JP5513872B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、CMOSイメージセンサーのレイアウト(画素レイアウト)を示す平面図である。図1に示すように、画素レイアウトは、画素領域100Pと、画素領域100Pの外側に設けられ、暗時の信号を規定するための黒基準領域100Bと、画素領域100Pと黒基準領域100Bとの間に設けられ、画素領域100Pから黒基準領域100Bへの光漏れを防ぐための、画素ダミー領域(以下、ダミー領域と略記)100Dとを具備している。これら領域100P,100B,100Dの外側はロジック領域100Lである。黒基準領域100Bおよびダミー領域100Dの上には、図示しないAl膜等の遮光膜が設けられている。
シリコン基板101上に、STI(Shallow Trench Isolation)プロセスにより素子分離領域102を形成し、続いて、周知の方法により、ゲート(ゲート絶縁膜、ゲート電極)103、フォトダイオードN領域104、フォトダイオードP領域105、ソース/ドレイン拡散層106を形成し、さらに、ダミー領域にはダミーゲート(ダミーゲート絶縁膜、ダミーゲート電極)103Aを形成する。なお、図では、ゲート絶縁膜とその上のゲート電極をまとめて一つのゲート103で示してある。ダミーゲート103Aも同様である。
第1層間絶縁膜107となる第1絶縁膜を堆積し、この第1絶縁膜をCMP法を用いて平坦化することにより、第1層間絶縁膜107を形成する。なお、図6において、簡単のため、図6の説明に関係ない101等の参照番号は、省略してある(以下の図においても当該図の説明と関係ない参照符号は省略してある)。
第2層間絶縁膜109を堆積し、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて第1配線溝(不図示)を第2層間絶縁膜109に形成し、この第1配線溝を埋め込むように全面に図示しない第2金属(ここでは銅(Cu))を堆積し、その後、第1配線溝外の第2金属をCMP法により除去するとともに、表面を平坦化することにより、Cu配線110およびダミーCu配線110Aを形成する。Cu配線110は、画素領域および黒基準領域に形成され、ダミーCu配線110Aは、ダミー領域に形成される。その後、これら110,110Aの材料であるCuの酸化および拡散を防止するために、キャップ膜(例えば、シリコン窒化膜)111を全面に堆積する。この図7の工程は、良く知られているCu配線のシングルダマシン工程である。
第3層間絶縁膜112を堆積し、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて第2コンタクトホール(不図示)を第3層間絶縁膜112に形成し、続けて、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて第2配線溝(不図示)を第3層間絶縁膜112に形成し、その後、第2コンタクトホールおよび第2配線溝を埋め込むように全面に図示しない第3金属(ここではCu)を堆積し、第2配線溝外の第3金属をCMP法により除去するとともに、表面を平坦化することにより、ダミー領域にダミーCuプラグ113AおよびダミーCu配線114Aを選択的に形成する。その後、これら113A,114Aの材料であるCuの酸化および拡散を防止するために、キャップ膜(例えば、シリコン窒化膜)115を全面に堆積する。この図8の工程は、良く知られているCu配線のデュアルダマシン工程である。
全面に第1パッシベーション膜(例えば、シリコン酸化膜)116、第2パッシベーション膜(例えば、シリコン窒化膜)117を順次堆積し、その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いてパッシベーション膜117,116を加工して、第3コンタクトホール118を形成する。第3コンタクトホール118は、ダミー領域に形成される。
遮光膜119となるAl膜を全面に堆積し、その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いてAl膜を加工して、所定の形状を有する遮光膜119を黒基準領域およびダミー領域に形成する。なお、119Aは遮光膜119のうちダミー領域上の遮光膜を示している。遮光膜119は、黒基準領域およびダミー領域に対して上からの光を遮断できるパターンを有する。
図11は、第2の実施形態のCMOSイメージセンサーを示す平面図、図12は図11の線分A−A’に沿った断面図である。なお、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
シリコン基板101に素子分離領域102を形成し、続いて、ゲート103、フォトダイオードN領域104、フォトダイオードP領域105、ソース/ドレイン拡散層106を形成する。
第1層間絶縁膜107を形成し、第1層間絶縁膜107にWプラグ108を形成する。 [図15]
第2層間絶縁膜109を形成し、シングルダマシン工程を用いて、第2層間絶縁膜109にCu配線110およびダミーCu配線110Aを形成する。これら110,110Aの材料であるCuの酸化および拡散を防止するために、キャップ膜(例えば、シリコン窒化膜)111を全面に堆積する。
第3層間絶縁膜112を形成し、デュアルダマシン工程を用いて、ダミー領域の第3層間絶縁膜112にダミーCuプラグ113AおよびダミーCu配線114Aを形成する。その後、これら113A,114Aの材料であるCuの酸化および拡散を防止するために、キャップ膜(例えば、シリコン窒化膜)115を全面に堆積する。
全面に第1パッシベーション膜(例えば、シリコン酸化膜)116、第2パッシベーション膜(例えば、シリコン窒化膜)117を順次堆積し、その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いてパッシベーション膜116,117を加工して、第3コンタクトホール118を形成する。
黒基準領域およびダミー領域に対して上からの光を遮断できるパターンを有する、遮光膜119を形成する。
Claims (5)
- 画素の生成に使用される画素領域と、
前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、
前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒基準領域内に侵入する光を遮光するための遮光パターンを含むダミー領域と
を具備し、
前記遮光パターンは、金属または金属シリサイドで形成された複数の第1のプラグと、前記複数の第1のプラグの下方に配置され、金属または金属シリサイドで形成された第1のゲートとを含むことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記複数の第1のプラグは、前記光が通り抜けないように、隙間が生じないようにジグザクに配置されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記黒基準領域およびダミー領域の上に設けられた遮光パターンをさらに具備してなることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記第1のゲートの上方に配置され、前記複数の第1のプラグに接続され、金属または金属シリサイドで形成された配線と、
前記配線と前記第1のゲートとの間に設けられ、前記配線と前記第1のゲートとを接続する第2のプラグとをさらに具備することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記画素領域内に設けられた第2のゲート、および、前記黒基準領域内に設けられた第3のゲートをさらに具備し、前記第2および第3のゲートは、前記第1のゲートと同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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