JPH0211193B2 - - Google Patents
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- JPH0211193B2 JPH0211193B2 JP57168145A JP16814582A JPH0211193B2 JP H0211193 B2 JPH0211193 B2 JP H0211193B2 JP 57168145 A JP57168145 A JP 57168145A JP 16814582 A JP16814582 A JP 16814582A JP H0211193 B2 JPH0211193 B2 JP H0211193B2
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- pitch
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- Expired - Lifetime
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
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- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、固体リニアイメージセンサに関す
る。特に、複数の受光素子チツプを直線状に配列
してなるいわゆるマルチチツプ形リニアイメージ
センサに関するものであり、複写装置、フアクシ
ミリ、OCR等に用いられる。
る。特に、複数の受光素子チツプを直線状に配列
してなるいわゆるマルチチツプ形リニアイメージ
センサに関するものであり、複写装置、フアクシ
ミリ、OCR等に用いられる。
固体リニアイメージセンサは、複数の光電変換
素子を直線状に配列し、各光電変換素子を１画素
に対応させ、光に応答して発生する信号電荷を周
知の方法で読出すことにより原稿画像を読み取る
ものである。
素子を直線状に配列し、各光電変換素子を１画素
に対応させ、光に応答して発生する信号電荷を周
知の方法で読出すことにより原稿画像を読み取る
ものである。
第１図に従来のマルチチツプ形イメージセンサ
の例を示す。１はイメージセンサを示しており、
基板２上に複数の受光素子チツプ３〜６が直線上
に配列されている。受光素子チツプ３〜６は例え
ばCCDリニアイメージセンサであり、具体的に
は20〜30mm程度の長さを有する。図からわかるよ
うに、隣接する受光素子の端部において光電変換
素子配列１０〜１３相互間には間隙ができてしま
う。これは各素子３〜６において光電変換素子配
列１０〜１３を端部近くまで延在させて設けるこ
とが技術上困難であることに起因する。そこで、
従来では各端部に対応する部分に副イメージセン
サ７〜９をそれぞれ配置することにより端部の光
電変換素子相互間で生じる画像の欠除を補償して
いた。なお、１４〜１６は副イメージセンサ７〜
９の光電変換素子配列を示している。
の例を示す。１はイメージセンサを示しており、
基板２上に複数の受光素子チツプ３〜６が直線上
に配列されている。受光素子チツプ３〜６は例え
ばCCDリニアイメージセンサであり、具体的に
は20〜30mm程度の長さを有する。図からわかるよ
うに、隣接する受光素子の端部において光電変換
素子配列１０〜１３相互間には間隙ができてしま
う。これは各素子３〜６において光電変換素子配
列１０〜１３を端部近くまで延在させて設けるこ
とが技術上困難であることに起因する。そこで、
従来では各端部に対応する部分に副イメージセン
サ７〜９をそれぞれ配置することにより端部の光
電変換素子相互間で生じる画像の欠除を補償して
いた。なお、１４〜１６は副イメージセンサ７〜
９の光電変換素子配列を示している。
読取動作においては、原稿をｙ方向に移動させ
たとき、各受光素子３〜６からの出力信号と副イ
メージセンサ７〜９からの出力信号をメモリに蓄
積しておき、全体として一つの画像を形成して出
力するものである。
たとき、各受光素子３〜６からの出力信号と副イ
メージセンサ７〜９からの出力信号をメモリに蓄
積しておき、全体として一つの画像を形成して出
力するものである。
かかる従来のイメージセンサにおいては、同一
半導体基板上に副イメージセンサ７〜９を形成し
なければならないので製造が複雑化し、かつ価格
も高価となる。さらには不足画素を補なつて完全
