JPH04216672A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04216672A JPH04216672A JP2410962A JP41096290A JPH04216672A JP H04216672 A JPH04216672 A JP H04216672A JP 2410962 A JP2410962 A JP 2410962A JP 41096290 A JP41096290 A JP 41096290A JP H04216672 A JPH04216672 A JP H04216672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- vertical
- light shielding
- element part
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 33
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に関し、特
にＦＩＴ（ＦｒａｍｅＩｎｔｅｒｌｉｎｅ Ｔｒａｎｓ
ｆｅｒ）型ＣＣＤ固体撮像装置に関する。
にＦＩＴ（ＦｒａｍｅＩｎｔｅｒｌｉｎｅ Ｔｒａｎｓ
ｆｅｒ）型ＣＣＤ固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置は、その基
本構成の概略を示す図３から明らかなように、垂直及び
水平方向に画素単位で２次元配列されて入射光量に応じ
た信号電荷を蓄積する複数個の感光部（フォトセンサ）
１１及びその垂直列毎に配されてこれら感光部１１から
読み出された信号電荷を垂直方向に転送する第１の垂直
シフトレジスタ（垂直転送部）１２を有する撮像部１の
他に、撮像部１の複数の垂直シフトレジスタ１２に対し
各垂直列毎に連続した第２の垂直シフトレジスタ２１か
らなり、高速な電荷の転送によってスミア成分の低減を
可能とする蓄積部２を具備している。蓄積部２はその全
面がアルミニウム層からなる遮光層によって覆われてい
る。
本構成の概略を示す図３から明らかなように、垂直及び
水平方向に画素単位で２次元配列されて入射光量に応じ
た信号電荷を蓄積する複数個の感光部（フォトセンサ）
１１及びその垂直列毎に配されてこれら感光部１１から
読み出された信号電荷を垂直方向に転送する第１の垂直
シフトレジスタ（垂直転送部）１２を有する撮像部１の
他に、撮像部１の複数の垂直シフトレジスタ１２に対し
各垂直列毎に連続した第２の垂直シフトレジスタ２１か
らなり、高速な電荷の転送によってスミア成分の低減を
可能とする蓄積部２を具備している。蓄積部２はその全
面がアルミニウム層からなる遮光層によって覆われてい
る。
【０００３】撮像部１において、感光部１１で光電変換
された全画素の信号電荷は、第１の垂直シフトレジスタ
１２に読み出されかつ当該レジスタ１２によって蓄積部
２に高速転送される。蓄積部２に移された信号電荷は、
第２の垂直シフトレジスタ２１によって１走査線に相当
する部分ずつ水平シフトレジスタ（水平転送部）３に高
速転送される。１走査線分の信号電荷は、水平シフトレ
ジスタ３によって順次水平方向に転送される。水平シフ
トレジスタ３の最終端には、ＦＤＡ（Ｆｌｏａｔｉｎｇ
Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）等からなる
出力回路部（図示せず）が設けられ、撮像部１で光電変
換して得られた信号電荷を画像信号として導出する。
された全画素の信号電荷は、第１の垂直シフトレジスタ
１２に読み出されかつ当該レジスタ１２によって蓄積部
２に高速転送される。蓄積部２に移された信号電荷は、
第２の垂直シフトレジスタ２１によって１走査線に相当
する部分ずつ水平シフトレジスタ（水平転送部）３に高
速転送される。１走査線分の信号電荷は、水平シフトレ
ジスタ３によって順次水平方向に転送される。水平シフ
トレジスタ３の最終端には、ＦＤＡ（Ｆｌｏａｔｉｎｇ
Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）等からなる
出力回路部（図示せず）が設けられ、撮像部１で光電変
換して得られた信号電荷を画像信号として導出する。
【０００４】ところで、ＨＤ（高品位）ＴＶ等のテレビ
ジョン方式の高画素化に対応可能な固体撮像装置として
、１インチ光学系の２００万画素のＦＩＴ型ＣＣＤ固体
撮像装置が知られている。この１インチ光学系のＨＤＴ
Ｖ用ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置では、チップ面積が大
きいことにより、垂直シフトレジスタ（垂直ＣＣＤ）の
負荷容量が大きいため、図４に示すように、第１、第２
の垂直シフトレジスタ１２，２１の各転送電極に転送ク
ロックを印加するためのシャント配線１３，２２を撮像
部１と蓄積部２とで分離することにより、各シャント配
線１３，２２に対する負荷容量を半減させて転送クロッ
クの伝搬遅延の防止を図ったシャント配線構造が提案さ
