JP6126666B2 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本開示の一実施の形態の第2の固体撮像装置は、赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する、第1の緑色電荷蓄積部および第2の緑色電荷蓄積部を含む複数の緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、内部に、赤色電荷蓄積部と、青色電荷蓄積部と、複数の緑色電荷蓄積部とを有し、一方の表面側に第1の緑色電荷蓄積部、他方の表面側に第2の緑色電荷蓄積部がその厚み方向に沿って配置された基板と、画素の光入射面から赤色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、赤色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、画素の光入射面から緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、複数の緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極とを備え、複数の緑色電荷蓄積部の飽和電荷量の和は、赤色電荷蓄積部の飽和電荷量及び青色電荷蓄積部の飽和電荷量のそれぞれより大きいものである。
本開示の一実施の形態の第2の電子機器は、上記本開示の一実施の形態の第2の固体撮像装置と、固体撮像装置の出力信号に対して所定の処理を施す信号処理回路とを備える構成とする。
1.第1の実施形態:裏面照射型の固体撮像装置
2.第2の実施形態:表面照射型の固体撮像装置
3.各種変形例
4.電子機器(応用例)の構成例
まず、本開示の第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成を説明する前に、緑画素の感度と、青画素及び赤画素のそれとの違いにより、固体撮像装置の撮像性能に与え得る影響について、簡単に説明する。
図2に、本開示の第1の実施形態に係る固体撮像装置の概略ブロック構成を示す。なお、本実施形態では、固体撮像装置として、裏面照射型のCMOSイメージセンサを例に挙げ説明する。
図3に、本実施形態のCMOSイメージセンサ100における画素の配列形態及び共有画素単位部の概略構成を示す。本実施形態では、図3に示すように、赤画素10、青画素20及び緑画素30をBayer配列で配置する例を説明する。なお、本開示はこれに限定されず、他の任意の画素の配列形態にも本開示技術は適用可能であり、同様の効果が得られる。
図4に、共有画素単位部110の等価回路を示す。
図5に、本実施形態のCMOSイメージセンサ100における、画素部101の共有画素単位部110及び各画素の内部構成を示す。なお、図5は、図3中のA−A断面図であり、各画素が形成されるシリコン基板50(以下では、単に基板50という)の概略構成断面図である。
本実施形態では、図5に示すように、基板50の面内方向において、赤画素10、青画素20及び緑画素30が互いに隣り合うように設けられ、互いに隣り合う2つの画素間には、素子分離領域51が設けられる。本実施形態では、この素子分離領域51により、各画素を分離する。
赤画素10は、図5に示すように、基板50内部に埋め込むように形成された、赤色電荷蓄積部11、2つのP+層13,14及びP−層15と、赤色転送トランジスタ12とを有する。
青画素20は、図5に示すように、基板50内部に埋め込むように形成された、青色電荷蓄積部21、2つのP+層23,24及びP−層25と、青色転送トランジスタ22とを有する。
緑画素30は、図5に示すように、基板50内部に埋め込むように形成された、第1緑色電荷蓄積部31a、第2緑色電荷蓄積部31b及び2つのP+層33,34と、緑色転送トランジスタ32とを有する。すなわち、本実施形態では、図4の等価回路で示す緑色電荷蓄積部31を2つの緑色電荷蓄積部(第1緑色電荷蓄積部31a及び第2緑色電荷蓄積部31b)で構成する。
ここで、上記構成の緑画素30における光電変換動作を、図6を参照しながら簡単に説明する。なお、図6のA部分は、緑画素30の基板50内の構成を示す図であり、図6のB部分は、緑画素30の基板50の深さ方向におけるポテンシャル分布を示す図である。
上記第1の実施形態では、緑画素30における本開示の電荷蓄積部の配置技術を裏面照射型のCMOSイメージセンサ100に適用する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。上述した本開示の技術を表面照射型のCMOSイメージセンサに適用してもよい。第2の実施形態では、その一例を説明する。
本実施形態では、図7に示すように、基板50の面内方向において、赤画素10、青画素20及び緑画素30が互いに隣り合うように設けられ、互いに隣り合う2つの画素間には、素子分離領域51が設けられる。また、本実施形態では、基板50の光入射側の面(表面50a)上に、層間絶縁膜(不図示)を介して配線52aが形成された配線層52が設けられる。さらに、図7には示さないが、配線層52の光入射側には、カラーフィルタが設けられ、赤画素10、青画素20及び緑画素30には、カラーフィルタを通過した赤光、青光及び緑光がそれぞれ入射される。
赤画素10は、図7に示すように、基板50内部に埋め込むように形成された、赤色電荷蓄積部11、2つのP+層13,14及びP−層15と、赤色転送トランジスタ12とを有する。
青画素20は、図7に示すように、基板50内部に埋め込むように形成された、青色電荷蓄積部21、2つのP+層23,24及びP−層25と、青色転送トランジスタ22とを有する。
緑画素30は、図7に示すように、基板50内部に埋め込むように形成された、第1緑色電荷蓄積部31a、第2緑色電荷蓄積部31b及び2つのP+層33,34と、緑色転送トランジスタ32とを有する。
本開示の固体撮像装置の構成は、上記各種実施形態で説明した構成に限定されず、例えば、次のような各種変形例が考えられる。
上記各種実施形態では、緑画素30において、基板50の厚さ方向に沿って2つの緑色電荷蓄積部を設ける例を説明したが、本開示はこれに限定されない。緑画素30において、3つ以上の緑色電荷蓄積部を基板50の厚さ方向に沿って設けてもよく、この場合も上記各種実施形態と同様の効果が得られる。
