JP3180748B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
し、特に、消費電力の低減及び高い周波数での駆動が可
能な固体撮像装置に関する。
し、特に、消費電力の低減及び高い周波数での駆動が可
能な固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＣＤ型２次元固体撮像装置は、
図８に示すように、イメージ領域８１内に２次元に配列
され、それぞれ光電変換を行う複数のフォトダイオード
８２、信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直ＣＣＤ
レジスタ８３、各フォトダイオード８２に蓄積された信
号電荷を所定の垂直ＣＣＤレジスタ８３に読み出すため
の読出しゲート８４、垂直ＣＣＤレジスタ８３によって
転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣ
Ｄレジスタ８５、水平ＣＣＤレジスタ８５により転送さ
れてきた信号電荷を電圧として検知する電荷検出部８
６、及び電荷検出部８６の出力電圧を増幅する増幅部８
７とを備えている。
図８に示すように、イメージ領域８１内に２次元に配列
され、それぞれ光電変換を行う複数のフォトダイオード
８２、信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直ＣＣＤ
レジスタ８３、各フォトダイオード８２に蓄積された信
号電荷を所定の垂直ＣＣＤレジスタ８３に読み出すため
の読出しゲート８４、垂直ＣＣＤレジスタ８３によって
転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣ
Ｄレジスタ８５、水平ＣＣＤレジスタ８５により転送さ
れてきた信号電荷を電圧として検知する電荷検出部８
６、及び電荷検出部８６の出力電圧を増幅する増幅部８
７とを備えている。
【０００３】この固体撮像装置では、図示しない光学系
を用いて、イメージ領域８１表面に画像パターンが投影
されると、各フォトダイオード８２が、光電変換によ
り、それぞれの入射光量に応じた電荷を発生する。こう
して発生した電荷は、所定の周期（例えば、６０秒）
で、垂直ＣＣＤレジスタ８３に読み出される。即ち、所
定周期で、全ての読出しゲート８４を一斉に駆動するこ
とにより、電荷は矢印Ａの方向に一斉に読み出される。
垂直ＣＣＤレジスタ８３に取り込まれた信号電荷は、水
平ＣＣＤレジスタ８５が電荷転送を中断しているブラン
キング期間毎に１転送単位だけ、水平ＣＣＤレジスタ８
５に向けて（矢印Ｂの方向へ）転送される。これによ
り、水平ＣＣＤレジスタ８５は、水平走査のブランキン
グ毎に、全ての垂直ＣＣＤレジスタ８３から１画素分の
信号電荷を並列に受け取る。水平ＣＣＤレジスタ８５
は、垂直ＣＣＤレジスタ８３から受け取った電荷を、１
水平走査期間をかけて電荷検出部８６へ転送する。電荷
検出部８６は、転送されてきた電荷量に応じた電圧を発
生し、増幅部８７へと出力する。増幅部８７は、電荷検
出部８６からの出力電圧を増幅して出力する。以降、上
記動作を繰り返すことにより、２次元に配列されたフォ
トダイオードからの画像信号が時系列の映像信号として
出力される。
を用いて、イメージ領域８１表面に画像パターンが投影
されると、各フォトダイオード８２が、光電変換によ
り、それぞれの入射光量に応じた電荷を発生する。こう
して発生した電荷は、所定の周期（例えば、６０秒）
で、垂直ＣＣＤレジスタ８３に読み出される。即ち、所
定周期で、全ての読出しゲート８４を一斉に駆動するこ
とにより、電荷は矢印Ａの方向に一斉に読み出される。
垂直ＣＣＤレジスタ８３に取り込まれた信号電荷は、水
平ＣＣＤレジスタ８５が電荷転送を中断しているブラン
キング期間毎に１転送単位だけ、水平ＣＣＤレジスタ８
５に向けて（矢印Ｂの方向へ）転送される。これによ
り、水平ＣＣＤレジスタ８５は、水平走査のブランキン
グ毎に、全ての垂直ＣＣＤレジスタ８３から１画素分の
信号電荷を並列に受け取る。水平ＣＣＤレジスタ８５
は、垂直ＣＣＤレジスタ８３から受け取った電荷を、１
水平走査期間をかけて電荷検出部８６へ転送する。電荷
検出部８６は、転送されてきた電荷量に応じた電圧を発
生し、増幅部８７へと出力する。増幅部８７は、電荷検
出部８６からの出力電圧を増幅して出力する。以降、上
記動作を繰り返すことにより、２次元に配列されたフォ
トダイオードからの画像信号が時系列の映像信号として
出力される。
【０００４】上記のようにして、この種の固体撮像装置
では、時系列の映像信号を得ることができるが、垂直Ｃ
ＣＤレジスタ及び水平ＣＣＤレジスタによる電荷転送を
精度よく行なうためには、これらＣＣＤレジスタへの光
の入射を阻止する必要がある。このため、従来の固体撮
像装置では、図９に示すように、フォトダイオード８２
にそれぞれ対応する開口部９１を形成した遮光膜（ハッ
チングで示す）を、垂直ＣＣＤレジスタを含むイメージ
領域と、水平ＣＣＤレジスタとの表面に設けるようにし
ている。
では、時系列の映像信号を得ることができるが、垂直Ｃ
ＣＤレジスタ及び水平ＣＣＤレジスタによる電荷転送を
精度よく行なうためには、これらＣＣＤレジスタへの光
の入射を阻止する必要がある。このため、従来の固体撮
像装置では、図９に示すように、フォトダイオード８２
にそれぞれ対応する開口部９１を形成した遮光膜（ハッ
チングで示す）を、垂直ＣＣＤレジスタを含むイメージ
領域と、水平ＣＣＤレジスタとの表面に設けるようにし
ている。
【０００５】図１０及び図１１を参照して、遮光膜につ
いてもう少し詳しく説明する。図１０は、図９における
Ｘ−Ｘ´線断面図である。図１０に示すように、フォト
ダイオード８２及び垂直ＣＣＤレジスタ８３は、とも
に、Ｎ型半導体基板１０１上に形成されている。Ｎ型半
導体基板１０１上には、Ｐ型ウェル１０２が形成され、
Ｐ型ウェル１０２内には、フォトダイオード８２を構成
するＮ型領域１０３と、垂直ＣＣＤレジスタ８３におい
