JP2003243645A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents

固体撮像素子およびその製造方法

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JP2003243645A
JP2003243645A JP2002045148A JP2002045148A JP2003243645A JP 2003243645 A JP2003243645 A JP 2003243645A JP 2002045148 A JP2002045148 A JP 2002045148A JP 2002045148 A JP2002045148 A JP 2002045148A JP 2003243645 A JP2003243645 A JP 2003243645A
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solid
light
insulating film
forming
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Kazuji Wada
和司 和田
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来よりも工程数を削減して製造コストを低
減でき、出力部に対する遮光能力を改善して信頼性の低
下を防ぐことができる固体撮像素子およびその製造方法
を提供すること。 【解決手段】 出力部35のFD領域51に接続される
信号導出用配線としてのFD電極55を、転送電極4
7,48を覆う平坦化膜57の形成工程前に形成する。
そして、水平転送レジスタ34および出力部35のリセ
ットゲート53をそれぞれ覆う第1遮光部58Aおよび
第2遮光部58Bを、共通の遮光膜58で平坦化膜57
の上に形成する。FD電極55は、平坦化膜57の平坦
化熱処理に耐え得る高融点金属材料(例えばタングステ
ン)で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子およ
びその製造方法に関し、更に詳しくは、製造コストの低
減と信頼性低下の防止とを図った固体撮像素子およびそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、CCD(Charge Coupled Devic
e) 固体撮像素子で構成されるイメージセンサは、受光
面に縦横に配置したフォトセンサからなる複数の受光部
と、各受光部の垂直方向に対応して配置される垂直転送
レジスタと、垂直転送レジスタの終端に配置される水平
転送レジスタと、水平転送レジスタの終端に配置され信
号電荷を電圧信号に変換する出力部とを備えている。
【0003】近年におけるCCD固体撮像素子は、例え
ば特開平9−129858号公報に記載されているよう
に、受光部や転送部におけるシリコン基板上にシリコン
酸化膜、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜を順に積
層してなるMONOS(MetalOxide Nitride Oxide Semi
conductor) ゲート構造が採用されている。
【0004】MONOSゲート構造のトランジスタは、
単層のシリコン酸化膜をゲート絶縁膜とするMOSトラ
ンジスタに比べて耐電圧性に優れているとともに、転送
部の形成工程において膜厚の変動を少なくし均一な厚さ
のゲート絶縁膜を得ることができる。図8に、従来の固
体撮像素子の水平転送レジスタの出力端から出力部にか
けての概略構成断面を示す。
【0005】シリコン基板1上には、シリコン酸化膜
(SiO2膜)3、シリコン窒化膜(Si34膜)4お
よびシリコン酸化膜(SiO2膜)5からなるゲート絶
縁膜2が形成されている。水平転送レジスタ6は、ゲー
ト絶縁膜2の上に交互に配列形成された第1転送電極7
および第2転送電極8とで構成される。
【0006】水平転送レジスタ6の終端には出力部9が
設けられており、ゲート絶縁膜2を介して出力ゲート1
0およびリセット用トランジスタを構成するリセットゲ
ート11が形成されている。これら出力ゲート10とリ
セットゲート11との間のシリコン基板1上には、不純
物拡散層からなるフローティングディフュージョン(以
下、「FD」という)領域12が形成され、リセットゲ
ート11に対してFD領域12とは反対側のシリコン基
板1上には、リセットドレイン13が形成されている。
【0007】また、シリコン基板1上には、上記各素子
を覆う絶縁膜14が形成されている。この絶縁膜14に
は、FD領域12に接続される信号導出用配線としての
FD電極15と、リセットドレイン13に接続されるリ
セット電極16とがそれぞれ形成されている。さらに、