な画像を形成するために大容量のメモリが必要と
なり、部品点数の増大や構成の複雑化を招く。ま
た、メモリを用いることは信号処理時間をそれだ
け多く必要とし、特性面でも問題がある。
半導体基板上に副イメージセンサ７〜９を形成し
なければならないので製造が複雑化し、かつ価格
も高価となる。さらには不足画素を補なつて完全
な画像を形成するために大容量のメモリが必要と
なり、部品点数の増大や構成の複雑化を招く。ま
た、メモリを用いることは信号処理時間をそれだ
け多く必要とし、特性面でも問題がある。
そこで、本発明は隣接する受光素子を極力近接
させ、しかも大きな容量のメモリを必要としない
密着形リニアイメージセンサを提供することを目
的とする。
させ、しかも大きな容量のメモリを必要としない
密着形リニアイメージセンサを提供することを目
的とする。
上記目的を達成するために、本発明の固体リニ
アイメージセンサは、電荷転送形シフトレジスタ
の転送段のピツチを光電変換素子のピツチよりも
小さくすることにより、または電荷転送形シフト
レジスタの電荷転送チヤネルを出力部付近で屈曲
させることにより、各隣接する単位受素子の端部
における光電変換素子を相互の中心間隔Ｌが各光
電変換素子または光電変換素子の組のピツチＰの
3.5倍以下となるように配列した点に特徴を有す
る。
アイメージセンサは、電荷転送形シフトレジスタ
の転送段のピツチを光電変換素子のピツチよりも
小さくすることにより、または電荷転送形シフト
レジスタの電荷転送チヤネルを出力部付近で屈曲
させることにより、各隣接する単位受素子の端部
における光電変換素子を相互の中心間隔Ｌが各光
電変換素子または光電変換素子の組のピツチＰの
3.5倍以下となるように配列した点に特徴を有す
る。
このように配列することによつて、依然として
端部における画素の欠落は生じるもののその近傍
の光電変換素子の出力信号によつて充分な精度で
補正することができる。
端部における画素の欠落は生じるもののその近傍
の光電変換素子の出力信号によつて充分な精度で
補正することができる。
かかる本発明の構成によれば、たとえ画素の欠
落が生じたとしても補正することができるため、
従来のように補償用の副イメージセンサを必要と
せず、したがつて大容量のメモリを必要としな
い。つまり、欠落画素近傍の光電変換素子の情報
により補正する分だけあれば足りるからである。
さらには、メモリ容量を少なくできる分だけ処理
時間も短縮でき読取りの高速化に寄与することと
なる。
落が生じたとしても補正することができるため、
従来のように補償用の副イメージセンサを必要と
せず、したがつて大容量のメモリを必要としな
い。つまり、欠落画素近傍の光電変換素子の情報
により補正する分だけあれば足りるからである。
さらには、メモリ容量を少なくできる分だけ処理
時間も短縮でき読取りの高速化に寄与することと
なる。
以下、本発明を図示する実施例によつて詳述す
る。
る。
まず、第２図に本発明のイメージセンサの単位
受光素子２０の構造を示す。第２図において、半
導体基板２１上には光電変換素子であるPN接合
フオトダイオード（以下、フオトダイオード）２
２ａ〜２２ｑが直線状に配列されており、その近
傍には垂直電荷転送部２５と電荷転送形シフトレ
ジスタ２３が設けられている。２４は出力部であ
る。
受光素子２０の構造を示す。第２図において、半
導体基板２１上には光電変換素子であるPN接合
フオトダイオード（以下、フオトダイオード）２
２ａ〜２２ｑが直線状に配列されており、その近
傍には垂直電荷転送部２５と電荷転送形シフトレ
ジスタ２３が設けられている。２４は出力部であ
る。
ここで、注目すべきはフオトダイオードアレイ
２２ａ〜２２ｑが半導体基板２１の端部近くまで
延在して設けられていることである。この点に関
し、従来では信号電荷の読取し部や配線の関係上
フオトダイオードアレイはどうしても端部より内
側に配置せざるを得なかつた。そこで、本発明に
係る単位受光素子２０においてはフオトダイオー
ドアレイ２２ａ〜２２ｑのピツチよりも電荷転送
形シフトレジスタ２３の転送段ピツチを小さくし
て出力部２４とシフトレジスタ２３をｘ方向（フ
オトダイオードアレイ２２ａ〜２２ｑの配列方向
と同じ）に収納されている。一方、フオトダイオ
ードアレイ２２ａ〜２２ｑはウエハを切断してチ
ツプ２１に分割する際に発生する端部付近の欠陥
領域を避けてぎりぎりの端まで配列する。例え
ば、チツプ２１の切断端面から20〜70「μｍ」程
度の近さとする。フオトダイオードアレイ２２ａ
〜２２ｑの各ピツチよりシフトレジスタ２３の転
送段ピツチは小さく、垂直電荷転送部２５でピツ
チの差を補うように信号電荷を転送してからシフ
トレジスタ２３で読出すようにする。この垂直電
荷転送段２５はチヤネルがフオトダイオードアレ
イ２２ａ〜２２ｑと対応するシフトレジスタ２３
の転送段を結ぶように斜めに設けてある。また、
図示しないが垂直電荷転送部２５には転送電極が
設けてある。この転送電極にクロツクパルスを印
加して通常の電荷転送動作により信号電荷をフオ
トダイオードアレイ２２ａ〜２２ｑからシフトレ
ジスタ２３へ転送するかあるいはシフトレジスタ
２３に向かつて順次電位の井戸が深くなるような
直流電圧を印加する。
２２ａ〜２２ｑが半導体基板２１の端部近くまで
延在して設けられていることである。この点に関
し、従来では信号電荷の読取し部や配線の関係上
フオトダイオードアレイはどうしても端部より内
側に配置せざるを得なかつた。そこで、本発明に
係る単位受光素子２０においてはフオトダイオー
ドアレイ２２ａ〜２２ｑのピツチよりも電荷転送
形シフトレジスタ２３の転送段ピツチを小さくし
て出力部２４とシフトレジスタ２３をｘ方向（フ
オトダイオードアレイ２２ａ〜２２ｑの配列方向
と同じ）に収納されている。一方、フオトダイオ
ードアレイ２２ａ〜２２ｑはウエハを切断してチ
ツプ２１に分割する際に発生する端部付近の欠陥
領域を避けてぎりぎりの端まで配列する。例え
ば、チツプ２１の切断端面から20〜70「μｍ」程
度の近さとする。フオトダイオードアレイ２２ａ
〜２２ｑの各ピツチよりシフトレジスタ２３の転
送段ピツチは小さく、垂直電荷転送部２５でピツ
チの差を補うように信号電荷を転送してからシフ
トレジスタ２３で読出すようにする。この垂直電
荷転送段２５はチヤネルがフオトダイオードアレ
イ２２ａ〜２２ｑと対応するシフトレジスタ２３
の転送段を結ぶように斜めに設けてある。また、
図示しないが垂直電荷転送部２５には転送電極が
設けてある。この転送電極にクロツクパルスを印
加して通常の電荷転送動作により信号電荷をフオ
トダイオードアレイ２２ａ〜２２ｑからシフトレ
ジスタ２３へ転送するかあるいはシフトレジスタ
２３に向かつて順次電位の井戸が深くなるような
直流電圧を印加する。
第３図は単位受光素子の他の例を示すもので、
各部の符号は第２図と同じものを使用する。第２
図のものと異なるところはシフトレジスタ２３の
端部を屈曲させ、その端部に出力部２４を設けた
ものである。このようにすることでフオトダイオ
ードアレイ２２ａ〜２２ｑをチツプ端部に近接し
て設けることができる。
各部の符号は第２図と同じものを使用する。第２
図のものと異なるところはシフトレジスタ２３の
端部を屈曲させ、その端部に出力部２４を設けた
ものである。このようにすることでフオトダイオ
ードアレイ２２ａ〜２２ｑをチツプ端部に近接し
て設けることができる。
次に、以上のような単位受光素子を用いた本発
明に係るマルチチツプ形イメージセンサの実施例
を第４図に示す。第４図において、マルチチツプ
形のイメージセンサ３０は、基板３１上に第２図
又は第３図に示す如き複数の単位受光素子３２〜
３５がそのフオトダイオードアレイ３６〜３９が
一直線状となるように配列されている（ｘ方向）。
ｙ方向は原稿移動方向である。もつとも原稿が移
動するかイメージセンサが移動するかは応用装置
によつて異なる問題である。
明に係るマルチチツプ形イメージセンサの実施例
を第４図に示す。第４図において、マルチチツプ
形のイメージセンサ３０は、基板３１上に第２図
又は第３図に示す如き複数の単位受光素子３２〜
３５がそのフオトダイオードアレイ３６〜３９が
一直線状となるように配列されている（ｘ方向）。
ｙ方向は原稿移動方向である。もつとも原稿が移
動するかイメージセンサが移動するかは応用装置
によつて異なる問題である。
ここで、各単位受光素子３２〜３５の相隣接す
る素子の端部においては、第５図に示すように、
単位受光素子、例えば３２と３３の終端フオトダ
イオード３６ａと始端ダイオード３７ａの中心間
隔ＬがフオトダイオードアレイのピツチＰの3.5
倍以下の長さとされている。この3.5倍という値
は後述するように端部のフオトダイオードアレイ
３６ａと３７ａ間の間隙により生ずる画素の欠落
を補正しうる限度を示している。
る素子の端部においては、第５図に示すように、
単位受光素子、例えば３２と３３の終端フオトダ
イオード３６ａと始端ダイオード３７ａの中心間
隔ＬがフオトダイオードアレイのピツチＰの3.5
倍以下の長さとされている。この3.5倍という値
は後述するように端部のフオトダイオードアレイ
３６ａと３７ａ間の間隙により生ずる画素の欠落
を補正しうる限度を示している。
次に動作を説明する。このイメージセンサ３０
はいわゆる密着センサとして使用されるものであ
り、１：１の結象光学系で原稿画像を読取るもの
である。その場合、各単位受光素子３２〜３５か
らの出力信号は同時に並列的に読出してもよい
し、各単位受光素子ごとに読出してもよい。
はいわゆる密着センサとして使用されるものであ
り、１：１の結象光学系で原稿画像を読取るもの
である。その場合、各単位受光素子３２〜３５か
らの出力信号は同時に並列的に読出してもよい
し、各単位受光素子ごとに読出してもよい。
さて、各単位受光素子３２〜３５のフオトダイ
オードアレイ３６〜３９は第２図または第３図の
ように端部近くまで延在されてはいるものの全く
間隙がなくなつた訳ではない。そこで、本発明で
は次に述べるような信号補正を行う。
オードアレイ３６〜３９は第２図または第３図の
ように端部近くまで延在されてはいるものの全く
間隙がなくなつた訳ではない。そこで、本発明で
は次に述べるような信号補正を行う。
中間間隔ＬがフオトダイオードのピツチＰの
1.5倍以下（以下、Ｌ≦1.5Pのように表わす。）の
ときには、端部間隙すなわち不感光部Ｎは1/2画
素分の長さ以下であるから、単位受光素子３２〜
３５の出力信号をそのまま持続すればよい。その
場合の1/2画素分の欠落による画像の歪は実用上
問題とならない。この場合の出力信号状態は次の
ように表わされる。
1.5倍以下（以下、Ｌ≦1.5Pのように表わす。）の
ときには、端部間隙すなわち不感光部Ｎは1/2画
素分の長さ以下であるから、単位受光素子３２〜
３５の出力信号をそのまま持続すればよい。その
場合の1/2画素分の欠落による画像の歪は実用上
問題とならない。この場合の出力信号状態は次の
ように表わされる。
フオトダイオード
３６，３６ｂ，３６ａ，３７ａ，３７ｂ，３７
ｃ の出力信号をそれぞれ順に X1，X2，X3，X4，X5，X6 とするとき、合成信号は X1，X2，X3，X4，X5，X6 となる。
ｃ の出力信号をそれぞれ順に X1，X2，X3，X4，X5，X6 とするとき、合成信号は X1，X2，X3，X4，X5，X6 となる。
次に、1.5P≦Ｌ≦2.5Pの場合には不感光部Ｎの
長さは約１画素分となるので、この不感光部Ｎに
相当する出力信号を隣りの信号X3もしくはX4で
置き換えるか、または両者X3とX4の平均値（X3
＋X4）／２で補正をする。この場合の合成信号
は、 X1，X2，X3，X3 ，X4，X5，X6 もしくは X1，X2，X3，X4 ，X4，X5，X6 または X1，X2，X3，（X3＋X4）／２， X4，X5，X6 となる。
長さは約１画素分となるので、この不感光部Ｎに
相当する出力信号を隣りの信号X3もしくはX4で
置き換えるか、または両者X3とX4の平均値（X3
＋X4）／２で補正をする。この場合の合成信号
は、 X1，X2，X3，X3 ，X4，X5，X6 もしくは X1，X2，X3，X4 ，X4，X5，X6 または X1，X2，X3，（X3＋X4）／２， X4，X5，X6 となる。
次に、2.5P≦Ｌ≦3.5Pの場合は、不感光部Ｎの
長さが約２画素分となるので、不感光部Ｎに相当
する出力信号を両隣りの信号X3，X4を用いて置
き換える。すなわち、合成信号は X1，X2，X3，X3，X4 ，X4，X5，X6 または X1，X2，X3，（X3＋X4）／２， （X3＋X4）／２，X4，X5，X6 となる。
長さが約２画素分となるので、不感光部Ｎに相当
する出力信号を両隣りの信号X3，X4を用いて置
き換える。すなわち、合成信号は X1，X2，X3，X3，X4 ，X4，X5，X6 または X1，X2，X3，（X3＋X4）／２， （X3＋X4）／２，X4，X5，X6 となる。
単位受光素子の例として第２図、第３図に示し
たが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、イメージセンサとして電荷転送形イメー
ジセンサ以外にフオトダイオードとMOSトラン
ジスタのスイツチ回路を組合せたものでもよい。
また、シフトレジスタ２３はフオトダイオードア
レイ２２ａ〜２２ｑの両側に設けてもよい。