上記各種実施形態では、赤色電荷蓄積部11、青色電荷蓄積部21、第1緑色電荷蓄積部31a及び第2緑色電荷蓄積部31bが互いに同じ構成(飽和電荷量が同じ)である例を説明したが、本開示はこれに限定されない。本開示では、各色の電荷蓄積部の構成(飽和電荷量)が互いに異なるようにしてもよい。
上記各種実施形態では、4つの画素を共有したCMOSイメージセンサに、上記本開示技術を適用する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。本開示の技術を、例えば、4つ以外の複数の画素を共有するCMOSイメージセンサに適用してもよいし、画素共有技術を採用しないCMOSイメージセンサにも適用可能である。
上記各種実施形態では、画素間で共有される画素トランジスタ(増幅トランジスタ、リセットトランジスタ及び選択トランジスタ)を所定の画素の形成領域に配置する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。画素間で共有される画素トランジスタ(増幅トランジスタ、リセットトランジスタ及び選択トランジスタ)を所定の画素の形成領域にまとめて配置しないCMOSイメージセンサにも本開示の技術は適用可能である。なお、本実施形態のように、画素間で共有される画素トランジスタを所定の画素の形成領域にまとめて配置した場合、その他の共有画素の光電変換領域(PD)の面積を拡大させることができる。この場合、その他の共有画素の感度の向上させることができ、飽和信号量を拡大することができる。
上記各種実施形態では、各色の画素において、基板50の表面50a及び裏面50bに、暗電流や白点を抑制するためのP+層を埋め込むようにして設ける例を説明したが、本開示はこれに限定されない。P+層を設けずに、キャリア極性が正の固定電荷層を、基板50の表面50a上及び裏面50b上にそれぞれ設けてもよい。
上記各種実施形態では、基板50の裏面50b側の領域に電荷蓄積部を設ける画素において、転送トランジスタの転送ゲートを縦型の転送ゲートで構成する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。基板50の裏面50b側の領域に電荷蓄積部を設ける画素において、電荷蓄積部と、表面50aに設けられる転送ゲート膜の脇の領域とを繋ぐ不純物領域部を設けた場合には、転送ゲートを縦型の転送ゲートで構成しなくてもよい。なお、このような画素における各種画素トランジスタのソース・ドレイン領域と電荷蓄積部との分離性能、並びに、電荷の転送性能の両方を考慮した場合には、転送トランジスタの転送ゲートは縦型の転送ゲートで構成することが好ましい。
上記各種実施形態のCMOSイメージセンサにおいて、基板50内の各部の導電型(N型又はP型)を反転してもよい。具体的には、上記各種実施形態のCMOSイメージセンサでは、信号電荷を電子とする例を説明したが、各画素の電荷蓄積部をP型の不純物層で構成し、信号電荷として正孔を用いてもよい。
上記各種実施形態では、CMOS型の固体撮像装置を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されず、上記本開示の技術は、CCD型の固体撮像装置にも適用可能であり、同様の効果が得られる。
本開示に係る固体撮像装置は、各種電子機器に適用可能である。例えば、上記各種実施形態及び各種変形例で説明した固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラシステム、撮像機能を有する携帯電話、又は、撮像機能を備えた他の機器などの電子機器に適用することができる。ここでは、電子機器の一構成例として、デジタルビデオカメラを例に挙げ説明する。
(1)
基板と、
前記基板内に設けられ、赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する赤色電荷蓄積部を有する赤画素と、
前記基板内に設けられ、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する青色電荷蓄積部を有する青画素と、
緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する緑色電荷蓄積部を複数有し、該複数の緑色電荷蓄積部が前記基板内においてその厚さ方向に沿って配置された緑画素と
を備える固体撮像装置。
(2)
第1の緑色電荷蓄積部が、前記基板内において一方の表面側の領域に配置され、第2の緑色電荷蓄積部が、前記基板内において他方の表面側の領域に配置されている
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
さらに、前記複数の緑色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域部を備え、
前記緑画素が、前記複数の緑色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記緑画素の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の厚さ方向に沿って、前記複数の緑色電荷蓄積部の形成領域全体に渡って延在して形成された縦型ゲート電極部を含む
(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記緑画素の飽和電荷量が、前記赤画素の飽和電荷量及び前記青画素の飽和電荷量のそれぞれより大きい
(1)〜(3)のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
(5)
前記赤画素の前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記青画素の前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置されている
(1)〜(4)のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
(6)