れている。（本願出願人に係る特願平２−４２６６６号
明細書参照）。
ジョン方式の高画素化に対応可能な固体撮像装置として
、１インチ光学系の２００万画素のＦＩＴ型ＣＣＤ固体
撮像装置が知られている。この１インチ光学系のＨＤＴ
Ｖ用ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置では、チップ面積が大
きいことにより、垂直シフトレジスタ（垂直ＣＣＤ）の
負荷容量が大きいため、図４に示すように、第１、第２
の垂直シフトレジスタ１２，２１の各転送電極に転送ク
ロックを印加するためのシャント配線１３，２２を撮像
部１と蓄積部２とで分離することにより、各シャント配
線１３，２２に対する負荷容量を半減させて転送クロッ
クの伝搬遅延の防止を図ったシャント配線構造が提案さ
れている。（本願出願人に係る特願平２−４２６６６号
明細書参照）。
【０００５】すなわち、撮像部１における第１の垂直シ
フトレジスタ１２の転送電極には、垂直方向に延在する
シャント配線１３及びループ状のバスライン配線１４を
介して４相の転送クロックφＶ１〜φＶ４が印加される
ようになっている。バスライン配線１４は、複数のシャ
ント配線１３の各々に共通に転送クロックφＶ１〜φＶ
４を印加するためのものであり、４相に対応して４本の
配線パターン１４１ 〜１４４ からなっている。これ
ら配線パターン１４１ 〜１４４ の各々には、ボンデ
ィングパッド１５１ 〜１５４ を介してチップの外部
端子（図示せず）から４相の転送クロックφＶ１〜φＶ
４が印加される。
フトレジスタ１２の転送電極には、垂直方向に延在する
シャント配線１３及びループ状のバスライン配線１４を
介して４相の転送クロックφＶ１〜φＶ４が印加される
ようになっている。バスライン配線１４は、複数のシャ
ント配線１３の各々に共通に転送クロックφＶ１〜φＶ
４を印加するためのものであり、４相に対応して４本の
配線パターン１４１ 〜１４４ からなっている。これ
ら配線パターン１４１ 〜１４４ の各々には、ボンデ
ィングパッド１５１ 〜１５４ を介してチップの外部
端子（図示せず）から４相の転送クロックφＶ１〜φＶ
４が印加される。
【０００６】一方、蓄積部２における第２の垂直シフト
レジスタ２１の転送電極には、水平方向に延在するシャ
ント配線２２及びループ状のバスライン配線２３を介し
て４相の転送クロックφＶ１〜φＶ４が印加されるよう
になっている。バスライン配線２３は、複数のシャント
配線２２の各々に共通に駆動クロックφＶ１〜φＶ４を
印加するためのものであり、４相に対応して４本の配線
パターン２３１ 〜２３４ からなっている。これら配
線パターン２３１ 〜２３４ の各々には、ボンディン
グパッド２４１ 〜２４４ を介してチップの外部端子
（図示せず）から４相の転送クロックφＶ１〜φＶ４が
印加される。
レジスタ２１の転送電極には、水平方向に延在するシャ
ント配線２２及びループ状のバスライン配線２３を介し
て４相の転送クロックφＶ１〜φＶ４が印加されるよう
になっている。バスライン配線２３は、複数のシャント
配線２２の各々に共通に駆動クロックφＶ１〜φＶ４を
印加するためのものであり、４相に対応して４本の配線
パターン２３１ 〜２３４ からなっている。これら配
線パターン２３１ 〜２３４ の各々には、ボンディン
グパッド２４１ 〜２４４ を介してチップの外部端子
（図示せず）から４相の転送クロックφＶ１〜φＶ４が
印加される。
【０００７】このように、１インチ光学系のＨＤＴＶ用
ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置では、転送クロックφＶ１
〜φＶ４の伝搬遅延の防止を図るべくシャント配線構造
が採られており、このシャント配線としては、遮光層を
形成する第１層目のアルミニウム層を微細加工すること
によって形成されたものが用いられている。撮像部１に
おいて、第１層目のアルミニウム層（第１Ａｌ）４から
なるシャント配線１３は、図５に示すように、水平方向
の画素間（左右の感光部１１，１１間）の垂直シフトレ
ジスタ上で垂直方向に延在することにより、各垂直シフ
トレジスタに直接入射するスミア光を防いでおり、また
各転送電極を構成する２層構造のポリシリコン（１Ｐｏ
ｌｙ，２Ｐｏｌｙ） 電極１６，１７に複数箇所でコン
タクト１８，１９を介して接続されている。すなわち、
第１層目のアルミニウム層４による遮光層がシャント配
線１３に兼用されている。
ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置では、転送クロックφＶ１
〜φＶ４の伝搬遅延の防止を図るべくシャント配線構造
が採られており、このシャント配線としては、遮光層を
形成する第１層目のアルミニウム層を微細加工すること
によって形成されたものが用いられている。撮像部１に
おいて、第１層目のアルミニウム層（第１Ａｌ）４から
なるシャント配線１３は、図５に示すように、水平方向
の画素間（左右の感光部１１，１１間）の垂直シフトレ
ジスタ上で垂直方向に延在することにより、各垂直シフ
トレジスタに直接入射するスミア光を防いでおり、また
各転送電極を構成する２層構造のポリシリコン（１Ｐｏ
ｌｙ，２Ｐｏｌｙ） 電極１６，１７に複数箇所でコン
タクト１８，１９を介して接続されている。すなわち、
第１層目のアルミニウム層４による遮光層がシャント配
線１３に兼用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１層
目のアルミニウム層４を各垂直シフトレジスタ上の遮光
層とシャント配線１３に兼用した従来のＦＩＴ型ＣＣＤ
固体撮像装置では、各垂直シフトレジスタに直接入射す
るスミア光については遮光できるものの、その構造上の
理由から、第１層目のアルミニウム層４を垂直方向の画
素間（上下の感光部１１，１１間）の遮光層にまで兼用
させることはできないため、そこに入射する光について
は遮光できず、垂直方向の画素間に入射する光が垂直シ
フトレジスタに漏れ込むことより、スミアが増加すると
いう問題があった。
目のアルミニウム層４を各垂直シフトレジスタ上の遮光
層とシャント配線１３に兼用した従来のＦＩＴ型ＣＣＤ
固体撮像装置では、各垂直シフトレジスタに直接入射す
るスミア光については遮光できるものの、その構造上の
理由から、第１層目のアルミニウム層４を垂直方向の画
素間（上下の感光部１１，１１間）の遮光層にまで兼用
させることはできないため、そこに入射する光について
は遮光できず、垂直方向の画素間に入射する光が垂直シ
フトレジスタに漏れ込むことより、スミアが増加すると
いう問題があった。
【０００９】そこで、本発明は、シャント配線構造を持
つ撮像部において、垂直方向の画素間に入射する光が原
因となるスミア成分の除去又は低減を可能とした固体撮
像装置を提供することを目的とする。
つ撮像部において、垂直方向の画素間に入射する光が原
因となるスミア成分の除去又は低減を可能とした固体撮
像装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、垂直及び水平方向に画素単位で２次元配
列された複数個の感光部及びこれら感光部から垂直列毎
に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂
直転送部を有し、画像情報を得る有効画素部と画像情報
の基準レベルを得る基準画素部とに分割された撮像部を
具備する固体撮像装置において、撮像部の遮光構造を、
複数の垂直転送部上で垂直方向に延在して有効画素部に
おける水平方向の画素間の遮光をなすとともに複数の垂
直転送部の各転送電極に転送クロックを供給するシャン
ト配線をなす第１の遮光層と、基準画素部全面を覆うと
ともに有効画素部における垂直方向の画素間の遮光をな
す第２の遮光層とからなる２層構造とした構成を採って
いる。
に、本発明は、垂直及び水平方向に画素単位で２次元配
列された複数個の感光部及びこれら感光部から垂直列毎
に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂
直転送部を有し、画像情報を得る有効画素部と画像情報
の基準レベルを得る基準画素部とに分割された撮像部を
具備する固体撮像装置において、撮像部の遮光構造を、
複数の垂直転送部上で垂直方向に延在して有効画素部に
おける水平方向の画素間の遮光をなすとともに複数の垂
直転送部の各転送電極に転送クロックを供給するシャン
ト配線をなす第１の遮光層と、基準画素部全面を覆うと
ともに有効画素部における垂直方向の画素間の遮光をな
す第２の遮光層とからなる２層構造とした構成を採って
いる。
【００１１】
【作用】本発明による固体撮像装置では、垂直転送部の
遮光をなす第１の遮光層をシャント配線に兼用した撮像
部において、基準画素部の遮光をなす第２の遮光層を有
効画素部の垂直方向の画素間の遮光に兼用する。これに
より、有効画素部において、水平方向の画素間の遮光は
シャント配線を兼ねる第１の遮光層によって行われ、垂
直方向の画素間の遮光は第２の遮光層によって行われる
。その結果、各画素間に入射する光が原因となるスミア
成分を除去又は低減できる。
遮光をなす第１の遮光層をシャント配線に兼用した撮像
部において、基準画素部の遮光をなす第２の遮光層を有
効画素部の垂直方向の画素間の遮光に兼用する。これに
より、有効画素部において、水平方向の画素間の遮光は
シャント配線を兼ねる第１の遮光層によって行われ、垂
直方向の画素間の遮光は第２の遮光層によって行われる
。その結果、各画素間に入射する光が原因となるスミア
成分を除去又は低減できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明に係るＦＩＴ型ＣＣＤ固体
撮像装置の一実施例を示す概略平面図であり、図中図３
と同等部分には同一符号を付して示してある。なお、本
発明においては、撮像部１における遮光構造に特徴を有
しており、それ以外の構成は図３のそれと全く同じであ
り、ここでは説明の重複を避けるために、具体的な構成
の説明は省略する。撮像部１は、外部からの入射光を感
光部１１で光電変換して画像情報を得る有効画素部１Ａ
と、画像情報の基準レベル、例えば黒レベル（０レベル
）を検出するオプティカルブラツク（光学的黒の画素部
）と称される基準画素部１Ｂとに分割されている。有効
画素部１Ａにおいては、図２から明らかなように、従来
と同様、第１層目のアルミニウム層（第１Ａｌ）４が、
水平方向の画素間（左右の感光部１１，１１間）の垂直
シフトレジスタ上で垂直方向に延在することにより、水
平方向における画素間、即ち垂直シフトレジスタの遮光
をなす遮光層（第１の遮光層）を形成するとともに、垂
直シフトレジスタの各転送電極に転送クロックを供給す
るシャント配線１３を兼ねている。垂直シフトレジスタ
の各転送電極は、ポリシリコン（１Ｐｏｌｙ，２Ｐｏｌ
ｙ） 電極１６，１７からなる２層構造となっている。 そして、転送クロックが第１層目のアルミニウム層４か
らなるシャント配線１３に給電され、コンタクト１８，
１９を通して各ポリシリコン（１Ｐｏｌｙ，２Ｐｏｌｙ
） 電極１６，１７に伝搬されることになる。
に説明する。図１は、本発明に係るＦＩＴ型ＣＣＤ固体
撮像装置の一実施例を示す概略平面図であり、図中図３
と同等部分には同一符号を付して示してある。なお、本
発明においては、撮像部１における遮光構造に特徴を有
しており、それ以外の構成は図３のそれと全く同じであ
り、ここでは説明の重複を避けるために、具体的な構成
の説明は省略する。撮像部１は、外部からの入射光を感
光部１１で光電変換して画像情報を得る有効画素部１Ａ
と、画像情報の基準レベル、例えば黒レベル（０レベル
）を検出するオプティカルブラツク（光学的黒の画素部
）と称される基準画素部１Ｂとに分割されている。有効
画素部１Ａにおいては、図２から明らかなように、従来
と同様、第１層目のアルミニウム層（第１Ａｌ）４が、
水平方向の画素間（左右の感光部１１，１１間）の垂直
シフトレジスタ上で垂直方向に延在することにより、水
平方向における画素間、即ち垂直シフトレジスタの遮光
をなす遮光層（第１の遮光層）を形成するとともに、垂
直シフトレジスタの各転送電極に転送クロックを供給す
るシャント配線１３を兼ねている。垂直シフトレジスタ
の各転送電極は、ポリシリコン（１Ｐｏｌｙ，２Ｐｏｌ
ｙ） 電極１６，１７からなる２層構造となっている。 そして、転送クロックが第１層目のアルミニウム層４か
らなるシャント配線１３に給電され、コンタクト１８，
１９を通して各ポリシリコン（１Ｐｏｌｙ，２Ｐｏｌｙ
） 電極１６，１７に伝搬されることになる。
【００１３】一方、基準画素部１Ｂにおいては、その全
面が第２層目のアルミニウム層（第２Ａｌ）５からなる
遮光層（第２の遮光層）によって覆われることで、黒レ
ベルの検出が可能となっている。本発明においては、こ
の基準画素部１Ｂの遮光層を形成する第２層目のアルミ
ニウム層５を有効画素部１Ａの画素間の遮光層として兼
用した点にある。すなわち、第２層目のアルミニウム層
５は、図１から明らかなように、各ライン毎に有効画素
部１Ａの水平方向の有効距離に亘って開口した長孔５ａ
をライン数だけ有し、これら長孔５ａ内に有効画素部１
Ａの各ラインの感光部（画素）１１が位置するように配
されることにより、有効画素部１Ａにおける垂直方向の
画素間の遮光を行うことができることになる。
面が第２層目のアルミニウム層（第２Ａｌ）５からなる
遮光層（第２の遮光層）によって覆われることで、黒レ
ベルの検出が可能となっている。本発明においては、こ
の基準画素部１Ｂの遮光層を形成する第２層目のアルミ
ニウム層５を有効画素部１Ａの画素間の遮光層として兼
用した点にある。すなわち、第２層目のアルミニウム層
５は、図１から明らかなように、各ライン毎に有効画素
部１Ａの水平方向の有効距離に亘って開口した長孔５ａ
をライン数だけ有し、これら長孔５ａ内に有効画素部１
Ａの各ラインの感光部（画素）１１が位置するように配
されることにより、有効画素部１Ａにおける垂直方向の
画素間の遮光を行うことができることになる。
【００１４】このように、基準画素部１Ｂの遮光層を形
成する第２層目のアルミニウム層５を有効画素部１Ａに
おける垂直方向の画素間の遮光に兼用したことにより、
有効画素部１Ａにおける水平方向の画素間の遮光をなす
第１層目のアルミニウム層４をシャント配線と兼ねた構
成の固体撮像装置であっても、画素間に入射する光が原
因となるスミア成分を除去又は低減できることになる。 また、第２層目のアルミニウム層５のパターンを変更す
るのみで良いため、工程を追加することなくスミアの改
善を図れることになる。
成する第２層目のアルミニウム層５を有効画素部１Ａに
おける垂直方向の画素間の遮光に兼用したことにより、
有効画素部１Ａにおける水平方向の画素間の遮光をなす
第１層目のアルミニウム層４をシャント配線と兼ねた構
成の固体撮像装置であっても、画素間に入射する光が原
因となるスミア成分を除去又は低減できることになる。 また、第２層目のアルミニウム層５のパターンを変更す
るのみで良いため、工程を追加することなくスミアの改
善を図れることになる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による固体
撮像装置においては、撮像部における基準画素部の遮光