絶縁膜14上には、水平転送レジスタ6を覆う例えばア
ルミニウムでなる遮光膜17が形成され、更にその上に
保護膜(絶縁膜)18が形成されている。
【0008】一般に、MONOSゲート構造のトランジ
スタは、ゲート構造部分に紫外線が照射されると、シリ
コン基板中の電子がゲート絶縁膜(2)を構成する窒化
シリコン膜中に飛び込み、これによりトランジスタのし
きい値(Vth)がシフトすることが知られている。その
ため、従来のCCD固体撮像素子は、その受光部や転送
部におけるMONOSゲート構造領域を金属遮光膜(1
7)で覆うようにして、Vthシフトの発生を抑制してい
る。
【0009】しかしながら、図8に示した従来の固体撮
像素子では、金属遮光膜17で遮光されていない部分の
ゲート、例えば出力部9におけるリセットゲート11に
紫外線が入射することになる。リセットゲート11に紫
外線が入射されると、Vthがシフトし、適正なリセット
動作ができなくなるという問題がある。
【0010】このような問題は、例えば400nm以下
の紫外線領域に感度を持たせたCCD固体撮像素子だけ
でなく、デジタルスチルカメラやデジタルビデオムービ
ー等に適用されるCCD固体撮像素子にも該当する。
【0011】この問題を解消するために、特開2001
−284563号公報には、図9に示すように、絶縁膜
18の上にリセットゲート11を覆う第2の金属遮光膜
20を形成することによって、リセットゲート11への
紫外線の入射を抑制する構成が記載されている。
【0012】ここで、図8に示した構成の従来の固体撮
像素子は、シリコン基板1上に形成された各素子を覆う
ように、絶縁膜14を形成する工程(図10(a))
と、FD領域12に接続されるFD電極15、リセット
ドレイン13に接続されるリセット電極16および第1
遮光膜17をそれぞれアルミニウム膜で同時に形成する
工程(図10(b))とを有し、最上層に保護膜18を
形成することによって製造される(図8)。
【0013】一方、図9に示した構成の従来の他の固体
撮像素子は、保護膜18を層間絶縁層として用い、その
上に形成した第2遮光膜20によってリセットゲート1
1を遮光し、最上層に保護膜21を形成する工程を経て
製造される(図10(c))。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、図9に
示した構成の従来の固体撮像素子においては、第2遮光
膜20と信号導出用配線であるFD電極15との電気的
接触を回避するために、第1遮光膜17と第2遮光膜2
0との間に層間絶縁膜18を設ける必要がある。
【0015】また、第1遮光膜17は一般的にグラウン
ド(GND)に固定され、水平転送レジスタ6の遮光作
用だけでなく周辺回路におけるグラウンド層としての機
能をも有している。そこで、第2遮光膜20のフローテ
ィング状態に起因する浮遊電位の発生を抑えるために
は、第2遮光膜20をコンタクトホール19を介して第
1遮光膜17に電気的に接続する必要がある(図9)。
【0016】このように、図9に示した従来の固体撮像
素子の構成においては、層間絶縁膜18を形成する工程
と、層間絶縁膜18の所定部位にコンタクトホール19
を形成する工程と、第2遮光膜20を形成する工程が必
要であるので、工程数の増大とこれによる製造コストの
上昇が問題となっている。
【0017】また、図9に示した従来の固体撮像素子の
構成においては、第2遮光膜20が第1遮光膜17より
も上層側に位置しており、その結果、第2遮光膜20が
第1遮光膜17に比べて基板1の表面から遠ざかった位
置で遮光作用を行うことになるために、リセットゲート
11に対して斜め方向に入射する紫外光の遮光性が劣る
という問題がある。これにより、リセットゲート11の
所期のリセット動作を確保することができなくなり、画
像の劣化等を引き起こして信頼性の低下を招くおそれが
生じる。
【0018】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、従来
よりも製造コストを低減でき、出力部に対する遮光能力
を改善して信頼性の低下を防ぐことができる固体撮像素
子およびその製造方法を提供することを課題とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するに
当たり、本発明の固体撮像素子は、MONOSゲート構
造を有する固体撮像素子において、転送部を覆う第1遮
光部と、出力部を覆う第2遮光部とが、共通の遮光膜で
形成されていることを特徴とする。
【0020】転送部を覆う第1遮光部と、出力部を覆う
第2遮光部とが、共通の遮光膜で形成されているので、
従来のように第1,第2遮光部を別途独立して形成した
り、両遮光部の間に層間絶縁膜を介在させたり、当該層
間絶縁膜に両遮光部の間を導通させるためのコンタクト
ホールを形成する必要をなくすことができる。
【0021】これにより、工程数を減少させて製造コス
トの低減を図ることができる。また、出力部に対する紫
外光の斜め方向からの入射を抑制し、信頼性の低下を防
止することができる。
【0022】また、本発明の固体撮像素子の製造方法
は、転送部およびリセット用トランジスタを形成する工
程と、形成したリセット用トランジスタの不純物拡散層
に接続される信号導出用配線を形成する工程と、形成し
た信号導出用配線の上に絶縁膜を形成する工程と、形成
した絶縁膜の上に、転送部およびリセット用トランジス
タを同時に覆う遮光膜を形成する工程とを有することを
特徴とする。
【0023】本発明では、信号導出用配線を形成する工
程が、絶縁膜を形成する工程の前に行われるので、絶縁
膜上に遮光膜を形成する際に、当該遮光膜と信号導出用
配線とが同一階層上に位置することがなくなる。これに
より、共通の遮光膜により転送部と出力部とを同時に覆
うことができ、製造コストの低減を図ることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。以下の各実施の形態で
は、インターライン転送(IT)方式のCCDイメージ
センサに本発明の固体撮像素子を適用した例について説
明する。
【0025】(第1の実施の形態)図1に示すように、
本実施の形態の固体撮像素子(CCDイメージセンサ)
31は、水平方向および垂直方向に二次元的に配置され
たフォトセンサからなる複数の受光部32と、これらの
受光部32のうち、列方向に配置された受光部32に対
して共通とされる複数本の垂直転送レジスタ33と、こ
れらの垂直転送レジスタ33の終端に共通に配置される
水平転送レジスタ34と、この水平転送レジスタ34の
終端に配置される出力部35等から構成される。
【0026】ここで、受光部32と垂直転送レジスタ3
3とが配置される領域が、固体撮像素子31の撮像領域
36とされる。この撮像領域36の周囲は、水平転送レ
ジスタ34、出力部35および図示しないバスライン等
が配置される周辺領域37とされる。また、垂直転送レ
ジスタ33および水平転送レジスタ34は、本発明の
「転送部」に相当する構成要素とされる。
【0027】各受光部32において光電変換された信号
電荷は、読み出しゲートを介して垂直転送レジスタ33
へ転送される。垂直転送レジスタ33は、例えば4枚の
転送電極を1組として多数組、垂直方向へ順次配列形成
されたもので、垂直転送期間(水平ブランキング期間)
内にこれら4枚の転送電極に対して位相の異なる垂直転
送パルスを印加して各転送電極下のポテンシャル分布を
変化させることによって、信号電荷を順次、水平転送レ
ジスタ34へ転送する。
【0028】一方、水平転送レジスタ34は、例えば2
枚の転送電極を1組として多数組、水平方向へ順次配列
形成されたもので、水平転送期間(垂直ブランキング期
間)内にこれら2枚の転送電極に対して位相の異なる水
平転送パルスを印加して各転送電極下のポテンシャル分
布を変化させることによって、信号電荷を順次、出力部
35へ転送する。転送された信号電荷は、出力部35に
おいて電圧信号に変換され、図示しない信号処理系にて
処理される。
【0029】図2は、図1における[2]−[2]線方
向断面図であり、水平転送レジスタ34の最終段と出力
部35の構造を示している。
【0030】シリコン基板41の表面には、シリコン酸
化膜(SiO2膜)43、シリコン窒化膜(Si3
4膜)44およびシリコン酸化膜(SiO2膜)45を積
層してなるゲート絶縁膜42が形成されている。水平転
送レジスタ34は、このゲート絶縁膜42上に、ポリシ
リコンからなる第1転送電極47とポリシリコンからな
る第2転送電極48とを交互に配列形成して構成されて
いる。
【0031】第1転送電極47および第2転送電極48
にはそれぞれ異なる位相の水平転送パルスが印加され
る。ここで、第1転送電極47と第2転送電極48との
間は、熱酸化膜49が介在されることによって互いに電
気的に絶縁されている。
【0032】水平転送レジスタ34の最終端に構成され
る出力部35は、ゲート絶縁膜42を介して出力ゲート
50と、リセット用トランジスタを構成するリセットゲ
ート53とを備えている。出力ゲート50は、熱酸化膜
49を介して、水平転送レジスタ34の最終端に位置す
る第1転送電極47に隣接して形成されている。
【0033】出力ゲート50とリセットゲート53との
間には、水平転送レジスタ34により転送された信号電
荷に対応する電圧信号を導出する不純物拡散層からなる
フローティングディフュージョン(以下、「FD」とい
う)領域51が形成されている。また、リセットゲート
53に対してFD領域51とは反対側のシリコン基板4
1上には、リセットゲート53のON動作に伴ってFD