前記赤画素が、前記基板内において前記赤色電荷蓄積部の光入射側の領域に設けられた、前記赤色電荷蓄積部のキャリアの導電型と反対の導電型を有する不純物領域部を含み、
前記青画素が、前記基板内において前記青色電荷蓄積部の光入射側とは反対側の領域に設けられた、前記青色電荷蓄積部のキャリアの導電型と反対の導電型を有する不純物領域部を含む
(1)〜(5)のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
(7)
さらに、前記基板の光入射面とは反対側の面上に形成された配線層と、
前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域部とを備え、
前記赤画素の前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記青画素の前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置され、
前記青画素が、前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記青画素の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の厚さ方向に沿って、前記基板の光入射面とは反対側の面から前記青色光電変換領域まで延在して形成された縦型ゲート電極部を含む
(1)〜(6)のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
(8)
さらに、前記基板の面内方向において互いに隣り合う前記赤画素、前記青画素及び前記緑画素で共有された、転送トランジスタ以外の画素トランジスタを備え、
前記画素トランジスタが、前記青画素の形成領域に配置されている
(7)に記載の固体撮像装置。
(9)
さらに、前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域部を備え、
前記赤画素の前記赤色電荷蓄積部が、前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記赤画素が、前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記赤画素の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成されたゲート電極膜である
(7)又は(8)に記載の固体撮像装置。
(10)
さらに、前記基板の光入射側の面上に形成された配線層と、
前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域部とを備え、
前記青画素の前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置され、
前記赤画素の前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記赤画素が、前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記赤画素の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の厚さ方向に沿って、前記基板の光入射面から前記赤色光電変換領域まで延在した縦型ゲート電極部を含む
(1)〜(6)のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
(11)
さらに、前記基板の面内方向において互いに隣り合う前記赤画素、前記青画素及び前記緑画素で共有された、転送トランジスタ以外の画素トランジスタを備え、
前記画素トランジスタが、前記赤画素の形成領域に配置されている
(10)に記載の固体撮像装置。
(12)
さらに、前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域部を備え、
前記青画素の前記青色電荷蓄積部が、前記基板の光入射面側の領域に配置され、
前記青画素が、前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記青画素の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の光入射面に形成されたゲート電極膜である
(10)又は(11)に記載の固体撮像装置。
(13)
基板と、前記基板内に設けられ、赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する赤色電荷蓄積部を有する赤画素と、前記基板内に設けられ、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する青色電荷蓄積部を有する青画素と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する緑色電荷蓄積部を複数有し、該複数の緑色電荷蓄積部が前記基板内においてその厚さ方向に沿って配置された緑画素とを有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号に対して所定の処理を施す信号処理回路と
を備える電子機器。
[1]
赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、
前記画素の光入射面とは反対側の面から前記青色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記青色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、
前記画素の光入射面とは反対側の面から前記緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極と
を備えた
固体撮像装置。
[2]
前記赤色電荷蓄積部、前記青色電荷蓄積部および前記緑色電荷蓄積部は基板内に設けられ、
前記緑色電荷蓄積部は複数形成され、該複数の緑色電荷蓄積部が前記基板内においてその厚さ方向に沿って配置されている
上記[1]に記載の固体撮像装置。
[3]
前記複数の緑色電荷蓄積部は、
前記基板内において一方の表面側の領域に配置された第1の緑色電荷蓄積部と、
