JP2014099626A - 固体撮像装置、及び電子機器 - Google Patents
固体撮像装置、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014099626A JP2014099626A JP2013261354A JP2013261354A JP2014099626A JP 2014099626 A JP2014099626 A JP 2014099626A JP 2013261354 A JP2013261354 A JP 2013261354A JP 2013261354 A JP2013261354 A JP 2013261354A JP 2014099626 A JP2014099626 A JP 2014099626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- transistor
- pixel
- state imaging
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 153
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 96
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 63
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 128
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 45
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 41
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 8
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体ウェル領域に形成された、光電変換部と画素トランジスタTr11〜Tr14,Tr2〜Tr4から成る複数の画素と、画素間及び画素内の素子分離領域82,85とを備え、増幅トランジスタと選択トランジスタとが並ぶ行の、少なくとも選択トランジスタが垂直信号線と接続する側の拡散層に近接して並ぶ位置に、半導体ウェル領域に固定電圧を印加するためのウェルコンタクト部が設けられている固体撮像装置61を構成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、かかる固体撮像装置を備えた、カメラなどに適用される電子機器を提供するものである。
画素トランジスタとして、少なくとも転送トランジスタ、増幅トランジスタ、及び、選択トランジスタを有し、少なくとも2個以上の光電変換部が、増幅トランジスタ及び選択トランジスタを共有する。
画素は、光電変換部とフローティングディフージョンとを含む転送トランジスタが並ぶ第1行、及び、増幅トランジスタと選択トランジスタとが並ぶ第2行からなる平面配置を有する。
そして、増幅トランジスタと選択トランジスタとが並ぶ第2行の、少なくとも選択トランジスタが垂直信号線と接続する側の拡散層に近接して並ぶ位置に、半導体ウェル領域に固定電圧を印加するためのウェルコンタクト部が設けられている。
また、本発明に係る電子機器は、光学系と、上記固体撮像装置と、固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備える。
複数の画素は、第1の選択トランジスタ及び第1のフローティングディフージョンを共有する第1の画素群と、第2の選択トランジスタ及び第2のフローティングディフージョンを共有する第2の画素群とを有する。そして、第1の選択トランジスタと第2の選択トランジスタとの間の半導体ウェル領域に、ウェルコンタクト部が配置されている。
また、本発明に係る電子機器は、光学系と、上記固体撮像装置と、固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備える。
本発明に係る電子機器によれば、上記本発明の固体撮像装置を備えることにより、固体撮像装置での画素特性が向上し、高画質、高品質の電子機器を提供することができる。
1.MOS固体撮像装置の概略構成例
2.第1実施の形態(固体撮像装置の構成例と製造方法例)
3.第2実施の形態(固体撮像装置の構成例と製造方法例)
4.第3実施の形態(固体撮像装置の構成例)
5.第4実施の形態(固体撮像装置の構成例)
6.第5実施の形態(電子機器の構成例)
図16に、本発明の各実施の形態に適用されるMOS固体撮像装置の一例の概略構成を示す。本例の固体撮像装置41は、図16に示すように、半導体基板51例えばシリコン基板に光電変換部を含む複数の画素42が規則的に2次元的に配列された画素領域(いわゆる撮像領域)43と、周辺回路部とを有して構成される。画素42としては、1つの光電変換部と複数の画素トランジスタからなる単位画素を適用することができる。また、画素42としては、複数の光電変換部が転送トランジスタを除く他の画素トランジスタを共有し、且つフローティングディフージョンを共有する、いわゆる画素共有の構造を適用することができる。複数の画素トランジスタは、前述したように、3トランジスタ、4トランジスタで構成することができる。
[固体撮像装置の構成例]
図1〜図3に、本発明に係る固体撮像装置の第1実施の形態の概略構成を示す。本実施の形態は、CMOS固体撮像装置であって、4画素共有の固体撮像装置に適用した場合である。図1は画素領域の要部の概略平面図、図2は図1のA−A線上の断面図、図3は図1のB−B線上の断面図を示す。
図4〜図8を用いて、第1実施の形態に係る固体撮像装置61の製造方法の概略を説明する。図4〜図8では、フローティングディフージョン部FDを含むフォトダイオードPDの領域95、画素トランジスタTr2〜Tr4の領域96及び周辺回路のpチャネルトランジスタの領域97を模式的に示す。
