JP4431990B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4431990B2 JP4431990B2 JP2005360857A JP2005360857A JP4431990B2 JP 4431990 B2 JP4431990 B2 JP 4431990B2 JP 2005360857 A JP2005360857 A JP 2005360857A JP 2005360857 A JP2005360857 A JP 2005360857A JP 4431990 B2 JP4431990 B2 JP 4431990B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding film
- transfer
- light
- charge transfer
- horizontal charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 56
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 233
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 135
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 7
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/14843—Interline transfer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
また、撮像部はマトリクス状に配列された受光部108と各受光部の垂直列毎に設けられて各受光部からの電荷を転送する垂直電荷転送部109とにより構成され、第1の水平電荷転送部と第2の水平電荷転送部との間には水平電荷転送部間転送電極(以下、「H−H転送電極」と称する。)110が設けられている。
即ち、H−H転送を実現するためには、先ず、第1の水平電荷転送部と第2の水平電荷転送部間にイオン注入を行なって、図6中符合Xで示す領域の部分拡大断面図ある図8(a)で示す様に、転送チャネル領域111及びチャネルストップ領域112を形成した後に、転送チャネル領域及びチャネルストップ領域の上にH−H転送電極(第1層目の電極)を第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部と並行に配置する(図8(b)参照。)。
次に、第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部に共通の水平転送電極を形成するのであるが、一般に水平電荷転送部はストレージ部及びトランスファー部を有するために2層の水平転送電極を形成する。具体的には、図8(c)で示す様に、第2層目の水平転送電極113を形成し、続いて、図8(d)で示す様に、第3層目の水平転送電極114を形成するのである。
以上の様な構成を採ることによって、タイミング信号発生回路から図7で示すタイミングでH−H転送クロックHHGφをH−H電極に印加し、H−H電極に印加されたH−H転送クロックが転送チャネル領域に印加されることによって、H−H転送が実現するのである。
また、第3層目の水平転送電極の上層にも各種の積層を行なうのであるが、段差を有するために、これらの層の形成にも悪影響を及ぼす恐れが考えられる。
即ち、第1の遮光膜をシャント配線として機能させることでH−H転送電極の抵抗値が充分に小さいために、H−H転送電極の薄膜化が可能となるのである。
また、第1の遮光膜をシャント配線として利用しているために、即ち、第1の遮光膜に遮光膜としての機能とシャント配線としての機能を兼ねさせているために、新たなシャント配線を形成する必要が無く、工程を増加することなくシャント構造を実現することができる。
即ち、第1の遮光膜をシャント配線として機能させる場合には、第1の遮光膜にはH−H転送クロックが印加されることになるが、第1の遮光膜と第2の遮光膜が電気的に接続されていると、第2の遮光膜にもH−H転送クロックが印加されてしまい、第2の遮光膜はオプティカルブラック領域の画素上の遮光膜でもあることから、画素に蓄積している信号電荷へ悪影響を及ぼすことが考えられる。そこで、第1の遮光膜と第2の遮光膜間に電気的に絶縁される間隙を形成して、第2の遮光膜にH−H転送クロックが印加されないようにしているのである。
即ち、第1の遮光膜を構成する材料(例えばアルミニウム)とH−H転送電極を構成する材料(例えばポリシリコン)とが電気的に接続される場合には、両者の仕事関数が異なることからポテンシャルシフトが発生すると考えられている(米本和也、阿部秀司,「HDTV用200万画素FIT−CCDイメージセンサ」,電子情報学会,平成2年6月,VLD90−22、ICD90−58,参考資料1参照。)。そして、ポテンシャルシフトが発生すると、第1の遮光膜とH−H転送電極の接続点におけるポテンシャルが不均一に変化し、第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の大幅な水平転送劣化を招いてしまう。
従って、H−H転送に影響を及ぼす転送チャネル領域の上方でポテンシャルシフトを発生させないように、換言すると、H−H転送には影響を及ぼしにくいチャネルストップ領域の上方でポテンシャルシフトが発生する様に、チャネルストップ領域の上方でH−H転送電極と第1の遮光膜とを電気的に接続して第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の水平転送劣化を抑制しているのである。
従って、チャネルストップ領域の上方でH−H転送電極と第1の遮光膜とを電気的に接続し、チャネルストップ領域の上方でポテンシャルシフトを発生させることで、元来グランド電位が印加されているチャネルストップ領域の電位をよりグランド電位へ近づける様に作用させることができ、有益にこそなれ、全く問題にはならない。
また、H−H転送を実現すべく図8で示す様な3層構造を採用したとしても、H−H転送電極の薄膜化が実現することによって、段差を小さくすることができ、段差に起因するプロセス加工上の不具合を解消することができる。
図1は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるCCD固体撮像装置を説明するための模式図であり、図2(図2(a)は模式的な平面図、図2(b)は模式的な斜視図)は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるCCD固体撮像装置の遮光膜(第1の遮光膜、第2の遮光膜及び第3の遮光膜)を説明するための模式図である。なお、図示の便宜上、図2(b)では、第2層目の水平転送電極及び第3層目の水平転送電極の図示を省略している。
また、撮像部はマトリクス状に配列された受光部8と各受光部の垂直列毎に設けられて各受光部からの電荷を転送する垂直電荷転送部9とにより構成されている。
そして、H−H転送電極の薄膜化の実現によって、H−H転送を実現するために3層構造(第1層目のH−H転送電極、第2層目の水平転送電極及び第3層目の水平転送電極の3層構造)を採用した場合における段差に起因するプロセス加工上の不具合を解消することができる。
なお、シャント配線として既存の第1の遮光膜を利用しているために、新たにシャント配線を形成することなくH−H転送電極の低抵抗化が実現する。
先ず、従来の固体撮像装置における遮光膜はスリットが形成されておらず、第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部を遮光する領域(本実施例の第1の遮光膜に対応する領域)とオプティカルブラック領域を遮光する領域(本実施例の第2の遮光膜に対応する領域)とは一体化されている(図4(a)参照。)。