領域51の電位をリセット電位に戻すためのリセットド
レイン52が形成されている。
【0034】以上のようにして、MONOSゲート構造
の転送部およびリセット用トランジスタが構成される。
出力ゲート50を介してFD領域51に信号電荷が供給
されると、FD領域51の電位が変化し、この電位変化
が出力信号として後段の出力バッファ回路(図示略)へ
供給される。リセットゲート53にリセットゲート電圧
が印加されると、FD領域51はリセットドレイン52
に接続されて一定電位にリセットされる。このような動
作は、1画素分の電荷電圧変換を行う毎に行われる。
【0035】FD領域51の形成部位に対応するゲート
絶縁膜42上には、FD領域51にて発生した電圧信号
を外部に取り出すためのFD電極55が、本発明の「信
号導出用配線」として形成されている。FD電極55
は、本実施の形態ではタングステン(W)でなり、ゲー
ト絶縁膜42を部分的に開口してFD領域51に直接的
に接続されている。
【0036】さて、シリコン基板41上には、水平転送
レジスタ34および出力部35(リセット用トランジス
タ)を構成する各素子を被覆する平坦化膜(絶縁膜)5
7が形成されている。平坦化膜57として本実施の形態
では、BPSG(Boron Phospho Silicate Glass)膜が
用いられるが、これに限らず、PSG(Phospho Silica
te Glass)膜や、TEOS(Tetraethoxy ortho silica
te)膜等も適用可能である。
【0037】平坦化膜57には、リセットドレイン52
に連絡するコンタクトホール54が形成されている。こ
のコンタクトホール54を埋めるようにアルミニウムま
たはアルミニウム合金でなるリセット電極56が形成さ
れている。また、平坦化膜57の上にはアルミニウムま
たはアルミニウム合金でなる遮光膜58が形成されてい
る。
【0038】遮光膜58は、水平転送レジスタ34とリ
セットゲート53とを同時に覆うように形成されてい
る。すなわち、遮光膜58は、水平転送レジスタ34を
覆う第1遮光部58Aと、リセットゲート53を覆う第
2遮光部58Bとを兼ねている。なお、この遮光膜58
は、他の周辺回路におけるグラウンド層としても機能さ
せるべく、然るべきグラウンド(GND)に固定されて
いてもよい。
【0039】そして、リセット電極56および遮光膜5
8を含む平坦化膜57の上には、保護膜59としてシリ
コン酸化膜あるいは、紫外光を透過する窒化膜(いわゆ
るUVナイトライド膜)が形成されている。
【0040】本実施の形態の固体撮像素子31は以上の
ように構成される。本実施の形態の固体撮像素子31に
よれば、水平転送レジスタ34を覆う第1遮光部58A
と、出力部35を覆う第2遮光部58Bとが、共通の遮
光膜58で形成されているので、これら第1,第2の遮
光部58A,58Bを別途独立して形成したり、両遮光
部58A,58Bの間に層間絶縁膜を介在させたり、当
該層間絶縁膜に両遮光部58A,58Bの間を導通させ
るためのコンタクトホールを形成する必要がなくなる。
したがって、本実施の形態によれば、従来よりも工程数
を減少させて製造コストの低減を図ることができる。
【0041】また、出力部35を覆う第2遮光部58B
が、水平転送レジスタ34を覆う第1遮光部58Aと同
一階層上に位置しているので、出力部35への斜め方向
の入射光に対する遮光性を改善でき、これにより、リセ
ットゲート53の所期のリセット動作を確保して信頼性
の低下を防止することができる。
【0042】次に、図3から図5を参照して、本実施の
形態の固体撮像素子31の製造方法について説明する。
【0043】図3(a)に示すように、シリコン基板4
1の表面にシリコン酸化膜43、シリコン窒化膜44お
よびシリコン酸化膜45を順に積層してゲート絶縁膜4
2を形成する。そして、その上に第1転送電極47の構
成材料であるポリシリコン膜61を形成する。
【0044】次に、形成したポリシリコン膜61をエッ
チングにより所定形状にパターニングし、図3(b)に
示すように第1転送電極47およびリセットゲート53
をそれぞれ形成する。そして、図3(c)に示すように
第1転送電極47およびリセットゲート53の表面に熱
酸化膜49を形成する。
【0045】続いて、図3(d)に示すように、シリコ
ン基板41の上に第2転送電極48の構成材料であるポ
リシリコン膜62を形成する。次いで、形成したポリシ
リコン膜62をエッチングにより所定形状にパターニン
グし、図4(e)に示すように第2転送電極48および
出力ゲート50を形成する。そして、第2転送電極48
および出力ゲート50の表面に同様な熱酸化膜49を形
成する(図4(f))。これにより、水平転送レジスタ
34が形成される。
【0046】次に、図4(f)に示すように、シリコン
基板41の所定部位に、ゲート絶縁膜42を介して不純
物元素をイオンインプランタ等を用いてドーピングし、
シリコン基板41の表面にFD領域51およびリセット
ドレイン52をそれぞれ形成する。これにより、出力部
35を構成するリセット用トランジスタが形成される。
【0047】続いて、シリコン基板41上のFD領域5
1に対して、信号電荷に対応する電圧信号を外部へ取り
出すための信号導出用配線としてFD電極55の形成工
程が行われる(図4(g),(h))。
【0048】図4(g)に示すように、FD領域51の
形成部位に対応するゲート絶縁膜42をドライエッチン
グによって部分的に開口63を形成した後、本実施の形
態ではタングステン(W)膜64を成膜する(図4
(g))。成膜方法として、スパッタリング法とCVD
(Chemical Vapor Deposition)法を組み合わせれば、
ステップカバレージの優れた良質な膜を形成することが
できる。
【0049】その後、タングステン膜64をエッチング
によりパターニングすることによって、FD電極55を
得ることができる(図4(h))。この際、下層のシリ
コン酸化膜45,49がエッチングストッパ層として機
能する。
【0050】次に、図5(i)に示すように、シリコン
基板41上の転送電極47,48、リセットゲート53
およびFD電極55を同時に覆うようにBPSG膜57
を形成する。形成したBPSG膜は、窒素雰囲気下にお
いて800℃〜900℃程度の熱処理が施されることに
より平坦化される。
【0051】BPSG膜57は、PSG膜と同様、それ
単独でもしくはゲート絶縁膜42との界面においてナト
リウム(Na)などの不純物元素を捕獲する能力(不純
物捕獲能力)があるために、シリコン基板41への不純
物汚染を阻止することができる。
【0052】ここで、本実施の形態では、FD電極51
は高融点金属であるタングステンで構成されているの
で、この平坦化膜形成工程における加熱操作によって何
ら影響を受けることはない。したがって、FD電極51
の構成材料としては、平坦化膜形成工程における熱処理
温度よりも高い融点を有する材料が適用でき、タングス
テンのほか、例えばモリブデン(Mo)、タンタル(T
a)等の高融点金属材料が適用される。
【0053】続いて、図5(j)に示すように、形成し
た平坦化膜57に対してリセットドレイン52に連絡す
るコンタクトホール54を形成した後、このコンタクト
ホール54の内部および平坦化膜57の上にアルミニウ
ム金属膜66を形成する。そして、このアルミニウム金
属膜66を所定形状にパターニングすることにより、図
5(k)に示すようなリセット電極56および遮光膜5
8が得られる。遮光膜58は、必要に応じてグラウンド
(GND)に固定され、周辺回路のグラウンド層として
も用いられる。
【0054】最後に、保護膜59としてシリコン酸化膜
あるいは、紫外線を透過する窒化膜(いわゆるUVナイ
トライド)がプラズマCVD法によって形成されること
によって、本実施の形態の固体撮像素子31が製造され
る(図2)。
【0055】以上のように、本実施の形態の固体撮像素
子の製造方法によれば、信号導出用配線としてのFD電
極55を形成する工程が、平坦化膜57を形成する工程
の前に行われるので、平坦化膜57上に遮光膜58を形
成する際に、当該遮光膜58とFD電極55とが同一階
層上に位置することがなくなる。
【0056】これにより、水平転送レジスタ34を覆う
第1遮光部58Aと、出力部35のリセット用トランジ
スタを構成するリセットゲート53を覆う第2遮光部5
8Bとを、共通の遮光膜58によって平坦化膜57の上
に同時に形成することができるので、製造工程数を従来
よりも削減して、製造コストの低減を図ることができ
る。
【0057】また、遮光膜58が平坦化膜57の上に形
成されているので、遮光膜58を一定の平坦度で形成す
ることができ、これにより、遮光膜58の所期の遮光能
力を確保することができる。
【0058】さらに、FD電極55が平坦化膜57を介
して遮光膜58の直下に形成されているので、これらF
D電極55と遮光膜58との間の電気的絶縁を確保する
ことができる。
【0059】(第2の実施の形態)次に、図6は、本発
明の第2の実施の形態を示している。なお、図において
上述の第1の実施の形態と対応する部分については同一
の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【0060】すなわち、本実施の形態の固体撮像素子7
1は、出力部35のリセット用トランジスタを構成する
FD領域51に接続される、信号導出用配線としてのF
D電極75が、転送電極47,48と同様にポリシリコ
ンで構成されている点で、第1の実施の形態と異なって
いる。
【0061】本実施の形態によれば、FD電極75がポ
リシリコンで構成されているので、当該FD電極75を
