JP4799522B2 - 撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、固体撮像装置に関する。

ＭＯＳ型固体撮像素子は、低電圧、単一電源、低コストという利点がある。近年、ＭＯＳ型固体撮像素子を具備する固体撮像装置について急速に微細化が進んでいる。このため、固体撮像装置内の配線に、Ａｌ配線よりもむしろ微細配線に適したＣｕ配線が使用される傾向にある。

Ｃｕ配線は、Ａｌ配線に対して、エレクトロマイグレーションに強く、ダマシン工程により製造されるため低背化が可能である。そのため、最上層にマイクロレンズを持つ固体撮像装置にとっては、光を集光しやすくすることができ、感度を上げることができる。一方、固体撮像装置に備えられているロジック回路についても、Ｃｕ配線を用いることで微細化・集積化可能であり、回路面積の縮小及びモジュールの縮小化が可能である。

しかし、ダマシン工程でＣｕ配線を使用する場合、層間膜を掘ってＣｕを埋め込むために、遮光層のような広域な面積の部分がディッシングという皿上の窪んだ形状になる場合がある。このため、広い面積となる部分に対してＣｕ配線を用いることは困難である。ゆえに、一般的には、微細加工が要求される下層配線ではＣｕ配線が使用され、上層の緩いデザインにはＡｌ配線が使用される。

特許文献１（特開２００１−２９８１７５号公報）には、多種多様な回路を搭載した固体撮像装置において、感度を上げるために撮像領域を低層化し、周辺回路を多層化し、高い信号処理速度と集積化を実現することが記載されている。

特許文献２（特開２００６−０９３６８７号公報）のイメージセンサーは、金属層パターン、ダミーパターン、上部遮光膜パターンを形成することにより、光遮断効果に優れた遮光領域を有している。

上記特許文献１のように、多種多様な回路を搭載した固体撮像装置では、感度を上げるために撮像領域を低層化し、周辺回路を多層化し、高い信号処理速度と集積化による小型化が図られている。

しかしながら、撮像領域を低層化し、周辺回路を多層化し、ダマシンＣｕ配線構造を用いると、周辺回路の多層化により遮光層位置が高くなり、画素のゼロレベルを決めるＯＢ(Optical Black)領域に斜め入射の光が入り、黒基準レベルを精度よく定めることが困難となる。

また、従来の固体撮像装置において適切に黒基準レベルを確保しようとすると、無効領域（ダミー領域）を拡大する必要があり、固体撮像装置の小型化が困難となる。

特許文献２においても、撮像領域からＯＢ領域に斜め入射の光が入ることまでは検討されていない。
特開２００１−２９８１７５号公報 特開２００６−０９３６８７号公報

本発明は、以上のような実情に鑑みてなされたもので、撮像領域からＯＢ領域に斜めに入射する光を遮断し、良好な撮像特性を得る固体撮像装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に係る撮像装置は、半導体基板の撮像領域に形成された光電変換手段と、半導体基板の撮像領域に隣接するオプティカルブラック領域に形成されている黒基準観測用光電変換手段と、半導体基板の撮像領域及びオプティカルブラック領域上に形成され、オプティカルブラック領域においては複数の絶縁膜の堆積により形成される絶縁層と、半導体基板の面からオプティカルブラック領域の最上絶縁膜の表面の配線まで複数の絶縁膜の堆積方向についてコンタクト及び配線を連接して形成される遮光手段とを具備する。撮像領域における絶縁層の厚さは、オプティカルブラック領域における絶縁層の厚さよりも薄い。遮光手段は、オプティカルブラック領域内であり半導体基板における撮像領域と黒基準観測用光電変換手段の形成位置との間に形成される。遮光手段は、複数の絶縁膜のそれぞれに対して形成された配線を、複数の絶縁膜の堆積方向において複数のコンタクトで連結して形成される。遮光手段は、撮像領域の外周の全体又は選択的な一部にそって、少なくとも一部が壁状に形成される。オプティカルブラック領域の最上絶縁膜の表面の配線は遮光膜である。

本発明により、撮像領域からＯＢ領域に斜めに入射する光を遮断し、良好な撮像特性を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。

（第１の実施の形態）
本実施の形態においては、撮像領域からＯＢ領域に斜め方向に入射する光を遮断する固体撮像装置について説明する。

図１は、本実施の形態に係る固体撮像装置の回路構成の一例を示す平面図である。

図２は、本実施の形態に係る固体撮像装置のレイアウト構成を示す平面図である。

本実施の形態に係る固体撮像装置１は、ＭＯＳ型固体撮像素子（ＭＯＳ型センサ）と、その周辺回路とが同一チップ上に形成された構成である。

本実施の形態において、撮像領域２の一端側には、ＯＢ(Optical Black)領域３が形成されており、さらにその先には周辺回路領域４が形成されている。すなわち、撮像領域２の一端側においては、撮像領域２と周辺回路領域４との間に、ＯＢ領域３が形成されている。また、撮像領域２の他端側にも周辺回路領域４が形成されている。

なお、ＯＢ領域３は、撮像領域２の外周を全部又は選択的に一部分を取り囲むように、撮像領域２の外周にそって形成されてもよい。

さらに、周辺回路領域４は、ＯＢ領域３及び撮像領域２を組み合わせた領域の外周にそって、この外周の全部又は選択的に一部分を取り囲むように形成されてもよい。

図１及び図２に示すように、ＭＯＳ型固体撮像素子が形成される撮像領域２及びＯＢ領域３には、光電変換層を含む光電変換部ａ、読み出しトランジスタｂ、リセットトランジスタｃ、増幅トランジスタｄ、選択トランジスタｅを１単位とする画素が、マトリックス状に配置されている。それぞれの画素は、コンタクト６，７及び配線８，９に接続されている。

図３は、本実施の形態に係る固体撮像装置１の断面構成の第１例を示す図２のＸ−Ｘ断面図である。

撮像領域２とＯＢ領域３には、電極画像光信号を画像電気信号に変換する電荷蓄積層１０と拡散層１１とが形成され、半導体基板１２上における電荷蓄積層１０と拡散層１１との間には図示しないゲート絶縁膜を介してリセットトランジスタｃのゲート電極１３が形成される。これら電荷蓄積層１０、拡散層１１、ゲート電極１３、光電変換層（図示せず）によってＭＯＳ型固体撮像素子が構成される。上述したように、ＭＯＳ型固体撮像素子は、撮像領域２とＯＢ領域３とにおいて、マトリクス状に配列されている。

ＯＢ領域３に形成されているＭＯＳ型固体撮像素子によって検出された信号に基づいて、画素のゼロレベルが決められる。

周辺回路領域４は、絶縁物からなる素子分離領域によって撮像領域２及びＯＢ領域３から素子分離されている。周辺回路領域４の半導体基板１２上には、周辺回路を構成するＭＯＳトランジスタが形成されている。

周辺回路領域４におけるＭＯＳトランジスタは、半導体基板１２上に形成された拡散層からなるソース領域１４及びドレイン領域１５と、これらソース領域１４及びドレイン領域１５の間の半導体基板１２上に図示しないゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極１６とを備えている。

ゲート電極１６、ソース領域１４、ドレイン領域１５、電荷蓄積層１０、拡散層１１、ゲート電極１３は、表面側（光が入射してくる側）が平坦化された第１の絶縁膜１７によって覆われている。第１の絶縁膜１７の表面上には例えばＣｕからなる第１の配線層１８が形成されている。

周辺回路領域４において、第１の配線層１８は、ソース領域１４及びドレイン領域１５のうちの一方と、第１の絶縁膜１７を通過するコンタクト１９を介して接続される。

撮像領域２及びＯＢ領域３において、第１の配線層１８は、第１の絶縁膜１７を通過するコンタクト１９を介して、電荷蓄積層１０、拡散層１１と接続される。このように、拡散層１１は、第１の絶縁膜１７に設けられたコンタクト１９を介して第１の配線層１８に接続されている。

第１の配線層１８は、表面側が平坦化された第２の絶縁膜２０によって覆われている。撮像領域２、ＯＢ領域３、周辺回路領域４において、第２の絶縁膜２０の表面上には、例えばＣｕからなる第２の配線層２１が形成されている。

第２の配線層２１は、所望の位置において、第２の絶縁膜２０を通過するコンタクト２２を介して第１の配線層１８と接続される。

第２の配線層２１は、表面側が平坦化された第３の絶縁膜２３によって覆われている。ＯＢ領域３、周辺回路領域４において、第３の絶縁膜２３の表面上には、例えばＣｕからなる第３の配線層２４が形成されている。

第３の配線層２４は、所望の位置において、第３の絶縁膜２３を通過するコンタクト２５を介して第２の配線層２１と接続される。

ＯＢ領域３及び周辺回路領域４において、第３の配線層２４は、表面側が平坦化された第４の絶縁膜２６によって覆われている。ＯＢ領域３、周辺回路領域４において、第４の絶縁膜２６の表面上には、例えばＣｕからなる第４の配線層２７が形成されている。

第４の配線層２７は、所望の位置において、第４の絶縁膜２６を通過するコンタクト２８を介して第３の配線層２４と接続される。

ＯＢ領域３及び周辺回路領域４において、第４の配線層２７は、表面側が平坦化された第５の絶縁膜２９によって覆われている。ＯＢ領域３、周辺回路領域４において、第５の絶縁膜２９の表面上には、第５の配線層３０が形成されている。

第５の配線層３０は、所望の位置において、第５の絶縁膜２９を通過するコンタクト３１を介して第４の配線層２７と接続される。

撮像領域２のうち、光電変換層の形成領域を除いた領域には、Ｃｕからなる遮光膜２１ａが形成される。本実施の形態においては、第２の配線層２１と遮光膜２１ａとは、同一層を構成する。

ＯＢ領域３において、第５の配線層３０は遮光膜となる。

ＯＢ領域３及び周辺回路領域４における第５の絶縁膜２９と第５の配線層３０、撮像領域２における第３の絶縁膜２３の表面側、及び撮像領域２とＯＢ領域３の厚さの違いにより生じるＯＢ領域の側面部は、平坦化層３２によって覆われている。

撮像領域２における平坦化層３２の表面側、すなわち、光電変換層の上（光が入射してくる側）に堆積された第１から第３までの絶縁膜１７，２０，２３の上の領域には、特定波長光の分離のための色フィルタ３３及び画像光信号を光電変換層に集光させるためのマイクロレンズ３４が設けられている。

撮像領域２の絶縁膜（第１から第３までの絶縁膜１７，２０，２３）の表面は、平坦化することにより周辺回路領域４の絶縁膜（第１から第５までの絶縁膜１７，２０，２３，２６，２９）の表面より低くなるように構成されている。このように、撮像領域２の絶縁膜を周辺回路領域４の絶縁膜よりも薄くすることにより、マイクロレンズ３４に入射した画像光信号を光電変換層に集光しやすくすることが可能であり、良好な画像特性を得ることができる。また、周辺回路領域４において多層配線構造を実現することが可能であり、周辺回路の高集積化及び高速化を実現することができる。

本実施の形態における遮光部３５は、ＯＢ領域３に形成されており、半導体基板１２の撮像領域２とＯＢ領域３の黒基準観測位置との間に形成される。

遮光部３５は、半導体基板１２の表面から、最も上層となる第５の絶縁膜２９の表面まで、第１から第５までの絶縁膜の堆積方向について、コンタクト１９、第１の配線層１８、コンタクト２２、第２の配線層２１、コンタクト２５、第３の配線層２４、コンタクト２８、第４の配線層２７、コンタクト３１、第５の配線層３０を連接して形成されている。ＯＢ領域３においては、各配線層間を接続するコンタクトは最小ピッチで形成される。

