JPH05243549A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05243549A JPH05243549A JP4044467A JP4446792A JPH05243549A JP H05243549 A JPH05243549 A JP H05243549A JP 4044467 A JP4044467 A JP 4044467A JP 4446792 A JP4446792 A JP 4446792A JP H05243549 A JPH05243549 A JP H05243549A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像装置において、表面欠陥から発生す
る白傷を従来より有効に低減する構造と製造方法を提供
する。 【構成】 固体撮像装置において、光電変換素子および
転送電極１２を形成した後、光電変換素子上に高濃度の
ｐ型層７ａを形成する際、転送電極１２の下にもｐ型層
７ａが形成されるようにｐ型不純物を斜めイオン注入方
向１４ａから注入する。これによって撮像部表面の転送
電極１２境界における結晶欠陥８ａから発生する電荷の
量を従来に比べ小さくすることにより、表面欠陥８ａか
ら発生する白傷を低減させることができる。
る白傷を従来より有効に低減する構造と製造方法を提供
する。 【構成】 固体撮像装置において、光電変換素子および
転送電極１２を形成した後、光電変換素子上に高濃度の
ｐ型層７ａを形成する際、転送電極１２の下にもｐ型層
７ａが形成されるようにｐ型不純物を斜めイオン注入方
向１４ａから注入する。これによって撮像部表面の転送
電極１２境界における結晶欠陥８ａから発生する電荷の
量を従来に比べ小さくすることにより、表面欠陥８ａか
ら発生する白傷を低減させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインターライン転送方式
のＣＣＤ固体撮像装置およびその製造方法に関する。
のＣＣＤ固体撮像装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置は、カメラ一体型Ｖ
ＴＲの小型化，軽量化に対応して光学サイズの縮小化が
急速に進み、性能が向上している。なかでも、インター
ライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置（以下ＩＴ−ＣＣ
Ｄと略記）は特に優れた特性を持っており、民生用とし
ての需要が急増している。
ＴＲの小型化，軽量化に対応して光学サイズの縮小化が
急速に進み、性能が向上している。なかでも、インター
ライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置（以下ＩＴ−ＣＣ
Ｄと略記）は特に優れた特性を持っており、民生用とし
ての需要が急増している。
【０００３】以下、ＩＴ−ＣＣＤの従来の構成について
図２および図３を参照しながら説明する。
図２および図３を参照しながら説明する。
【０００４】図２はＩＴ−ＣＣＤの全体構成図である。
図において、１は入射した光を信号電荷に変換する光電
変換素子、２は光電変換素子１に蓄積された信号電荷を
垂直方向に転送する垂直転送ＣＣＤ（以下ＶＣＣＤと略
記）、３はＶＣＣＤ２によって転送された信号電荷を水
平方向に転送する水平転送ＣＣＤ（以下ＨＣＣＤと略
記）、４はＨＣＣＤ３により転送された信号電荷を検知
する出力アンプ部である。
図において、１は入射した光を信号電荷に変換する光電
変換素子、２は光電変換素子１に蓄積された信号電荷を
垂直方向に転送する垂直転送ＣＣＤ（以下ＶＣＣＤと略
記）、３はＶＣＣＤ２によって転送された信号電荷を水
平方向に転送する水平転送ＣＣＤ（以下ＨＣＣＤと略
記）、４はＨＣＣＤ３により転送された信号電荷を検知
する出力アンプ部である。
【０００５】図３は図２の撮像部Ａ−Ｂ線による断面図
である。５はｎ型シリコン基板（図示世ず）上に形成さ
れたＰウェル、６ａはＰウェル５の所定部に形成された
光電変換素子のＰＮ接合を形成する上層のｎ型領域、６
ｂはｎ型領域６ａの表面露出ｎ型部、７は高濃度のｐ型
領域で、撮像部表面となる。８ａは撮像部表面の結晶欠
陥、８ｂは表面露出ｎ型部６ｂの表面の一部にまでのび
て発生した結晶欠陥、９はＶＣＣＤのｎ型領域、１０は
ＶＣＣＤと周辺を分離するｐ+型領域、１１は酸化膜、
１２は転送電極、１３は光電変換素子１からＶＣＣＤの
ｎ型領域９に信号電荷が読み出される経路、１４はｐ型
不純物のイオン注入方向である。
である。５はｎ型シリコン基板（図示世ず）上に形成さ
れたＰウェル、６ａはＰウェル５の所定部に形成された
光電変換素子のＰＮ接合を形成する上層のｎ型領域、６
ｂはｎ型領域６ａの表面露出ｎ型部、７は高濃度のｐ型
領域で、撮像部表面となる。８ａは撮像部表面の結晶欠
陥、８ｂは表面露出ｎ型部６ｂの表面の一部にまでのび
て発生した結晶欠陥、９はＶＣＣＤのｎ型領域、１０は
ＶＣＣＤと周辺を分離するｐ+型領域、１１は酸化膜、
１２は転送電極、１３は光電変換素子１からＶＣＣＤの
ｎ型領域９に信号電荷が読み出される経路、１４はｐ型
不純物のイオン注入方向である。
【０００６】上記高濃度のｐ型領域７は界面準位から発
生する電荷を少なくし、界面の電荷による画質上の欠陥
である白傷を低減させるためのものである。また、イオ
ンの注入方向１４は垂直方向から行われているのでｐ型
領域７と表面露出ｎ型部６ｂの境界は転送電極１２端部
直下に位置するようになっている。
生する電荷を少なくし、界面の電荷による画質上の欠陥
である白傷を低減させるためのものである。また、イオ
ンの注入方向１４は垂直方向から行われているのでｐ型
領域７と表面露出ｎ型部６ｂの境界は転送電極１２端部
直下に位置するようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の構成
では、撮像部表面およびその近傍には結晶欠陥８ａ，８
ｂが存在し、特に転送電極１２との境界では応力が発生
するために結晶欠陥が生じやすく、素子が高温になる
と、撮像部表面の結晶欠陥８ａ，８ｂから電荷が発生す
る。ｐ型領域７上で発生した電荷はそのｐ型領域７表面
近傍で再結合しやすいが、表面露出ｎ型部６ｂとｐ型領
域７の境界領域の表面で発生した電荷は、光電変換素子
１に入り込み、画質上の欠陥である白傷の原因となり、
画像品質上の問題があった。
では、撮像部表面およびその近傍には結晶欠陥８ａ，８
ｂが存在し、特に転送電極１２との境界では応力が発生
するために結晶欠陥が生じやすく、素子が高温になる
と、撮像部表面の結晶欠陥８ａ，８ｂから電荷が発生す
る。ｐ型領域７上で発生した電荷はそのｐ型領域７表面
近傍で再結合しやすいが、表面露出ｎ型部６ｂとｐ型領
域７の境界領域の表面で発生した電荷は、光電変換素子
１に入り込み、画質上の欠陥である白傷の原因となり、
画像品質上の問題があった。
【０００８】本発明は上記課題を解決するもので、表面
欠陥から発生する白傷を低減した固体撮像装置およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
欠陥から発生する白傷を低減した固体撮像装置およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は光電変換素子部のＰＮ接合を形成する上層一
導電型領域の撮像部表面から転送部の転送電極下部領域
の一部にまでのびた領域に不純物を斜め方向から注入す
ることによって高濃度の逆導電型領域を形成した構成に
よる。
に本発明は光電変換素子部のＰＮ接合を形成する上層一
導電型領域の撮像部表面から転送部の転送電極下部領域
の一部にまでのびた領域に不純物を斜め方向から注入す
ることによって高濃度の逆導電型領域を形成した構成に
よる。
【００１０】
【作用】上記構成により、高濃度の逆導電型領域と光電
変換素子部のＰＮ接合を形成する上層一導電型領域の表
面露出一導電型部との境界が転送電極直下より転送電極
下部内部の方向に入り、境界部において転送電極端部で
発生する結晶欠陥の影響を受け難くなる。
変換素子部のＰＮ接合を形成する上層一導電型領域の表
面露出一導電型部との境界が転送電極直下より転送電極
下部内部の方向に入り、境界部において転送電極端部で
発生する結晶欠陥の影響を受け難くなる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１を参照
しながら説明する。図１において、図３の従来例と同一
部分には同一番号を付し説明を省略する。すなわち本発
明の特徴はｐ型不純物のイオン注入方向１４ａが斜め方
向となっており、その結果高濃度のｐ型領域７ａが転送
電極１２直下より転送電極１２下部内部方向にのびた領
域にまで形成されていることである。その結果ｎ型領域
６ａの表面露出ｎ型部６ｃの長さが短くなり、ｐ型領域
７ａとｎ型領域６ａの境界が転送電極１２端部より内側
に入った構造となっている。
しながら説明する。図１において、図３の従来例と同一
部分には同一番号を付し説明を省略する。すなわち本発
明の特徴はｐ型不純物のイオン注入方向１４ａが斜め方
向となっており、その結果高濃度のｐ型領域７ａが転送
電極１２直下より転送電極１２下部内部方向にのびた領
域にまで形成されていることである。その結果ｎ型領域
６ａの表面露出ｎ型部６ｃの長さが短くなり、ｐ型領域
７ａとｎ型領域６ａの境界が転送電極１２端部より内側
に入った構造となっている。
【００１２】また、本実施例は読み出し電極の場合であ
るが、読み出し電極だけでなく、一つの光電変換素子周
辺に配される電極に対して斜めに注入することで、周辺
の電極下のｎ型またはｐ型の領域に高濃度のｐ型領域７
ａが形成でき、一つの光電変換素子周辺の電極下の界面
準位から発生する電荷を抑制し、白傷を低減する効果が
ある。また界面だけでなく、高濃度のｐ型領域７ａので
きる、深さ内のバルクの欠陥に対しても白傷を低減する
効果がある。
るが、読み出し電極だけでなく、一つの光電変換素子周
辺に配される電極に対して斜めに注入することで、周辺
の電極下のｎ型またはｐ型の領域に高濃度のｐ型領域７
ａが形成でき、一つの光電変換素子周辺の電極下の界面
準位から発生する電荷を抑制し、白傷を低減する効果が
ある。また界面だけでなく、高濃度のｐ型領域７ａので
きる、深さ内のバルクの欠陥に対しても白傷を低減する
効果がある。
【００１３】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
は、光電変換素子部のＰＮ接合を形成する上層一導電型
領域の撮像部表面から転送部の転送電極下部領域の一部
にまでのびた領域に不純物を斜め方向から注入すること
によって高濃度の逆導電型領域を形成した構成によるの
で、表面欠陥から発生する白傷を低減した高品質の固体
撮像装置を提供できる。
は、光電変換素子部のＰＮ接合を形成する上層一導電型
領域の撮像部表面から転送部の転送電極下部領域の一部
にまでのびた領域に不純物を斜め方向から注入すること
によって高濃度の逆導電型領域を形成した構成によるの
で、表面欠陥から発生する白傷を低減した高品質の固体
撮像装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例の固体撮像装置の部分断面図
【図２】従来の一般的固体撮像装置の全体構成平面図
【図３】図２の固体撮像装置のＡ−Ｂ線による断面図
５ Ｐウェル ６ａ ＰＮ接合を形成する上層のｎ型領域（ＰＮ接合を
形成する上層一導電型領域） ６ｃ 表面露出ｎ型部 ７ａ 高濃度のｐ型領域（高濃度の逆導電型領域） ８ａ 結晶欠陥 ９ ＶＣＣＤのｎ型領域 １０ ＶＣＣＤと周辺を分離するｐ+型領域 １１ 酸化膜(絶縁膜) １２ 転送電極 １３ 信号電荷が読み出される経路 １４ａ イオン注入方向
形成する上層一導電型領域） ６ｃ 表面露出ｎ型部 ７ａ 高濃度のｐ型領域（高濃度の逆導電型領域） ８ａ 結晶欠陥 ９ ＶＣＣＤのｎ型領域 １０ ＶＣＣＤと周辺を分離するｐ+型領域 １１ 酸化膜(絶縁膜) １２ 転送電極 １３ 信号電荷が読み出される経路 １４ａ イオン注入方向
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に行列状に配列形成された
光電変換素子部およびその光電変換素子部で発生した信
号電荷を転送する転送部を少なくとも有する固体撮像装
置において、前記光電変換素子部のＰＮ接合を形成する
上層一導型領域の撮像部表面から前記転送部の転送電極
下部領域の一部にまでのびた領域に高濃度の逆導電型領
域を形成したことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に光電変換素子部、その光
電変換素子部で発生した信号電荷を転送する転送部およ
びその転送部上に絶縁膜を介して転送電極を形成した
後、前記光電変換素子部のＰＮ接合を形成する上層一導
電型領域の撮像部表面から前記転送電極下部領域の一部
にまでのびた領域に高濃度の逆導電型領域を形成できる
斜め方向から不純物を注入する工程を少なくとも有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4044467A JPH05243549A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4044467A JPH05243549A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243549A true JPH05243549A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12692310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4044467A Pending JPH05243549A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243549A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390836B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토다이오드의 용량을 증가시키면서 전하운송을 향상시킬수 있는 이미지 센서 제조 방법 |
| KR100677045B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 제조 방법 |
| KR100677044B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2007-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 제조 방법 |
| US7199412B2 (en) | 2003-07-16 | 2007-04-03 | Rohm Co., Ltd. | Image sensor with surface regions of different doping |
| KR100883758B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2009-02-12 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 전하운송효율과 암전류 특성을 향상시킨 이미지센서 및 그제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0318058A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-25 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP4044467A patent/JPH05243549A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0318058A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-25 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390836B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토다이오드의 용량을 증가시키면서 전하운송을 향상시킬수 있는 이미지 센서 제조 방법 |
| KR100677044B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2007-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 제조 방법 |
| KR100677045B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 제조 방법 |
| KR100883758B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2009-02-12 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 전하운송효율과 암전류 특성을 향상시킨 이미지센서 및 그제조방법 |
| US7199412B2 (en) | 2003-07-16 | 2007-04-03 | Rohm Co., Ltd. | Image sensor with surface regions of different doping |
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