JPH04218965A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH04218965A JPH04218965A JP3082334A JP8233491A JPH04218965A JP H04218965 A JPH04218965 A JP H04218965A JP 3082334 A JP3082334 A JP 3082334A JP 8233491 A JP8233491 A JP 8233491A JP H04218965 A JPH04218965 A JP H04218965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- disposed
- opposite side
- ccd
- vertical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ,電子ス
チールカメラ等に用いられる2次元の固体撮像素子に関
するものである。
チールカメラ等に用いられる2次元の固体撮像素子に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、2次元固体撮像素子には、MOS
型,CCDインターライン型及びこれらの変形型が種々
発表されているが、ここでは、現在主流になっているC
CDインターライン型2次元固体撮像素子を例にとって
説明する。
型,CCDインターライン型及びこれらの変形型が種々
発表されているが、ここでは、現在主流になっているC
CDインターライン型2次元固体撮像素子を例にとって
説明する。
【0003】図4は、従来の2次元固体撮像素子の平面
図であり、図5は図4のC−C′部の断面図である。図
4,図5において、1はマイクロレンズ、2はオンチッ
プカラーフィルタ、3は垂直転送CCD(以下「V−C
CD」という)、4はAl遮光膜、5は半導体基板、6
はフォトダイオード(以下「PD」という)、7はポリ
シリコンゲート、8,9は平坦化膜、10はBPSG膜
、11はシリコン酸化膜を示す。マイクロレンズ1は、
受光部のPD6の真上に形成されており、Al遮光膜4
はV−CCD3に光が照射されないように設置する。
図であり、図5は図4のC−C′部の断面図である。図
4,図5において、1はマイクロレンズ、2はオンチッ
プカラーフィルタ、3は垂直転送CCD(以下「V−C
CD」という)、4はAl遮光膜、5は半導体基板、6
はフォトダイオード(以下「PD」という)、7はポリ
シリコンゲート、8,9は平坦化膜、10はBPSG膜
、11はシリコン酸化膜を示す。マイクロレンズ1は、
受光部のPD6の真上に形成されており、Al遮光膜4
はV−CCD3に光が照射されないように設置する。
【0004】従来の固体撮像素子では、画素ピッチ(画
素サイズ)を小さくして画素子上に形成して感度を向上
させるという方法が行われてきた。このとき、マイクロ
レンズは受光画素子の真上にあり、該レンズのセンター
は、画素のセンターと一致している。また、固体撮像素
子では、一般にインターレースという駆動方法が用いら
れている。これは、1フレーム(1/30sec周期)
で画面をA,Bのフィールドに分けて、走査するもので
ある。これを図4の固体撮像素子でいうと、奇数行ライ
ンがAフィールド、偶数行ラインがBフィールドに相当
する(フレーム蓄積モードの場合)。また、2次元の解
像度を向上させるため、いわゆる“絵素ずらし”を行う
方法も用いられている。
素サイズ)を小さくして画素子上に形成して感度を向上
させるという方法が行われてきた。このとき、マイクロ
レンズは受光画素子の真上にあり、該レンズのセンター
は、画素のセンターと一致している。また、固体撮像素
子では、一般にインターレースという駆動方法が用いら
れている。これは、1フレーム(1/30sec周期)
で画面をA,Bのフィールドに分けて、走査するもので
ある。これを図4の固体撮像素子でいうと、奇数行ライ
ンがAフィールド、偶数行ラインがBフィールドに相当
する(フレーム蓄積モードの場合)。また、2次元の解
像度を向上させるため、いわゆる“絵素ずらし”を行う
方法も用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】近年、CCD素子を中
心とする単板式2次元固体撮像素子を用いたカラーカメ
ラにおいて、高感度化と高解像度化という対立する要求
が存在する。高感度化は、受光部(フォトダイオード)
を大きくしていかなければならないが、この場合、同一
チップサイズでは、画素数を減らす(1画素のサイズは
向上)または画素上にレンズを設ける等を行う必要があ
る。一方、高解像度化は、画素数を増す事で目標は達成
できるものの、同一チップサイズの場合、画素サイズを
小さくしなければならない。また、“絵素ずらし”の問
題点として、画素以外の部分、特に垂直CCD転送部(
図4のV−CCDに相当)なども蛇行させなくてはなら
ない。
心とする単板式2次元固体撮像素子を用いたカラーカメ
ラにおいて、高感度化と高解像度化という対立する要求
が存在する。高感度化は、受光部(フォトダイオード)
を大きくしていかなければならないが、この場合、同一
チップサイズでは、画素数を減らす(1画素のサイズは
向上)または画素上にレンズを設ける等を行う必要があ
る。一方、高解像度化は、画素数を増す事で目標は達成
できるものの、同一チップサイズの場合、画素サイズを
小さくしなければならない。また、“絵素ずらし”の問
題点として、画素以外の部分、特に垂直CCD転送部(
図4のV−CCDに相当)なども蛇行させなくてはなら
ない。
【0006】そこで、本発明は、画素サイズを小さくす
ることなく、また、従来の構造を変えることなく、解像
度を向上させることを目的とする。
ることなく、また、従来の構造を変えることなく、解像
度を向上させることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子は
、複数のフォトダイオードが水平方向及び垂直方向にそ
れぞれ所定ピッチで直線状に設置されている固体撮像素
子において、同一垂直列に属するフォトダイオードへの
光入射領域を、隣接する水平行間で、水平方向に於いて
半ピッチずらせるための光学的手段を設置して成ること
を特徴とする。
、複数のフォトダイオードが水平方向及び垂直方向にそ
れぞれ所定ピッチで直線状に設置されている固体撮像素
子において、同一垂直列に属するフォトダイオードへの
光入射領域を、隣接する水平行間で、水平方向に於いて
半ピッチずらせるための光学的手段を設置して成ること
を特徴とする。
【0008】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
する。
【0009】インターライン転送方式における本発明の
実施例を図1,図2及び図3に示す。図1は、同実施例
の平面図、図2は同実施例の断面図(D−D′)、図3
は同実施例の断面図(E−E′)である。図1に示すよ
うに、受光部であるフォトダイオード(以下「PD」と
いう)6の中心が、水平方向及び垂直方向に、一直線上
になるように、一定間隔を保ち設置されていて、垂直転
送CCD(以下「V−CCD」という)8は、垂直方向
に直線状にPD6間に設置されている。また、図1,図
2及び図3に示すように、平坦化膜9の上部面上に、マ
イクロレンズ(以下「レンズ」という)1を設置する。 該レンズ1は、平面凸レンズの底面の直径を通り、底面
に垂直に切った形状のレンズを用いる。また、前記レン
ズ1の向きは、該レンズ1の垂直面が水平方向を向いて
おり、隣接する行間で向き合う状態で設置されている。
実施例を図1,図2及び図3に示す。図1は、同実施例
の平面図、図2は同実施例の断面図(D−D′)、図3
は同実施例の断面図(E−E′)である。図1に示すよ
うに、受光部であるフォトダイオード(以下「PD」と
いう)6の中心が、水平方向及び垂直方向に、一直線上
になるように、一定間隔を保ち設置されていて、垂直転
送CCD(以下「V−CCD」という)8は、垂直方向
に直線状にPD6間に設置されている。また、図1,図
2及び図3に示すように、平坦化膜9の上部面上に、マ
イクロレンズ(以下「レンズ」という)1を設置する。 該レンズ1は、平面凸レンズの底面の直径を通り、底面
に垂直に切った形状のレンズを用いる。また、前記レン
ズ1の向きは、該レンズ1の垂直面が水平方向を向いて
おり、隣接する行間で向き合う状態で設置されている。
【0010】また、絶縁層であるBPSG膜10上に、
V−CCD3への余分な光を遮断し、及びPD6におけ
るレンズ1から入射する以外の光を遮断するために、A
l遮断膜4を設置する。本実施例において、前記レンズ
1の垂直面がPD6の中心と対向し、Al遮光膜4は、
前記レンズ1の垂直面真下から該レンズ1と反対側のP
D6の一部及び同じく反対側のPD6から信号電荷が送
られる同じく反対側のV−CCD3を覆うように設置さ
れている。そして、これが2次元において、上下及び前
後方向に繰り返されている。上記の構成により、同一垂
直列に属するフォトダイオードへの光入射領域Fが、隣
接する水平行間で、水平方向に於いて、半ピッチずれて
いる。また、2はオンチップカラーフィルタ、5は半導
体基板、7はポリシリコンゲート、8,9は平坦化膜、
10はBPSG膜、11はシリコン酸化膜を示す。
V−CCD3への余分な光を遮断し、及びPD6におけ
るレンズ1から入射する以外の光を遮断するために、A
l遮断膜4を設置する。本実施例において、前記レンズ
1の垂直面がPD6の中心と対向し、Al遮光膜4は、
前記レンズ1の垂直面真下から該レンズ1と反対側のP
D6の一部及び同じく反対側のPD6から信号電荷が送
られる同じく反対側のV−CCD3を覆うように設置さ
れている。そして、これが2次元において、上下及び前
後方向に繰り返されている。上記の構成により、同一垂
直列に属するフォトダイオードへの光入射領域Fが、隣
接する水平行間で、水平方向に於いて、半ピッチずれて
いる。また、2はオンチップカラーフィルタ、5は半導
体基板、7はポリシリコンゲート、8,9は平坦化膜、
10はBPSG膜、11はシリコン酸化膜を示す。
【0011】次に、信号転送順序について述べる。まず
、レンズ1を通り、光がPD6に照射され、PD6に電
荷が蓄積される。前記電荷は、奇数行(以下、「Aフィ
ールド」という)と偶数行(以下「Bフィールド」とい
う)の2つに分けて、V−CCD3に1/60secご
とに転送する。
、レンズ1を通り、光がPD6に照射され、PD6に電
荷が蓄積される。前記電荷は、奇数行(以下、「Aフィ
ールド」という)と偶数行(以下「Bフィールド」とい
う)の2つに分けて、V−CCD3に1/60secご
とに転送する。
【0012】V−CCD3に読み出された信号電荷は、
水平転送CCD(図示せず)を介して、CRTモニタ上
等に画像を再生する。しかし、このままでは、画像が水
平ライン1本毎に、1画素ピッチ分交互にずれたまま表
示されて見づらい画面となる。
水平転送CCD(図示せず)を介して、CRTモニタ上
等に画像を再生する。しかし、このままでは、画像が水
平ライン1本毎に、1画素ピッチ分交互にずれたまま表
示されて見づらい画面となる。
【0013】そこで、この様な場合には、遅延素子(デ
ィレーライン)等を用いて、A/B両フィールドのうち
、一方(例えば、Aフィールド)の信号だけを1画素分
遅延させて再生する。
ィレーライン)等を用いて、A/B両フィールドのうち
、一方(例えば、Aフィールド)の信号だけを1画素分
遅延させて再生する。
【0014】上記の動作により、上記のずれをなくし、
しかも、水平解像度を約2倍に向上させることができる
。
しかも、水平解像度を約2倍に向上させることができる
。
【0015】上記実施例は、隣接する行間で、受光領域
を半ピッチずらすための手段として、上記レンズ1を用
いたが、この手段に限定されるものではない。また、遮
光手段として、レンズ1と同一面において、黒いフィル
ター等の遮光膜をレンズ1以外の部分に設置することで
、より正確な画像をえることができる。また、インター
ライン転送方式CCDエリアセンサに於ける実施例を示
したが、他の方式の2次元固体撮像素子においても、本
発明は同様に実施可能なものである。
を半ピッチずらすための手段として、上記レンズ1を用
いたが、この手段に限定されるものではない。また、遮
光手段として、レンズ1と同一面において、黒いフィル
ター等の遮光膜をレンズ1以外の部分に設置することで
、より正確な画像をえることができる。また、インター
ライン転送方式CCDエリアセンサに於ける実施例を示
したが、他の方式の2次元固体撮像素子においても、本
発明は同様に実施可能なものである。
【0016】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明を用い
ることにより、画素を小さくすることなく、また従来の
構造を変えることなく、解像度を向上させることができ
るものである。
ることにより、画素を小さくすることなく、また従来の
構造を変えることなく、解像度を向上させることができ
るものである。
【図1】本発明の一実施例の固体撮像素子の一部平面図
である。
である。
【図2】図1に於けるD−D′部の断面図である。
【図3】図1に於けるE−E′部の断面図である。
【図4】従来の固体撮像素子の一部平面図である。
【図5】図4に於けるC−C′部の断面図である。
1 マイクロレンズ