をなす第２の遮光層を有効画素部の垂直方向の画素間の
遮光に兼用した構成となっているので、有効画素部の水
平方向の画素間の遮光をなす第１の遮光層をシャント配
線と兼ねた構成のものであっても、画素間に入射する光
が原因となるスミア成分を除去又は低減できる効果があ
る。
撮像装置においては、撮像部における基準画素部の遮光
をなす第２の遮光層を有効画素部の垂直方向の画素間の
遮光に兼用した構成となっているので、有効画素部の水
平方向の画素間の遮光をなす第１の遮光層をシャント配
線と兼ねた構成のものであっても、画素間に入射する光
が原因となるスミア成分を除去又は低減できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＣＣＤ固体撮像装置の一実施例を
示す概略平面図である。
示す概略平面図である。
【図２】図１の有効画素部の要部の概略平面図である。
【図３】ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置の基本構成を示す
概略平面図である。
概略平面図である。
【図４】従来のシャント配線構造を示す概略平面図であ
る。
る。
【図５】図３の感光部の要部の概略平面図である。
１ 撮像部
２ 蓄積部
３ 水平シフトレジスタ
４ 第１層目のアルミニウム層
５ 第２層目のアルミニウム層
１１ 感光部
１２，２１ 垂直シフトレジスタ
１３，２２ シャント配線
１６，１７ ポリシリコン電極
１８，１９ コンタクト
Claims (1)
- 【請求項１】 垂直及び水平方向に画素単位で２次元
配列された複数個の感光部及びこれら感光部から垂直列
毎に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数の
垂直転送部を有し、画像情報を得る有効画素部と画像情
報の基準レベルを得る基準画素部とに分割された撮像部
を具備する固体撮像装置において、前記撮像部の遮光構
造は、前記複数の垂直転送部上で垂直方向に延在して前
記有効画素部における水平方向の画素間の遮光をなすと
ともに前記複数の垂直転送部の各転送電極に転送クロッ
クを供給するシャント配線をなす第１の遮光層と、前記
基準画素部の全面を覆うとともに前記有効画素部におけ
る垂直方向の画素間の遮光をなす第２の遮光層とからな
ることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410962A JPH04216672A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410962A JPH04216672A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216672A true JPH04216672A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18520042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2410962A Pending JPH04216672A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04216672A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0625799A1 (en) * | 1993-05-17 | 1994-11-23 | Sony Corporation | Solid state imager with reduced smear and method of making the same |
| JPH0846169A (ja) * | 1994-05-21 | 1996-02-16 | Lg Semicon Co Ltd | Ｃｃｄ映像素子及びその製造方法 |
| US6097433A (en) * | 1996-06-10 | 2000-08-01 | Nec Corporation | Solid state imaging apparatus having a plurality of metal wirings for supplying driving pulses to transfer electrodes of vertical CCD registers |
| JP2002076319A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP2010098169A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Sony Corp | 固体撮像装置、カメラ、および、固体撮像装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2410962A patent/JPH04216672A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0625799A1 (en) * | 1993-05-17 | 1994-11-23 | Sony Corporation | Solid state imager with reduced smear and method of making the same |
| US5614741A (en) * | 1993-05-17 | 1997-03-25 | Sony Corporation | Solid state imager with reduced smear and method of making the same |
| JPH0846169A (ja) * | 1994-05-21 | 1996-02-16 | Lg Semicon Co Ltd | Ｃｃｄ映像素子及びその製造方法 |
| US6097433A (en) * | 1996-06-10 | 2000-08-01 | Nec Corporation | Solid state imaging apparatus having a plurality of metal wirings for supplying driving pulses to transfer electrodes of vertical CCD registers |
| JP2002076319A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP2010098169A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Sony Corp | 固体撮像装置、カメラ、および、固体撮像装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4067054B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像システム | |
| KR100331995B1 (ko) | 촬상장치에서 복수의 화소에 의해 공유되는 각 회로의 화소내의배치 | |
| US7230224B2 (en) | Solid state image pickup device with two photosensitive fields per one pixel | |
| KR950010204B1 (ko) | 고체촬상장치 | |
| JP2000012819A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04216672A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6038869A (ja) | 二次元ｃｃｄイメ−ジセンサ | |
| US7034876B2 (en) | Solid-state image pickup device and method for driving the same | |
| JP2002076319A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3200899B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH07235655A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04192561A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3226536B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH09219506A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0211193B2 (ja) | ||
| JPH06104418A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59122085A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04218965A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2900382B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2007180509A (ja) | 固体撮像装置及びこれを備えたカメラ | |
| JP4370867B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3367852B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH07114276B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2534105B2 (ja) | 固体撮像装置及びその信号読出し方法 | |
| JPH10135442A (ja) | 固体撮像素子 |