JP5320989B2 - 固体撮像装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
アンプトランジスタTr3は、ソース・ドレイン領域206と、ソース・ドレイン領域206が形成された領域に隣接する基板上にゲート絶縁膜217を介して形成された平面型のゲート電極211と、基板表面に形成されたn+不純物領域より構成されるソース・ドレイン領域207とから構成される。
リセットトランジスタTr2は、ソース・ドレイン領域205と、ソース・ドレイン領域205が形成された領域に隣接する基板201上にゲート絶縁膜217を介して形成された平面型のゲート電極210と、基板201表面に形成されたn+不純物領域より構成されるソース・ドレイン領域206とから構成される。
ソース・ドレイン領域206は、基板201上に層間絶縁膜215を介して形成される電源配線213にコンタクト部212を介して接続される。
また、層間絶縁膜215内には、所望の配線214が形成されている。
基板の深さ方向に順に積層されて形成された第2及び第3のフォトダイオードであって、第1の波長域の光と補色関係にある第2及び第3の波長域の光を検出する第2及び第3のフォトダイオードから構成された第2の受光部と、第1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為の第1のゲート電極と、第2のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為に基板の表面側に形成された平面型ゲート電極である第2のゲート電極と、第2のフォトダイオードよりも深い位置の第3のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為に基板の深さ方向に埋め込まれて形成された縦型ゲート電極である第3のゲート電極と、を含んで構成された第2の画素と、
第2のフォトダイオードと、第3のフォトダイオードとの間を電気的に分離するための、フォトダイオード分離領域と、
第1の受光部が形成された基板の光入射側に形成される、単色フィルタと、
第2の受光部が形成された基板の光入射側に形成される、補色フィルタと、
を含む。
まず、図1を用いて、以下に説明する第1の実施形態及び第2の実施形態が適用されるCMOS型の固体撮像装置、すなわち、CMOSイメージセンサの全体構造について説明する。
以下に説明する第1〜第5の実施形態における固体撮像装置は、図1における固体撮像装置1を構成するものであり、特に有効撮像領域における画素2の断面構成を示すものである。
図2に本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略平面構成を示す。図2は、本実施形態例の固体撮像装置の撮像領域における複数の画素2(本実施形態例では、第1の画素2a、第2の画素2b)の平面レイアウトを示すものである。また、図3には、図2のX−X’線上に沿う断面構成を示し、図4には、図2のY−Y’線上に沿う断面構成を示す。本実施形態例の固体撮像装置は、基板の表面側から光照射が為される表面照射型の固体撮像装置である。
本実施形態例の固体撮像装置は、第1の画素2aと第2の画素2bとから構成されている。第1の画素2aは、第1の受光部20aと、第1のゲート電極24と、フローティングディフュージョン領域21aとを含んで構成されている。また、第2の画素2bは、第2の受光部20bと、第2及び第3のゲート電極22,23と、フローティングディフュージョン領域21bとを含んで構成されている。
本実施形態例は、第1の波長域の光を緑色(G)とし、第2の波長域の光を青色(B)とし、第3の波長域の光を赤色(R)とする例である。
図3に示すように、第1の受光部20aを構成する第1のフォトダイオードPD1は、基板26の表面から深さ方向に順に形成されたp+不純物領域32、n+不純物領域30、n−不純物領域31、p+不純物領域29、n+不純物領域28、n−不純物領域27からなる2層のフォトダイオードを有する。すなわち、基板26表面側のp+不純物領域32とn+不純物領域30とのpn接合j1により上層のフォトダイオードが構成され、基板26の深さ方向に深い位置に形成されたp+不純物領域29とn+不純物領域28とのpn接合j2により下層のフォトダイオードが構成されている。そして、上層のフォトダイオードを構成するpn接合j1は、基板26の表面から0.1〜0.2μm程度の深さに形成され、下層のフォトダイオードを構成するpn接合j2は、基板26の表面から0.5μm〜0.8μm程度の深さに形成されている。
図4に示すように、第2の受光部20bは、深さ方向に積層された第2のフォトダイオードPD2と第3のフォトダイオードPD3とを有する。
また、第3のフォトダイオードPD3は、基板26の第2のフォトダイオードPD2よりも深い位置から深さ方向に形成されたp+不純物領域41、n+不純物領域36、n−不純物領域35により構成されている。この第3のフォトダイオードPD3は、主に、p+不純物領域41とn+不純物領域36とのpn接合j4により構成されている。
以上の構成を有する固体撮像装置の動作について、1つの第1の画素2aと、1つの第2の画素2bに注目して説明する。
そうすると、緑色フィルタ45では、緑色の光Gのみが透過するので、第1の受光部20aには、第1の波長域の光として、緑色の光Gが入射する。第1の受光部20aに入射した緑色の光Gは、第1のフォトダイオードPD1において光電変換により信号電荷に変換される。このとき、緑色の光Gは、上層のフォトダイオード及び下層のフォトダイオードにおいて光電変換されるので、第1のフォトダイオードPD1の飽和電荷量(Qs)を増加させることができる。そして、第1のフォトダイオードPD1で光電変換により発生した信号電荷は、pn接合j1,j2によって形成された電位の井戸に蓄積される。
S2=Bs+Rs/2
S3=2Rs/3
となる。そして、この演算式から、信号出力Bs,Rsを、それぞれ
Bs=S2−S3/2
Rs=3/2×S3
と求めることができる。
図5に本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略平面構成を示す。図5は、本実施形態例の固体撮像装置の撮像領域における複数の画素2の平面レイアウトを示すものである。また、図6には、図5のX−X’線上に沿う断面構成を示し、図7には、図5のY−Y’線上に沿う断面構成を示す。図5〜7において、図2〜4に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
本実施形態例は、第1の波長域の光を青色(B)とし、第2の波長域の光を緑色(G)とし、第3の波長域の光を赤色(R)とする例である。すなわち、図5に示すように、青色の光Bを光電変換する第1の受光部20aと、緑色の光Gと赤色の光を光電変換する第2の受光部20bがそれぞれ千鳥状に交互に形成されている。
以上の構成を有する固体撮像装置の動作について、1つの第1の画素2aと、1つの第2の画素2bに注目して説明する。
そうすると、青色フィルタ43では、青色の光Bのみが透過するので、第1の受光部20aには、第1の波長域の光として、青色の光Bが入射する。第1の受光部20aに入射した青色の光Bは、第1のフォトダイオードPD1で光電変換する。このとき、青色の光Bは、上層のフォトダイオード及び下層のフォトダイオードにおいて光電変換されるので、第1のフォトダイオードPD1の飽和電荷量(Qs)を増加させることができる。そして、第1のフォトダイオードPD1で光電変換されて発生した信号電荷e1は、pn接合j1,j2によって形成された電位の井戸に蓄積される。
S2=α・Bs+β・Rs
S3=γ・Bs+δ・Rs
となる。α、β、γ、δは、基板26の深さに対する光の吸収係数や、イエローフィルタ44の特性から決定される定数である。そして、この演算式から、信号出力Bs,Rsを、それぞれ求めることができる。
図8に本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略平面構成を示す。図8は、本実施形態例の固体撮像装置の撮像領域における複数の画素2の平面レイアウトを示すものである。また、図9には、図8のX−X’線上に沿う断面構成を示し、図10には、図8のY−Y’線上に沿う断面構成を示す。図8〜10において、図2〜4に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
本実施形態例は、第1の波長域の光を赤色(R)とし、第2の波長域の光を青色(B)とし、第3の波長域の光を緑色(G)とする例である。すなわち、図8に示すように、赤色の光Rを光電変換する第1の受光部20aと、青色の光Bと緑色の光Gを光電変換する第2の受光部20bがそれぞれ千鳥状に交互に形成されている。
以上の構成を有する固体撮像装置の動作について、1つの第1の画素2aと、1つの第2の画素2bに注目して説明する。
そうすると、赤色フィルタ46では、赤色の光Rのみが透過するので、第1の受光部20aには、第1の波長域の光として、赤色の光Rが入射する。第1の受光部20aに入射した赤色の光Rは、第1のフォトダイオードPD1で光電変換される。このとき、赤色の光Rは、上層のフォトダイオード及び下層のフォトダイオードにおいて光電変換されるので、第1のフォトダイオードPD1の飽和電荷量(Qs)を増加させることができる。そして、第1のフォトダイオードPD1で光電変換されて発生した信号電荷e1は、pn接合j1,j2によって形成された電位の井戸に蓄積される。
S2=α・Bs+β・Gs
S3=γ・Bs+δ・Gs
となる。α、β、γ、δは、基板26の深さに対する光の吸収係数や、シアンフィルタ47の特性から決定される係数である。そして、この演算式から、信号出力Bs,Gsを、それぞれ求めることができる。
図11に本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略平面構成を示す。図11は、本実施形態例の固体撮像装置の撮像領域における複数の画素2の平面レイアウトを示すものである。また、図12には、図11のX−X’線上に沿う断面構成を示し、図13には、図11のY−Y’線上に沿う断面構成を示す。図11〜13において、図2〜4に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
本実施形態例の固体撮像装置は、第1の実施形態例における固体撮像装置とは、フローティングディフュージョン領域の共有方法と、第2のゲート電極23及び第3のゲート電極22の配置方法が異なる例である。
図14に本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略平面構成を示す。図14は、本実施形態例の固体撮像装置の撮像領域における複数の画素2の平面レイアウトを示すものである。また、図15には、図14のX−X’線上に沿う断面構成を示す。図14及び図15において、図2及び図4に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
本実施形態例の固体撮像装置の画素2は、受光部20と、縦型ゲート電極52と、平面型ゲート電極53と、フローティングディフュージョン領域21とを含んで構成されている。そして、画素2上部には、有機光電変換膜48を有する。
図15に示すように、上側フォトダイオードPDaは、基板26の表面から深さ方向に順に形成されたp+不純物領域、n+不純物領域、n−不純物領域により構成され、主に、p+不純物領域とn+不純物領域とのpn接合jaにより構成されている。
また、下側フォトダイオードPDbは、上側フォトダイオードPDaよりも深い位置から深さ方向に形成されたp+不純物領域、n+不純物領域、n−不純物領域により構成され、主に、p+不純物領域とn+不純物領域とのpn接合jbにより構成されている。
そして、このマゼンダフィルタ49の上部には、緑色の光Gのみを吸収し光電変換する、有機光電変換膜48が形成されている。
[動作の説明]
以上の構成を有する固体撮像装置の動作について説明する。
そうすると、有機光電変換膜48では、緑色の光Gのみが吸収される。そして、有機光電変換膜48に吸収された緑色の光Gは、有機光電変換膜48内で光電変換され、信号電荷e1が発生する。緑色の光Gにより発生した信号電荷e1は、出力端子を介して、緑色の信号出力Gsとして出力される。