ところが、遮光膜をシャント配線として利用する場合には、H−H転送電極と遮光膜とを電気的に接続する必要があるために(図4(b)参照。)、遮光膜にもH−H転送電極に印加されるH−H転送クロックが印加されることとなる。そして、オプティカルブラック領域を遮光している遮光膜にH−H転送クロックが印加されると、画素に蓄積されている電荷に影響を及ぼす恐れがある。
そこで、遮光膜にスリットを形成して第1の遮光膜と第2の遮光膜とに分ける構成を採ることによって、即ち、第1の遮光膜と第2の遮光膜とを電気的に分断し、第1の遮光膜をシャント配線として機能させるべく第1の遮光膜とH−H転送電極とを電気的に接続して第1の遮光膜にH−H転送クロックが印加されたとしても、第2の遮光膜にはH−H転送クロックが印加されない構成を採ることによって、画素に蓄積されている電荷への悪影響を抑制することができるのである。
なお、画素に蓄積されている電荷への影響を少しでも抑制するために、従来の固体撮像装置における遮光膜には一般的にはグランド電位が印加されていたのと同様の理由から、本実施例の第2の遮光膜にもグランド電位を印加している。
即ち、遮光膜をシャント配線として機能させるためには遮光膜にH−H転送クロックを印加する必要があり、そのために上記した様にスリットを形成しているのであるが、スリットを形成することによって、スリットからの光の漏れ込みが懸念される(図4(c)参照。)。そこで、スリットに対応する位置にタングステンから成る第3の遮光膜が形成されることによって、スリットからの光の漏れ込みを抑制することができるのである。
しかし、垂直電荷転送部の遮光膜(タングステン膜)と同時に形成されるタングステン膜は、同タングステン膜とH−H転送電極との間に絶縁膜(数10nm〜100nm程度)を介して両者が極めて近接していることから、第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の同タングステン膜とのコンデンサ容量が増加し電荷の水平転送に悪影響を及ぼすことが懸念される。なお、アルミニウムの遮光膜は、Si基板へのアルミニウム金属拡散による暗電流増加を抑制するため、H−H転送電極等のSi基板面に近い電極とは、平坦化膜を兼ねた数100n〜1μm厚の絶縁膜を介して設けられているため、上記タングステン膜の場合に懸念されたコンデンサ容量は構造的に低いものである。(想定のコンデンサの電極間距離が大きいため)
従って、第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の上に形成されるタングステン膜をシャント配線として利用する方法は必ずしも妥当であるとは言い難い。
即ち、アルミニウムから成る第1の遮光膜とポリシリコンから成るH−H転送電極とは仕事関数に差があるために、前述した様にポテンシャルシフトが発生する。
そして、仮にH−H転送電極のうちの転送チャネル領域の上方に位置する領域と第1の遮光膜とがアルミニウム配線で電気的に接続された場合には、接続点においてポテンシャルが不均一に変化して、第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の水平転送劣化を招くことが懸念される。一方、H−H転送電極のうちのチャネルストップ領域の上方に位置する領域と第1の遮光膜とがアルミニウム配線で電気的に接続されて、接続点でポテンシャルシフトが発生したとしても、そもそもチャネルストップ領域は高濃度のP型不純物がイオン注入されると共に、理想とされるグランド電位が印加されているものであり、元来グランド電位が理想とされるチャネルストップ領域の電位をよりグランド電位へ近づける様に作用するのみであるために、第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の水平転送には何ら悪影響を及ぼすことは無いと考えられる。
従って、H−H転送電極のうちのチャネルストップ領域の上方に位置する領域と第1の遮光膜とをアルミニウム配線で接続し、転送チャネル領域の上方にポテンシャルシフトが発生しない環境とすることで、上記した様に、第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の水平転送劣化を抑制することができるのである。
また、本発明に用いられた水平、H、垂直等の用語の概念は、機能を区別するために慣用的に用いているに過ぎない語であって、方向性を限定するものではない。
例えば、図1のCCD固体撮像装置2が平面状90度回転した構成(つまり水平、H→垂直方向、垂直→水平、H)であったとしても本発明の効果には変わりないものである。
2 CCD固体撮像素子
3 タイミング信号発生回路
4a 撮像部
4b オプティカルブラック領域
5 第1の水平電荷転送部
6 第2の水平電荷転送部
7 出力部
8 受光部
9 垂直電荷転送部
10 H−H転送電極
11 2層目の水平転送電極
12 3層目の水平転送電極
13 遮光膜
13a 第1の遮光膜
13b 第2の遮光膜
13c 第3の遮光膜
14 スリット
15 アルミニウム配線
16a 転送チャネル領域
16b チャネルストップ領域
17 コンタクト領域
Claims (4)
- 撮像部と、
該撮像部より転送された電荷を水平方向に転送する第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部と、
前記第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の間に設けられた転送チャネル領域に電圧を印加する水平電荷転送部間転送電極と、
前記第1の水平電荷転送部及び第2の水平電荷転送部の上層に設けられた導電材料から成る第1の遮光膜とを備える固体撮像装置において、
前記水平電荷転送部間転送電極と前記第1の遮光膜が電気的に接続された
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1の遮光膜と、前記撮像部の周辺に位置するオプティカルブラック領域の上層に設けられた第2の遮光膜間に電気的に絶縁される間隙が形成された
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記間隙の形成位置に対応する位置に第3の遮光膜が形成された
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記転送チャネル領域同士の間に設けられたチャネルストップ領域の上方で、前記水平電荷転送部間転送電極と前記第1の遮光膜とが電気的に接続された
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005360857A JP4431990B2 (ja) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 固体撮像装置 |
US11/609,074 US7589777B2 (en) | 2005-12-14 | 2006-12-11 | Solid-state imaging device with light shield electrically connected to inter-horizontal transfer register |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005360857A JP4431990B2 (ja) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007165650A JP2007165650A (ja) | 2007-06-28 |
JP4431990B2 true JP4431990B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=38138874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005360857A Expired - Fee Related JP4431990B2 (ja) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7589777B2 (ja) |
JP (1) | JP4431990B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4652773B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2011-03-16 | パナソニック株式会社 | 増幅型固体撮像装置 |
JP5396809B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、カメラ、および、固体撮像装置の製造方法 |
JP2010182789A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置、固体撮像素子の製造方法 |
JP2010182790A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置、固体撮像素子の製造方法 |
US8759928B2 (en) | 2012-04-04 | 2014-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor cross-talk reduction system and method |
JPWO2015033497A1 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-03-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置及びその駆動方法 |
JP6776247B2 (ja) * | 2015-09-09 | 2020-10-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3271200B2 (ja) * | 1992-09-22 | 2002-04-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JPH06105238A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-15 | Sony Corp | Mos型固体撮像素子及びそのドライブ回路 |
JPH0897397A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPH0969620A (ja) | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP3180748B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2000022124A (ja) * | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Sony Corp | Ccd固体撮像素子とその製造方法 |
JP2003243645A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP3737466B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2006-01-18 | Necエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-12-14 JP JP2005360857A patent/JP4431990B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-12-11 US US11/609,074 patent/US7589777B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7589777B2 (en) | 2009-09-15 |
JP2007165650A (ja) | 2007-06-28 |
US20070132871A1 (en) | 2007-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5671830B2 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器 | |
JP5651976B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
US9508775B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and manufacturing method of solid-state imaging apparatus | |
JP5564874B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
CN107039479B (zh) | 固体摄像器件和电子装置 | |
JP4935354B2 (ja) | Cmos撮像素子 | |
JP4431990B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP6314969B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
CN107863362B (zh) | 半导体器件和电子设备 | |
US20130235243A1 (en) | Solid-state image pickup apparatus and electronic apparatus | |
JP2010109295A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2010067774A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
KR102651181B1 (ko) | 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
WO2018100998A1 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、撮像装置 | |
KR20070093335A (ko) | 고체 촬상장치 및 그 구동방법 | |
JP2012248681A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
WO2012035696A1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH04363064A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP3647397B2 (ja) | 光電変換装置 | |
US10381389B2 (en) | Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system | |
WO2020246133A1 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP6727897B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および撮像システム | |
JP6711597B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、及びそれを有する撮像システム | |
JP5037922B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2014099626A (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091126 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |