JP5100991B2 - イメージセンサー及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記ダミーパターンを囲み、前記フォトダイオードの少なくとも一部分を遮光する上部遮光膜パターンを形成して、前記イメージセンサーを完成する。
図2及び図3は、本発明の第1実施例によるイメージセンサーを示す平面図及び断面図である。
図14は、本発明の第2実施例によるイメージセンサーを示す断面図である。以下で説明する第2実施例のイメージセンサーは、ビアパターン及び下部配線の形状を除いては、前記第1実施例のイメージセンサーと同じである。従って、同じ部分についての重複説明は省略する。
図21は、本発明の第3実施例によるイメージセンサーを示す断面図である。
図22は、本発明の第4実施例によるイメージセンサーを示す断面図である。
114 第1フォトダイオード
115 第2フォトダイオード
116 第1層間絶縁膜
122 第1配線
122a 第1コンタクト
122b 第1補助配線
124 第1下部遮光膜パターン
126 第2層間絶縁膜
130 第2配線
132 第2下部遮光膜パターン
140 第1上部層間絶縁膜
141a ダミーパターン
148 上部遮光膜パターン
152 層間絶縁膜構造物
155 単位ピクセル
158 遮光用ビアパターン
Claims (34)
- 基板表面の下に具備されるフォトダイオードと、
前記基板上に形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の内部に具備される金属層パターンと、
前記層間絶縁膜上に前記金属層パターンと少なくとも一部分が重畳されるように位置するダミーパターンと、
前記ダミーパターンを囲むように具備され、前記フォトダイオードの少なくとも一部分が重畳されるように位置する上部遮光膜パターンを含み、
前記ダミーパターンは、ダマシン工程及び化学機械的研磨される前記上部遮光膜パターンの研磨面の中心部位が凹形状になるディッシング不良を低減して前記上部遮光膜パターンの厚さを均一にし、
前記ダミーパターンを通じて透過する光の少なくとも一部分が遮断されるように、前記ダミーパターンの下方に形成される下部遮光膜パターンと、前記上部遮光膜パターンと前記下部遮光膜パターンを連結させる遮光用ビアパターンとを具備し、
遮光領域に形成された前記フォトダイオードは、基準信号用のフォトダイオードであり、
前記ダミーパターンと層間絶縁膜とは同じ物質であり、
前記基準信号用のフォトダイオードが前記上部遮光膜パターン、下部遮光膜パターン及び遮光用ビアパターンにより遮光される
ことを特徴とするイメージセンサー。 - 前記金属層パターンは、配線及び前記配線と電気的に連結されない前記下部遮光膜パターンを含む
ことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。 - 前記遮光用ビアパターンは、前記上部遮光膜パターンと下部遮光膜パターンを連結させるパイプ形状を有し、前記遮光用ビアパターンのパイプ内部には、前記ダミーパターンが位置する
ことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。 - 前記遮光用ビアパターンは、前記ダミーパターンの下部面と隣接するように位置し、ライン形状、ベンディング形状、U字形状のいずれかを有する
ことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。 - 前記金属層パターンは、多層で形成される
ことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。 - 多層の前記金属層パターンにおいて、上部に位置した前記金属層パターンの間の離隔された部位、及び、下部に位置した前記金属層パターンの間の離隔された部位が互いに重畳されないように配置される
ことを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサー。 - 前記上部遮光膜パターンは、ダマシン工程によって形成される
ことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。 - 受光領域と遮光領域とに区分された基板表面の下に具備されるフォトダイオードと、前記基板上に形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の内部に、前記フォトダイオードと重畳されないように具備される配線と、
前記層間絶縁膜の内部に、前記基板の遮光領域に位置した前記フォトダイオードと重畳されるように具備され、前記配線とは電気的に絶縁される下部遮光膜パターンと、
前記層間絶縁膜上に、前記下部遮光膜パターンと重畳されるように位置するダミーパターンと、
前記ダミーパターンを囲むように具備され、少なくとも前記フォトダイオードの一部分が重畳されるように位置する上部遮光膜パターンと、を含み、
前記ダミーパターンは、ダマシン工程及び化学機械的研磨される前記上部遮光膜パターンの研磨面の中心部位が凹形状になるディッシング不良を低減して前記上部遮光膜パターンの厚さを均一にし、
前記ダミーパターンを通じて透過する光の少なくとも一部分が遮断されるように、前記ダミーパターンの下方に形成される下部遮光膜パターンと、前記上部遮光膜パターンと前記下部遮光膜パターンを連結させる遮光用ビアパターンとを具備し、
