JP2006073732A - 固体撮像装置及び固体撮像システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数のフォトダイオード101a、101bと、複数のフォトダイオードに各々対応して設けられた複数の転送MOSFET102a、102bと、複数のフォトダイオードから読み出された信号を増幅して出力する共通の増幅MOSFET104と、を有する単位セルを2次元状に配し、フォトダイオード101bの周囲に複数のフォトダイオードが隣接して配され、フォトダイオード101bと複数のフォトダイオードとの間にフォトダイオード101bからの過剰電荷を捕獲する捕獲領域130,134,135,132を設けた。
【選択図】 図1
Description
本発明の目的は、共有トランジスタ構成の固体撮像装置において、ブルーミングを防止することにある。
複数の光電変換領域と、
前記複数の光電変換領域に各々対応して設けられた複数の転送スイッチ手段と、
前記複数の光電変換領域から読み出された光電荷を入力として増幅する、共通の増幅手段と、を有する単位セルを2次元状に配してなる固体撮像装置であって、
一の光電変換領域の周囲に複数の光電変換領域が隣接して配され、前記一の光電変換領域と前記複数の光電変換領域の各光電変換領域との間に前記一の光電変換領域からの過剰電荷を捕獲可能な不純物拡散領域を設けたことを特徴とする。
本発明の第1実施形態の固体撮像装置について説明する。図1は、第1実施形態の固体撮像装置の単位セルの平面図である。図2は、本実施形態の固体撮像装置の等価回路図であり、図1で示したレイアウトの画素を2次元状(行列方向)に配列している。
本発明の第2実施形態の固体撮像装置について説明する。図7は、第2実施形態の固体撮像装置の等価回路図であり、2次元的に画素を配列したうちのある2×4画素にかかわる部分を図示している。本実施形態の固体撮像装置においては、4画素が増幅MOSFET、リセットMOSFET、行選択MOSFETを共有し、単位セルを構成している。図8は、これらの画素のレイアウトを示す平面図である。図7、図8において図2、図1と同一構成部材について同一符号を付し、重複する説明を省略する。図8の画素転送MOSFETのゲート電極の形状は図1の画素転送MOSFETのゲート電極の形状と見かけ上異なっているが、これは図面の簡略化のためであり、実際は図8の画素転送MOSFETのゲート電極の形状は図1の画素転送MOSFETのゲート電極の形状と同一の形状となっている(実施形態3、4についても同様である。)。
本発明の第3実施形態の固体撮像装置について説明する。第3実施形態の固体撮像装置は、等価回路としては、第2実施形態と同様である。図9は、これらの画素のレイアウトを示す平面図である。図9において図8と同一構成部材について同一符号を付し、重複する説明を省略する。リセットMOSFET103、増幅MOSFET104、行選択MOSFET105を、4つの画素で共有しており、フォトダイオード101a、101b、101c、101dはそれぞれ、4n-3、4n-2、4n-1、4n行に配置されている(ここでnは自然数)。画素転送MOSFET102a、102b、102c、102dは、それぞれフォトダイオード101a、101b、101c、101dに対し配置されている。第2実施形態の固体撮像装置と同様に、電源に接続されている増幅MOSFET104のドレイン電極130、電源に接続されているリセットスイッチ103のドレイン電極134、垂直出力線106と接続された拡散層135および浮遊拡散層132が、電子の捕獲領域として作用する。
本発明の第4実施形態の固体撮像装置について説明する。第4実施形態の固体撮像装置は、等価回路としては、第2、第3実施形態と同様である。図11は、これらの画素のレイアウトを示す平面図である。図11において図1、図8と同一構成部材について同一符号を付し、重複する説明を省略する。リセットMOSFET103、増幅MOSFET104、行選択MOSFET105を、4つの画素で共有しており、フォトダイオード101a、101b、101c、101dは2×2の矩形を単位セルとするように配置されており、 図12で示す緑フィルタが市松状に配されたベイヤ配列のカラーフィルタ構成と一致するようにしている。図12において、Gb,Grは緑(グリーン)フィルタ、Bは青(ブルー)フィルタ、Rは赤(レッド)フィルタを示す。このことにより、4画素で共通接続されている浮遊拡散層容量132が単位画素群ごとに変動した場合や、共通の増幅MOSFETの増幅ゲインが単位画素群ごとに変動した場合でも、絵素内が同じ比率でゲインが変動するため、絵素内で色比が変化しない。第2実施形態の固体撮像装置と同様に、電源に接続されている増幅MOSFET104のドレイン電極130、電源に接続されているリセットスイッチ103のドレイン電極134、垂直出力線106と接続された拡散層135および浮遊拡散層132が、電子の捕獲領域として作用する。また、トランジスタの配置されていない部分に関しては、電源に接続した電子捕獲専用のN型拡散層136を設けている。このことにより、本実施形態の固体撮像装置においては、ブルーミングの発生を低減することができる。特に、例えばBのフィルタの透過率が高い青い入射光が入ってきた場合、電子の捕獲領域をフォトダイオード101dとフォトダイオード101b、101cとの間に電子の捕獲領域を設けない固体撮像装置では、Bに対応するフォトダイオード101dから拡散した電子が隣接するフォトダイオード101b、101cに流入し、G出力が浮きあがってしまい、色が正しく再現できない問題が発生するが、本実施形態では、色再現性の優れた固体撮像装置が得られる。
以上説明した各実施形態では各光電変換領域の形状を四角形とし、四辺のそれぞれについて1又は2つの電子の捕獲領域を設けた形態を説明したが、光電変換領域の形状は必ずしも四角形に限られるものではない。本発明の技術的思想は、一の光電変換領域の周囲において隣接する複数の光電変換領域と、一の光電変換領域との間に、過剰電荷を捕獲する捕獲領域を設けることにあり、光電変換領域の形状は特に限定されるものではない。例えば、六角形や八角形等の四角形でない場合の光電変換領域であっても隣接する光電変換領域の数に合わせて捕獲領域を設ければよい。例えば、各光電変換領域の形状が例えば八角形であっても、隣接する光電変換領域が8個設けられず行方向及び列方向に4個の光電変換領域が設けられる場合や、隣接する光電変換領域が8個設けられても等距離でなく、実質的にブルーミングが問題となる隣接する光電変換領域が4つの光電変換領域である場合は、4つの光電変換領域との間にそれぞれ捕獲領域を設ける場合がある。
図13は、前述した各実施形態の固体撮像装置を用いた固体撮像システムの構成図である。固体撮像システムは、レンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア1001、被写体の光学像を固体撮像素子1004に結像させるレンズ1002、レンズ1002を通った光量を可変するための絞り1003、レンズ1002で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子1004(上記の各実施形態で説明した固体撮像装置に相当する)、固体撮像素子1004から出力される画像信号に各種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処理回路1005、固体撮像素子1004より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うA/D変換器1006、A/D変換器1006より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部1007、固体撮像素子1004及び撮像信号処理回路1005及びA/D変換器1006及び信号処理部1007に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部1008で構成される。なお、1005〜1008の各回路は固体撮像素子1004と同一チップ上に形成しても良い。また、各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部1009、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部1010、記録媒体に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部1011、画像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体1012、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース(I/F)部1013で固体撮像システムは構成される。
102 画素転送スイッチ
103 リセットスイッチ
104 ドライバMOS
105 行選択スイッチ
106 垂直出力線
107 負荷MOS
108 クランプ容量
109 クランプスイッチ
110 転送ゲート
112 蓄積容量
114 水平転送スイッチ
116 水平出力線
118 出力アンプ
119 水平走査回路
120 演算増幅器
121 帰還容量
122 感度切り替えスイッチ
123 垂直走査回路
130 増幅MOSFETのドレイン電極
131 接地されたP型不純物領域
132 浮遊拡散層
133 金属配線
134 リセットスイッチのドレイン電極
135 垂直出力線に接続されたN型拡散層
136 電源に接続された電子捕獲専用のN型拡散層
140 P型拡散層
141 N型拡散層
142 素子分離酸化膜
143 P型ウェル
144 N型基板
1001 バリア
1002 レンズ
1003 絞り
1004 固体撮像素子
1005 撮像信号処理回路
1006 A/D変換器
1007 信号処理部
1008 タイミング発生部
1009 全体制御・演算部
1010 メモリ部
1011 記録媒体制御インターフェース(I/F)部
1012 記録媒体
1013 外部インターフェース(I/F)部
Claims (15)
- 複数の光電変換領域と、
前記複数の光電変換領域に各々対応して設けられた複数の転送スイッチ手段と、
前記複数の光電変換領域から読み出された光電荷を入力として増幅する、共通の増幅手段と、を有する単位セルを2次元状に配してなる固体撮像装置であって、
一の光電変換領域の周囲に複数の光電変換領域が隣接して配され、前記一の光電変換領域と前記複数の光電変換領域の各光電変換領域との間に前記一の光電変換領域からの過剰電荷を捕獲可能な不純物拡散領域を設けたことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記一の光電変換領域の周囲に配される前記複数の光電変換領域は、前記一の光電変換領域の行方向及び列方向に隣接して配される四つの光電変換領域であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記増幅手段の入力をリセットするリセット手段が、前記単位セルに含まれることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
- 前記増幅手段の出力を選択、非選択する選択スイッチ手段が、前記単位セルに含まれることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
- 更に、前記各光電変換領域に対応して設けられた浮遊拡散領域を有し、該浮遊拡散領域が導電体により接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅手段は、単位となる素子を複数並列接続して、1つの増幅手段として構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
- 前記リセット手段は、単位となる素子を複数並列接続して、1つのリセット手段として構成されていることを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記選択スイッチ手段は、単位となる素子を複数並列接続して、1つの選択スイッチ手段として構成されていることを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。
- 前記不純物拡散領域は、前記転送スイッチ手段、前記増幅手段、前記リセット手段、または前記選択スイッチ手段の一部であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記不純物拡散領域は、前記光電荷と同一導電型の不純物拡散領域からなることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記不純物拡散領域は所定電位に設定されていることを特徴とする、請求項10記載の固体撮像装置。
- 前記不純物拡散領域は、前記転送スイッチ手段、前記増幅手段、前記リセット手段、及び前記選択スイッチ手段は絶縁ゲート型トランジスタからなり、前記捕獲領域は該絶縁ゲート型トランジスタのソース又はドレイン領域である請求項9に記載の固体撮像装置。
- 入射光に対する分光透過率が異なる複数種のフィルタを組み合わせたカラーフィルタを有し、前記単位セルの配置される周期は、前記カラーフィルタの配置される周期と一致していることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記カラーフィルタはベイヤ配列であることを特徴とする請求項13記載の固体撮像装置。
- 請求項1から14のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置へ光を結像する光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする固体撮像システム。
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