前記基板内において他方の表面側の領域に配置された第2の緑色電荷蓄積部と
を有する
上記[2]に記載の固体撮像装置。
[4]
前記複数の緑色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第1の浮遊拡散領域部と、
前記複数の緑色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第1の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタとを備え、
前記第2の縦型電極は、前記転送トランジスタのゲート電極として、前記基板の厚さ方向に沿って前記複数の緑色電荷蓄積部の形成領域全体に渡って延在して形成されている
上記[2]に記載の固体撮像装置。
[5]
前記緑色電荷蓄積部の飽和電荷量が、前記赤色電荷蓄積部の飽和電荷量及び前記青色電荷蓄積部の飽和電荷量のそれぞれより大きい
上記[1]ないし[4]のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
[6]
前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置されている
上記[2]に記載の固体撮像装置。
[7]
前記基板内において前記赤色電荷蓄積部の光入射側の領域に設けられると共に、前記赤色電荷蓄積部のキャリアの導電型と反対の導電型を有する第1の不純物領域部と、
前記基板内において前記青色電荷蓄積部の光入射側とは反対側の領域に設けられると共に、前記青色電荷蓄積部のキャリアの導電型と反対の導電型を有する第2の不純物領域部とを含む
上記[6]に記載の固体撮像装置。
[8]
前記基板の光入射面とは反対側の面上に形成された配線層と、
前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第2の浮遊拡散領域部と、
前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第2の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタとを備え、
前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置され、
前記第1の縦型電極は、前記転送トランジスタのゲート電極として、前記基板の厚さ方向に沿って、前記基板の光入射面とは反対側の面から前記青色電荷蓄積部まで延在して形成されている
上記[2]に記載の固体撮像装置。
[9]
前記赤色電荷蓄積部を有する赤画素と、前記青色電荷蓄積部を有する青画素と、前記緑色電界蓄積部を有する緑画素とが、前記基板の面内方向において互いに隣り合って配置され、
前記赤画素、前記青画素及び前記緑画素で共有された、転送トランジスタ以外の画素トランジスタを備え、
前記画素トランジスタが、前記青画素の形成領域に配置されている
上記[8]に記載の固体撮像装置。
[10]
前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第3の浮遊拡散領域部を備え、
前記赤色電荷蓄積部が、前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記赤画素が、前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第3の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成されたゲート電極膜である
上記[9]に記載の固体撮像装置。
[11]
赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、
前記画素の光入射面から前記赤色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記赤色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、
前記画素の光入射面から前記緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極と
を備えた
固体撮像装置。
[12]
前記赤色電荷蓄積部、前記青色電荷蓄積部および前記緑色電荷蓄積部は基板内に設けられ、
前記基板の光入射側の面上に形成された配線層と、
前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第3の浮遊拡散領域部と、
前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第3の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタとを備え、
前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置され、
前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記第1の縦型電極は、前記転送トランジスタのゲート電極として、前記基板の厚さ方向に沿って、前記基板の光入射面から前記赤色電荷蓄積部まで延在して形成されている
上記[11]に記載の固体撮像装置。
[13]
前記赤色電荷蓄積部を有する赤画素と、前記青色電荷蓄積部を有する青画素と、前記緑色電界蓄積部を有する緑画素とが、前記基板の面内方向において互いに隣り合って配置され、
前記赤画素、前記青画素及び前記緑画素で共有された、転送トランジスタ以外の画素トランジスタを備え、
前記画素トランジスタが、前記赤画素の形成領域に配置されている
上記[12]に記載の固体撮像装置。
[14]
前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第2の浮遊拡散領域部を備え、
前記青画素が、前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第2の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の光入射面に形成されたゲート電極膜である
上記[13]に記載の固体撮像装置。
[15]
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号に対して所定の処理を施す信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、
前記画素の光入射面とは反対側の面から前記青色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記青色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、
前記画素の光入射面とは反対側の面から前記緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極と
を備えた電子機器。
[16]
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号に対して所定の処理を施す信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、
前記画素の光入射面から前記赤色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記赤色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、
前記画素の光入射面から前記緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極と
を備えた電子機器。
Claims (13)
- 赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する、第1の緑色電荷蓄積部および第2の緑色電荷蓄積部を含む複数の緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、
内部に、前記赤色電荷蓄積部と、前記青色電荷蓄積部と、前記複数の緑色電荷蓄積部とを有し、一方の表面側に前記第1の緑色電荷蓄積部、他方の表面側に前記第2の緑色電荷蓄積部がその厚み方向に沿って配置された基板と、
前記画素の光入射面とは反対側の面から前記青色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記青色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、
前記画素の光入射面とは反対側の面から前記緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記複数の緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極とを備え、
前記複数の緑色電荷蓄積部の飽和電荷量の和は、前記赤色電荷蓄積部の飽和電荷量及び前記青色電荷蓄積部の飽和電荷量のそれぞれより大きい
固体撮像装置。 - 前記複数の緑色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第1の浮遊拡散領域部と、
前記複数の緑色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第1の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタとを備え、
前記第2の縦型電極は、前記転送トランジスタのゲート電極として、前記基板の厚さ方向に沿って前記複数の緑色電荷蓄積部の形成領域全体に渡って延在して形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記基板内において前記赤色電荷蓄積部の光入射側の領域に設けられると共に、前記赤色電荷蓄積部のキャリアの導電型と反対の導電型を有する第1の不純物領域部と、
前記基板内において前記青色電荷蓄積部の光入射側とは反対側の領域に設けられると共に、前記青色電荷蓄積部のキャリアの導電型と反対の導電型を有する第2の不純物領域部とを含む
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記基板の光入射面とは反対側の面上に形成された配線層と、
前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第2の浮遊拡散領域部と、
前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第2の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタとを備え、
前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置され、
前記第1の縦型電極は、前記転送トランジスタのゲート電極として、前記基板の厚さ方向に沿って、前記基板の光入射面とは反対側の面から前記青色電荷蓄積部まで延在して形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記赤色電荷蓄積部を有する赤画素と、前記青色電荷蓄積部を有する青画素と、前記複数の緑色電界蓄積部を有する緑画素とが、前記基板の面内方向において互いに隣り合って配置され、
前記赤画素、前記青画素及び前記緑画素で共有された、転送トランジスタ以外の画素トランジスタを備え、
前記画素トランジスタが、前記青画素の形成領域に配置されている
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第3の浮遊拡散領域部を備え、
前記赤色電荷蓄積部が、前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記赤画素が、前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第3の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成されたゲート電極膜である
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する、第1の緑色電荷蓄積部および第2の緑色電荷蓄積部を含む複数の緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、