遮光領域に形成された前記フォトダイオードは、基準信号用のフォトダイオードであり、
前記ダミーパターンと前記層間絶縁膜とは同じ物質であり、
前記基準信号用のフォトダイオードが前記上部遮光膜パターン、下部遮光膜パターン及び遮光用ビアパターンにより遮光される
ことを特徴とするイメージセンサー。 - 前記上部遮光膜パターンは、ダマシン工程によって形成される
ことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。 - 前記上部遮光膜パターンは、銅からなる
ことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。 - 前記ダミーパターンは、シリコン酸化物又はシリコン窒化物からなる
ことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。 - 前記ダミーパターンは、規則的に配列される
ことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。 - 前記遮光用ビアパターンは、前記上部遮光膜パターンと下部遮光膜パターンを連結させるパイプ形状を有し、前記遮光用ビアパターンのパイプ内部には、前記ダミーパターンが位置する
ことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。 - 前記遮光用ビアパターンは、前記ダミーパターンの下部面と隣接するように位置し、ライン形状、ベンディング形状、U字形状のいずれかを有する
ことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。 - 前記下部遮光膜パターン及び前記配線は、同じ物質からなる
ことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。 - 前記下部遮光膜パターン及び前記配線は、多層で構成される
ことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。 - 基板表面の下にフォトダイオードを形成する段階と、
前記フォトダイオードが形成された基板上に第1層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第1層間絶縁膜内に金属層パターンを形成する段階と、
前記第1層間絶縁膜上に前記金属層パターンと少なくとも一部分が重畳されるダミーパターンを形成する段階と、
前記ダミーパターンを囲み、前記フォトダイオードの少なくとも一部分を遮光する上部遮光膜パターンを形成する段階と、を行い、
前記ダミーパターンは、ダマシン工程及び化学機械的研磨される前記上部遮光膜パターンの研磨面の中心部位が凹形状になるディッシング不良を低減して前記上部遮光膜パターンの厚さを均一にし、
前記ダミーパターンを通じて透過する光の少なくとも一部分が遮断されるように、前記ダミーパターンの下方に形成される下部遮光膜パターンと、前記上部遮光膜パターンと前記下部遮光膜パターンを連結させる遮光用ビアパターンとを具備し、
遮光領域に形成された前記フォトダイオードは、基準信号用のフォトダイオードであり、
ダミーパターンと第1層間絶縁膜とを同じ物質で形成され、
前記基準信号用のフォトダイオードが前記上部遮光膜パターン、下部遮光膜パターン及び遮光用ビアパターンにより遮光される
ことを特徴とするイメージセンサーの製造方法。 - 前記金属層パターンは、配線及び前記配線と電気的に連結されない前記下部遮光膜パターンを含む
ことを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記配線及び下部遮光膜パターンは、
前記第1層間絶縁膜で前記配線形成部位及び前記下部遮光膜パターン形成部位にそれぞれ第1及び第2トレンチを形成する段階と、
前記第1及び第2トレンチ内に金属物質を蒸着する段階と、
前記第1及び第2トレンチ内部にのみ金属物質が残留するように、前記金属物質を研磨する段階と、を行って形成する
ことを特徴とする請求項18に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記上部遮光膜パターンを形成する時に、前記ダミーパターンを通じて透過する光の少なくとも一部が遮断されるように、前記上部遮光膜パターンと前記下部遮光膜パターンを連結させる前記遮光用ビアパターンを同時に形成する
ことを特徴とする請求項19に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記上部遮光膜パターンを形成する前に、前記ダミーパターンを通じて透過する光の少なくとも一部分が遮断されるように、前記上部遮光膜パターンと前記下部遮光膜パターンを連結させる前記遮光用ビアパターンを形成する
ことを特徴とする請求項19に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記ダミーパターンは、
前記第1層間絶縁膜上に予備上部絶縁膜を形成する段階と、
前記予備上部絶縁膜で前記上部遮光膜パターン形成部位を部分的にエッチングすることによって、第3トレンチ及びダミーパターンを形成する段階と、を行って形成される
ことを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記上部遮光膜パターンは、
前記第3トレンチ内に遮光物質を蒸着する段階と、
前記第3トレンチの内部にのみ遮光物質が残留するように前記遮光物質を研磨して、前記ダミーパターンを囲む上部遮光膜パターンを形成する段階と、を行って形成される
ことを特徴とする請求項22に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記遮光物質は、銅を含む
ことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 受光領域と遮光領域とに区分された基板表面の下にフォトダイオードをそれぞれ形成する段階と、
前記基板上に第1層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第1層間絶縁膜の内部に、前記フォトダイオードと重畳されない配線、及び前記遮光領域に位置した前記フォトダイオードと重畳され前記配線と電気的に絶縁される下部遮光膜パターンをそれぞれ形成する段階と、
前記基板の遮光領域に位置した第1層間絶縁膜上にダミーパターンを形成する段階と、
前記ダミーパターンを囲み、前記フォトダイオードの少なくとも一部分を遮光する上部遮光膜パターンを形成する段階と、を行い、
前記ダミーパターンは、ダマシン工程及び化学機械的研磨される前記上部遮光膜パターンの研磨面の中心部位が凹形状になるディッシング不良を低減して前記上部遮光膜パターンの厚さを均一にし、
前記ダミーパターンを通じて透過する光の少なくとも一部分が遮断されるように、前記ダミーパターンの下方に形成される下部遮光膜パターンと、前記上部遮光膜パターンと前記下部遮光膜パターンを連結させる遮光用ビアパターンとを具備し、
遮光領域に形成された前記フォトダイオードは、基準信号用のフォトダイオードであり、
ダミーパターンと層間絶縁膜とを同じ物質で形成され、
前記基準信号用のフォトダイオードが前記上部遮光膜パターン、下部遮光膜パターン及び遮光用ビアパターンにより遮光される
ことを特徴とするイメージセンサーの製造方法。 - 前記配線及び下部遮光膜パターンは、
前記第1層間絶縁膜で前記配線形成部位及び前記下部遮光膜パターンの形成部位にそれぞれ第1及び第2トレンチを形成する段階と、
前記第1及び第2トレンチ内に金属物質を蒸着する段階と、
前記第1及び第2トレンチの内部にのみ金属物質が残留するように、前記金属物質を研磨する段階と、を行って形成される
ことを特徴とする請求項25に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記ダミーパターンは、前記下部遮光膜パターンと少なくとも一部分が重畳されるように形成される
ことを特徴とする請求項26に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記上部遮光膜パターンを形成する時に、前記ダミーパターンを通じて透過する光の少なくとも一部が遮断されるように、前記上部遮光膜パターンと下部遮光膜パターンを連結させる遮光用ビアパターンを同時に形成する
ことを特徴とする請求項27に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記上部遮光膜パターンを形成する前に、前記ダミーパターンを通じて透過する光の少なくとも一部が遮断されるように、前記上部遮光膜パターンと下部遮光膜パターンを連結させる遮光用ビアパターンを形成する
ことを特徴とする請求項27に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記ダミーパターンは、
前記第1層間絶縁膜上に予備上部絶縁膜を形成する段階と、
前記予備上部絶縁膜で前記上部遮光膜パターンの形成部位を部分的にエッチングして、第3トレンチ及びダミーパターンを形成する段階と、を行って形成される
ことを特徴とする請求項25に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記上部遮光膜パターンは、
前記第3トレンチ内に遮光物質を蒸着する段階と、
前記第3トレンチの内部にのみ遮光物質が残留するように前記遮光物質を研磨して、前記ダミーパターンを囲む上部遮光膜パターンを形成する段階と、を行って形成される
ことを特徴とする請求項30に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記遮光物質は、銅を含む
ことを特徴とする請求項31に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記ダミーパターンが規則的に配列されるように形成する
ことを特徴とする請求項25に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記配線を形成した後に、前記第1層間絶縁膜上に継続的に層間絶縁膜を形成する段階、及び配線を形成する段階を反復的に行って、多層配線で形成する
ことを特徴とする請求項25に記載のイメージセンサーの製造方法。
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