て電荷転送に使用されるチャネルとなるＮ型不純物層１
０４が形成されている。また、Ｎ型領域１０３の表面に
は、Ｐ型不純物層１０５が形成されている。さらに、Ｐ
型ウェル１０２内には、Ｎ型領域１０３とチャネル１０
４とを相互に分離するＰ型高濃度不純物領域１０６が形
成されている。そして、上記各層の露出した表面には、
全面に亘ってゲート絶縁膜１０７が形成されている。こ
のゲート絶縁膜１０７の表面には、読出し電極と転送電
極とを兼ねる電極層１０８が選択的に形成されており、
さらに電極層１０８を覆うように絶縁膜１０９が形成さ
れている。また、絶縁膜１０９の表面には、遮光膜１１
０が、開口部９１を除いて形成されており、それを覆う
ように絶縁膜１１１が形成されている。絶縁膜１１１の
表面には平坦化膜１１２が形成され、その内部には、フ
ォトダイオードに対応する位置にカラーフィルタ層１１
３が形成されている。さらに平坦化膜１１２の表面に
は、フォトダイオードに対応する位置にマイクロレンズ
１１４が形成されている。
いてもう少し詳しく説明する。図１０は、図９における
Ｘ−Ｘ´線断面図である。図１０に示すように、フォト
ダイオード８２及び垂直ＣＣＤレジスタ８３は、とも
に、Ｎ型半導体基板１０１上に形成されている。Ｎ型半
導体基板１０１上には、Ｐ型ウェル１０２が形成され、
Ｐ型ウェル１０２内には、フォトダイオード８２を構成
するＮ型領域１０３と、垂直ＣＣＤレジスタ８３におい
て電荷転送に使用されるチャネルとなるＮ型不純物層１
０４が形成されている。また、Ｎ型領域１０３の表面に
は、Ｐ型不純物層１０５が形成されている。さらに、Ｐ
型ウェル１０２内には、Ｎ型領域１０３とチャネル１０
４とを相互に分離するＰ型高濃度不純物領域１０６が形
成されている。そして、上記各層の露出した表面には、
全面に亘ってゲート絶縁膜１０７が形成されている。こ
のゲート絶縁膜１０７の表面には、読出し電極と転送電
極とを兼ねる電極層１０８が選択的に形成されており、
さらに電極層１０８を覆うように絶縁膜１０９が形成さ
れている。また、絶縁膜１０９の表面には、遮光膜１１
０が、開口部９１を除いて形成されており、それを覆う
ように絶縁膜１１１が形成されている。絶縁膜１１１の
表面には平坦化膜１１２が形成され、その内部には、フ
ォトダイオードに対応する位置にカラーフィルタ層１１
３が形成されている。さらに平坦化膜１１２の表面に
は、フォトダイオードに対応する位置にマイクロレンズ
１１４が形成されている。
【０００６】以上の構成において、マイクロレンズ１１
４に入射した光は、集光され、カラーフィルタ層１１３
に到達する。カラーフィルタ層１１３には、赤、緑、及
び青の各色信号に対応して３種あり、これら３種のカラ
ーフィルター層が所定の配列規則（配列）に従って、各
フォトダイオードにいずれかの色に対応する層が形成さ
れている。カラーフィルタ層１１３を透過した光は、開
口部９１を通って、絶縁膜１１１及び１０９、ゲート絶
縁膜１０７、及びＰ型不純物層１０５を透過して、Ｎ型
不純物層１０３に達し、光電変換される。発生した電荷
は、電極層１０８への印加電圧を制御することにより、
チャネル１０４に読み出され、転送される。
４に入射した光は、集光され、カラーフィルタ層１１３
に到達する。カラーフィルタ層１１３には、赤、緑、及
び青の各色信号に対応して３種あり、これら３種のカラ
ーフィルター層が所定の配列規則（配列）に従って、各
フォトダイオードにいずれかの色に対応する層が形成さ
れている。カラーフィルタ層１１３を透過した光は、開
口部９１を通って、絶縁膜１１１及び１０９、ゲート絶
縁膜１０７、及びＰ型不純物層１０５を透過して、Ｎ型
不純物層１０３に達し、光電変換される。発生した電荷
は、電極層１０８への印加電圧を制御することにより、
チャネル１０４に読み出され、転送される。
【０００７】図１１は、図９におけるＹ−Ｙ´線断面図
である。即ち、図１１は、垂直ＣＣＤレジスタの断面構
造を示している。上述した通り、垂直ＣＣＤレジスタ
は、Ｐウェル１０２内に形成されたＮ型不純物層１０４
と、ゲート絶縁膜１０７と、電荷転送用の電極層１０８
とを有している。電極層１０８は、Ｎ型不純物層１０４
をチャネルとして電荷の転送を行なうために、図の横方
向に沿って分割されている。分割された電極層１０８
に、それぞれ位相の異なるパルス電圧を印加することに
より、Ｎ型不純物層内を電子）が移動し、信号電荷の転
送が可能になる。
である。即ち、図１１は、垂直ＣＣＤレジスタの断面構
造を示している。上述した通り、垂直ＣＣＤレジスタ
は、Ｐウェル１０２内に形成されたＮ型不純物層１０４
と、ゲート絶縁膜１０７と、電荷転送用の電極層１０８
とを有している。電極層１０８は、Ｎ型不純物層１０４
をチャネルとして電荷の転送を行なうために、図の横方
向に沿って分割されている。分割された電極層１０８
に、それぞれ位相の異なるパルス電圧を印加することに
より、Ｎ型不純物層内を電子）が移動し、信号電荷の転
送が可能になる。
【０００８】なお、水平ＣＣＤレジスタの構造も、基本
的には垂直ＣＣＤレジスタと同じである。
的には垂直ＣＣＤレジスタと同じである。
【０００９】電極層１０８上に、絶縁膜１０９を介して
形成される遮光膜１１０としては、通常、アルミニウ
ム、タングステン、またはモリブデンといった金属膜、
あるいはタングステンシリサイド、モリブデンシリサイ
ドといった金属シリサイドが用いられる。イメージ領域
に形成される遮光膜と水平ＣＣＤレジスタ上に形成され
る遮光膜は、その目的が同一なので、同一材料を用いて
同一工程で形成されるのが一般的である。
形成される遮光膜１１０としては、通常、アルミニウ
ム、タングステン、またはモリブデンといった金属膜、
あるいはタングステンシリサイド、モリブデンシリサイ
ドといった金属シリサイドが用いられる。イメージ領域
に形成される遮光膜と水平ＣＣＤレジスタ上に形成され
る遮光膜は、その目的が同一なので、同一材料を用いて
同一工程で形成されるのが一般的である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一般に、水平ＣＣＤレ
ジスタは、１０ＭＨｚ以上の高い周波数で駆動され、電
荷転送電極（電極層１０８）には、例えば、５Ｖp-p パ
ルス電極が印加される。図１１に示す断面構造からも判
る通り、電極層１０８に寄生する容量は、ゲート絶縁膜
１０７による容量Ｃａ、Ｐウェル１０２とＮ型不純物層
１０４との間の空乏層容量Ｃｂ、及び遮光膜１１０と間
の容量Ｃｃによって決まる。つまり、寄生容量Ｃは、Ｃ
＝Ｃ´＋Ｃｃ、である（Ｃ´は、ＣａとＣｂの直列容量
を表す）。また、この容量Ｃの充放電によって生じる消
費電力Ｐは、駆動周波数をｆとすると、Ｐ＝ＣＶ2 ｆ、
で表される。
ジスタは、１０ＭＨｚ以上の高い周波数で駆動され、電
荷転送電極（電極層１０８）には、例えば、５Ｖp-p パ
ルス電極が印加される。図１１に示す断面構造からも判
る通り、電極層１０８に寄生する容量は、ゲート絶縁膜
１０７による容量Ｃａ、Ｐウェル１０２とＮ型不純物層
１０４との間の空乏層容量Ｃｂ、及び遮光膜１１０と間
の容量Ｃｃによって決まる。つまり、寄生容量Ｃは、Ｃ
＝Ｃ´＋Ｃｃ、である（Ｃ´は、ＣａとＣｂの直列容量
を表す）。また、この容量Ｃの充放電によって生じる消
費電力Ｐは、駆動周波数をｆとすると、Ｐ＝ＣＶ2 ｆ、
で表される。
【００１１】例えば、２／３インチ光学系の固体撮像装
置の場合であって、遮光膜１１０が金属等の導体膜であ
る場合は、水平ＣＣＤレジスタに寄生する総容量は、４
５０〜５００ｐＦとなる。これを４０ＭＨｚ、５Ｖで駆
動した場合、その消費電力は、０．４５Ｗ〜０．５０Ｗ
となる。
置の場合であって、遮光膜１１０が金属等の導体膜であ
る場合は、水平ＣＣＤレジスタに寄生する総容量は、４
５０〜５００ｐＦとなる。これを４０ＭＨｚ、５Ｖで駆
動した場合、その消費電力は、０．４５Ｗ〜０．５０Ｗ
となる。
【００１２】ＣＣＤ型固体撮像装置における消費電力
は、その駆動周波数が、水平ＣＣＤレジスタで１０ＭＨ
ｚ、垂直ＣＣＤレジスタで数１０ＫＨｚであることか
ら、大部分が、水平ＣＣＤレジスタによるものである。
近年、画像の高精細化が進み、画素数が増大しているに
もかかわらず、動画像を撮像する場合には、フレーム周
波数が規定（３０Ｈｚ）されていることから、画素数の
増大に伴い、水平ＣＣＤレジスタの駆動はより高速にし
なければならない。しかしながら、駆動周波数の増大
は、消費電力の増加を招く。これは、固体撮像装置を携
帯用カメラなどに使用した場合、電池の消耗を早くする
等の問題を招く。
は、その駆動周波数が、水平ＣＣＤレジスタで１０ＭＨ
ｚ、垂直ＣＣＤレジスタで数１０ＫＨｚであることか
ら、大部分が、水平ＣＣＤレジスタによるものである。
近年、画像の高精細化が進み、画素数が増大しているに
もかかわらず、動画像を撮像する場合には、フレーム周
波数が規定（３０Ｈｚ）されていることから、画素数の
増大に伴い、水平ＣＣＤレジスタの駆動はより高速にし
なければならない。しかしながら、駆動周波数の増大
は、消費電力の増加を招く。これは、固体撮像装置を携
帯用カメラなどに使用した場合、電池の消耗を早くする
等の問題を招く。
【００１３】この問題を解決するには、水平ＣＣＤレジ
スタの駆動電圧を下げることはもちろんであるが、水平
ＣＣＤレジスタの電極層に寄生する容量を低減すること
が必要である。
スタの駆動電圧を下げることはもちろんであるが、水平
ＣＣＤレジスタの電極層に寄生する容量を低減すること
が必要である。
【００１４】電極の容量を低減する方法として、特開昭
６１−２８０６５９号に開示されている方法がある。こ
の方法は、密着形一次元イメージセンサに関するもので
は、あるが、電極の容量を低減するために遮光膜として
黒色樹脂を用いている。
６１−２８０６５９号に開示されている方法がある。こ
の方法は、密着形一次元イメージセンサに関するもので
は、あるが、電極の容量を低減するために遮光膜として
黒色樹脂を用いている。
【００１５】図１２に、このイメージセンサの平面図を
示し、図１３に、図１２におけるＺ−Ｚ´線断面図を示
す。図１２及び図１３に示すように、このイメージセン
サでは、ガラス基板１２１上に複数の個別電極１２２が
形成されており、その上にアモルファスシリコン製の光
電変換膜１２３が形成されている。そして、光電変換膜
１２３の上には、透明電極１２４が形成され、その上
に、開口部１２５形成するよう、遮光膜１２６及び１２
７が形成されている。２つの遮光膜のうち、遮光膜１２
６は金属製であるが、個別電極１２２に対向する遮光膜
１２７は、黒色樹脂製のものである。
示し、図１３に、図１２におけるＺ−Ｚ´線断面図を示
す。図１２及び図１３に示すように、このイメージセン
サでは、ガラス基板１２１上に複数の個別電極１２２が
形成されており、その上にアモルファスシリコン製の光
電変換膜１２３が形成されている。そして、光電変換膜
１２３の上には、透明電極１２４が形成され、その上
に、開口部１２５形成するよう、遮光膜１２６及び１２
７が形成されている。２つの遮光膜のうち、遮光膜１２
６は金属製であるが、個別電極１２２に対向する遮光膜
１２７は、黒色樹脂製のものである。
【００１６】このように、遮光膜として樹脂製の遮光膜
を用いると、電極の容量を低減することが可能で、理論
的には、図１１に示す容量Ｃｃをほぼゼロにすることが
でき、上述した条件の下で、総容量は、２７０〜３００
ｐＦ（約４０％減）となり、その消費電力は、０．２７
〜０．３Ｗとなる。
を用いると、電極の容量を低減することが可能で、理論
的には、図１１に示す容量Ｃｃをほぼゼロにすることが
でき、上述した条件の下で、総容量は、２７０〜３００
ｐＦ（約４０％減）となり、その消費電力は、０．２７
〜０．３Ｗとなる。
【００１７】しかしながら、固体撮像装置では、一次元
イメージセンサのように、遮光膜が２分割されておら
ず、単一層なので、この技術をそのまま固体撮像装置に
利用することはできない。
イメージセンサのように、遮光膜が２分割されておら
ず、単一層なので、この技術をそのまま固体撮像装置に
利用することはできない。
【００１８】また、樹脂遮光膜は、金属膜に比べ、遮光
性能が劣るという大きな問題がある。即ち、金属膜を用
いた場合は、０．３μｍ程度の厚さで、入射光を１／１
０6以下に減衰させることができ、撮像装置に必要な１
００ｄＢ以上の遮光性能が得られる。これに対して、黒
色樹脂膜では、膜厚を１μｍとしても、その遮光性能
は、入射光を高々１／１００〜１／数１００に減衰させ
る程度である。
性能が劣るという大きな問題がある。即ち、金属膜を用
いた場合は、０．３μｍ程度の厚さで、入射光を１／１
０6以下に減衰させることができ、撮像装置に必要な１
００ｄＢ以上の遮光性能が得られる。これに対して、黒
色樹脂膜では、膜厚を１μｍとしても、その遮光性能
は、入射光を高々１／１００〜１／数１００に減衰させ
る程度である。
【００１９】固体撮像装置のイメージ領域には、局所的
に輝度の高い光、例えば太陽光等が入射する場合があ
る。これは標準被写体輝度の１０００倍以上の高輝度で
ある。したがって、遮光膜の遮光性能が不十分だと、遮
光膜を透過した光により垂直ＣＣＤレジスタ内で光電変
換が発生し、信号に偽信号が重畳されてしまう。この偽
信号は、撮像画面上に白い縦スジ状の画像傷となって表
れ、画質を大きく劣化させる。これを防ぐためには、樹
脂遮光膜の厚さを数μｍ程度に厚くする必要があるが、
樹脂膜を解像度良くパターン形成することは困難で、特
に、厚い樹脂遮光膜に、フォトダイオードに光を入射さ
せるための開口（幅２〜３μｍ）を精度良く形成するこ
とはできない。
に輝度の高い光、例えば太陽光等が入射する場合があ
る。これは標準被写体輝度の１０００倍以上の高輝度で
ある。したがって、遮光膜の遮光性能が不十分だと、遮
光膜を透過した光により垂直ＣＣＤレジスタ内で光電変
換が発生し、信号に偽信号が重畳されてしまう。この偽
信号は、撮像画面上に白い縦スジ状の画像傷となって表
れ、画質を大きく劣化させる。これを防ぐためには、樹
脂遮光膜の厚さを数μｍ程度に厚くする必要があるが、
樹脂膜を解像度良くパターン形成することは困難で、特
に、厚い樹脂遮光膜に、フォトダイオードに光を入射さ
せるための開口（幅２〜３μｍ）を精度良く形成するこ
とはできない。
【００２０】開口部の寸法精度が悪いと、各フォトダイ
オードが光を受ける面積ばらつき、結果として感度にば
らつきが生じる。このため、シェーディングなどの現象
として撮像画面に表れ、その画質を大きく劣化させてし
まう。
オードが光を受ける面積ばらつき、結果として感度にば
らつきが生じる。このため、シェーディングなどの現象
として撮像画面に表れ、その画質を大きく劣化させてし
まう。
【００２１】また、固体撮像装置は、マイクロレンズを
有しているため、遮光膜が厚くなると、その焦点距離を
長くしなければならない。焦点距離が長くなると、固体
撮像装置に入射する光のうち、斜め方向成分が遮光膜の
開口から外れて、ケラれ安くなるため、カメラレンズの
絞りを開いた場合には、実効感度が低下するという問題
も発生する。
有しているため、遮光膜が厚くなると、その焦点距離を
長くしなければならない。焦点距離が長くなると、固体
撮像装置に入射する光のうち、斜め方向成分が遮光膜の
開口から外れて、ケラれ安くなるため、カメラレンズの
絞りを開いた場合には、実効感度が低下するという問題
も発生する。
【００２２】なお、特開平４−３３７６６７号公報に
も、遮光膜として黒色染色層を開示されているが、上記
のような問題が生じることについての示唆等は全く記載
されていない。
も、遮光膜として黒色染色層を開示されているが、上記
のような問題が生じることについての示唆等は全く記載
されていない。
【００２３】本発明は、画質の劣化を招くことなく、電
極の容量を低減でき、高周波駆動が可能な、固体撮像装
置を提供することを目的とする。
極の容量を低減でき、高周波駆動が可能な、固体撮像装
置を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は、垂直ＣＣＤレ
ジスタ及び水平ＣＣＤレジスタと、これら垂直ＣＣＤレ
ジスタ上及び水平ＣＣＤレジスタ上に形成され、当該垂
直ＣＣＤレジスタ及び水平ＣＣＤレジスタにそれぞれ入
射する光を遮る遮光膜とを有する固体撮像装置におい
て、前記垂直ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光膜と、
前記水平ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光膜とを、互
いに異なる材料で形成したことを特徴とする。
ジスタ及び水平ＣＣＤレジスタと、これら垂直ＣＣＤレ
ジスタ上及び水平ＣＣＤレジスタ上に形成され、当該垂
直ＣＣＤレジスタ及び水平ＣＣＤレジスタにそれぞれ入
射する光を遮る遮光膜とを有する固体撮像装置におい
て、前記垂直ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光膜と、
前記水平ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光膜とを、互
いに異なる材料で形成したことを特徴とする。
【００２５】前記水平ＣＣＤレジスタ上に形成される遮
光膜は、樹脂製の遮光膜が使用できる。
光膜は、樹脂製の遮光膜が使用できる。
【００２６】また、本発明は、複数の光電変換素子と、
該複数の光電変換素子の各々上に形成される互いに異な
る分光特性を有する３種のカラーフィルタ層とをさらに
有する前記固体撮像装置において、前記水平ＣＣＤレジ
スタ上に形成される遮光膜は、前記３種のカラーフィル
タ層を積層することにより構成したことを特徴とする。
該複数の光電変換素子の各々上に形成される互いに異な
る分光特性を有する３種のカラーフィルタ層とをさらに
有する前記固体撮像装置において、前記水平ＣＣＤレジ
スタ上に形成される遮光膜は、前記３種のカラーフィル
タ層を積層することにより構成したことを特徴とする。
【００２７】前記水平ＣＣＤレジスタ上に形成される遮
光膜は、前記垂直ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光膜