内部に、前記赤色電荷蓄積部と、前記青色電荷蓄積部と、前記複数の緑色電荷蓄積部とを有し、一方の表面側に前記第1の緑色電荷蓄積部、他方の表面側に前記第2の緑色電荷蓄積部がその厚み方向に沿って配置された基板と、
前記画素の光入射面から前記赤色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記赤色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、
前記画素の光入射面から前記緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記複数の緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極とを備え、
前記複数の緑色電荷蓄積部の飽和電荷量の和は、前記赤色電荷蓄積部の飽和電荷量及び前記青色電荷蓄積部の飽和電荷量のそれぞれより大きい
固体撮像装置。 - 更に、前記基板の光入射側の面上に形成された配線層と、
前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第3の浮遊拡散領域部と、
前記赤色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第3の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタとを備え、
前記青色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側の領域に配置され、
前記赤色電荷蓄積部が、前記基板内において前記基板の光入射面側とは反対の面側の領域に配置され、
前記第1の縦型電極は、前記転送トランジスタのゲート電極として、前記基板の厚さ方向に沿って、前記基板の光入射面から前記赤色電荷蓄積部まで延在して形成されている
請求項8に記載の固体撮像装置。 - 前記赤色電荷蓄積部を有する赤画素と、前記青色電荷蓄積部を有する青画素と、前記複数の緑色電界蓄積部を有する緑画素とが、前記基板の面内方向において互いに隣り合って配置され、
前記赤画素、前記青画素及び前記緑画素で共有された、転送トランジスタ以外の画素トランジスタを備え、
前記画素トランジスタが、前記赤画素の形成領域に配置されている
請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を電圧に変換する第2の浮遊拡散領域部を備え、
前記青画素が、前記青色電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記第2の浮遊拡散領域部に転送する転送トランジスタを有し、該転送トランジスタのゲート電極が、前記基板の光入射面に形成されたゲート電極膜である
請求項10に記載の固体撮像装置。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号に対して所定の処理を施す信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する、第1の緑色電荷蓄積部および第2の緑色電荷蓄積部を含む複数の緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、
内部に、前記赤色電荷蓄積部と、前記青色電荷蓄積部と、前記複数の緑色電荷蓄積部とを有し、一方の表面側に前記第1の緑色電荷蓄積部、他方の表面側に前記第2の緑色電荷蓄積部がその厚み方向に沿って配置された基板と、
前記画素の光入射面とは反対側の面から前記青色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記青色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、
前記画素の光入射面とは反対側の面から前記緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記複数の緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極とを備え、
前記複数の緑色電荷蓄積部の飽和電荷量の和は、前記赤色電荷蓄積部の飽和電荷量及び前記青色電荷蓄積部の飽和電荷量のそれぞれより大きい
電子機器。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号に対して所定の処理を施す信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
赤色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの赤色電荷蓄積部と、青色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する1つの青色電荷蓄積部と、緑色波長の光成分を光電変換して得られる電荷を蓄積する、第1の緑色電荷蓄積部および第2の緑色電荷蓄積部を含む複数の緑色電荷蓄積部とを互いに異なる位置に有する複数の画素と、
内部に、前記赤色電荷蓄積部と、前記青色電荷蓄積部と、前記複数の緑色電荷蓄積部とを有し、一方の表面側に前記第1の緑色電荷蓄積部、他方の表面側に前記第2の緑色電荷蓄積部がその厚み方向に沿って配置された基板と、
前記画素の光入射面から前記赤色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記赤色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第1の縦型電極と、
前記画素の光入射面から前記緑色電荷蓄積部まで延在して形成されると共に、前記複数の緑色電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送するための第2の縦型電極とを備え、
前記複数の緑色電荷蓄積部の飽和電荷量の和は、前記赤色電荷蓄積部の飽和電荷量及び前記青色電荷蓄積部の飽和電荷量のそれぞれより大きい
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