第1転送電極47または第2転送電極48の形成工程と
同時に形成することができ、上述の第1の実施の形態よ
りも更なる工程数の削減を図ることができる。
【0062】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、
本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能であ
る。
【0063】例えば以上の各実施の形態では、遮光膜5
8をアルミニウム金属またはAl−Si合金といった金
属材料で構成したが、これに限らず、例えば、紫外線を
吸収する有機膜で構成することも可能である。
【0064】また、以上の各実施の形態では、出力部3
5のFD領域51に接続される信号導出用配線55,7
5の直上にも、平坦化膜57を介して遮光膜58が位置
するように構成したが(図2,図6)、これらFD電極
55,75と遮光膜58との間のキャパシタンス構造に
起因する寄生容量が固体撮像素子の駆動制御に対して無
視できない程の影響を与える場合には、例えば図7に示
すように、FD電極55と対向する遮光膜58の形成部
位に開口78を形成すればよい。
【0065】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の固体撮像素
子によれば、転送部を覆う第1遮光部と、出力部を覆う
第2遮光部とが、共通の遮光膜で形成されているので、
従来よりも、工程数を減少させて製造コストの低減を図
ることができる。また、出力部に対する紫外光の斜め方
向からの入射を抑制し、信頼性の低下を防止することが
できる。
【0066】また、本発明の固体撮像素子の製造方法に
よれば、信号導出用配線を形成する工程が、絶縁膜を形
成する工程の前に行われるので、絶縁膜上に遮光膜を形
成する際に、当該遮光膜と信号導出用配線とが同一階層
上に位置することがなくなる。これにより、共通の遮光
膜により転送部と出力部とを同時に覆うことができ、製
造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による固体撮像素子
をインターライン転送(IT)方式のイメージセンサに
適用したときの構成例を示す図である。
【図2】図1における[2]−[2]線方向の断面模式
図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態の固体撮像素子の製
造方法を説明する工程断面図であり、特に、転送部およ
びリセット用トランジスタの形成工程を示している。
【図4】本発明の第1の実施の形態の固体撮像素子の製
造方法を説明する工程断面図であり、特に、リセット用
トランジスタの不純物拡散層に接続される信号導出用配
線の形成工程を示している。
【図5】本発明の第1の実施の形態の固体撮像素子の製
造方法を説明する工程断面図であり、特に、遮光膜の形
成工程を示している。
【図6】本発明の第2の実施の形態による固体撮像素子
の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態による固体撮像素子
の構成の変形例を示す要部の断面図である。
【図8】従来の固体撮像素子の構成を示す要部の断面図
である。
【図9】従来の他の固体撮像素子の構成を示す要部の断
面図である。
【図10】従来の固体撮像素子の製造方法を説明する工
程断面図である。
【符号の説明】
31,71…固体撮像素子、32…受光部、34…水平
転送レジスタ(転送部)、35…出力部、41…シリコ
ン基板、42…ゲート絶縁膜、44…シリコン窒化膜、
50…出力ゲート、51…FD領域(不純物拡散層)、
52…リセットドレイン、53…リセットゲート、5
5,75…FD電極(信号導出用配線)、57…平坦化
膜(絶縁膜)、58…遮光膜、58A…第1遮光部、5
8B…第2遮光部。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、受光部にて光電変換された信
    号電荷を転送するための転送部と、前記転送された信号
    電荷を電圧信号に変換するための出力部とがそれぞれ形
    成され、前記転送部および前記出力部を構成するゲート
    絶縁膜が、シリコン窒化膜を含む多層構造を有する固体
    撮像素子において、 前記転送部を覆う第1遮光部と、前記出力部を覆う第2
    遮光部とが、共通の遮光膜で形成されていることを特徴
    とする固体撮像素子。
  2. 【請求項2】 前記遮光膜が、前記転送部および前記出
    力部を被覆する絶縁膜上に形成されていることを特徴と
    する請求項1に記載の固体撮像素子。
  3. 【請求項3】 前記絶縁膜が、平坦化膜であることを特
    徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。