この構成により、ウェルコンタクト用領域88がフォトダイオードPDに悪影響を与えることがなく、画素特性を向上することができる。トランジスタ形成領域64にウェルコンタクト用領域88が形成されて、絶縁膜を有しない素子分離領域が形成されるので、素子分離領域の絶縁膜の占有面積が減り、その分、暗電流や白点の発生を抑制でき、画素特性を向上することができる。ウェルコンタクト用領域88を通じて半導体ウェル領域76にウェル電位が与えられるので、有効画素領域内のウェル電位の安定化を図ることができる。
[固体撮像装置の構成例]
図10〜図13に、本発明に係る固体撮像装置の第2実施の形態を示す。本実施の形態は、CMOS固体撮像装置であって、4画素共有の固体撮像装置に適用した場合である。図10は画素領域の要部の概略平面図、図11は図10のA−A線上の断面図、図12は図10のB−B線上の断面図、図13は図10のC−C線上の断面図を示す。
第2実施の形態に係る固体撮像装置105の製造方法は、第1実施の形態の図4の転送ゲート電極65を形成するときに、同時にダミー電極106を形成する。その他の工程は第1実施の形態の固体撮像装置の製造方法で説明したと同様であるので、重複説明を省略する。
[固体撮像装置の構成例]
図14に、本発明に係る固体撮像装置の第3実施の形態を示す。本実施の形態は、CMOS固体撮像装置であって、4画素共有の固体撮像装置に適用した場合である。第3実施の形態に係る固体撮像装置108は、各フォトダイオードPD[PD1〜PD4]の転送ゲート電極65[651〜654]が配置される1つのコーナ部を除く他の3つのコーナ部にダミー電極106を配置して構成される。すなわち、ダミー電極1063つ配置される。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図10と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
[固体撮像装置の構成例]
図15に、本発明に係る固体撮像装置の第4実施の形態の概略構成を示す。本実施の形態は、CMOS固体撮像装置であって、単位画素を2次元アレイ状に配列した固体撮像装置に適用した場合である。第4実施の形態に係る固体撮像装置111は、光電変換部となる1つのフォトダイオードPDと複数の画素トランジスタとからなる単位画素が2次元アレイ状に配列された画素領域113と、周辺回路部(図示せず)とを有して構成される。画素トランジスタは、本例では転送トランジスタTr1と、リセットトランジスタTr2と、増幅トランジスタTr3とからなる3トランジスタで構成される。
例えば素子分離領域121がSTI構造で構成されたときには、STI構造の素子分離領域122の一部が、素子分離領域を兼ねるp型のウェルコンタクト用領域に置き換えられる。
[電子機器の構成例]
上述の本発明に係る固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、カメラ付き携帯電話、あるいは撮像機能を備えた他の機器、などの電子機器に適用することができる。
Claims (34)
- 第1導電型の半導体ウェル領域と、
前記半導体ウェル領域に形成された、光電変換部と画素トランジスタから成る複数の画素と、
画素間及び画素内の素子分離領域と、を備え、
前記画素トランジスタとして、少なくとも転送トランジスタ、増幅トランジスタ、及び、選択トランジスタを有し、
少なくとも2個以上の前記光電変換部が、前記増幅トランジスタ及び前記選択トランジスタを共有し、
前記画素は、前記光電変換部とフローティングディフージョンとを含む前記転送トランジスタが並ぶ第1行、及び、前記増幅トランジスタと前記選択トランジスタとが並ぶ第2行からなる平面配置を有し、
前記増幅トランジスタと前記選択トランジスタとが並ぶ前記第2行の、少なくとも前記選択トランジスタが垂直信号線と接続する側の拡散層に近接して並ぶ位置に、前記半導体ウェル領域に固定電圧を印加するためのウェルコンタクト部が設けられている
固体撮像装置。 - 前記第1行と前記第2行とが、列方向に交互に配置されている請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記ウェルコンタクト部が、少なくとも、前記画素間及び前記画素内の前記素子分離領域を形成する不純物拡散領域に接続されている請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
- リセットトランジスタが、前記半導体ウェル領域において、前記光電変換部と前記フローティングディフージョンとを含む前記転送トランジスタ、前記増幅トランジスタ、及び、前記選択トランジスタから、前記素子分離領域を介して配置されている請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部及び前記画素トランジスタがn型半導体領域を有し、前記素子分離領域がp型半導体領域を有する請求項1から4のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記ウェルコンタクト部は、前記素子分離領域を形成する前記不純物拡散領域よりも高不純物濃度に形成されている請求項1から5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 周辺回路部のCMOSトランジスタの第1導電型のソース/ドレイン領域と同時工程で形成された第1導電型の前記ウェルコンタクト部を有する請求項1から6のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 光学系と、
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備え、
前記固体撮像装置は、
第1導電型の半導体ウェル領域と、
前記半導体ウェル領域に形成された、光電変換部と画素トランジスタから成る複数の画素と、
画素間及び画素内の素子分離領域と、を含み、
前記画素トランジスタとして、少なくとも転送トランジスタ、増幅トランジスタ、及び、選択トランジスタを有し、
少なくとも2個以上の前記光電変換部が、前記増幅トランジスタ及び前記選択トランジスタを共有し、