の一部を覆うように形成されていてもよい。
光膜は、前記垂直ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光膜
の一部を覆うように形成されていてもよい。
【００２８】具体的には、前記水平ＣＣＤレジスタ上に
形成される遮光膜は、前記垂直ＣＣＤレジスタの最終電
荷転送電極の上にまで形成されていてもよい。
形成される遮光膜は、前記垂直ＣＣＤレジスタの最終電
荷転送電極の上にまで形成されていてもよい。
【００２９】あるいは、複数の光電変換素子を有する前
記固体撮像装置において、前記水平ＣＣＤレジスタ上に
形成される遮光膜が、前記複数の光電変換素子のうち垂
直方向最終段の光電変換素子に接続された前記垂直ＣＣ
Ｄレジスタの電荷転送電極の上にまで形成されていても
よい。
記固体撮像装置において、前記水平ＣＣＤレジスタ上に
形成される遮光膜が、前記複数の光電変換素子のうち垂
直方向最終段の光電変換素子に接続された前記垂直ＣＣ
Ｄレジスタの電荷転送電極の上にまで形成されていても
よい。
【００３０】また本発明は、前記水平ＣＣＤレジスタに
接続され、該水平ＣＣＤレジスタにより転送されてきた
電荷を電圧に変換する電圧変換部を含む周辺回路をさら
に備えた前記固体撮像装置において、前記垂直ＣＣＤレ
ジスタ上に形成される遮光膜を、前記電圧変換部以外の
周辺回路上にも形成したことを特徴とする。
接続され、該水平ＣＣＤレジスタにより転送されてきた
電荷を電圧に変換する電圧変換部を含む周辺回路をさら
に備えた前記固体撮像装置において、前記垂直ＣＣＤレ
ジスタ上に形成される遮光膜を、前記電圧変換部以外の
周辺回路上にも形成したことを特徴とする。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００３２】図１に、本発明の第１の実施の形態を示
す。ここで、従来と同一のものには同一番号を付し、そ
の説明を省略する。
す。ここで、従来と同一のものには同一番号を付し、そ
の説明を省略する。
【００３３】図１に示すように、本実施の形態による２
次元固体撮像装置は、垂直ＣＣＤレジスタ８３を含むイ
メージ領域８１上に形成された金属または金属シリサイ
ドからなる遮光膜（右上がりのハッチングで示す）と、
水平ＣＣＤレジスタ８５上に形成された樹脂製の遮光膜
（右下がりのハッチングで示す）とを有している。
次元固体撮像装置は、垂直ＣＣＤレジスタ８３を含むイ
メージ領域８１上に形成された金属または金属シリサイ
ドからなる遮光膜（右上がりのハッチングで示す）と、
水平ＣＣＤレジスタ８５上に形成された樹脂製の遮光膜
（右下がりのハッチングで示す）とを有している。
【００３４】図２に、水平ＣＣＤレジスタ８５の電荷転
送方向の部分断面図を示す。図１１に示す垂直ＣＣＤレ
ジスタ８３の構造と比較すると、遮光膜１１０に代えて
樹脂遮光膜２０が使用されている点で異なっている。ま
た、樹脂遮光膜２０は、絶縁性なので、絶縁膜１１１が
不要になっている。その他については、垂直ＣＣＤレジ
スタ８３と水平ＣＣＤレジスタ８５とは、基本的に同一
構造となっている。
送方向の部分断面図を示す。図１１に示す垂直ＣＣＤレ
ジスタ８３の構造と比較すると、遮光膜１１０に代えて
樹脂遮光膜２０が使用されている点で異なっている。ま
た、樹脂遮光膜２０は、絶縁性なので、絶縁膜１１１が
不要になっている。その他については、垂直ＣＣＤレジ
スタ８３と水平ＣＣＤレジスタ８５とは、基本的に同一
構造となっている。
【００３５】このように、本実施の形態では、導電性を
有していない樹脂遮光膜２０を使用するので、電極層１
０８´と樹脂遮光膜２０との間の容量Ｃｃがほぼゼロと
なり、電極層１０８´に寄生する総容量は、従来よりも
約４０％低減される。
有していない樹脂遮光膜２０を使用するので、電極層１
０８´と樹脂遮光膜２０との間の容量Ｃｃがほぼゼロと
なり、電極層１０８´に寄生する総容量は、従来よりも
約４０％低減される。
【００３６】図３に、図１のＡ−Ａ´線断面図を示す。
図の右側が、垂直ＣＣＤレジスタ８３であり、図の左側
が、水平レジスタ８５である。垂直ＣＣＤレジスタ８３
の上に形成される遮光膜１１０は、垂直ＣＣＤレジスタ
８３の電極層１０８のうちの最終電極上で終端されてい
る。一方、水平ＣＣＤレジスタ８５の上に形成される樹
脂遮光膜２０は、水平ＣＣＤレジスタ８３の電極層１０
８´のみならず、しぃちょくＣＣＤレジスタ８３の最終
電極の一部をも覆うように、また、遮光膜１１０と端部
が重なり合うように形成されている。遮光膜１１０と樹
脂遮光膜２０の端部同士を重ね合わせることで、これら
の遮光膜の境界部分からの光の進入を阻止できる。
図の右側が、垂直ＣＣＤレジスタ８３であり、図の左側
が、水平レジスタ８５である。垂直ＣＣＤレジスタ８３
の上に形成される遮光膜１１０は、垂直ＣＣＤレジスタ
８３の電極層１０８のうちの最終電極上で終端されてい
る。一方、水平ＣＣＤレジスタ８５の上に形成される樹
脂遮光膜２０は、水平ＣＣＤレジスタ８３の電極層１０
８´のみならず、しぃちょくＣＣＤレジスタ８３の最終
電極の一部をも覆うように、また、遮光膜１１０と端部
が重なり合うように形成されている。遮光膜１１０と樹
脂遮光膜２０の端部同士を重ね合わせることで、これら
の遮光膜の境界部分からの光の進入を阻止できる。
【００３７】なお、イメージ領域８１に形成される画素
のうち、水平ＣＣＤ側に位置する数画素では、遮光膜に
開口が設けられず、いわゆるオプティカルブラックを検
出するための画素として利用される。つまり、これらの
画素のフォトダイオードでは、光電変換は行なわれな
い。したがって、遮光膜１１０と樹脂遮光膜２０との境
界は、これらの画素状としても構わない。
のうち、水平ＣＣＤ側に位置する数画素では、遮光膜に
開口が設けられず、いわゆるオプティカルブラックを検
出するための画素として利用される。つまり、これらの
画素のフォトダイオードでは、光電変換は行なわれな
い。したがって、遮光膜１１０と樹脂遮光膜２０との境
界は、これらの画素状としても構わない。
【００３８】以上のように、本実施の形態では、水平Ｃ
ＣＤレジスタ８５上の遮光膜として樹脂遮光膜２０を用
いることで、その電極層１０８´に寄生する容量を低減
でき、その結果、消費電力を減少させることができる。
ＣＤレジスタ８５上の遮光膜として樹脂遮光膜２０を用
いることで、その電極層１０８´に寄生する容量を低減
でき、その結果、消費電力を減少させることができる。
【００３９】なお、樹脂遮光膜２０は、金属等の遮光膜
に比べると光を遮断する能力において劣っているが、水
平ＣＣＤレジスタは、１０ＭＨｚ以上の高速で動作する
ものであるから、水平走査期間で信号電荷に重畳される
偽信号量は、無視できるほど小さい。
に比べると光を遮断する能力において劣っているが、水
平ＣＣＤレジスタは、１０ＭＨｚ以上の高速で動作する
ものであるから、水平走査期間で信号電荷に重畳される
偽信号量は、無視できるほど小さい。
【００４０】次に、図４（ａ）及び（ｂ）を参照して、
上記固体撮像装置の製造方法について説明する。
上記固体撮像装置の製造方法について説明する。
【００４１】まず、Ｎ型半導体基板１０１上に、Ｐウェ
ル１０２を形成し、Ｎ型不純物層１０４やＰ型高濃度不
純物領域１０６等の不純物拡散層を形成する。次に、不
純物拡散層が形成されたＰウェル１０２の表面にゲート
絶縁膜１０７を形成する。そして、金属膜と絶縁膜の形
成パターニングを繰り返して、所定形状、所定配置の電
極層１０８及び１０８´と絶縁膜１０９を形成する。さ
らに、所定領域に遮光膜１１０を形成して、絶縁膜１１
１で覆う。ここまでの工程は、周知の技術を用いて、従
来と同様に行なわれる。
ル１０２を形成し、Ｎ型不純物層１０４やＰ型高濃度不
純物領域１０６等の不純物拡散層を形成する。次に、不
純物拡散層が形成されたＰウェル１０２の表面にゲート
絶縁膜１０７を形成する。そして、金属膜と絶縁膜の形
成パターニングを繰り返して、所定形状、所定配置の電
極層１０８及び１０８´と絶縁膜１０９を形成する。さ
らに、所定領域に遮光膜１１０を形成して、絶縁膜１１
１で覆う。ここまでの工程は、周知の技術を用いて、従
来と同様に行なわれる。
【００４２】次に、樹脂膜を回転塗布法等の手法を用い
て、０．５〜１μｍ程度の厚さに形成する（図４
（ａ））。そして、周知の技術を用いて、所定領域にの
み樹脂膜を残し、樹脂遮光膜２０とすべく、他の領域の
樹脂膜を除去する。
て、０．５〜１μｍ程度の厚さに形成する（図４
（ａ））。そして、周知の技術を用いて、所定領域にの
み樹脂膜を残し、樹脂遮光膜２０とすべく、他の領域の
樹脂膜を除去する。
【００４３】次に、平坦化膜１１２の一部となる透明樹
脂層を回転塗布法で形成する。そして、この透明樹脂層
の表面の所定位置に、周知の技術を用いてカラーフィル
タ層１１３が形成される（図４（ｂ））。ここで、カラ
ーフィルタ層は、ＲＧＢの各色に対応して３色あるの
で、カラーフィルタ層１１３の形成は３度に亘って形成
される。
脂層を回転塗布法で形成する。そして、この透明樹脂層
の表面の所定位置に、周知の技術を用いてカラーフィル
タ層１１３が形成される（図４（ｂ））。ここで、カラ
ーフィルタ層は、ＲＧＢの各色に対応して３色あるの
で、カラーフィルタ層１１３の形成は３度に亘って形成
される。
【００４４】この後、平坦化膜１１２となる透明樹脂層
を回転塗布してカラーフィルタ層を埋め込むと共に、正
面を平坦化しする。そして、最後に、マイクロレンズ１
１４を形成して図３に示す固体撮像装置が得られる。
を回転塗布してカラーフィルタ層を埋め込むと共に、正
面を平坦化しする。そして、最後に、マイクロレンズ１
１４を形成して図３に示す固体撮像装置が得られる。
【００４５】次に図５を参照して、本発明の第２の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００４６】本実施の形態による固体撮像装置では、第
１の実施の形態による固体撮像装置とは異なり、樹脂遮
光膜２０が平坦化膜１１２の表面に形成されている。こ
の構造は、マイクロレンズ１１４を形成した後、樹脂遮
光膜２０を形成することにより実現できる。この構造に
よれば、樹脂遮光膜２０の厚さを制限するような条件が
無いので、その厚さを数μｍにすることができる。した
がって、樹脂遮光膜２０であっても、金属膜等に迫る遮
光性能を得ることができる。
１の実施の形態による固体撮像装置とは異なり、樹脂遮
光膜２０が平坦化膜１１２の表面に形成されている。こ
の構造は、マイクロレンズ１１４を形成した後、樹脂遮
光膜２０を形成することにより実現できる。この構造に
よれば、樹脂遮光膜２０の厚さを制限するような条件が
無いので、その厚さを数μｍにすることができる。した
がって、樹脂遮光膜２０であっても、金属膜等に迫る遮
光性能を得ることができる。
【００４７】次に図６を参照して、本発明の第３の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００４８】本実施の形態による固体撮像装置では、樹
脂遮光膜２０ではなく、カラーフィルタ層１１３が利用
される。即ち、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ層
１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃを重ね合わせて遮光
膜としている。各カラーフィルタ層１１３は、それぞれ
の色に応じて特定波長領域の光を減衰させるため、３層
全てを透過する光の強度は大幅に弱められ、樹脂遮光膜
２０を設けた場合と同様の遮光効果が得られる。
脂遮光膜２０ではなく、カラーフィルタ層１１３が利用
される。即ち、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ層
１１３ａ、１１３ｂ、及び１１３ｃを重ね合わせて遮光
膜としている。各カラーフィルタ層１１３は、それぞれ
の色に応じて特定波長領域の光を減衰させるため、３層
全てを透過する光の強度は大幅に弱められ、樹脂遮光膜
２０を設けた場合と同様の遮光効果が得られる。
【００４９】この固体撮像装置は、次のようにして得ら
れる。即ち、カラーフィルタ層１１３を形成する直前ま
での工程は、第２の実施の形態と同じであり、樹脂遮光
膜２０の形成工程を除いた第１の実施の形態と同じであ
る。その後、カラーフィルタ層１１３の形成を行なう際
に、水平ＣＣＤレジスタの上にもカラーフィルタ層を形
成する。ここで、各画素には、ＲＧＢのいずれか一色の
カラーフィルタ層１１３を対応させるために、３度に亘
ってカラーフィルタ層の形成が行なわれるが、水平ＣＣ
Ｄレジスタ上には、全て（３色）のカラーフィルタ層１
１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃを形成する。このように、
本実施の形態では、特別な遮光膜を形成するのではな
く、本来必要とされるカラーフィルタ層を利用するの
で、製造工程が簡略化される。
れる。即ち、カラーフィルタ層１１３を形成する直前ま
での工程は、第２の実施の形態と同じであり、樹脂遮光
膜２０の形成工程を除いた第１の実施の形態と同じであ
る。その後、カラーフィルタ層１１３の形成を行なう際
に、水平ＣＣＤレジスタの上にもカラーフィルタ層を形
成する。ここで、各画素には、ＲＧＢのいずれか一色の
カラーフィルタ層１１３を対応させるために、３度に亘
ってカラーフィルタ層の形成が行なわれるが、水平ＣＣ
Ｄレジスタ上には、全て（３色）のカラーフィルタ層１
１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃを形成する。このように、
本実施の形態では、特別な遮光膜を形成するのではな
く、本来必要とされるカラーフィルタ層を利用するの
で、製造工程が簡略化される。
【００５０】なお、図６に示す固体撮像装置では、水平
ＣＣＤレジスタ８５上に形成される３層のカラーフィル
タ層は、その端部が全て重なり合うように形成してある
が、図７に示すように、上の層の端部が下の層の端部よ
りも後退するように形成してもよい。また、逆に、上の
層の端部が下の層の端部よりも垂直ＣＣＤレジスタ側に
伸びるように形成してもよい。このように、３つのカラ
ーフィルタ層の端部をずらすようにしたことで、カラー
フィルタ層の端部に生じる段差の影響が、より上層のカ
ラーフィルタ層の形成時に現れにくくなる。つまり、上
層のカラーフィルタ層形成時のパターン形成精度が向上
する。また、平坦化層１１２の表面にも、カラーフィル
タ層の端部による段差の影響が現れにくくなり、マイク
ロレンズのパターン形成精度が向上する。
ＣＣＤレジスタ８５上に形成される３層のカラーフィル
タ層は、その端部が全て重なり合うように形成してある
が、図７に示すように、上の層の端部が下の層の端部よ
りも後退するように形成してもよい。また、逆に、上の
層の端部が下の層の端部よりも垂直ＣＣＤレジスタ側に
伸びるように形成してもよい。このように、３つのカラ
ーフィルタ層の端部をずらすようにしたことで、カラー
フィルタ層の端部に生じる段差の影響が、より上層のカ
ラーフィルタ層の形成時に現れにくくなる。つまり、上
層のカラーフィルタ層形成時のパターン形成精度が向上
する。また、平坦化層１１２の表面にも、カラーフィル
タ層の端部による段差の影響が現れにくくなり、マイク
ロレンズのパターン形成精度が向上する。
【００５１】以上、本発明の実施の形態として、ＣＣＤ
型固体撮像装置について説明してきたが、例えば、ＣＭ
ＯＳ回路を用いた撮像装置など、他の方式を採用する固
体撮像装置にも利用できる。
型固体撮像装置について説明してきたが、例えば、ＣＭ
ＯＳ回路を用いた撮像装置など、他の方式を採用する固
体撮像装置にも利用できる。
【００５２】また、遮光膜は、周辺回路の上にも設ける
ようにしても構わない。ただし、電圧変換部等の例外が
ある。
ようにしても構わない。ただし、電圧変換部等の例外が
ある。
【００５３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、水
平ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光膜として、イメー
ジ領域に形成される遮光膜とは異なる材料を用いるよう
にしたことで、固体撮像装置の消費電力の低減と、高画
質を両立することができる。また、より高速での駆動が
可能になる。
平ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光膜として、イメー
ジ領域に形成される遮光膜とは異なる材料を用いるよう
にしたことで、固体撮像装置の消費電力の低減と、高画
質を両立することができる。また、より高速での駆動が
可能になる。
【００５４】具体的には、樹脂製の遮光膜やカラーフィ
ルタ層を水平ＣＣＤレジスタ上に形成することで、電荷
転送用の電極層に寄生する容量を、従来より約４０％低
減できるので、固体撮像装置の総消費電力を約４０％低
減することができる。また、イメージ領域には従来通り
の金属等の遮光膜を用いるので、高輝度被写体に対する
画質の低下も、製造ばらつきにより画質の低下もなく、
低消費電力と高画質を両立させることができる。さら
に、電極に寄生する容量が小さいので、パルス電圧を印
加するパルス回路の負担が小さく、パルス波形のなまり
も少なくなるので、より高速の動作が可能になる。
ルタ層を水平ＣＣＤレジスタ上に形成することで、電荷
転送用の電極層に寄生する容量を、従来より約４０％低
減できるので、固体撮像装置の総消費電力を約４０％低
減することができる。また、イメージ領域には従来通り
の金属等の遮光膜を用いるので、高輝度被写体に対する
画質の低下も、製造ばらつきにより画質の低下もなく、
低消費電力と高画質を両立させることができる。さら
に、電極に寄生する容量が小さいので、パルス電圧を印
加するパルス回路の負担が小さく、パルス波形のなまり
も少なくなるので、より高速の動作が可能になる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置
の概略図である。
の概略図である。
【図２】図１の固体撮像装置の水平ＣＣＤレジスタの電
荷転送方向の部分断面図である。
荷転送方向の部分断面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ´線断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、図１の固体撮像装置の製
造方法を説明するための図である。
造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す部分断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の第３の実施の形態を示す部分断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明の第３の実施の形態における変形例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図８】従来の２次元固体撮像装置の構成を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図９】図８の固体撮像装置における遮光膜の配置を説
明するための図である。
明するための図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ´線断面図である。
【図１１】図９のＹ−Ｙ´線断面図である。
【図１２】従来の樹脂性遮光膜を用いた１次元イメージ
センサの平面図である。
センサの平面図である。
【図１３】図１２のＺ−Ｚ´線断面図である。 ２０ 樹脂遮光膜 ８１ イメージ領域 ８２ フォトダイオード ８３ 垂直ＣＣＤレジスタ ８４ 読出しゲート ８５ 水平ＣＣＤレジスタ ８６ 電荷検出部 ８７ 増幅部 ９１ 開口部 １０１ Ｎ型半導体基板 １０２ Ｐ型ウェル １０３ Ｎ型領域 １０４ Ｎ型不純物層 １０５ Ｐ型不純物層 １０６ Ｐ型高濃度不純物領域 １０７ ゲート絶縁膜 １０８ 電極層 １０９ 絶縁膜 １１０ 遮光膜 １１１ 絶縁膜 １１２ 平坦化膜 １１３ カラーフィルタ層 １１４ マイクロレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−28770（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−287961（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−230768（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−169078（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94694（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 H01L 27/148 H04N 5/335
Claims (7)
- 【請求項１】 垂直ＣＣＤレジスタ及び水平ＣＣＤレジ
スタと、これら垂直ＣＣＤレジスタ上及び水平ＣＣＤレ
ジスタ上に形成され、当該垂直ＣＣＤレジスタ及び水平
ＣＣＤレジスタにそれぞれ入射する光を遮る遮光膜とを
有する固体撮像装置において、前記垂直ＣＣＤレジスタ
上に形成される遮光膜と、前記水平ＣＣＤレジスタ上に
形成される遮光膜とを、互いに異なる材料で形成したこ
とを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記水平ＣＣＤレジスタ上に形成される
遮光膜が、樹脂製の遮光膜であることを特徴とする請求
項１の固体撮像装置。 - 【請求項３】 複数の光電変換素子と、該複数の光電変
換素子の各々上に形成される互いに異なる分光特性を有
する３種のカラーフィルタ層とを有する請求項１の固体
撮像装置において、前記水平ＣＣＤレジスタ上に形成さ
れる遮光膜が、前記３種のカラーフィルタ層を積層する
ことにより構成されていることを特徴とする固体撮像装
置。 - 【請求項４】 前記水平ＣＣＤレジスタ上に形成される
遮光膜が、前記垂直ＣＣＤレジスタ上に形成される遮光
膜の一部を覆うように形成されていることを特徴とする
請求項１、２、または３の固体撮像装置。 - 【請求項５】 前記水平ＣＣＤレジスタ上に形成される
遮光膜が、前記垂直ＣＣＤレジスタの最終電荷転送電極
の上にまで形成されていることを特徴とする請求項４の
固体撮像装置。 - 【請求項６】 複数の光電変換素子を有する請求項４の
固体撮像装置において、前記水平ＣＣＤレジスタ上に形
成される遮光膜が、前記複数の光電変換素子のうち垂直
方向最終段の光電変換素子に接続された前記垂直ＣＣＤ
レジスタの電荷転送電極の上にまで形成されていること
を特徴とする請求項４の固体撮像装置。 - 【請求項７】 前記水平ＣＣＤレジスタに接続され、該
水平ＣＣＤレジスタにより転送されてきた電荷を電圧に
変換する電圧変換部を含む周辺回路を備えた請求項１乃
至６のいずれかの固体撮像装置において、前記垂直ＣＣ
Ｄレジスタ上に形成される遮光膜を、前記電圧変換部以
外の周辺回路上にも形成したことを特徴とする固体撮像
装置。
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| JP34046797A JP3180748B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 固体撮像装置 |
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- 1997-12-11 JP JP34046797A patent/JP3180748B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1998
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