たが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、イメージセンサとして電荷転送形イメー
ジセンサ以外にフオトダイオードとMOSトラン
ジスタのスイツチ回路を組合せたものでもよい。
また、シフトレジスタ２３はフオトダイオードア
レイ２２ａ〜２２ｑの両側に設けてもよい。
以上の説明では光電変換素子としての白黒のフ
オトダイオードを用いた例を示したが、例えば
赤、緑、青の分光感度特性を有するものを使用
し、第６図のように各フオトダイオードを繰返し
配列状態としたイメージセンサを用いる場合でも
次のような合成信号の補正をすることができる。
なお、３６ｅ，３６ｈ，３６ｋ，３７ｇ，３７ｊ
は赤に感度をもつフオトダイオード、３６ｆ，３
６ｉ，３７ｅ，３７ｈ，３７ｋは緑に感度をもつ
フオトダイオード、３６ｇ，３６ｊ，３７ｆ，３
７ｉは青に感度をもつフオトダイオードである。
ここに、３色のフオトダイオードのピツチをＰ、
単位受光素子３２，３３の接続部の端部にあるそ
れぞれの３色のフオトダイオードを１組としたと
きの中心間隔をＬとして（Ｌ≦1.5P）、（1.5P≦Ｌ
≦2.5P）、（2.5P≦Ｌ≦3.5P）のときの信号補正は
上述した各例と同じに行うことができる。
オトダイオードを用いた例を示したが、例えば
赤、緑、青の分光感度特性を有するものを使用
し、第６図のように各フオトダイオードを繰返し
配列状態としたイメージセンサを用いる場合でも
次のような合成信号の補正をすることができる。
なお、３６ｅ，３６ｈ，３６ｋ，３７ｇ，３７ｊ
は赤に感度をもつフオトダイオード、３６ｆ，３
６ｉ，３７ｅ，３７ｈ，３７ｋは緑に感度をもつ
フオトダイオード、３６ｇ，３６ｊ，３７ｆ，３
７ｉは青に感度をもつフオトダイオードである。
ここに、３色のフオトダイオードのピツチをＰ、
単位受光素子３２，３３の接続部の端部にあるそ
れぞれの３色のフオトダイオードを１組としたと
きの中心間隔をＬとして（Ｌ≦1.5P）、（1.5P≦Ｌ
≦2.5P）、（2.5P≦Ｌ≦3.5P）のときの信号補正は
上述した各例と同じに行うことができる。
第１図は従来のマルチチツプ形固体リニアイメ
ージセンサの構成を示す平面図、第２図は本発明
によるマルチチツプ形固体リニアイメージセンサ
に用いられる単位受光素子の構成を示す一部省略
平面図、第３図は他の単位受光素子の構成を示す
一部省略平面図、第４図は本発明によるマルチチ
ツプ形固体リニアイメージセンサの実施例を示す
平面図、第５図は隣接する単位受光素子の端部の
持続部を示す部分拡大図、第６図は光電変換素子
として分光感度特性を有するものを用いた単位受
光素子の端部の持続部を示す部分拡大図である。 ３０……マルチチツプ形固体リニアイメージセ
ンサ、３１……基板、３２〜３５……単位受光素
子、３６〜３９……フオトダイオードアレイ、３
６ａ，３７ａ……端部のフオトダイオード、Ｐ…
…フオトダイオードのピツチ、Ｌ……中心間隔、
Ｎ……不感光部。
ージセンサの構成を示す平面図、第２図は本発明
によるマルチチツプ形固体リニアイメージセンサ
に用いられる単位受光素子の構成を示す一部省略
平面図、第３図は他の単位受光素子の構成を示す
一部省略平面図、第４図は本発明によるマルチチ
ツプ形固体リニアイメージセンサの実施例を示す
平面図、第５図は隣接する単位受光素子の端部の
持続部を示す部分拡大図、第６図は光電変換素子
として分光感度特性を有するものを用いた単位受
光素子の端部の持続部を示す部分拡大図である。 ３０……マルチチツプ形固体リニアイメージセ
ンサ、３１……基板、３２〜３５……単位受光素
子、３６〜３９……フオトダイオードアレイ、３
６ａ，３７ａ……端部のフオトダイオード、Ｐ…
…フオトダイオードのピツチ、Ｌ……中心間隔、
Ｎ……不感光部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に、光に応答して信号電荷を発
生する１画素分の光電変換素子が単独または組と
なつて直線状に配列されるとともに前記光電変換
素子によつて発生された信号電荷を読出す電荷転
送形シフトレジスタが設けられている単位受光素
子を、各光電変換素子が一方向に直線状になるよ
うに複数配列し、更に、前記電荷転送形シフトレ
ジスタの転送段のピツチを前記光電変換素子のピ
ツチより小さくすることにより各隣接する単位受
光素子の端部における光電変換素子相互の中心間
隔Ｌが各光電変換素子または光電変換素子の組の
ピツチＰの3.5倍以下となるように配列したこと
