JPS6242448A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6242448A JPS6242448A JP60181359A JP18135985A JPS6242448A JP S6242448 A JPS6242448 A JP S6242448A JP 60181359 A JP60181359 A JP 60181359A JP 18135985 A JP18135985 A JP 18135985A JP S6242448 A JPS6242448 A JP S6242448A
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- JP
- Japan
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- junction
- solid
- photosensors
- photosensor
- pitch
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は原稿幅とほぼ同一寸法を有する密着型の固体撮
隊ｖ：装置の光センサーの電極構造に関する。
隊ｖ：装置の光センサーの電極構造に関する。
本発明は固体撮像素子を複数個つないで成る固体撮像装
置において、つなぎ部周辺の光センサー上・下ｍｔｔの
、たて横の電極長（走置方向の１！匝長を細く、副走自
二方向の電極長を長く、）を変える事により、元センサ
ーの中心ピッチヲホとんど変える事なく、高精度に固体
撮像素子をつないだ固体撮像装置を提供するものである
。
置において、つなぎ部周辺の光センサー上・下ｍｔｔの
、たて横の電極長（走置方向の１！匝長を細く、副走自
二方向の電極長を長く、）を変える事により、元センサ
ーの中心ピッチヲホとんど変える事なく、高精度に固体
撮像素子をつないだ固体撮像装置を提供するものである
。
従来の密着型の固体撮像装置のつなぎ部周辺の元センサ
ーの電匝ｌ＃造は、電子通信学会技術研究報告 ＫＤ
８５−３０ １９８５年６月１９日 の様に、すべての
光センサー上下電極のたて・横長は同一寸法であった。
ーの電匝ｌ＃造は、電子通信学会技術研究報告 ＫＤ
８５−３０ １９８５年６月１９日 の様に、すべての
光センサー上下電極のたて・横長は同一寸法であった。
しかし、前述の従来技術では非晶質シリコンルミｎフォ
トダイオードアレイ（光センサ−）と多結晶シリコン薄
膜トランジスタ短資駆動回路を集積化した基板を、ダイ
シングする時に発生する基により内１１１とダイシング
できず、つなぎ精度の悪下と−う問題点を「する。
トダイオードアレイ（光センサ−）と多結晶シリコン薄
膜トランジスタ短資駆動回路を集積化した基板を、ダイ
シングする時に発生する基により内１１１とダイシング
できず、つなぎ精度の悪下と−う問題点を「する。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
基板Ｑカケによる歩留り低下を軽減し、かつ、つなぎ精
度の向上する固体撮像装置の電甑構造を提供するもので
ある。
基板Ｑカケによる歩留り低下を軽減し、かつ、つなぎ精
度の向上する固体撮像装置の電甑構造を提供するもので
ある。
本発明の固体撮廖装置は複数個の固体撮は素子をつない
だ１１１＠がらなり、該固体撮像素子は高精度にダイシ
ングされ、理想的には所定の光センサーが所定ピッチど
おりに一ライン上につながれることが要求される。この
ため、つなぎ部周辺の、光センサ−・上下電隠りたて・
横長、すなわち主走査方向に細め、副走憂方向に長める
ことにより、光センサー￥ＪＬ匝とダイシング部の間の
余裕中を増やし、ダイシングによる基板のカケによる元
センサー電甑の欠陥を防止するとともに、つなぎ精度の
向上をけかりたことを特徴とする。
だ１１１＠がらなり、該固体撮像素子は高精度にダイシ
ングされ、理想的には所定の光センサーが所定ピッチど
おりに一ライン上につながれることが要求される。この
ため、つなぎ部周辺の、光センサ−・上下電隠りたて・
横長、すなわち主走査方向に細め、副走憂方向に長める
ことにより、光センサー￥ＪＬ匝とダイシング部の間の
余裕中を増やし、ダイシングによる基板のカケによる元