前記画素は、前記光電変換部とフローティングディフージョンとを含む前記転送トランジスタが並ぶ第1行、及び、前記増幅トランジスタと前記選択トランジスタとが並ぶ第2行からなる平面配置を有し、
前記増幅トランジスタと前記選択トランジスタとが並ぶ前記第2行の、少なくとも前記選択トランジスタが垂直信号線と接続する側の拡散層に近接して並ぶ位置に、前記半導体ウェル領域に固定電圧を印加するためのウェルコンタクト部が設けられている
電子機器。 - 前記第1行と前記第2行とが、列方向に交互に配置されている請求項8に記載の電子機器。
- 前記ウェルコンタクト部が、少なくとも、前記画素間及び前記画素内の前記素子分離領域を形成する不純物拡散領域に接続されている請求項8又は9に記載の電子機器。
- リセットトランジスタが、前記半導体ウェル領域において、前記光電変換部と前記フローティングディフージョンとを含む前記転送トランジスタ、前記増幅トランジスタ、及び、前記選択トランジスタから、前記素子分離領域を介して配置されている請求項8から10のいずれかに記載の電子機器。
- 前記光電変換部及び前記画素トランジスタがn型半導体領域を有し、前記素子分離領域がp型半導体領域を有する請求項8から11のいずれかに記載の電子機器。
- 前記ウェルコンタクト部は、前記素子分離領域を形成する前記不純物拡散領域よりも高不純物濃度に形成されている請求項8から12のいずれかに記載の電子機器。
- 周辺回路部のCMOSトランジスタの第1導電型のソース/ドレイン領域と同時工程で形成された第1導電型の前記ウェルコンタクト部を有する請求項8から13のいずれかに記載の電子機器。
- 第1導電型の半導体ウェル領域と、
前記半導体ウェル領域に形成された、光電変換部と画素トランジスタから成る複数の画素と、
画素間及び画素内の素子分離領域と、を備え、
前記複数の画素は、第1の選択トランジスタ及び第1のフローティングディフージョンを共有する第1の画素群と、第2の選択トランジスタ及び第2のフローティングディフージョンを共有する第2の画素群とを有し、
前記第1の選択トランジスタと前記第2の選択トランジスタとの間の前記半導体ウェル領域に、ウェルコンタクト部が配置されている
固体撮像装置。 - 前記第1の画素群で共有される第1の増幅トランジスタと、前記第2の画素群で共有される第2の増幅トランジスタとを有する請求項15に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の選択トランジスタと前記第1の増幅トランジスタを有する第1の画素トランジスタ群と、前記第2の選択トランジスタと前記第2の増幅トランジスタとを有する第2の画素トランジスタ群との間の前記半導体ウェル領域に、前記ウェルコンタクト部が配置されている請求項16に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の画素群を構成する第1の光電変換部、前記第1の選択トランジスタ及び前記第1のフローティングディフージョン、並びに、前記第2の画素群を構成する第2の光電変換部、前記第2の選択トランジスタ及び前記第2のフローティングディフージョンが並ぶ第1行、及び、
前記第1の画素群を構成する前記第1の選択トランジスタ及び前記第1の増幅トランジスタ、並びに、前記第2の画素群を構成する前記第2の選択トランジスタ及び前記第2の増幅トランジスタが並ぶ第2行、からなる平面配置を有する、
請求項16又は17に記載の固体撮像装置。 - 前記第1行と前記第2行とが前記半導体ウェル領域の列方向に交互に配置されている請求項18に記載の固体撮像装置。
- 前記ウェルコンタクト部が、少なくとも、前記画素間及び前記画素内の前記素子分離領域を形成する不純物拡散領域に接続されている請求項15から19のいずれかに記載の固体撮像装置。
- リセットトランジスタが、前記半導体ウェル領域において、前記光電変換部、増幅トランジスタ及び選択トランジスタ以外の画素トランジスタから、前記素子分離領域を介して配置されている請求項15から20のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部及び前記画素トランジスタがn型半導体領域を有し、前記素子分離領域がp型半導体領域を有する請求項15から21のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記ウェルコンタクト部が前記素子分離領域よりも不純物濃度の高いp型半導体領域である請求項15から22のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 周辺回路部のCMOSトランジスタの第1導電型のソース/ドレイン領域と同時工程で形成された第1導電型の前記ウェルコンタクト部を有する請求項15から23のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 光学系と、
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備え、
前記固体撮像装置は、
第1導電型の半導体ウェル領域と、
前記半導体ウェル領域に形成された、光電変換部と画素トランジスタから成る複数の画素と、
画素間及び画素内の素子分離領域と、を含み、
前記複数の画素は、第1の選択トランジスタ及び第1のフローティングディフージョンを共有する第1の画素群と、第2の選択トランジスタ及び第2のフローティングディフージョンを共有する第2の画素群とを有し、
前記第1の選択トランジスタと前記第2の選択トランジスタとの間の前記半導体ウェル領域に、ウェルコンタクト部が配置されている
電子機器。 - 前記第1の画素群で共有される第1の増幅トランジスタと、前記第2の画素群で共有される第2の増幅トランジスタとを有する請求項25に記載の電子機器。
- 前記第1の選択トランジスタと前記第1の増幅トランジスタとからなる第1の画素トランジスタ群と、前記第2の選択トランジスタと前記第2の増幅トランジスタとからなる第2の画素トランジスタ群との間に、前記ウェルコンタクト部が配置されている請求項26に記載の電子機器。
- 前記第1の画素群を構成する第1の光電変換部、前記第1の選択トランジスタ及び前記第1のフローティングディフージョン、並びに、前記第2の画素群を構成する第2の光電変換部、前記第2の選択トランジスタ及び前記第2のフローティングディフージョンが並ぶ第1行、及び、
前記第1の画素群を構成する前記第1の選択トランジスタ及び前記第1の増幅トランジスタ、並びに、前記第2の画素群を構成する前記第2の選択トランジスタ及び前記第2の増幅トランジスタが並ぶ第2行、からなる平面配置を有する、
請求項26又は27に記載の固体撮像装置。 - 前記第1行と前記第2行とが前記半導体ウェル領域の列方向に交互に配置されている請求項28に記載の固体撮像装置。
- 前記ウェルコンタクト部が、少なくとも、前記画素間及び前記画素内の前記素子分離領域を形成する不純物拡散領域に接続されている請求項25から29のいずれかに記載の電子機器。
- リセットトランジスタが、前記半導体ウェル領域において、前記光電変換部及び前記リセットトランジスタ以外の画素トランジスタから、前記素子分離領域を介して配置されている請求項25から30のいずれかに記載の電子機器。
- 前記光電変換部及び前記画素トランジスタがn型半導体領域を有し、前記素子分離領域がp型半導体領域を有する請求項25から31のいずれかに記載の電子機器。
- 前記ウェルコンタクト部が前記素子分離領域よりも不純物濃度の高いp型半導体領域である請求項25から32のいずれかに記載の電子機器。
- 周辺回路部のCMOSトランジスタの第1導電型のソース/ドレイン領域と同時工程で形成された第1導電型の前記ウェルコンタクト部を有する請求項25から33のいずれかに記載の電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013261354A JP5842903B2 (ja) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013261354A JP5842903B2 (ja) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009221387A Division JP5564874B2 (ja) | 2009-09-25 | 2009-09-25 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015209795A Division JP6123866B2 (ja) | 2015-10-26 | 2015-10-26 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014099626A true JP2014099626A (ja) | 2014-05-29 |
JP5842903B2 JP5842903B2 (ja) | 2016-01-13 |
Family
ID=50941347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013261354A Active JP5842903B2 (ja) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5842903B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9570506B2 (en) | 2014-05-14 | 2017-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same |
CN110034147A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-19 | 思特威(上海)电子科技有限公司 | 具有背对背布局设计结构的图像传感器 |
CN111819694A (zh) * | 2018-05-16 | 2020-10-23 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像器件和固态摄像装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230400A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-08-24 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2001332714A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2006073732A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP2006073735A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP2006269546A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2008160133A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Magnachip Semiconductor Ltd | Cmosイメージセンサのための、小サイズ、高利得及び低ノイズのピクセル |
JP2008294218A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法及び撮像装置 |
JP2009135319A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sony Corp | 固体撮像装置及びカメラ |
-
2013
- 2013-12-18 JP JP2013261354A patent/JP5842903B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230400A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-08-24 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2001332714A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2006073732A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP2006073735A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP2006269546A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2008160133A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Magnachip Semiconductor Ltd | Cmosイメージセンサのための、小サイズ、高利得及び低ノイズのピクセル |
JP2008294218A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法及び撮像装置 |
JP2009135319A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sony Corp | 固体撮像装置及びカメラ |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9570506B2 (en) | 2014-05-14 | 2017-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same |
CN111819694A (zh) * | 2018-05-16 | 2020-10-23 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像器件和固态摄像装置 |
US11923385B2 (en) | 2018-05-16 | 2024-03-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and solid-state imaging apparatus |
CN111819694B (zh) * | 2018-05-16 | 2024-05-21 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像器件和固态摄像装置 |
CN110034147A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-19 | 思特威(上海)电子科技有限公司 | 具有背对背布局设计结构的图像传感器 |
CN110034147B (zh) * | 2019-03-25 | 2024-04-23 | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 | 具有背对背布局设计结构的图像传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5842903B2 (ja) | 2016-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101756057B1 (ko) | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 | |
JP5564909B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP5471174B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP5365144B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP6126666B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP6123866B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP5812692B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP6334203B2 (ja) | 固体撮像装置、および電子機器 | |
JP2011029337A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP2012199489A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP5842903B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP6276297B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP2017175164A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5874777B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP2011009466A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP2016027660A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
KR20090111292A (ko) | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151102 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5842903 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |