、従来の構造を変えることなく、解像
度を向上させることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子は
、複数のフォトダイオードが水平方向及び垂直方向にそ
れぞれ所定ピッチで直線状に設置されている固体撮像素
子において、同一垂直列に属するフォトダイオードへの
光入射領域を、隣接する水平行間で、水平方向に於いて
半ピッチずらせるための光学的手段を設置して成ること
を特徴とする。
【0008】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
【0009】インターライン転送方式における本発明の
実施例を図1,図2及び図3に示す。図1は、同実施例
の平面図、図2は同実施例の断面図(D−D′)、図3
は同実施例の断面図(E−E′)である。図1に示すよ
うに、受光部であるフォトダイオード(以下「PD」と
いう)6の中心が、水平方向及び垂直方向に、一直線上
になるように、一定間隔を保ち設置されていて、垂直転
送CCD(以下「V−CCD」という)8は、垂直方向
に直線状にPD6間に設置されている。また、図1,図
2及び図3に示すように、平坦化膜9の上部面上に、マ
イクロレンズ(以下「レンズ」という)1を設置する。 該レンズ1は、平面凸レンズの底面の直径を通り、底面
に垂直に切った形状のレンズを用いる。また、前記レン
ズ1の向きは、該レンズ1の垂直面が水平方向を向いて
おり、隣接する行間で向き合う状態で設置されている。
【0010】また、絶縁層であるBPSG膜10上に、
V−CCD3への余分な光を遮断し、及びPD6におけ
るレンズ1から入射する以外の光を遮断するために、A
l遮断膜4を設置する。本実施例において、前記レンズ
1の垂直面がPD6の中心と対向し、Al遮光膜4は、
前記レンズ1の垂直面真下から該レンズ1と反対側のP
D6の一部及び同じく反対側のPD6から信号電荷が送
られる同じく反対側のV−CCD3を覆うように設置さ
れている。そして、これが2次元において、上下及び前
後方向に繰り返されている。上記の構成により、同一垂
直列に属するフォトダイオードへの光入射領域Fが、隣
接する水平行間で、水平方向に於いて、半ピッチずれて
いる。また、2はオンチップカラーフィルタ、5は半導
体基板、7はポリシリコンゲート、8,9は平坦化膜、
10はBPSG膜、11はシリコン酸化膜を示す。
【0011】次に、信号転送順序について述べる。まず
、レンズ1を通り、光がPD6に照射され、PD6に電
荷が蓄積される。前記電荷は、奇数行(以下、「Aフィ
ールド」という)と偶数行(以下「Bフィールド」とい
う)の2つに分けて、V−CCD3に1/60secご
とに転送する。
【0012】V−CCD3に読み出された信号電荷は、
水平転送CCD(図示せず)を介して、CRTモニタ上
等に画像を再生する。しかし、このままでは、画像が水
平ライン1本毎に、1画素ピッチ分交互にずれたまま表
示されて見づらい画面となる。
【0013】そこで、この様な場合には、遅延素子(デ
ィレーライン)等を用いて、A/B両フィールドのうち
、一方(例えば、Aフィールド)の信号だけを1画素分
遅延させて再生する。
【0014】上記の動作により、上記のずれをなくし、
しかも、水平解像度を約2倍に向上させることができる
【0015】上記実施例は、隣接する行間で、受光領域
を半ピッチずらすための手段として、上記レンズ1を用
いたが、この手段に限定されるものではない。また、遮
光手段として、レンズ1と同一面において、黒いフィル
ター等の遮光膜をレンズ1以外の部分に設置することで
、より正確な画像をえることができる。また、インター
ライン転送方式CCDエリアセンサに於ける実施例を示
したが、他の方式の2次元固体撮像素子においても、本
発明は同様に実施可能なものである。
【0016】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明を用い
ることにより、画素を小さくすることなく、また従来の
構造を変えることなく、解像度を向上させることができ
るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の固体撮像素子の一部平面図
である。
【図2】図1に於けるD−D′部の断面図である。
【図3】図1に於けるE−E′部の断面図である。
【図4】従来の固体撮像素子の一部平面図である。
【図5】図4に於けるC−C′部の断面図である。
【符号の説明】
1  マイクロレンズ 2  オンチップカラーフィルター 3  垂直転送CCD 4  Al遮光膜 5  半導体基板 6  フォトダイオード 7  ポリシリコンゲート 8  平坦化膜 9  平坦化膜 10  BPSG 11  シリコン酸化膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  複数のフォトダイオードが水平方向及
    び垂直方向にそれぞれ所定のピッチで直線状に配置され
    ている固体撮像素子に於いて、同一垂直列に属するフォ
    トダイオードへの光入射領域を、隣接する水平間で、水
    平方向に於いて、半ピッチずらせるための光学的手段を
    設置して成ることを特徴とする固体撮像素子。
JP3082334A 1990-11-01 1991-04-15 固体撮像素子 Pending JPH04218965A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3082334A JPH04218965A (ja) 1990-11-01 1991-04-15 固体撮像素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2-297701 1990-11-01
JP29770190 1990-11-01
JP3082334A JPH04218965A (ja) 1990-11-01 1991-04-15 固体撮像素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04218965A true JPH04218965A (ja) 1992-08-10

Family

ID=26423361

Family Applications (1)

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JP3082334A Pending JPH04218965A (ja) 1990-11-01 1991-04-15 固体撮像素子

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JP (1) JPH04218965A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5654565A (en) * 1994-06-30 1997-08-05 Nec Corporation Charge coupled device with filling film and method of manufacture thereof
WO2006080593A1 (en) * 2005-01-25 2006-08-03 International Display Solutions Co., Ltd. Solid-state image pickup device using charged-coupled devices and method for fabricating the same
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EP1916714A1 (en) * 2006-10-26 2008-04-30 OmniVision Technologies Inc. Image sensor having curved micro-mirrors over the sensing photodiode and method for fabricating

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US8338900B2 (en) 2006-10-26 2012-12-25 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having curved micro-mirrors over the sensing photodiode and method for fabricating

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