センサー電甑の欠陥を防止するとともに、つなぎ精度の
向上をけかりたことを特徴とする。
以下、本発明を実施例に基づき詳しく説明する。
第１図は本発明の実施例の固体撮は装置の外観図を示し
たものであり、Ａ４判サイズの原稿長とほぼ同長の長さ
を有してｉる。
たものであり、Ａ４判サイズの原稿長とほぼ同長の長さ
を有してｉる。
Ａ、Ｂは固体撮は素子で、石英基板上に非晶質シリコン
感光層からなるｐｉｎフォトダイオードアレイと多結晶
シリコン薄膜トランジスタから代る走萱躯動回路に集積
化している。 １２は外部回路への結線用のパッド、１
３は該固体撮ぼ素子の支持基板Ｉｔｅｍ駁固定撮＠素子
のつなぎ面を示す。
感光層からなるｐｉｎフォトダイオードアレイと多結晶
シリコン薄膜トランジスタから代る走萱躯動回路に集積
化している。 １２は外部回路への結線用のパッド、１
３は該固体撮ぼ素子の支持基板Ｉｔｅｍ駁固定撮＠素子
のつなぎ面を示す。
□２図は実施例のつなぎ部周辺の光センサーの電匝隣浩
を示したものである。工はつなぎ面で、基板のカケ等に
より、基板表面はギザギザしている。２はへ！等より成
る下部な隠で、薄膜トランジスタスイッチに接続される
。３は非晶質シリコン等より成る光感光層、４は工１゛
０等より成る透明上部′ＲＬ甑である。
を示したものである。工はつなぎ面で、基板のカケ等に
より、基板表面はギザギザしている。２はへ！等より成
る下部な隠で、薄膜トランジスタスイッチに接続される
。３は非晶質シリコン等より成る光感光層、４は工１゛
０等より成る透明上部′ＲＬ甑である。
Ｐ、Ｐ電光センサー間の中心ピッチで各々の固体撮＠素
子Ａ、Ｂ内■光センサーは中心ピッチＰ（実施例では１
２５μｍ）で配列されており、つなぎ部のみｐｉ■ピッ
チを有している。α、ｂ、ｃ。
子Ａ、Ｂ内■光センサーは中心ピッチＰ（実施例では１
２５μｍ）で配列されており、つなぎ部のみｐｉ■ピッ
チを有している。α、ｂ、ｃ。
ｄはつなぎ部より各固体撮像素子内へ、順次むかう光セ
ンサーを示し、本実施例ではα＃”Ｉｃ１ｄと順次、た
て・横の電極長を変化させ、つなぎ部からのセンサーの
変動を徐々に行い、ｄは以降はすべて同一寸法としてい
る０表１に各々α、ｂｊＣ，ｄの元センを−の下部電誕
のたて・横長及び可動センサー面積を示す、訂２図では
たて方向が副走萱方向、よζ方向が主走査方向である。
ンサーを示し、本実施例ではα＃”Ｉｃ１ｄと順次、た
て・横の電極長を変化させ、つなぎ部からのセンサーの
変動を徐々に行い、ｄは以降はすべて同一寸法としてい
る０表１に各々α、ｂｊＣ，ｄの元センを−の下部電誕
のたて・横長及び可動センサー面積を示す、訂２図では
たて方向が副走萱方向、よζ方向が主走査方向である。
表１光センサー電匝のたて横長
表１からもわかる様に、面積は最大と最小で０．３６％
以下とほとんど変化なく、すなわちセンサー出力バラツ
キとして０．３６％以下と小さい上に、つなぎ面からセ
ンサーαの下部電極間の余裕は２７．５μｍとなり、従
来、電極のよこ良度えず、８５μｍで配列したものより
本実施例では７．５μ禍の余裕が生じ、つなぎ精度が１
５縞向上、すなわち、Ｐ′勿拳純に１５μｍ減少させる
ことが可能となり、従来、Ｐ・が□２５辻名０ｔｔｍ
Ｔ： ｈったも。が、本ア１１］、は□２５″！９ｍ
となり、ピ、ぴ段差ヶ正規。ビッヶＱ±２５％以内に
するというＣＣ工ＴＴの勧告を十分達成する事が可能で
ある。
以下とほとんど変化なく、すなわちセンサー出力バラツ
キとして０．３６％以下と小さい上に、つなぎ面からセ
ンサーαの下部電極間の余裕は２７．５μｍとなり、従
来、電極のよこ良度えず、８５μｍで配列したものより
本実施例では７．５μ禍の余裕が生じ、つなぎ精度が１
５縞向上、すなわち、Ｐ′勿拳純に１５μｍ減少させる
ことが可能となり、従来、Ｐ・が□２５辻名０ｔｔｍ
Ｔ： ｈったも。が、本ア１１］、は□２５″！９ｍ
となり、ピ、ぴ段差ヶ正規。ビッヶＱ±２５％以内に
するというＣＣ工ＴＴの勧告を十分達成する事が可能で
ある。
以上、述べたように本発明によればつなぎ部周辺の光セ
ンサー上下電匝のたて−よζ長を、主走査方向に細め、
副走資方向に長めた事により、つなぎ部の光センサ−ピ
ッチの精度の向上がはかれる、Ｃ区ＴＴ勧告に添りた精
度、１２５±３１βｍ以内とすれば、基板カケ敬より十
分大きく、高歩留りが期待できる光センサー間出力バラ
ッキは０．３６％以下に押える事が可能である。つなぎ
部より徐々に光センサー寛隠層を変えることによって読
み出し画はにまったく影醤がでない、という効果をＨす
る。
ンサー上下電匝のたて−よζ長を、主走査方向に細め、
副走資方向に長めた事により、つなぎ部の光センサ−ピ
ッチの精度の向上がはかれる、Ｃ区ＴＴ勧告に添りた精
度、１２５±３１βｍ以内とすれば、基板カケ敬より十
分大きく、高歩留りが期待できる光センサー間出力バラ
ッキは０．３６％以下に押える事が可能である。つなぎ
部より徐々に光センサー寛隠層を変えることによって読
み出し画はにまったく影醤がでない、という効果をＨす
る。
酊１図は本実施例の固体撮像装置の外観図。
嫡２図は本実施例の固体撮慮装置のりなき゛部周辺θ光
センサの電極構造図。 ｌ １１ ＠・つなぎ面 ２・・・下部電画 ３・・・感光層 ４・・・上部電画 Ｐ、ＰＩ・・光センサー中心ピッチ Ａ、Ｂ・・固本撮鐵素子 α、ｂ、ｃ、ｄ・拳光センサー 以 上
センサの電極構造図。 ｌ １１ ＠・つなぎ面 ２・・・下部電画 ３・・・感光層 ４・・・上部電画 Ｐ、ＰＩ・・光センサー中心ピッチ Ａ、Ｂ・・固本撮鐵素子 α、ｂ、ｃ、ｄ・拳光センサー 以 上
Claims (1)
- 固体撮像素子を複数個つないで成る固体撮像装置におい
て、つなぎ部周辺の光センサー上・下電極の、たて・横
の電極長を、主走査方向に細め、副走査方向に長めた事
を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181359A JPS6242448A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181359A JPS6242448A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242448A true JPS6242448A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16099341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181359A Pending JPS6242448A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59134518A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-02 | 株式会社 富士電機総合研究所 | 三相短絡電流の遮断方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157680A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-29 | Toshiba Corp | Line sensor for picture reading |
| JPS5957563A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | 固体リニアイメ−ジセンサ |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60181359A patent/JPS6242448A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157680A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-29 | Toshiba Corp | Line sensor for picture reading |
| JPS5957563A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59134518A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-02 | 株式会社 富士電機総合研究所 | 三相短絡電流の遮断方法 |
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