遮光部３５は、撮像領域２側からＯＢ領域３の光電変換層の側へ斜めに入射する光を遮断するために、撮像領域２の外周の全体又は選択的な一部にそって、少なくとも一部が壁状に形成される。

図４は、本実施の形態に係る固体撮像装置１の断面構成の第２例を示す図２のＹ−Ｙ断面図である。

上記図２には図示していないが、本実施の形態に係る固体撮像装置１において、ＯＢ領域３は、この図４に示すように、Ｙ−Ｙの方向において周辺回路領域４により挟まれている。

本実施の形態において、第５の配線層３０はＡｌで形成されており、先において説明したようにＯＢ領域３では撮像領域２側からＯＢ領域３へ斜めに入射する光を遮断する遮光膜となる。

ＯＢ領域３においては、半導体基板１２の表面から第５の配線層３０までが第１から第４までの配線層１８，２１，２４，２７及びコンタクト１９，２２，２５，２８，３１により連結されている。特に、ＯＢ領域３において、第３から第５までの絶縁膜２３，２６，２９に形成されるコンタクト２５，２８，３１と、第２から第５までの配線層２１，２４，２７，３０とは壁のように形成されており、撮像領域２からＯＢ領域３の光電変換層に斜め方向の光が入射することを防止する。

この図４に示すように、遮光膜３５は、少なくとも、撮像領域２の絶縁膜より高いＯＢ領域３の絶縁膜に含まれる部分については壁状であるとし、さらにその下の部分についても壁状であることが遮光効果の観点から好ましい。

図５は、従来の固体撮像装置において、撮像領域２からＯＢ領域３の光電変換層へ斜めに光が入射された状態の一例を示す断面図である。

このように、ＯＢ領域３及び周辺回路領域４の多層化により遮光膜３７の位置が高くなると、例えば、ＯＢ領域３の側面部から画素のゼロレベルを決めるＯＢ領域３に、斜めの光が入射する場合がある。この斜めの光がＯＢ領域３の光電変換層に観測されると、黒基準レベルを精度よく定めることが困難となる。

また、従来の固体撮像装置においては、安定した黒基準レベルを確保するために、ダミー画素を配置する場合がある。

これに対して、図６は、本実施の形態に係る固体撮像装置１において、撮像領域２からＯＢ領域３へ斜めに光が入射された状態の一例を示す断面図である。

本実施の形態では、ＯＢ領域３内であってＯＢ領域３の光電変換層と撮像領域２との間に、遮光部３５が備えられている。

遮光部３５は、撮像領域２よりもＯＢ領域３の方が高いことで生じるＯＢ領域３の側面部からＯＢ領域３に、斜め方向の光が入射した場合であっても、この側面から入射した光を遮光するため、撮像領域２からＯＢ領域３の光電変換層への斜め光の入射を阻止することができ、黒基準レベルの変動を防止することができる。

また、本実施の形態においては、ダミー画素を用いなくても安定した黒基準レベルを確保可能であるため、ダミー画素領域を削除又は少なくすることができ、固体撮像装置の小型化及びコストの低下が可能となる。

以下に、本実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法の一例を説明する。

図７は、製造工程途中段階での固体撮像装置１の断面の一例を示す図である。

まず、例えばシリコンからなる半導体基板１２に絶縁膜からなる素子分離領域が形成され、撮像領域２とＯＢ領域３と周辺回路領域４とを素子分離するとともに各領域内の素子を素子分離する。

次に、半導体基板１２上に、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の所望の位置に、ゲート電極１３，１６を形成するとともに、イオン注入などにより、周辺回路領域４にソース領域１４、ドレイン領域１５を形成するとともに、撮像領域２及びＯＢ領域３に、電荷蓄積層１０、拡散層１１、光電変換層（図示せず）を形成する。

次に、半導体基板１２の全面に、第１の絶縁膜１７を堆積し、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いて、堆積した第１の絶縁膜１７を平坦化する。

次に、リソグラフィ技術を用いて、ソース領域１４とドレイン領域１５とのうちの一方、及び拡散層１１にそれぞれ通じるコンタクト孔を第１の絶縁膜１７に開孔し、コンタクト１９及び第１の配線層１８を例えばＷ又はＣｕによって形成する。

次に、第１の配線層１８の形成された第１の絶縁膜１７の全面に、第２の絶縁膜２０を堆積し、ＣＭＰを用いて堆積した第２の絶縁膜２０を平坦化する。

次に、リソグラフィ技術を用いて、撮像領域２、ＯＢ領域３、周辺回路領域４の第２の絶縁膜２０の所望の位置に、第１の配線層１８に通じるコンタクト孔を開孔し、コンタクト２２及び第２の配線層２１を例えばＷ又はＣｕにより形成する。

次に、第２の配線層２１の形成された第２の絶縁膜２０の全面に、第３の絶縁膜２３を堆積し、ＣＭＰを用いて堆積した第３の絶縁膜２３を平坦化する。

この図７の段階以降の製造方法については、上記図３を参照して説明する。

次に、リソグラフィ技術を用いて、第３の絶縁膜２３のＯＢ領域３及び周辺回路領域４に、コンタクト孔を開孔し、コンタクト２５及び第３の配線層２４を例えばＷ又はＣｕにより形成する。

次に、第３の配線層２４の形成された第３の絶縁膜２３のＯＢ領域３及び周辺回路領域４に第４の絶縁膜２６を堆積し、ＣＭＰを用いて堆積した第４の絶縁膜２６を平坦化する。

次に、リソグラフィ技術を用いて、第４の絶縁膜２６のＯＢ領域３及び周辺回路領域４の所望の位置に、第３の配線層２４に通じるコンタクト孔を開孔し、コンタクト２８及び第４の配線層２７を例えばＷ又はＣｕにより形成する。

次に、第４の絶縁膜２６及び第４の配線層２７と同様の条件にそって、第５の絶縁膜２９及び第５の配線層３０とを形成する。

次に、製造途中の固体撮像装置の表面側、すなわち、撮像領域２における第３の絶縁膜２３、ＯＢ領域３及び周辺回路領域４における第５の配線層３０の形成された第５の絶縁膜２９、ＯＢ領域３における撮像領域２側の第４及び第５の絶縁膜２６，２９の側面部などを覆うように、例えば有機物（レジストなど）の平坦化層３２を堆積する。

そして、平坦化層３２の撮像領域２に、色フィルタ３３及びマイクロレンズ３４を形成する。

なお、本実施の形態に係る固体撮像装置１は５層配線構造であるが、配線の総数はその設計に応じて自由に定めることができる。本実施の形態においてはダマシンＣｕ配線を用いることが可能であるが、Ａｌ配線又は他のメタル配線を用いるとしてもよい。

以上説明した本実施の形態に係る多層配線にＣｕ配線などを用いたＭＯＳ型固体撮像装置１においては、コンタクト１９，２２，２５，２８，３１及び第１から第５までの配線層１８，２１，２４，２７から形成されており撮像領域２からＯＢ領域３の光電変換層へと入射される光を遮断する遮断部３５が、撮像領域２とＯＢ領域３の光電変換層との間に形成されている。

これにより、撮像領域２の方がＯＢ領域３よりも低い場合であっても、ＯＢ領域３の撮像領域２側の側面部から入射する光を遮光でき、黒基準レベルを適切に観測することができ、ＯＢ領域３の無効領域（ダミー画素の領域）を小さく又はなくすことができ、固体撮像装置１を小型化できる。