2 オンチップカラーフィルター
3 垂直転送CCD
4 Al遮光膜
5 半導体基板
6 フォトダイオード
7 ポリシリコンゲート
8 平坦化膜
9 平坦化膜
10 BPSG
11 シリコン酸化膜
Claims (1)
- 【請求項1】 複数のフォトダイオードが水平方向及
び垂直方向にそれぞれ所定のピッチで直線状に配置され
ている固体撮像素子に於いて、同一垂直列に属するフォ
トダイオードへの光入射領域を、隣接する水平間で、水
平方向に於いて、半ピッチずらせるための光学的手段を
設置して成ることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3082334A JPH04218965A (ja) | 1990-11-01 | 1991-04-15 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-297701 | 1990-11-01 | ||
JP29770190 | 1990-11-01 | ||
JP3082334A JPH04218965A (ja) | 1990-11-01 | 1991-04-15 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04218965A true JPH04218965A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=26423361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3082334A Pending JPH04218965A (ja) | 1990-11-01 | 1991-04-15 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04218965A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5654565A (en) * | 1994-06-30 | 1997-08-05 | Nec Corporation | Charge coupled device with filling film and method of manufacture thereof |
WO2006080593A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | International Display Solutions Co., Ltd. | Solid-state image pickup device using charged-coupled devices and method for fabricating the same |
WO2006080592A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | International Display Solutions Co., Ltd. | Solid-state image pickup device using charged-coupled devices and method for fabricating the same |
EP1916714A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-04-30 | OmniVision Technologies Inc. | Image sensor having curved micro-mirrors over the sensing photodiode and method for fabricating |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3082334A patent/JPH04218965A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5654565A (en) * | 1994-06-30 | 1997-08-05 | Nec Corporation | Charge coupled device with filling film and method of manufacture thereof |
WO2006080593A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | International Display Solutions Co., Ltd. | Solid-state image pickup device using charged-coupled devices and method for fabricating the same |
WO2006080592A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | International Display Solutions Co., Ltd. | Solid-state image pickup device using charged-coupled devices and method for fabricating the same |
EP1916714A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-04-30 | OmniVision Technologies Inc. | Image sensor having curved micro-mirrors over the sensing photodiode and method for fabricating |
US7888159B2 (en) | 2006-10-26 | 2011-02-15 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor having curved micro-mirrors over the sensing photodiode and method for fabricating |
US8338900B2 (en) | 2006-10-26 | 2012-12-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor having curved micro-mirrors over the sensing photodiode and method for fabricating |
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