を特徴とする固体リニアイメージセンサ。 ２ 半導体基板上に、光に応答して信号電荷を発
生する１画素分の光電変換素子が単独または組と
なつて直線状に配列されるとともに前記光電変換
素子によつて発生された信号電荷を読出す電荷転
送形シフトレジスタが設けられている単位受光素
子を、各光電変換素子が一方向に直線状になるよ
うに複数配列し、更に、前記電荷転送形シフトレ
ジスタの電荷転送チヤンネルを出力部付近で屈曲
させることにより各隣接する単位受光素子の端部
における光電変換素子相互の中心間隔Ｌが各光電
変換素子または光電変換素子の組のピツチＰの
3.5倍以下となるように配列したことを特徴とす
る固体リニアイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168145A JPS5957563A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168145A JPS5957563A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957563A JPS5957563A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0211193B2 true JPH0211193B2 (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=15862657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168145A Granted JPS5957563A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957563A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628369B2 (ja) * | 1984-08-07 | 1994-04-13 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPS6242448A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0736594B2 (ja) * | 1985-10-02 | 1995-04-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP3013189B2 (ja) * | 1990-07-26 | 2000-02-28 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 密着型イメージセンサ |
| US5696626A (en) * | 1995-10-12 | 1997-12-09 | Xerox Corporation | Photosensitive silicon chip having a ridge near an end photosite |
| TW416232B (en) * | 1998-07-22 | 2000-12-21 | Hewlett Packard Co | Multi-segment linear photosensor assembly |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5415645A (en) * | 1977-06-08 | 1979-02-05 | Seiko Epson Corp | Oscillation circuit |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57168145A patent/JPS5957563A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5415645A (en) * | 1977-06-08 | 1979-02-05 | Seiko Epson Corp | Oscillation circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5957563A (ja) | 1984-04-03 |
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