本実施の形態においては、可及的に良好な撮像特性を得ることができるとともに、高集積化及び高速動作可能である。

（第２の実施の形態）
本実施の形態においては、上記第１の実施の形態に係る固体撮像装置１の具体的適用例について説明する。

図８は、本実施の形態に係る固体撮像装置１の一例を示す上面図である。この図８では、固体撮像装置１がビデオカメラの場合を例示している。なお、固体撮像装置１は、デジタルカメラ、携帯電話などのモバイル機器など様々な機器に適用可能である。

本実施の形態に係る固体撮像装置１は、ＭＯＳ型固体撮像素子と、その周辺回路とが同一チップ上に形成される。ＭＯＳ型固体撮像素子は、撮像領域２とＯＢ領域３とに形成される。

固体撮像装置１の出力信号を処理する信号処理回路などの周辺回路は、ＭＯＳ型トランジスタから構成される。このため、ＭＯＳ型固体撮像素子と周辺回路とは、製造工程を共通化可能であり、同一の半導体基板１２上に、ＭＯＳ型固体撮像素子と周辺回路とが形成される。

固体撮像装置１は、ＭＯＳ型固体撮像素子（ＭＯＳ型センサ）、自動ゲイン制御回路３６（以下、ＡＧＣ回路という）、クランプ回路３７（以下、ＣＬＰ回路という）、ＡＤ変換回路３８、タイミング制御回路３９、タイミングジェネレータ／シグナルジェネレータ回路４０（以下、ＴＧ／ＳＧ回路という）、ＤＳＰ回路４１、エンコード回路４２、出力回路４３、ＤＡ変換回路４４を具備する。

ＡＧＣ回路３６は、電圧信号のレベルを調整する。ＣＬＰ回路３７は、電圧信号をクランプする。ＡＤ変換回路３８は、アナログ信号をデジタル信号に変換する。タイミング制御回路３９は、クロックパルスを発生してビデオカメラのタイミングの制御を行う。ＴＧ／ＳＧ回路４０は、クロックパルスに同期してＭＯＳ型固体撮像素子を駆動制御するためのタイミング信号及び駆動制御信号を発生する。ＤＳＰ回路４１は、ＡＤ変換回路３８の出力であるデジタル信号を処理する。エンコード回路４２は、ＤＳＰ回路４１の出力をエンコードする。出力回路４３は、エンコードされた信号を出力する。ＤＡ変換回路４４は、出力回路４３の出力をアナログ信号に変換する。

ＭＯＳ型固体撮像素子によって光電変換された画像電圧信号は、ＡＧＣ回路３６によってレベルが調整された後、ＣＬＰ回路３７によってクランプされ、ＡＤ変換回路３８に送られる。そして、上記画像電圧信号はＡＤ変換回路３８によって１サンプル値が例えば８ビットからなるデジタル画像信号に変換され、ＤＳＰ回路４１に送られる。ＤＳＰ回路４１は、例えば、色分離回路、クランプ回路、ガンマ補正回路、ホワイト補正回路、黒補正回路、二一回路、色バランス回路などを具備し、供給されたデジタル画像信号に対して必要な信号処理を行う。そして、ＤＳＰ回路４１によって処理された信号は、エンコード回路４２に送られる。エンコード回路４２は、送られてきた画像信号をデコードし、輝度信号と色差信号に変換する。

ＭＯＳ型固体撮像素子は、ＴＧ／ＳＧ回路４０から送られてくるタイミング信号及び駆動制御信号によりタイミングが制御される。

エンコード回路４２によってデコードされた画像信号は、出力回路４３を介してＤＡ変換回路４４に供給され、ＤＡ変換回路４４によってアナログビデオ信号に変換され、外部に出力される。

固体撮像装置１においては、ＭＯＳ型固体撮像素子と同一のチップ上に、様々な機能を持った周辺回路が形成されており、多画素化、モジュールの縮小化が図られる。固体撮像装置１は撮像特性を重視した構成となっている。

本実施の形態に係る固体撮像装置１においては、撮影領域２の絶縁膜の表面が平坦化されており、さらに周辺回路領域４の絶縁膜の表面より低く（厚さが薄く）なる。これにより、マイクロレンズに入射した画像光信号を撮影領域２の光電変換層に集光しやすくなり、良好な撮像特性が得られる。

周辺回路領域４は、多層配線構造とすることにより、周辺回路の高集積化及び高速化を実現できる。

ＯＢ領域３内の撮像領域２側では、遮光部３５により、ＯＢ領域３の側面からの入射光を妨げることができる。このため、撮像領域２側からＯＢ領域３へ入光する斜め光が遮光され、この斜め光がＯＢ領域３における光電変換層に観測されることを防止でき、黒基準レベルの変動を防止することができる。

一般的な固体撮像装置１においては、安定した黒基準レベルを確保するためにダミー画素が設けられるが、本実施の形態においては、ダミー画素の領域を縮小またはなくすことができる。

本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の回路構成の一例を示す平面図。 第１の実施の形態に係る固体撮像装置のレイアウト構成の一例を示す平面図。 第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面構成の第１例を示す図２のＸ−Ｘ断面図。 第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面構成の第２例を示す図２のＹ−Ｙ断面図。 従来の固体撮像装置において、撮像領域からＯＢ領域の光電変換層へ斜めに光が入射された状態の一例を示す断面図。 第１の実施の形態に係る固体撮像装置において、撮像領域からＯＢ領域へ斜めに光が入射された状態の一例を示す断面図。 第１の実施の形態に係る製造工程途中段階での固体撮像装置の断面の一例を示す図。 本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の一例を示す上面図。

符号の説明

１…固体撮像装置、２…撮像領域、３…ＯＢ領域、４…周辺回路領域、６，７，１９，２２，２５，２８，３１…コンタクト、８，９…配線、１０…電荷蓄積層、１１…拡散層、１２…半導体基板、１３，１６…ゲート電極、１４…ソース領域、１５…ドレイン領域、１７…第１の絶縁膜、１８…第１の配線層、２０…第２の絶縁膜、２１…第２の配線層、２３…第３の絶縁膜、２４…第３の配線層、２６…第４の絶縁膜、２７…第４の配線層、２９…第５の絶縁膜、３０…第５の配線層、３２…平坦化層、３３…色フィルタ、３４…マイクロレンズ、３５…遮光部

Claims (1)

1. 半導体基板の撮像領域に形成された光電変換手段と、
   前記半導体基板の前記撮像領域に隣接するオプティカルブラック領域に形成されている黒基準観測用光電変換手段と、
   前記半導体基板の前記撮像領域及び前記オプティカルブラック領域上に形成され、前記オプティカルブラック領域においては複数の絶縁膜の堆積により形成される絶縁層と、
   前記半導体基板の面から前記オプティカルブラック領域の最上絶縁膜の表面の配線まで前記複数の絶縁膜の堆積方向についてコンタクト及び配線を連接して形成される遮光手段と
   を具備し、
   前記撮像領域における前記絶縁層の厚さは、前記オプティカルブラック領域における前記絶縁層の厚さよりも薄く、
   前記遮光手段は、前記オプティカルブラック領域内であり前記半導体基板における前記撮像領域と前記黒基準観測用光電変換手段の形成位置との間に形成され、前記複数の絶縁膜のそれぞれに対して形成された配線を、前記複数の絶縁膜の堆積方向において複数のコンタクトで連結して形成され、前記撮像領域の外周の全体又は選択的な一部にそって、少なくとも一部が壁状に形成され、
   前記オプティカルブラック領域の最上絶縁膜の表面の配線は遮光膜である
   撮像装置。

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