まず、平面型ゲート電極53がオンされることにより、平面型ゲート電極53下部の基板26内の電位が変動する。これにより、上側フォトダイオードPDaに蓄積された信号電荷e2は、平面型ゲート電極53に隣接して形成されたフローティングディフュージョン領域21に読み出される。また、縦型ゲート電極52がオンされることにより、縦型ゲート電極52周囲の電位が変動する。これにより、下側フォトダイオードPDbに蓄積された信号電荷e3は、縦型ゲート電極52に隣接して形成されたフローティングディフュージョン領域21に読み出される。
さらに、本発明は、画素アレイ部の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限らない。例えば、画素単位で任意の画素を選択して、当該選択画素から画素単位で信号を読み出すX−Yアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
[電子機器]
以下に、上述した本発明の固体撮像装置を、電子機器に用いた場合の実施形態を示す。以下の説明では、一例として、カメラに、第1〜第5の実施形態のいずれかを適用した固体撮像装置1を用いる例を説明する。
本実施形態に係るカメラは、固体撮像装置1と、光学レンズ110と、シャッタ装置111と、駆動回路112と、信号処理回路113とを有する。そして、この固体撮像装置1には、第1〜第55の実施形態の固体撮像装置を適用できる。
シャッタ装置111は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路112は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置111のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路112から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路113は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
Claims (5)
- 基板と、
前記基板に形成された第1の波長域の光を検出する第1のフォトダイオードであって、前記基板の深さ方向に積層された複数のフォトダイオードで構成される前記第1のフォトダイオードから構成された第1の受光部と、前記第1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為の第1のゲート電極と、を含んで構成された第1の画素と、
前記基板の深さ方向に順に積層されて形成された第2及び第3のフォトダイオードであって、前記第1の波長域の光と補色関係にある第2及び第3の波長域の光を検出する第2及び第3のフォトダイオードから構成された第2の受光部と、前記第1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為の第1のゲート電極と、前記第2のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為に前記基板の表面側に形成された平面型ゲート電極である第2のゲート電極と、前記第2のフォトダイオードよりも深い位置の前記第3のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為に前記基板の深さ方向に埋め込まれて形成された縦型ゲート電極である第3のゲート電極と、を含んで構成された第2の画素と、
前記第2のフォトダイオードと、前記第3のフォトダイオードとの間を電気的に分離するための、フォトダイオード分離領域と、
前記第1の受光部が形成された前記基板の光入射側に形成される、単色フィルタと、
前記第2の受光部が形成された前記基板の光入射側に形成される、補色フィルタと、
を含む固体撮像装置。 - 前記第1〜第3のゲート電極に読み出された信号電荷を蓄積する為に、前記第1〜第3のゲート電極のそれぞれに隣接して形成されたそれぞれのフローティングディフュージョン領域を有し、
前記フローティングディフュージョン領域は、隣接する画素間で共有される
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1の画素及び前記第2の画素は、互いに千鳥状に配置される
請求項1又は2記載の固体撮像装置。 - 前記単色フィルタは、緑色のカラーフィルタであり、前記補色フィルタは、マゼンダ色のカラーフィルタである
請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 光学レンズと、
基板と、前記基板に形成された第1の波長域の光を検出する第1のフォトダイオードであって、前記基板の深さ方向に積層された複数のフォトダイオードで構成される前記第1のフォトダイオードから構成された第1の受光部と、前記第1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為の第1のゲート電極と、を含んで構成された第1の画素と、前記基板の深さ方向に順に積層されて形成された第2及び第3のフォトダイオードであって、前記第1の波長域の光と補色関係にある第2及び第3の波長域の光を検出する第2及び第3のフォトダイオードから構成された第2の受光部と、前記第1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為の第1のゲート電極と、前記第2のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為に前記基板の表面側に形成された平面型ゲート電極である第2のゲート電極と、前記第2のフォトダイオードよりも深い位置の前記第3のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出す為に前記基板の深さ方向に埋め込まれて形成された縦型ゲート電極である第3のゲート電極と、を含んで構成された第2の画素と、前記第2のフォトダイオードと、前記第3のフォトダイオードとの間を電気的に分離するための、フォトダイオード分離領域と、前記第1の受光部が形成された前記基板の光入射側に形成される、単色フィルタと、前記第2の受光部が形成された前記基板の光入射側に形成される、補色フィルタと、を含む固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と、
を含んで構成される電子機器。
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