  4. 【請求項4】 前記出力部が、前記転送された信号電荷
    に基づいた電圧信号を導出する不純物拡散層を有し、 前記不純物拡散層に接続される信号導出用配線が、前記
    第2遮光部の直下に形成されていることを特徴とする請
    求項1に記載の固体撮像素子。
  5. 【請求項5】 前記信号導出用配線が、高融点金属材料
    でなることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素
    子。
  6. 【請求項6】 前記信号導出用配線が、ポリシリコンで
    なることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素子。
  7. 【請求項7】 転送部によって転送された信号電荷を検
    出して出力信号を導出する不純物拡散層と、前記不純物
    拡散層の信号電荷をリセットするリセット用トランジス
    タとを含む出力部を備え、前記転送部および前記リセッ
    ト用トランジスタを構成するゲート絶縁膜がシリコン窒
    化膜を含む多層構造を有する固体撮像素子の製造方法に
    おいて、 前記転送部および前記リセット用トランジスタを形成す
    る工程と、 前記形成したリセット用トランジスタの不純物拡散層に
    接続される信号導出用配線を形成する工程と、 前記形成した信号導出用配線の上に絶縁膜を形成する工
    程と、 前記形成した絶縁膜の上に、前記転送部および前記リセ
    ット用トランジスタを同時に覆う遮光膜を形成する工程
    とを有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記絶縁膜を形成する工程の後、前記遮
    光膜を形成する工程の前に、前記絶縁膜を熱処理して平
    坦化する工程を有することを特徴とする請求項7に記載
    の固体撮像素子の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記信号導出用配線が、前記絶縁膜の熱
    処理温度を超える温度に融点をもつ材料によって形成さ
    れることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像素子の
    製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005166826A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびこれを備えたカメラ
US7589777B2 (en) * 2005-12-14 2009-09-15 Sony Corporation Solid-state imaging device with light shield electrically connected to inter-horizontal transfer register
JP2017139281A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 三菱電機株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2021528847A (ja) * 2018-06-18 2021-10-21 ケーエルエー コーポレイション 裏面照光センサおよびセンサの製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005166826A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびこれを備えたカメラ
JP4551085B2 (ja) * 2003-12-01 2010-09-22 パナソニック株式会社 固体撮像装置、撮像装置
US7589777B2 (en) * 2005-12-14 2009-09-15 Sony Corporation Solid-state imaging device with light shield electrically connected to inter-horizontal transfer register
JP2017139281A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 三菱電機株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2021528847A (ja) * 2018-06-18 2021-10-21 ケーエルエー コーポレイション 裏面照光センサおよびセンサの製造方法

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