JP6776247B2 - 固体撮像装置および電子機器 - Google Patents
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Description
1.第1の実施の形態
2.第2の実施の形態(イメージセンサの使用例)
3.第3の実施の形態(電子機器の例)
<固体撮像装置の概略構成例>
図1は、本技術の各実施の形態に適用されるCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)固体撮像装置の一例の概略構成例を示している。
図2は、N型基板とグラウンドに接続された遮光メタルの間の絶縁膜に定常的に電界がかかる場合の固体撮像装置の構成例を示す断面図である。図2の例においては、裏面固体撮像装置の例が示されている。また、図2の例においては、記載されていないが、実際には、固体撮像装置1における、図中下部にトランジスタなどの配線層が配置されている。
図3は、本技術の固体撮像装置の第1の構成例を示す断面図である。
図5は、本技術の固体撮像装置の第2の構成例を示す断面図である。
図6は、本技術の固体撮像装置の第3の構成例を示す断面図である。
図7は、本技術の固体撮像装置の第4の構成例を示す断面図である。
図8は、上述の固体撮像装置を使用する使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
<電子機器の構成例>
(1) 画素が規則的に2次元的に配列された画素領域と、
前記画素領域の外側において、前記画素からの画像信号に対して信号処理を行う回路が配置される周辺回路領域と、
前記画素領域と前記周辺回路領域の間に配置される画素周辺領域と、
前記画素領域を覆い、第1の電位に接続されている第1の遮光物と、
前記周辺回路領域を覆い、前記第1の電位とは異なる電位である第2の電位に接続されている第2の遮光物と
を備える固体撮像装置。
(2) 前記第1の遮光物と前記第2の遮光物との間において、前記画素領域を囲む絶縁体領域が配置されている
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3) 前記第1の遮光物および第2遮光物のうち少なくとも1つは、タングステン、チタンを含む化合物、またはアルミで構成されている
前記(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4) 前記絶縁体領域内におけるSi基板の表面を掘り込んで形成された埋め込み部が設けられている
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(5) 前記埋め込み部は、絶縁物が埋め込まれて形成されている
前記(4)に記載の固体撮像装置。
(6) 前記画素領域と前記絶縁体領域内の間にある領域におけるSi基板の内部に、埋め込み遮光膜が埋め込まれている
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(7) 前記周辺回路領域側への光の入射を抑制するための膜は、Si基板と屈折率が異なる膜で構成されている
前記(6)に記載の固体撮像装置。
(8) 前記周辺回路領域側への光の入射を抑制するための膜は、遮光膜で構成されている
前記(6)に記載の固体撮像装置。
(9) 前記遮光膜は、絶縁物と遮光物の積層構造である
前記(8)に記載の固体撮像装置。
(10) 前記遮光膜は、タングステン、チタンを含む化合物、またはアルミで構成されている
前記(8)に記載の固体撮像装置。
(11) 裏面固体撮像装置である
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(12) 規則的に2次元的に配列された画素と、
垂直加算を行う際に、垂直加算対象の画素のうちの一方が、撮像以外の機能を有する特殊画素である場合、前記垂直加算対象の画素のどちらかのみを出力する垂直加算回路と
を備える固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系と
を有する電子機器。
Claims (11)
- 画素が規則的に2次元的に配列された画素領域と、
前記画素領域の外側において、前記画素からの画像信号に対して信号処理を行う回路が配置される周辺回路領域と、
前記画素領域と前記周辺回路領域の間に配置される画素周辺領域と、
前記画素領域を覆い、第1の電位に接続されている第1の遮光物と、
前記周辺回路領域を覆い、前記第1の電位とは異なる電位である第2の電位に接続されている第2の遮光物と
を備え、
前記第1の遮光物と前記第2の遮光物との間において、前記画素領域を囲む絶縁体領域が配置されており、
前記画素領域と前記絶縁体領域の間にある領域に、前記画素領域側への光の入射を抑制するための第1の膜と、前記周辺回路領域のうち、前記絶縁体領域よりも外側にある領域におけるSi基板の内部に、前記周辺回路領域側への光の入射を抑制するための第2の膜が埋め込まれている
固体撮像装置。 - 前記第1の遮光物と前記第2の遮光物との間において、前記画素領域を囲む絶縁体領域が配置されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の遮光物および第2遮光物のうち少なくとも1つは、タングステン、チタンを含む化合物、またはアルミで構成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁体領域内におけるSi基板の表面を掘り込んで形成された埋め込み部が設けられている
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記埋め込み部は、絶縁物が埋め込まれて形成されている
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の膜および前記第2の膜は、Si基板と屈折率が異なる膜で構成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の膜および前記第2の膜は、遮光膜で構成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光膜は、絶縁物と遮光物の積層構造である
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光膜は、タングステン、チタンを含む化合物、またはアルミで構成されている
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 裏面固体撮像装置である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 画素が規則的に2次元的に配列された画素領域と、
前記画素領域の外側において、前記画素からの画像信号に対して信号処理を行う回路が配置される周辺回路領域と、
前記画素領域と前記周辺回路領域の間に配置される画素周辺領域と、
前記画素領域を覆い、第1の電位に接続されている第1の遮光物と、
前記周辺回路領域を覆い、前記第1の電位とは異なる電位である第2の電位に接続されている第2の遮光物と
を備え、
前記第1の遮光物と前記第2の遮光物との間において、前記画素領域を囲む絶縁体領域が配置されており、
前記画素領域と前記絶縁体領域の間にある領域に、前記画素領域側への光の入射を抑制するための第1の膜と、前記周辺回路領域のうち、前記絶縁体領域よりも外側にある領域におけるSi基板の内部に、前記周辺回路領域側への光の入射を抑制するための第2の膜が埋め込まれている固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系と
を有する電子機器。
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