JPH05183141A - カラーイメージセンサ - Google Patents
カラーイメージセンサInfo
- Publication number
- JPH05183141A JPH05183141A JP4142018A JP14201892A JPH05183141A JP H05183141 A JPH05183141 A JP H05183141A JP 4142018 A JP4142018 A JP 4142018A JP 14201892 A JP14201892 A JP 14201892A JP H05183141 A JPH05183141 A JP H05183141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- thin film
- film transistor
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 184
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 38
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000003491 array Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000032554 response to blue light Effects 0.000 description 1
- 230000014624 response to red light Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
Abstract
(57)【要約】
【目的】 イメ−ジセンサの配線等のレイアウトを複雑
にすることなく、薄膜トランジスタのチャネル部分を遮
光し、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上さ
せ、信頼性の高いカラ−イメ−ジセンサを提供する。 【構成】 受光素子及び薄膜トランジスタが形成された
第１の基板１と、カラ−フィルタ３４と薄膜トランジス
タを遮光するための遮光層３５とを形成した第２の基板
２上とを、貼り合わせた構造のカラ−イメ−ジセンサで
あり、遮光層３５を低抵抗導電性材料で形成し、該表面
が低反射表面を有し、遮光層３５を一定電位に保ったカ
ラ−イメ−ジセンサであり、また、遮光層３５″をカラ
−フィルタ３４と同一の感光性樹脂に黒色系の顔料を分
散させた材料を用いて形成したカラ−イメ−ジセンサと
している。
にすることなく、薄膜トランジスタのチャネル部分を遮
光し、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上さ
せ、信頼性の高いカラ−イメ−ジセンサを提供する。 【構成】 受光素子及び薄膜トランジスタが形成された
第１の基板１と、カラ−フィルタ３４と薄膜トランジス
タを遮光するための遮光層３５とを形成した第２の基板
２上とを、貼り合わせた構造のカラ−イメ−ジセンサで
あり、遮光層３５を低抵抗導電性材料で形成し、該表面
が低反射表面を有し、遮光層３５を一定電位に保ったカ
ラ−イメ−ジセンサであり、また、遮光層３５″をカラ
−フィルタ３４と同一の感光性樹脂に黒色系の顔料を分
散させた材料を用いて形成したカラ−イメ−ジセンサと
している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同一基板上に形成され
た複数列の受光素子アレイ上に異なる色（例えば赤、
緑、青）の光を吸収するフィルタを配設してカラーの画
像を読み取るカラーイメージセンサに係り、特に薄膜ト
ランジスタのスイッチング特性を向上させた信頼性の高
いカラーイメージセンサに関する。
た複数列の受光素子アレイ上に異なる色（例えば赤、
緑、青）の光を吸収するフィルタを配設してカラーの画
像を読み取るカラーイメージセンサに係り、特に薄膜ト
ランジスタのスイッチング特性を向上させた信頼性の高
いカラーイメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】同一基板上に複数列の受光素子アレイを
形成した従来のカラーイメージセンサとしては、図６の
平面概略図と図７の断面説明図に示すような構成のもの
があった。イメージセンサ部分は、図６に示すように、
基板１上に受光素子１１′の集合体である受光素子アレ
イ１１が主走査方向に形成され、更にこの受光素子アレ
イ１１が副走査方向に受光素子アレイ１１ａ、受光素子
アレイ１１ｂ、受光素子アレイ１１ｃと３本平行に配置
されて受光素子アレイ列が形成されている。ここでは、
受光素子アレイ１１ａ、１１ｂ、１１ｃが赤、緑、青の
光を読み取るようになっている。そして、各受光素子に
は電荷を転送するスイッチング素子である薄膜トランジ
スタ１２′がそれぞれ接続され、各受光素子アレイ１１
ａ、１１ｂ、１１ｃに対応して電荷転送部１２ａ、１２
ｂ、１２ｃのアレイが形成されている。尚、電荷転送部
１２から引き出された信号線は多層配線１３に接続され
ている。
形成した従来のカラーイメージセンサとしては、図６の
平面概略図と図７の断面説明図に示すような構成のもの
があった。イメージセンサ部分は、図６に示すように、
基板１上に受光素子１１′の集合体である受光素子アレ
イ１１が主走査方向に形成され、更にこの受光素子アレ
イ１１が副走査方向に受光素子アレイ１１ａ、受光素子
アレイ１１ｂ、受光素子アレイ１１ｃと３本平行に配置
されて受光素子アレイ列が形成されている。ここでは、
受光素子アレイ１１ａ、１１ｂ、１１ｃが赤、緑、青の
光を読み取るようになっている。そして、各受光素子に
は電荷を転送するスイッチング素子である薄膜トランジ
スタ１２′がそれぞれ接続され、各受光素子アレイ１１
ａ、１１ｂ、１１ｃに対応して電荷転送部１２ａ、１２
ｂ、１２ｃのアレイが形成されている。尚、電荷転送部
１２から引き出された信号線は多層配線１３に接続され
ている。
【０００３】受光素子１１′は、図７に示すように、基
板１上に帯状に形成されたクロム（Ｃｒ）層から成る下
部共通電極である金属電極２１と、各受光素子毎に分割
形成された水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）から成る光導電層２２と、同様に分割形成された酸
化インジウム・スズ（ＩＴＯ）から成る上部電極の透明
電極２３が順次積層されたサンドイッチ型を構成してい
る。
板１上に帯状に形成されたクロム（Ｃｒ）層から成る下
部共通電極である金属電極２１と、各受光素子毎に分割
形成された水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）から成る光導電層２２と、同様に分割形成された酸
化インジウム・スズ（ＩＴＯ）から成る上部電極の透明
電極２３が順次積層されたサンドイッチ型を構成してい
る。
【０００４】薄膜トランジスタ１２′は、図７に示すよ
うに前記基板１上にクロム（Ｃｒ１）で形成されたゲー
ト電極２４と、該ゲート電極２４を被覆する窒化シリコ
ン膜（ＳｉＮx ）のゲート絶縁層２５と、該ゲート絶縁
層２５上に被着された水素化アモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ：Ｈ）の半導体活性層２６と、ゲート電極２４に
対向するようにＳｉＮx で形成されたチャネル保護層２
７と、半導体活性層２６上に設けられたｎ+ 水素化アモ
ルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈ）のオーミックコ
ンタクト層３０と、オーミックコンタクト層３０を被覆
するクロム（Ｃｒ２）で形成されたドレイン電極２８及
びソース電極２９と、チャネル保護層２７を覆うように
形成されたポリイミドの層間絶縁層３１と、チャネル保
護層２７を遮光するアルミニウム（Ａｌ）の遮光用金属
層３２′及びドレイン電極２８、ソース電極２９に接続
する配線層３２とから構成される逆スタガ型のトランジ
スタである。
うに前記基板１上にクロム（Ｃｒ１）で形成されたゲー
ト電極２４と、該ゲート電極２４を被覆する窒化シリコ
ン膜（ＳｉＮx ）のゲート絶縁層２５と、該ゲート絶縁
層２５上に被着された水素化アモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ：Ｈ）の半導体活性層２６と、ゲート電極２４に
対向するようにＳｉＮx で形成されたチャネル保護層２
７と、半導体活性層２６上に設けられたｎ+ 水素化アモ
ルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈ）のオーミックコ
ンタクト層３０と、オーミックコンタクト層３０を被覆
するクロム（Ｃｒ２）で形成されたドレイン電極２８及
びソース電極２９と、チャネル保護層２７を覆うように
形成されたポリイミドの層間絶縁層３１と、チャネル保
護層２７を遮光するアルミニウム（Ａｌ）の遮光用金属
層３２′及びドレイン電極２８、ソース電極２９に接続
する配線層３２とから構成される逆スタガ型のトランジ
スタである。
【０００５】また、図８の平面概略図に示すように、別
の透明な絶縁性の薄い基板２上には、画像情報を色分離
するカラ−フィルタ３４が形成されている。カラ−フィ
ルタは、例えば、赤、青、緑の光を吸収するようになっ
ており、各受光素子アレイ１１の長さと幅に対応したフ
ィルタ３４が主走査方向に帯状に形成され、更に副走査
方向に３本配列されて赤、緑、青に対応したカラーフィ
ルタ３４ａ、３４ｂ、３４ｃが形成されている。
の透明な絶縁性の薄い基板２上には、画像情報を色分離
するカラ−フィルタ３４が形成されている。カラ−フィ
ルタは、例えば、赤、青、緑の光を吸収するようになっ
ており、各受光素子アレイ１１の長さと幅に対応したフ
ィルタ３４が主走査方向に帯状に形成され、更に副走査
方向に３本配列されて赤、緑、青に対応したカラーフィ
ルタ３４ａ、３４ｂ、３４ｃが形成されている。
【０００６】そして、基板１上に形成された各受光素子
アレイ１１の上部に、基板２上に形成された異なった色
のカラ−フィルタ３４がそれぞれ対応するように（例え
ば受光素子アレイ１１ａ上には赤のカラーフィルタ３４
ａ、受光素子アレイ１１ｂ上には緑のカラーフィルタ３
４ｂ、受光素子アレイ１１ｃ上には青のカラーフィルタ
３４ｃというように）、基板２と基板１とが貼り合わさ
れてカラーイメージセンサが形成される。
アレイ１１の上部に、基板２上に形成された異なった色
のカラ−フィルタ３４がそれぞれ対応するように（例え
ば受光素子アレイ１１ａ上には赤のカラーフィルタ３４
ａ、受光素子アレイ１１ｂ上には緑のカラーフィルタ３
４ｂ、受光素子アレイ１１ｃ上には青のカラーフィルタ
３４ｃというように）、基板２と基板１とが貼り合わさ
れてカラーイメージセンサが形成される。
【０００７】このような構成のカラーイメージセンサに
おいて、原稿面で反射された反射光はカラ−フィルタ３
４を通過するときにフィルタの色によって特定の波長成
分の光のみが取り出されて受光素子１１′の受光部に達
し、そこで照度に応じた電荷が発生する。つまり、受光
素子アレイ１１ａでは赤色の光に反応し、受光素子アレ
イ１１ｂでは緑色の光に反応し、受光素子アレイ１１ｃ
では青色の光に反応して電荷が発生し、薄膜トランジス
タ１２′のＯＮ／ＯＦＦによって赤、緑、青色の画像情
報が共通信号線を介して順次読み出される。色別の画像
信号は、センサ外部のメモリに一時蓄積され、画像デー
タが合成される。
おいて、原稿面で反射された反射光はカラ−フィルタ３
４を通過するときにフィルタの色によって特定の波長成
分の光のみが取り出されて受光素子１１′の受光部に達
し、そこで照度に応じた電荷が発生する。つまり、受光
素子アレイ１１ａでは赤色の光に反応し、受光素子アレ
イ１１ｂでは緑色の光に反応し、受光素子アレイ１１ｃ
では青色の光に反応して電荷が発生し、薄膜トランジス
タ１２′のＯＮ／ＯＦＦによって赤、緑、青色の画像情
報が共通信号線を介して順次読み出される。色別の画像
信号は、センサ外部のメモリに一時蓄積され、画像デー
タが合成される。
【０００８】上記従来のカラーイメージセンサにおい
て、薄膜トランジスタ１２′の半導体活性層２６として
ａ−Ｓｉ：Ｈ層を用いている場合は、ａ−Ｓｉ：Ｈ層に
光電変換特性があるため、薄膜トランジスタ１２′のチ
ャネル部分に光が当たると電荷が発生してオフ状態にお
けるリーク電流が増加して薄膜トランジスタのスイッチ
ング特性が劣化してしまう。そこで、図７に示すように
配線層３２と同じＡｌの金属層を用いて薄膜トランジス
タ１２′のチャネルの上部に遮光用金属層３２′を形成
していた。
て、薄膜トランジスタ１２′の半導体活性層２６として
ａ−Ｓｉ：Ｈ層を用いている場合は、ａ−Ｓｉ：Ｈ層に
光電変換特性があるため、薄膜トランジスタ１２′のチ
ャネル部分に光が当たると電荷が発生してオフ状態にお
けるリーク電流が増加して薄膜トランジスタのスイッチ
ング特性が劣化してしまう。そこで、図７に示すように
配線層３２と同じＡｌの金属層を用いて薄膜トランジス
タ１２′のチャネルの上部に遮光用金属層３２′を形成
していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のカラーイメージセンサにおいて、受光素子アレイが
３列配列され、また受光素子と薄膜トランジスタは１対
１に対応して各受光素子毎に各薄膜トランジスタが接続
される構成となっているため、金属層を用いて薄膜トラ
ンジスタのチャネル部分を覆う遮光用金属層を形成しよ
うとするとレイアウトが複雑になり、更に遮光用金属層
を一定電位に保つように接続することが困難であるとの
問題点があった。
来のカラーイメージセンサにおいて、受光素子アレイが
３列配列され、また受光素子と薄膜トランジスタは１対
１に対応して各受光素子毎に各薄膜トランジスタが接続
される構成となっているため、金属層を用いて薄膜トラ
ンジスタのチャネル部分を覆う遮光用金属層を形成しよ
うとするとレイアウトが複雑になり、更に遮光用金属層
を一定電位に保つように接続することが困難であるとの
問題点があった。
【００１０】また、金属層を用いて遮光用金属層を形成
すると、薄膜トランジスタの上部に層間絶縁層だけを介
して遮光用金属層が積層される構成となるため、該遮光
用金属層と薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース
電極間に浮遊容量が形成され、特に、ソース電極に余計
な浮遊容量が加わると、共通信号線への電荷の出力が小
さくなって感度が低下し、イメージセンサの性能が損な
われるとの問題点があった。
すると、薄膜トランジスタの上部に層間絶縁層だけを介
して遮光用金属層が積層される構成となるため、該遮光
用金属層と薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース
電極間に浮遊容量が形成され、特に、ソース電極に余計
な浮遊容量が加わると、共通信号線への電荷の出力が小
さくなって感度が低下し、イメージセンサの性能が損な
われるとの問題点があった。
【００１１】本発明は上記実情に鑑みて為されたもの
で、カラーイメージセンサにおいて、遮光用金属層を一
定電位に保持するための配線等のレイアウトを複雑にす
ることなく、薄膜トランジスタのチャネル部分を遮光
し、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上させて
信頼性の高いカラーイメージセンサを提供することを目
的とする。
で、カラーイメージセンサにおいて、遮光用金属層を一
定電位に保持するための配線等のレイアウトを複雑にす
ることなく、薄膜トランジスタのチャネル部分を遮光
し、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上させて
信頼性の高いカラーイメージセンサを提供することを目
的とする。
【００１２】
【発明を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための請求項１記載の発明は、カラーイメージセ
ンサにおいて、基板と、前記基板上に形成された受光素
子と、前記受光素子に接続され、前記基板上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ及び前記
受光素子を覆う絶縁層と、前記絶縁層上にあって前記受
光素子を覆う位置に形成されたカラーフィルタと、前記
絶縁層上にあって前記薄膜トランジスタを覆う位置に形
成された遮光層とを有することを特徴としている。
決するための請求項１記載の発明は、カラーイメージセ
ンサにおいて、基板と、前記基板上に形成された受光素
子と、前記受光素子に接続され、前記基板上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ及び前記
受光素子を覆う絶縁層と、前記絶縁層上にあって前記受
光素子を覆う位置に形成されたカラーフィルタと、前記
絶縁層上にあって前記薄膜トランジスタを覆う位置に形
成された遮光層とを有することを特徴としている。
【００１３】上記従来例の問題点を解決するための請求
項２記載の発明は、請求項１記載のカラーイメージセン
サにおいて、遮光層は、薄膜トランジスタ側に低反射表
面を有することを特徴としている。
項２記載の発明は、請求項１記載のカラーイメージセン
サにおいて、遮光層は、薄膜トランジスタ側に低反射表
面を有することを特徴としている。
【００１４】上記従来例の問題点を解決するための請求
項３記載の発明は、カラーイメージセンサにおいて、第
１の基板と、前記第１の基板上に形成された受光素子
と、前記受光素子に接続され、前記第１の基板上に形成
された薄膜トランジスタと、第２の基板と、前記第２の
基板にあって前記受光素子を覆う位置に形成されたカラ
ーフィルタと、前記第２の基板にあって前記薄膜トラン
ジスタを覆う位置に形成された遮光層と、前記第１の基
板と前記第２の基板との間に介在された接着層とを有す
ることを特徴としている。
項３記載の発明は、カラーイメージセンサにおいて、第
１の基板と、前記第１の基板上に形成された受光素子
と、前記受光素子に接続され、前記第１の基板上に形成
された薄膜トランジスタと、第２の基板と、前記第２の
基板にあって前記受光素子を覆う位置に形成されたカラ
ーフィルタと、前記第２の基板にあって前記薄膜トラン
ジスタを覆う位置に形成された遮光層と、前記第１の基
板と前記第２の基板との間に介在された接着層とを有す
ることを特徴としている。
【００１５】上記従来例の問題点を解決するための請求
項４記載の発明は、請求項３記載のカラーイメージセン
サにおいて、遮光層は、薄膜トランジスタ側に低反射表
面を有することを特徴としている。
項４記載の発明は、請求項３記載のカラーイメージセン
サにおいて、遮光層は、薄膜トランジスタ側に低反射表
面を有することを特徴としている。
【００１６】上記従来例の問題点を解決するための請求
項５記載の発明は、請求項４記載のカラーイメージセン
サにおいて、遮光層は、金属材料から構成され、前記遮
光層の低反射表面は、前記金属材料の酸化物から成るこ
とを特徴としている。
項５記載の発明は、請求項４記載のカラーイメージセン
サにおいて、遮光層は、金属材料から構成され、前記遮
光層の低反射表面は、前記金属材料の酸化物から成るこ
とを特徴としている。
【００１７】上記従来例の問題点を解決するための請求
項６記載の発明は、請求項３記載のイメージセンサにお
いて、遮光層は、導電性材料から構成され、前記遮光層
を一定電位に保つ手段を有することを特徴としている。
項６記載の発明は、請求項３記載のイメージセンサにお
いて、遮光層は、導電性材料から構成され、前記遮光層
を一定電位に保つ手段を有することを特徴としている。
【００１８】上記従来例の問題点を解決するための請求
項７記載の発明は、請求項３記載のイメージセンサにお
いて、遮光層は、カラーフィルタと同一の感光性樹脂に
黒色系の顔料を分散させた材料から構成されることを特
徴としている。
項７記載の発明は、請求項３記載のイメージセンサにお
いて、遮光層は、カラーフィルタと同一の感光性樹脂に
黒色系の顔料を分散させた材料から構成されることを特
徴としている。
【００１９】
【作用】請求項１記載の発明によれば、基板上に形成さ
れた受光素子を覆う位置にカラーフィルタと、薄膜トラ
ンジスタを覆う位置に遮光層とを絶縁層を介して形成し
たカラーイメージセンサとしているので、配線等の上に
絶縁層を介してカラーフィルタ及び遮光層を形成するこ
とができ、配線等のレイアウトを複雑にすることなく薄
膜トランジスタのチャネル部分を遮光でき、更に薄膜ト
ランジスタと遮光層との距離をある程度保つことができ
るため、薄膜トランジスタにおける浮遊容量を軽減で
き、スイッチング特性を向上させてカラーイメージセン
サの信頼性を高めることができる。
れた受光素子を覆う位置にカラーフィルタと、薄膜トラ
ンジスタを覆う位置に遮光層とを絶縁層を介して形成し
たカラーイメージセンサとしているので、配線等の上に
絶縁層を介してカラーフィルタ及び遮光層を形成するこ
とができ、配線等のレイアウトを複雑にすることなく薄
膜トランジスタのチャネル部分を遮光でき、更に薄膜ト
ランジスタと遮光層との距離をある程度保つことができ
るため、薄膜トランジスタにおける浮遊容量を軽減で
き、スイッチング特性を向上させてカラーイメージセン
サの信頼性を高めることができる。
【００２０】請求項２記載の発明によれば、遮光層が薄
膜トランジスタ側に低反射表面を有する請求項１記載の
カラーイメージセンサとしているので、横方向から回り
込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射させるのを防
止でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる。
膜トランジスタ側に低反射表面を有する請求項１記載の
カラーイメージセンサとしているので、横方向から回り
込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射させるのを防
止でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる。
【００２１】請求項３記載の発明によれば、第１の基板
上に形成された薄膜トランジスタを遮光するための遮光
層をカラ−フィルタが形成された第２の基板上に形成
し、接着層により第２の基板を第１の基板に貼り合わせ
たカラーイメージセンサとしているので、配線等のレイ
アウトを複雑にすることなく薄膜トランジスタのチャネ
ル部分を遮光でき、更に薄膜トランジスタと遮光層との
距離をある程度保つことができるため、薄膜トランジス
タにおける浮遊容量を軽減でき、スイッチング特性を向
上させてカラーイメージセンサの信頼性を高めることが
できる。
上に形成された薄膜トランジスタを遮光するための遮光
層をカラ−フィルタが形成された第２の基板上に形成
し、接着層により第２の基板を第１の基板に貼り合わせ
たカラーイメージセンサとしているので、配線等のレイ
アウトを複雑にすることなく薄膜トランジスタのチャネ
ル部分を遮光でき、更に薄膜トランジスタと遮光層との
距離をある程度保つことができるため、薄膜トランジス
タにおける浮遊容量を軽減でき、スイッチング特性を向
上させてカラーイメージセンサの信頼性を高めることが
できる。
【００２２】請求項４記載の発明によれば、遮光層が薄
膜トランジスタ側に低反射表面を有する請求項３記載の
カラーイメージセンサとしているので、横方向から回り
込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射させるのを防
止でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる。
膜トランジスタ側に低反射表面を有する請求項３記載の
カラーイメージセンサとしているので、横方向から回り
込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射させるのを防
止でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる。
【００２３】請求項５記載の発明によれば、遮光層が金
属材料から構成され、遮光層の低反射表面が金属材料の
酸化物から成る請求項４記載のカラーイメージセンサと
しているので、低反射表面の形成が容易となり、また横
方向から回り込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射
させるのを防止でき、スイッチング特性を向上させてカ
ラーイメージセンサの信頼性を高めることができる。
属材料から構成され、遮光層の低反射表面が金属材料の
酸化物から成る請求項４記載のカラーイメージセンサと
しているので、低反射表面の形成が容易となり、また横
方向から回り込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射
させるのを防止でき、スイッチング特性を向上させてカ
ラーイメージセンサの信頼性を高めることができる。
【００２４】請求項６記載の発明によれば、遮光層が導
電性材料から構成され、遮光層を一定電位に保つ手段を
有する請求項３記載のカラーイメージセンサとしている
ので、外部からの電気的なノイズの影響を薄膜トランジ
スタが受け難くし、カラーイメージセンサの信頼性を高
めることができる。
電性材料から構成され、遮光層を一定電位に保つ手段を
有する請求項３記載のカラーイメージセンサとしている
ので、外部からの電気的なノイズの影響を薄膜トランジ
スタが受け難くし、カラーイメージセンサの信頼性を高
めることができる。
【００２５】請求項７記載の発明によれば、請求項３記
載のカラーイメージセンサにおいて、カラ−フィルタと
同一の感光性樹脂に黒色系の顔料を分散させた材料で遮
光層を形成しているので、薄膜トランジスタにおける浮
遊容量をなくすことができ、またカラ−フィルタと同様
の工程で遮光層を形成することができため製造が容易で
あり、更に遮光層が光を吸収する性質があるため上方向
から入射する光のみならず横方向から回り込んでくる光
をも吸収して薄膜トランジスタへの入光を防止できるの
で、より効果的に遮光を行うことができ、カラーイメー
ジセンサの信頼性を高めることができる。
載のカラーイメージセンサにおいて、カラ−フィルタと
同一の感光性樹脂に黒色系の顔料を分散させた材料で遮
光層を形成しているので、薄膜トランジスタにおける浮
遊容量をなくすことができ、またカラ−フィルタと同様
の工程で遮光層を形成することができため製造が容易で
あり、更に遮光層が光を吸収する性質があるため上方向
から入射する光のみならず横方向から回り込んでくる光
をも吸収して薄膜トランジスタへの入光を防止できるの
で、より効果的に遮光を行うことができ、カラーイメー
ジセンサの信頼性を高めることができる。
【００２６】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本実施例に係るカラーイメージセ
ンサの等価回路図である。本実施例のカラーイメージセ
ンサは、絶縁性の基板１上に併設されたｎ個のサンドイ
ッチ型の受光素子（フォトダイオードＰＤ）１１′を１
ブロックとして、このブロックＮ個から成る受光素子ア
レイ１１（ＰＤ1,1 〜N,n ）を形成し、この受光素子ア
レイ１１を副走査方向に受光素子アレイ１１ａ、受光素
子アレイ１１ｂ、受光素子アレイ１１ｃと３本配置した
受光素子アレイ列と、各受光素子１１′に接続する薄膜
トランジスタ（Ｔ1,1 〜ＴN,n ）１２′を受光素子アレ
イ１１ａ、１１ｂ、１１ｃに対応するようアレイ状に形
成した電荷転送部１２ａ、１２ｂ、１２ｃと、マトリク
ス状の多層配線１３と、電荷転送部１２から多層配線１
３を介して設けられたブロック内の受光素子数に対応す
るｎ本の共通信号線１４と、共通信号線１４が接続する
駆動用ＩＣ１５内のアナログスイッチ（ＳＷ1〜ＳＷn
）と、共通信号線１４に設けられた負荷容量（Ｃ1 〜
Ｃn ) とから構成されている。そして、各受光素子アレ
イ１１の上部には、赤、緑、青のカラ−フィルタ３４
ａ、３４ｂ、３４ｃ及び遮光層３５が形成された別の絶
縁性透明基板２が設けられている。
ら説明する。図１は、本実施例に係るカラーイメージセ
ンサの等価回路図である。本実施例のカラーイメージセ
ンサは、絶縁性の基板１上に併設されたｎ個のサンドイ
ッチ型の受光素子（フォトダイオードＰＤ）１１′を１
ブロックとして、このブロックＮ個から成る受光素子ア
レイ１１（ＰＤ1,1 〜N,n ）を形成し、この受光素子ア
レイ１１を副走査方向に受光素子アレイ１１ａ、受光素
子アレイ１１ｂ、受光素子アレイ１１ｃと３本配置した
受光素子アレイ列と、各受光素子１１′に接続する薄膜
トランジスタ（Ｔ1,1 〜ＴN,n ）１２′を受光素子アレ
イ１１ａ、１１ｂ、１１ｃに対応するようアレイ状に形
成した電荷転送部１２ａ、１２ｂ、１２ｃと、マトリク
ス状の多層配線１３と、電荷転送部１２から多層配線１
３を介して設けられたブロック内の受光素子数に対応す
るｎ本の共通信号線１４と、共通信号線１４が接続する
駆動用ＩＣ１５内のアナログスイッチ（ＳＷ1〜ＳＷn
）と、共通信号線１４に設けられた負荷容量（Ｃ1 〜
Ｃn ) とから構成されている。そして、各受光素子アレ
イ１１の上部には、赤、緑、青のカラ−フィルタ３４
ａ、３４ｂ、３４ｃ及び遮光層３５が形成された別の絶
縁性透明基板２が設けられている。
【００２７】各受光素子アレイ毎の共通電極にはＶB1、
ＶB2、ＶB3の電圧が印加され、第１列の受光素子アレイ
１１ａに接続する電荷転送部１２ａの薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１２′から導かれる配線は、第２列、第３列
の受光素子アレイ１１ｂ、１１ｃに接続する薄膜トラン
ジスタへ接続する構成となっており、共通の配線として
マトリクス状の多層配線１３に接続し、受光素子アレイ
１１のブロック内の受光素子１１′の数の共通信号線１
４に接続するものである。また、受光素子アレイ１１間
の薄膜トランジスタのゲート電極はそれぞれブロック単
位に接続され、ブロック毎に３つのゲート端子ＧR1〜Ｇ
RN、ＧG1〜ＧGN、ＧB1〜ＧBNが設けられている。
ＶB2、ＶB3の電圧が印加され、第１列の受光素子アレイ
１１ａに接続する電荷転送部１２ａの薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１２′から導かれる配線は、第２列、第３列
の受光素子アレイ１１ｂ、１１ｃに接続する薄膜トラン
ジスタへ接続する構成となっており、共通の配線として
マトリクス状の多層配線１３に接続し、受光素子アレイ
１１のブロック内の受光素子１１′の数の共通信号線１
４に接続するものである。また、受光素子アレイ１１間
の薄膜トランジスタのゲート電極はそれぞれブロック単
位に接続され、ブロック毎に３つのゲート端子ＧR1〜Ｇ
RN、ＧG1〜ＧGN、ＧB1〜ＧBNが設けられている。
【００２８】次に、本実施例のカラーイメージセンサの
具体的な構成について説明する。図２は、基板１と基板
２の関係を示す平面概略図であり、特に図２（ａ）はセ
ンサ本体部分である基板１の平面概略図、図２（ｂ）は
フィルタ部分である基板２の平面概略図である。また、
図３は、基板１と基板２の関係を示す断面説明図であ
り、特に図３（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′部分の断面
説明図であり、図３（ｂ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ′部分
の断面説明図である。
具体的な構成について説明する。図２は、基板１と基板
２の関係を示す平面概略図であり、特に図２（ａ）はセ
ンサ本体部分である基板１の平面概略図、図２（ｂ）は
フィルタ部分である基板２の平面概略図である。また、
図３は、基板１と基板２の関係を示す断面説明図であ
り、特に図３（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′部分の断面
説明図であり、図３（ｂ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ′部分
の断面説明図である。
【００２９】受光素子１１′は、図２（ａ）の平面概略
図及び図３（ａ）の断面説明図に示すように、基板１上
に下部共通電極となるクロム（Ｃｒ）等による帯状の金
属電極２１と、各受光素子１１′毎に分割形成された水
素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成る光
導電層２２と、同様に分割形成された酸化インジウム・
スズ（ＩＴＯ）から成る上部の透明電極２３とが順次積
層するサンドイッチ型を構成している。
図及び図３（ａ）の断面説明図に示すように、基板１上
に下部共通電極となるクロム（Ｃｒ）等による帯状の金
属電極２１と、各受光素子１１′毎に分割形成された水
素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成る光
導電層２２と、同様に分割形成された酸化インジウム・
スズ（ＩＴＯ）から成る上部の透明電極２３とが順次積
層するサンドイッチ型を構成している。
【００３０】尚、ここでは下部の金属電極２１は主走査
方向に帯状に形成され、金属電極２１の上に光導電層２
２が離散的に分割して形成され、上部の透明電極２３も
同様に分割して個別電極となるよう形成されることによ
り、金属電極２１と透明電極２３とで挟んだ部分が各受
光素子１１′を構成し、その集まりが受光素子アレイ１
１を形成している。そして、この受光素子アレイ１１を
副走査方向に３本配置して受光素子アレイ列が形成され
ている。
方向に帯状に形成され、金属電極２１の上に光導電層２
２が離散的に分割して形成され、上部の透明電極２３も
同様に分割して個別電極となるよう形成されることによ
り、金属電極２１と透明電極２３とで挟んだ部分が各受
光素子１１′を構成し、その集まりが受光素子アレイ１
１を形成している。そして、この受光素子アレイ１１を
副走査方向に３本配置して受光素子アレイ列が形成され
ている。
【００３１】電荷転送部１２を構成する薄膜トランジス
タ１２′は、基板１上にゲート電極２４としてのクロム
（Ｃｒ１）層、ゲート絶縁層２５としての窒化シリコン
膜、半導体活性層２６としての水素化アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ゲート電極２４に対向するよ
うに設けられたチャネル保護層２７としての窒化シリコ
ン膜、オーミックコンタクト層３１としてのｎ+ 水素化
アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ドレイ
ン電極２８及びソース電極２９としてのクロム（Ｃｒ
２）層を順次積層し、その上にポリイミド等の層間絶縁
層３１を介してアルミニウム等から成る配線層３２が接
続する逆スタガ型のトランジスタである。
タ１２′は、基板１上にゲート電極２４としてのクロム
（Ｃｒ１）層、ゲート絶縁層２５としての窒化シリコン
膜、半導体活性層２６としての水素化アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ゲート電極２４に対向するよ
うに設けられたチャネル保護層２７としての窒化シリコ
ン膜、オーミックコンタクト層３１としてのｎ+ 水素化
アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ドレイ
ン電極２８及びソース電極２９としてのクロム（Ｃｒ
２）層を順次積層し、その上にポリイミド等の層間絶縁
層３１を介してアルミニウム等から成る配線層３２が接
続する逆スタガ型のトランジスタである。
【００３２】そして、電荷転送部１２も受光素子アレイ
１１に対応して主走査方向にアレイ状に電荷転送部１２
ａ、１２ｂ、１２ｃと３列配列されている。つまり、受
光素子アレイ１１と電荷転送部１２のアレイが交互に配
列される構成となっている。
１１に対応して主走査方向にアレイ状に電荷転送部１２
ａ、１２ｂ、１２ｃと３列配列されている。つまり、受
光素子アレイ１１と電荷転送部１２のアレイが交互に配
列される構成となっている。
【００３３】このように形成された基板１の全面にポリ
イミド等のパシベーション層３３ａが形成され、基板１
の端部において配線層３２の一部が露出するようにパタ
ーニングされている。この配線層３２の露出した一部か
ら引き出された配線が、一定電位となるよう接地されて
いる。
イミド等のパシベーション層３３ａが形成され、基板１
の端部において配線層３２の一部が露出するようにパタ
ーニングされている。この配線層３２の露出した一部か
ら引き出された配線が、一定電位となるよう接地されて
いる。
【００３４】そして、別の透明な絶縁性基板２上には、
図２（ｂ）と図３（ｂ）に示すように、原稿面からの反
射光を色分離するためのカラ−フィルタ３４と、薄膜ト
ランジスタ１２′を遮光するための遮光層３５が形成さ
れている。具体的には、各受光素子アレイ毎に異なる波
長領域の光に反応するようにするため、受光素子アレイ
１１ａの上部には赤のカラ−フィルタ３４ａ、受光素子
アレイ１１ｂの上部には緑のカラ−フィルタ３４ｂ、受
光素子アレイ１１ｃの上部には青のカラ−フィルタ３４
ｃが配置されるように基板２上に設計、形成されてい
る。つまり、個々のカラ−フィルタ３４は、対応する受
光素子アレイ１１を覆うように受光素子アレイ１１と同
程度の幅及び長さとなるよう主走査方向に帯状に形成さ
れ、カラ−フィルタ３４ａ、３４ｂ、３４ｃで３色のス
トライプ状に配列されている。
図２（ｂ）と図３（ｂ）に示すように、原稿面からの反
射光を色分離するためのカラ−フィルタ３４と、薄膜ト
ランジスタ１２′を遮光するための遮光層３５が形成さ
れている。具体的には、各受光素子アレイ毎に異なる波
長領域の光に反応するようにするため、受光素子アレイ
１１ａの上部には赤のカラ−フィルタ３４ａ、受光素子
アレイ１１ｂの上部には緑のカラ−フィルタ３４ｂ、受
光素子アレイ１１ｃの上部には青のカラ−フィルタ３４
ｃが配置されるように基板２上に設計、形成されてい
る。つまり、個々のカラ−フィルタ３４は、対応する受
光素子アレイ１１を覆うように受光素子アレイ１１と同
程度の幅及び長さとなるよう主走査方向に帯状に形成さ
れ、カラ−フィルタ３４ａ、３４ｂ、３４ｃで３色のス
トライプ状に配列されている。
【００３５】また、基板１の電荷転送部１２の上部に対
応する基板２上の位置には遮光層３５が形成されてい
る。遮光層３５は、クロム（Ｃｒ）等の金属層であり、
薄膜トランジスタ１２′に対向する表面はピュアクロム
上に酸化クロム（Ｃｒ2 Ｏ3 ）を形成することで反射率
を１５％以下と低くしてあり、各薄膜トランジスタ１
２′のチャネル部分を覆うように１００〜２００μｍの
幅で電荷転送部１２と同程度の長さになるよう主走査方
向に帯状に形成され、電荷転送部１２ａ、１２ｂ、１２
ｃの上部にそれぞれ配置されるようになっている。すな
わち、基板２においてはカラ−フィルタ３４と遮光層３
５が交互に配置されてストライプ状になっている。
応する基板２上の位置には遮光層３５が形成されてい
る。遮光層３５は、クロム（Ｃｒ）等の金属層であり、
薄膜トランジスタ１２′に対向する表面はピュアクロム
上に酸化クロム（Ｃｒ2 Ｏ3 ）を形成することで反射率
を１５％以下と低くしてあり、各薄膜トランジスタ１
２′のチャネル部分を覆うように１００〜２００μｍの
幅で電荷転送部１２と同程度の長さになるよう主走査方
向に帯状に形成され、電荷転送部１２ａ、１２ｂ、１２
ｃの上部にそれぞれ配置されるようになっている。すな
わち、基板２においてはカラ−フィルタ３４と遮光層３
５が交互に配置されてストライプ状になっている。
【００３６】尚、遮光層３５の薄膜トランジスタ１２′
側の表面を１５％以下の反射率の低反射表面とすること
により、横方向から回り込んでくる光を薄膜トランジス
タ１２′側に反射させないようになるので、薄膜トラン
ジスタ１２′のスイッチング特性を向上させることがで
きるものである。更に、遮光層３５の薄膜トランジスタ
１２′側の表面を低反射表面とするのに、遮光層３５の
ピュアクロム上に同じクロムの酸化物である酸化クロム
を形成することにより実現しているので、低反射表面の
形成を容易にできるものである。
側の表面を１５％以下の反射率の低反射表面とすること
により、横方向から回り込んでくる光を薄膜トランジス
タ１２′側に反射させないようになるので、薄膜トラン
ジスタ１２′のスイッチング特性を向上させることがで
きるものである。更に、遮光層３５の薄膜トランジスタ
１２′側の表面を低反射表面とするのに、遮光層３５の
ピュアクロム上に同じクロムの酸化物である酸化クロム
を形成することにより実現しているので、低反射表面の
形成を容易にできるものである。
【００３７】また、遮光層３５は基板２の端部で共通配
線となるよう接続されており、この接続部分から更に一
定電位に接続されるようになっている。そして、基板２
のほぼ全面にポリイミド等のパシベーション層３３ｂが
形成され、遮光層３５が一定電位に接続する部分が露出
するようにポリイミドがパターニングされている。
線となるよう接続されており、この接続部分から更に一
定電位に接続されるようになっている。そして、基板２
のほぼ全面にポリイミド等のパシベーション層３３ｂが
形成され、遮光層３５が一定電位に接続する部分が露出
するようにポリイミドがパターニングされている。
【００３８】基板１と基板２は、受光素子アレイ１１ａ
上に赤のカラ−フィルタ３４ａ、１１ｂ上に緑のカラ−
フィルタ３４ｂ、１１ｃ上に青のカラ−フィルタ３４ｃ
が対応し、また、電荷転送部１２上に遮光層３５が対応
するように位置合わせをして貼り合わされている。基板
１と基板２の接着には、大部分はエポキシ系などの絶縁
性接着剤３６を用い、基板１と基板２の端部でパシベー
ション層３３を除去した部分のみ導電性接着剤３７を用
いている。
上に赤のカラ−フィルタ３４ａ、１１ｂ上に緑のカラ−
フィルタ３４ｂ、１１ｃ上に青のカラ−フィルタ３４ｃ
が対応し、また、電荷転送部１２上に遮光層３５が対応
するように位置合わせをして貼り合わされている。基板
１と基板２の接着には、大部分はエポキシ系などの絶縁
性接着剤３６を用い、基板１と基板２の端部でパシベー
ション層３３を除去した部分のみ導電性接着剤３７を用
いている。
【００３９】ここで、基板１と基板２の端部における貼
合わせ部分について、図４の断面説明図を使って説明す
る。基板２上の遮光層３５から引き延ばされた金属層３
５′は、導電性接着剤３７を介して基板１上の金属層３
２′に接続され、さらにこの金属層３２′はワイヤボン
ディング３８等によりセンサ外部に接続され、一定電位
（グランド）となるよう接地されている。このように遮
光層３５を接地するのは、遮光層の電位がイメージセン
サのスイッチング動作等の電位変化に容易に追従して変
化し、この遮光層の電位変化がセンサにノイズとして悪
影響を及ぼすのを防ぐためである。
合わせ部分について、図４の断面説明図を使って説明す
る。基板２上の遮光層３５から引き延ばされた金属層３
５′は、導電性接着剤３７を介して基板１上の金属層３
２′に接続され、さらにこの金属層３２′はワイヤボン
ディング３８等によりセンサ外部に接続され、一定電位
（グランド）となるよう接地されている。このように遮
光層３５を接地するのは、遮光層の電位がイメージセン
サのスイッチング動作等の電位変化に容易に追従して変
化し、この遮光層の電位変化がセンサにノイズとして悪
影響を及ぼすのを防ぐためである。
【００４０】上記構成のカラーイメージセンサにおい
て、光源（図示せず）から出た光は原稿面（図示せず）
で反射され、この反射光は赤、緑、青のカラ−フィルタ
３４を通過するときにフィルタの色によって特定の色の
波長成分のみが取り出され、受光素子１１′の受光部に
達し、そこで照度に応じた電荷が発生する。そして、薄
膜トランジスタ１２′のＯＮ／ＯＦＦによって各色の画
像情報が順次読み出され、色別の画像信号はセンサ外部
のメモリに一時蓄積され、各受光素子アレイ間の間隔を
計算して画像データを合成するようになっている。
て、光源（図示せず）から出た光は原稿面（図示せず）
で反射され、この反射光は赤、緑、青のカラ−フィルタ
３４を通過するときにフィルタの色によって特定の色の
波長成分のみが取り出され、受光素子１１′の受光部に
達し、そこで照度に応じた電荷が発生する。そして、薄
膜トランジスタ１２′のＯＮ／ＯＦＦによって各色の画
像情報が順次読み出され、色別の画像信号はセンサ外部
のメモリに一時蓄積され、各受光素子アレイ間の間隔を
計算して画像データを合成するようになっている。
【００４１】次に、本実施例のカラーイメージセンサの
製造方法について説明する。まず、ガラス等の基板１上
に、クロム（Ｃｒ１）層をＤＣスパッタリングにより７
５０オングストローム程度の厚さで着膜し、フォトリソ
・エッチング工程によりパターニングして、ゲート電極
２４を形成する。
製造方法について説明する。まず、ガラス等の基板１上
に、クロム（Ｃｒ１）層をＤＣスパッタリングにより７
５０オングストローム程度の厚さで着膜し、フォトリソ
・エッチング工程によりパターニングして、ゲート電極
２４を形成する。
【００４２】洗浄後、Ｃｒ１のパターン上に薄膜トラン
ジスタ１２′のゲート絶縁層２５とその上の半導体活性
層２６とチャネル保護層２７を形成するためにシリコン
窒化膜（ＳｉＮx ）を２９００オングストローム程度の
厚さで、ａ−Ｓｉ：Ｈを５００オングストローム程度の
厚さで、更にＳｉＮx を１５００オングストローム程度
の厚さでプラズマＣＶＤ法により順次積層し、上部Ｓｉ
Ｎx をフォトリソエッチングによりチャネル保護層２７
のパターンを形成する。
ジスタ１２′のゲート絶縁層２５とその上の半導体活性
層２６とチャネル保護層２７を形成するためにシリコン
窒化膜（ＳｉＮx ）を２９００オングストローム程度の
厚さで、ａ−Ｓｉ：Ｈを５００オングストローム程度の
厚さで、更にＳｉＮx を１５００オングストローム程度
の厚さでプラズマＣＶＤ法により順次積層し、上部Ｓｉ
Ｎx をフォトリソエッチングによりチャネル保護層２７
のパターンを形成する。
【００４３】次に、オーミックコンタクト層３０として
のｎ+ 水素化アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：
Ｈ）をプラズマＣＶＤ法により１０００オングストロー
ム程度着膜する。更に、薄膜トランジスタのドレイン電
極２８とソース電極２９及び受光素子１１′の下部の金
属電極２１となるクロム（Ｃｒ２）層をＤＣマグネトロ
ンスパッタ法により１５００オングストローム程度の厚
さで着膜し、受光素子１１′の光導電層２２となるａ−
Ｓｉ：ＨをＰ−ＣＶＤ法で１３０００オングストローム
程度の厚さで着膜し、受光素子１１′の透明電極２３と
なるＩＴＯをＤＣマグネトロンスパッタにより６００オ
ングストローム程度着膜する。
のｎ+ 水素化アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：
Ｈ）をプラズマＣＶＤ法により１０００オングストロー
ム程度着膜する。更に、薄膜トランジスタのドレイン電
極２８とソース電極２９及び受光素子１１′の下部の金
属電極２１となるクロム（Ｃｒ２）層をＤＣマグネトロ
ンスパッタ法により１５００オングストローム程度の厚
さで着膜し、受光素子１１′の光導電層２２となるａ−
Ｓｉ：ＨをＰ−ＣＶＤ法で１３０００オングストローム
程度の厚さで着膜し、受光素子１１′の透明電極２３と
なるＩＴＯをＤＣマグネトロンスパッタにより６００オ
ングストローム程度着膜する。
【００４４】その後、受光素子１１′の透明電極２３を
形成するために、ＩＴＯをフォトリソエッチングでパタ
ーニングする。更に、同一のレジストパターンをマスク
として光導電層２２のａ−Ｓｉ：Ｈ層をドライエッチン
グによりパターニングする。次に、受光素子１１′の金
属電極２１のクロム層とＴＦＴのドレイン電極２８とソ
ース電極２９のクロム層となるＣｒ２をフォトリソエッ
チングにてパターニングし、同一のレジストパターンを
用いてＴＦＴのオーミックコンタクト層２９のｎ+ ａ−
Ｓｉ：Ｈ層をエッチングする。
形成するために、ＩＴＯをフォトリソエッチングでパタ
ーニングする。更に、同一のレジストパターンをマスク
として光導電層２２のａ−Ｓｉ：Ｈ層をドライエッチン
グによりパターニングする。次に、受光素子１１′の金
属電極２１のクロム層とＴＦＴのドレイン電極２８とソ
ース電極２９のクロム層となるＣｒ２をフォトリソエッ
チングにてパターニングし、同一のレジストパターンを
用いてＴＦＴのオーミックコンタクト層２９のｎ+ ａ−
Ｓｉ：Ｈ層をエッチングする。
【００４５】次に、ＴＦＴのゲート絶縁層２５を形成す
るために、下部のＳｉＮx をフォトリソエッチング工程
でパターニングする。そして、イメージセンサ全体を覆
うように層間絶縁層３１としてのポリイミドを１１５０
０オングストローム程度の厚さで塗布し、フォトリソエ
ッチングによりコンタクトホールを形成する。そして、
アルミニウム（Ａｌ）をＤＣマグネトロンスパッタによ
り１５０００オングストローム程度の厚さで着膜し、フ
ォトリソエッチングにて所望の形状にパターニングし
て、配線層３６部分を形成する。
るために、下部のＳｉＮx をフォトリソエッチング工程
でパターニングする。そして、イメージセンサ全体を覆
うように層間絶縁層３１としてのポリイミドを１１５０
０オングストローム程度の厚さで塗布し、フォトリソエ
ッチングによりコンタクトホールを形成する。そして、
アルミニウム（Ａｌ）をＤＣマグネトロンスパッタによ
り１５０００オングストローム程度の厚さで着膜し、フ
ォトリソエッチングにて所望の形状にパターニングし
て、配線層３６部分を形成する。
【００４６】その後、ポリイミドを塗布し、フォトリソ
エッチングでパターニングを行いべーキングしてパシベ
ーション層３３ａを形成する。ここで、基板２の遮光層
３５から導かれた金属層３５′と基板１上の接地された
金属層３２′とを接続するためのコンタクト部分を形成
しておく。これにより基板１のセンサ本体部分が形成さ
れる。
エッチングでパターニングを行いべーキングしてパシベ
ーション層３３ａを形成する。ここで、基板２の遮光層
３５から導かれた金属層３５′と基板１上の接地された
金属層３２′とを接続するためのコンタクト部分を形成
しておく。これにより基板１のセンサ本体部分が形成さ
れる。
【００４７】次に、別の透明な絶縁性基板２上に遮光層
３５となるクロム（Ｃｒ３）をＤＣマグネトロンスパッ
タ法にて５００〜２０００オングストローム程度の膜厚
で着膜する。このとき、先にピュアクロムを４００〜１
５００オングストローム程度の膜厚で着膜し、次にＯ2
雰囲気で続けてスパッタ法により酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3
）を１００〜５００オングストローム程度の膜厚で着
膜する。
３５となるクロム（Ｃｒ３）をＤＣマグネトロンスパッ
タ法にて５００〜２０００オングストローム程度の膜厚
で着膜する。このとき、先にピュアクロムを４００〜１
５００オングストローム程度の膜厚で着膜し、次にＯ2
雰囲気で続けてスパッタ法により酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3
）を１００〜５００オングストローム程度の膜厚で着
膜する。
【００４８】そして、フォトリソエッチング工程によ
り、基板１上に主走査方向に形成された薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）１２′のアレイである電荷転送部１２ａ、
１２ｂ、１２ｃを覆うようＣｒ３を３本の帯状の形状に
パターニングし、遮光層３５を形成する。但し、遮光層
３５は基板２の端部において共通となるよう接続され、
金属層３５′を引き出している。
り、基板１上に主走査方向に形成された薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）１２′のアレイである電荷転送部１２ａ、
１２ｂ、１２ｃを覆うようＣｒ３を３本の帯状の形状に
パターニングし、遮光層３５を形成する。但し、遮光層
３５は基板２の端部において共通となるよう接続され、
金属層３５′を引き出している。
【００４９】また、遮光層３５の作製方法として、Ｃｒ
を５００〜２０００オングストローム程度の膜厚でＤＣ
マグネトロンスパッタ法により着膜し、次にフォトリソ
エッチング工程により所望の形状にパターニングし、更
に陽極酸化法又はＯ2 プラズマに晒すことで、表面から
１００〜５００オングストローム程度を酸化するように
してもよい。
を５００〜２０００オングストローム程度の膜厚でＤＣ
マグネトロンスパッタ法により着膜し、次にフォトリソ
エッチング工程により所望の形状にパターニングし、更
に陽極酸化法又はＯ2 プラズマに晒すことで、表面から
１００〜５００オングストローム程度を酸化するように
してもよい。
【００５０】そして、透明感光性樹脂に有機顔料を分散
させて感光液とし、これを通常のフォトリソグラフィー
におけるレジストと同様に塗布、露光、現像を行い、基
板１上に形成された受光素子アレイ１１を覆うような帯
状の形状にパターニングしてカラ−フィルタ３４を形成
する（有機顔料分散法）。分散させる有機顔料の種類や
量を調節することにより、フィルタの分光特性をコント
ロールすることができる。本実施例では、受光素子アレ
イ１１ａには赤、１１ｂには緑、１１ｃには青の光に反
応して電荷を発生させるよう、それぞれ赤、緑、青の波
長領域の光を透過する３種類のカラ−フィルタ３４を形
成している。
させて感光液とし、これを通常のフォトリソグラフィー
におけるレジストと同様に塗布、露光、現像を行い、基
板１上に形成された受光素子アレイ１１を覆うような帯
状の形状にパターニングしてカラ−フィルタ３４を形成
する（有機顔料分散法）。分散させる有機顔料の種類や
量を調節することにより、フィルタの分光特性をコント
ロールすることができる。本実施例では、受光素子アレ
イ１１ａには赤、１１ｂには緑、１１ｃには青の光に反
応して電荷を発生させるよう、それぞれ赤、緑、青の波
長領域の光を透過する３種類のカラ−フィルタ３４を形
成している。
【００５１】次に、ポリイミド等のパシベーション層３
３ｂを１〜２μｍ程度の厚さで着膜し、べーキングした
後、Ｃｒ３の一部が露出するようにパターニングする。
これにより、遮光層３５から続く金属層３５′を基板１
上の金属層３２′に接続するためのコンタクト部分が形
成される。
３ｂを１〜２μｍ程度の厚さで着膜し、べーキングした
後、Ｃｒ３の一部が露出するようにパターニングする。
これにより、遮光層３５から続く金属層３５′を基板１
上の金属層３２′に接続するためのコンタクト部分が形
成される。
【００５２】次に、基板１と基板２を接着剤で接着す
る。接着剤は、基板上の大部分においてはエポキシ系等
の絶縁性接着剤３６を用いるが、遮光層を接地するため
のコンタクト部分においては導電性接着剤３７を用い
る。これにより、基板１と基板２が接着剤で接着され、
更に基板２上に形成された金属層３５′と基板１上に形
成された金属層３２′とが導通されて、ワイヤボンディ
ング３８によりセンサ外部に接続されて接地される。こ
のようにして、カラーイメージセンサが形成される。
る。接着剤は、基板上の大部分においてはエポキシ系等
の絶縁性接着剤３６を用いるが、遮光層を接地するため
のコンタクト部分においては導電性接着剤３７を用い
る。これにより、基板１と基板２が接着剤で接着され、
更に基板２上に形成された金属層３５′と基板１上に形
成された金属層３２′とが導通されて、ワイヤボンディ
ング３８によりセンサ外部に接続されて接地される。こ
のようにして、カラーイメージセンサが形成される。
【００５３】本実施例のカラーイメージセンサによれ
ば、カラ−フィルタ３４を形成するための基板２上に薄
膜トランジスタ１２′を遮光するための遮光層３５を形
成し、イメージセンサ本体が形成された基板１と、カラ
−フィルタ３４及び遮光層３５が形成された基板２とを
位置合わせをして貼り合わせた構造のカラーイメージセ
ンサとしているので、基板１上の金属配線等のレイアウ
トを複雑にすることなく、薄膜トランジスタのチャネル
部分を遮光でき、薄膜トランジスタのスイッチング特性
を向上させることができる効果がある。
ば、カラ−フィルタ３４を形成するための基板２上に薄
膜トランジスタ１２′を遮光するための遮光層３５を形
成し、イメージセンサ本体が形成された基板１と、カラ
−フィルタ３４及び遮光層３５が形成された基板２とを
位置合わせをして貼り合わせた構造のカラーイメージセ
ンサとしているので、基板１上の金属配線等のレイアウ
トを複雑にすることなく、薄膜トランジスタのチャネル
部分を遮光でき、薄膜トランジスタのスイッチング特性
を向上させることができる効果がある。
【００５４】また、基板２に遮光層３５を設けることに
より、従来必要であった遮光用金属パターンとその接続
が不要となるため、イメージセンサ本体のレイアウト設
計が容易になると同時に、センサ全体の面積を小さくす
ることができ、コストを低下させることができる効果が
ある。
より、従来必要であった遮光用金属パターンとその接続
が不要となるため、イメージセンサ本体のレイアウト設
計が容易になると同時に、センサ全体の面積を小さくす
ることができ、コストを低下させることができる効果が
ある。
【００５５】また、従来例では薄膜トランジスタのドレ
イン電極２８及びソース電極２９の上に層間絶縁層３１
のみを介して金属遮光層が形成されていたために浮遊容
量が生じていたが、これを低減させることができるため
に、センサ設計において余分な容量を考慮する必要がな
く、共通信号線への出力が小さくなって感度が低下する
のを防止できる効果がある。
イン電極２８及びソース電極２９の上に層間絶縁層３１
のみを介して金属遮光層が形成されていたために浮遊容
量が生じていたが、これを低減させることができるため
に、センサ設計において余分な容量を考慮する必要がな
く、共通信号線への出力が小さくなって感度が低下する
のを防止できる効果がある。
【００５６】更に、金属層から成る遮光層３５を形成す
ることにより、イメージセンサ外部から電気的なノイズ
が入るのを防止することができる効果がある。そして、
遮光層３５の薄膜トランジスタ側の表面を低反射表面と
することにより、横方向空回り込んでくる光を薄膜トラ
ンジスタ側に反射させないため、薄膜トランジスタのス
イッチング特性を向上させることができる効果があり、
また、低反射表面をクロムの酸化物で形成しているの
で、形成が容易となる効果がある。
ることにより、イメージセンサ外部から電気的なノイズ
が入るのを防止することができる効果がある。そして、
遮光層３５の薄膜トランジスタ側の表面を低反射表面と
することにより、横方向空回り込んでくる光を薄膜トラ
ンジスタ側に反射させないため、薄膜トランジスタのス
イッチング特性を向上させることができる効果があり、
また、低反射表面をクロムの酸化物で形成しているの
で、形成が容易となる効果がある。
【００５７】また、遮光層を拡大して、薄膜トランジス
タ部分だけでなく、マトリクス状の多層配線１３の上部
にも金属の遮光層を設けることも考えられる。このよう
な構成にすることで多層配線部分に対してもノイズ防止
効果がより一層高くなってイメージセンサの信頼性を高
めることができる効果がある。
タ部分だけでなく、マトリクス状の多層配線１３の上部
にも金属の遮光層を設けることも考えられる。このよう
な構成にすることで多層配線部分に対してもノイズ防止
効果がより一層高くなってイメージセンサの信頼性を高
めることができる効果がある。
【００５８】上記実施例では、遮光層３５を金属層で形
成しているが、別の実施例として、図５の断面説明図に
示すように、遮光層をカラ−フィルタと同一の材料を用
いて形成することも可能である。この別の実施例におけ
る遮光層３５″は、基板２にカラ−フィルタを形成する
際に、カラ−フィルタ３４と同一の感光性樹脂に黒色系
の顔料を分散させた感光液を用いて、塗布、露光、現像
を行い所望の形状にパターニングして形成される。すな
わち、赤、緑、青のカラ−フィルタと同一材料で、同様
の工程により、黒色フィルタとして遮光層３５″を形成
できるので、新たな工程を増加することなく簡便に形成
できる効果がある。
成しているが、別の実施例として、図５の断面説明図に
示すように、遮光層をカラ−フィルタと同一の材料を用
いて形成することも可能である。この別の実施例におけ
る遮光層３５″は、基板２にカラ−フィルタを形成する
際に、カラ−フィルタ３４と同一の感光性樹脂に黒色系
の顔料を分散させた感光液を用いて、塗布、露光、現像
を行い所望の形状にパターニングして形成される。すな
わち、赤、緑、青のカラ−フィルタと同一材料で、同様
の工程により、黒色フィルタとして遮光層３５″を形成
できるので、新たな工程を増加することなく簡便に形成
できる効果がある。
【００５９】また、図５の実施例のカラーイメージセン
サでは、図２、図３の実施例と比較して、遮光層３５″
がＣｒ等の金属層ではないため一定電位に保持する必要
がなく、従って接地等の接続を省略でき、構成を簡単に
することができる効果がある。更に、図５の実施例にお
いては、基板１と基板２は絶縁性接着剤３６のみにより
貼り合わされている。
サでは、図２、図３の実施例と比較して、遮光層３５″
がＣｒ等の金属層ではないため一定電位に保持する必要
がなく、従って接地等の接続を省略でき、構成を簡単に
することができる効果がある。更に、図５の実施例にお
いては、基板１と基板２は絶縁性接着剤３６のみにより
貼り合わされている。
【００６０】また、黒色フィルタで形成された遮光層３
５″は、光を吸収する特性があるので、上方向から入射
する光だけでなく、横方向から回り込んでくる光をも吸
収して、薄膜トランジスタへの入光を防ぐため、遮光効
果が大きい。
５″は、光を吸収する特性があるので、上方向から入射
する光だけでなく、横方向から回り込んでくる光をも吸
収して、薄膜トランジスタへの入光を防ぐため、遮光効
果が大きい。
【００６１】この別の実施例のカラーイメージセンサに
おいても、遮光層をイメージセンサ本体とは別の基板に
形成して貼り合わせた構造としているため、配線等のレ
イアウトを複雑にすることなく、薄膜トランジスタのス
イッチング特性を向上させ、信頼性の高いイメージセン
サとすることができる効果がある。
おいても、遮光層をイメージセンサ本体とは別の基板に
形成して貼り合わせた構造としているため、配線等のレ
イアウトを複雑にすることなく、薄膜トランジスタのス
イッチング特性を向上させ、信頼性の高いイメージセン
サとすることができる効果がある。
【００６２】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、基板上に
形成された受光素子を覆う位置にカラーフィルタと、薄
膜トランジスタを覆う位置に遮光層とを絶縁層を介して
形成したカラーイメージセンサとしているので、配線等
の上に絶縁層を介してカラーフィルタ及び遮光層を形成
することができ、配線等のレイアウトを複雑にすること
なく薄膜トランジスタのチャネル部分を遮光でき、更に
薄膜トランジスタと遮光層との距離をある程度保つこと
ができるため、薄膜トランジスタにおける浮遊容量を軽
減でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる効果がある。
形成された受光素子を覆う位置にカラーフィルタと、薄
膜トランジスタを覆う位置に遮光層とを絶縁層を介して
形成したカラーイメージセンサとしているので、配線等
の上に絶縁層を介してカラーフィルタ及び遮光層を形成
することができ、配線等のレイアウトを複雑にすること
なく薄膜トランジスタのチャネル部分を遮光でき、更に
薄膜トランジスタと遮光層との距離をある程度保つこと
ができるため、薄膜トランジスタにおける浮遊容量を軽
減でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる効果がある。
【００６３】請求項２記載の発明によれば、遮光層が薄
膜トランジスタ側に低反射表面を有する請求項１記載の
カラーイメージセンサとしているので、横方向から回り
込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射させるのを防
止でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる効果がある。
膜トランジスタ側に低反射表面を有する請求項１記載の
カラーイメージセンサとしているので、横方向から回り
込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射させるのを防
止でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる効果がある。
【００６４】請求項３記載の発明によれば、第１の基板
上に形成された薄膜トランジスタを遮光するための遮光
層をカラ−フィルタが形成された第２の基板上に形成
し、接着層により第２の基板を第１の基板に貼り合わせ
たカラーイメージセンサとしているので、配線等のレイ
アウトを複雑にすることなく薄膜トランジスタのチャネ
ル部分を遮光でき、更に薄膜トランジスタと遮光層との
距離をある程度保つことができるため、薄膜トランジス
タにおける浮遊容量を軽減でき、スイッチング特性を向
上させてカラーイメージセンサの信頼性を高めることが
できる効果がある。
上に形成された薄膜トランジスタを遮光するための遮光
層をカラ−フィルタが形成された第２の基板上に形成
し、接着層により第２の基板を第１の基板に貼り合わせ
たカラーイメージセンサとしているので、配線等のレイ
アウトを複雑にすることなく薄膜トランジスタのチャネ
ル部分を遮光でき、更に薄膜トランジスタと遮光層との
距離をある程度保つことができるため、薄膜トランジス
タにおける浮遊容量を軽減でき、スイッチング特性を向
上させてカラーイメージセンサの信頼性を高めることが
できる効果がある。
【００６５】請求項４記載の発明によれば、遮光層が薄
膜トランジスタ側に低反射表面を有する請求項３記載の
カラーイメージセンサとしているので、横方向から回り
込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射させるのを防
止でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる効果がある。
膜トランジスタ側に低反射表面を有する請求項３記載の
カラーイメージセンサとしているので、横方向から回り
込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射させるのを防
止でき、スイッチング特性を向上させてカラーイメージ
センサの信頼性を高めることができる効果がある。
【００６６】請求項５記載の発明によれば、遮光層が金
属材料から構成され、遮光層の低反射表面が金属材料の
酸化物から成る請求項４記載のカラーイメージセンサと
しているので、低反射表面の形成が容易となり、また横
方向から回り込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射
させるのを防止でき、スイッチング特性を向上させてカ
ラーイメージセンサの信頼性を高めることができる効果
がある。
属材料から構成され、遮光層の低反射表面が金属材料の
酸化物から成る請求項４記載のカラーイメージセンサと
しているので、低反射表面の形成が容易となり、また横
方向から回り込んでくる光を薄膜トランジスタ側に反射
させるのを防止でき、スイッチング特性を向上させてカ
ラーイメージセンサの信頼性を高めることができる効果
がある。
【００６７】請求項６記載の発明によれば、遮光層が導
電性材料から構成され、遮光層を一定電位に保つ手段を
有する請求項３記載のカラーイメージセンサとしている
ので、外部からの電気的なノイズの影響を薄膜トランジ
スタが受け難くし、カラーイメージセンサの信頼性を高
めることができる効果がある。
電性材料から構成され、遮光層を一定電位に保つ手段を
有する請求項３記載のカラーイメージセンサとしている
ので、外部からの電気的なノイズの影響を薄膜トランジ
スタが受け難くし、カラーイメージセンサの信頼性を高
めることができる効果がある。
【００６８】請求項７記載の発明によれば、請求項３記
載のカラーイメージセンサにおいて、カラ−フィルタと
同一の感光性樹脂に黒色系の顔料を分散させた材料で遮
光層を形成しているので、薄膜トランジスタにおける浮
遊容量をなくすことができ、またカラ−フィルタと同様
の工程で遮光層を形成することができため製造が容易で
あり、更に遮光層が光を吸収する性質があるため上方向
から入射する光のみならず横方向から回り込んでくる光
をも吸収して薄膜トランジスタへの入光を防止できるの
で、より効果的に遮光を行うことができ、カラーイメー
ジセンサの信頼性を高めることができる効果がある。
載のカラーイメージセンサにおいて、カラ−フィルタと
同一の感光性樹脂に黒色系の顔料を分散させた材料で遮
光層を形成しているので、薄膜トランジスタにおける浮
遊容量をなくすことができ、またカラ−フィルタと同様
の工程で遮光層を形成することができため製造が容易で
あり、更に遮光層が光を吸収する性質があるため上方向
から入射する光のみならず横方向から回り込んでくる光
をも吸収して薄膜トランジスタへの入光を防止できるの
で、より効果的に遮光を行うことができ、カラーイメー
ジセンサの信頼性を高めることができる効果がある。
【図１】 本発明の一実施例に係るカラーイメージセン
サの等価回路図である。
サの等価回路図である。
【図２】 （ａ）は本実施例のセンサ本体部分の平面概
略図、（ｂ）はカラ−フィルタ及び遮光層部分の平面概
略図である。
略図、（ｂ）はカラ−フィルタ及び遮光層部分の平面概
略図である。
【図３】 （ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′部分の断面説
明図、（ｂ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ′部分の断面説明図
である。
明図、（ｂ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ′部分の断面説明図
である。
【図４】 本実施例のカラーイメージセンサの接着部分
の断面説明図である。
の断面説明図である。
【図５】 別の実施例の断面説明図である。
【図６】 従来のカラーイメージセンサのセンサ部分の
平面概略図である。
平面概略図である。
【図７】 従来のカラーイメージセンサのセンサ部分の
断面説明図である。
断面説明図である。
【図８】 従来のカラーイメージセンサのフィルタ部分
の平面概略図である。
の平面概略図である。
１…基板、 ２…基板、 １１…受光素子アレイ、 １
１′…受光素子、 １２…電荷転送部、 １２′…薄膜
トランジスタ、 １３…多層配線、 １４…共通信号
線、 １５…駆動用ＩＣ、 ２１…金属電極、 ２２…
光導電層、 ２３…透明電極、 ２４…ゲート電極、
２５…ゲート絶縁層、 ２６…半導体活性層、 ２７…
チャネル保護層、 ２８…ドレイン電極、 ２９…ソー
ス電極、３０…オーミックコンタクト層、 ３１…層間
絶縁層、 ３２…配線層、 ３２′…遮光用金属層、
３３…パシベーション層、 ３４…カラ−フィルタ、
３５…遮光層、 ３５′…金属層、 ３５″…遮光層、
３６…絶縁性接着剤、３７…導電性接着剤、 ３８…
ワイヤボンディング
１′…受光素子、 １２…電荷転送部、 １２′…薄膜
トランジスタ、 １３…多層配線、 １４…共通信号
線、 １５…駆動用ＩＣ、 ２１…金属電極、 ２２…
光導電層、 ２３…透明電極、 ２４…ゲート電極、
２５…ゲート絶縁層、 ２６…半導体活性層、 ２７…
チャネル保護層、 ２８…ドレイン電極、 ２９…ソー
ス電極、３０…オーミックコンタクト層、 ３１…層間
絶縁層、 ３２…配線層、 ３２′…遮光用金属層、
３３…パシベーション層、 ３４…カラ−フィルタ、
３５…遮光層、 ３５′…金属層、 ３５″…遮光層、
３６…絶縁性接着剤、３７…導電性接着剤、 ３８…
ワイヤボンディング
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成された受光素
子と、前記受光素子に接続され、前記基板上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ及び前記
受光素子を覆う絶縁層と、前記絶縁層上にあって前記受
光素子を覆う位置に形成されたカラーフィルタと、前記
絶縁層上にあって前記薄膜トランジスタを覆う位置に形
成された遮光層とを有することを特徴とするカラーイメ
ージセンサ。 - 【請求項２】 遮光層は、薄膜トランジスタ側に低反射
表面を有することを特徴とする請求項１記載のカラーイ
メージセンサ。 - 【請求項３】 第１の基板と、前記第１の基板上に形成
された受光素子と、前記受光素子に接続され、前記第１
の基板上に形成された薄膜トランジスタと、第２の基板
と、前記第２の基板にあって前記受光素子を覆う位置に
形成されたカラーフィルタと、前記第２の基板にあって
前記薄膜トランジスタを覆う位置に形成された遮光層
と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在され
た接着層とを有することを特徴とするカラーイメージセ
ンサ。 - 【請求項４】 遮光層は、薄膜トランジスタ側に低反射
表面を有することを特徴とする請求項３記載のカラーイ
メージセンサ。 - 【請求項５】 遮光層は、金属材料から構成され、前記
遮光層の低反射表面は、前記金属材料の酸化物から成る
ことを特徴とする請求項４記載のカラーイメージセン
サ。 - 【請求項６】 遮光層は、導電性材料から構成され、前
記遮光層を一定電位に保つ手段を有することを特徴とす
る請求項３記載のカラーイメージセンサ。 - 【請求項７】 遮光層は、カラーフィルタと同一の感光
性樹脂に黒色系の顔料を分散させた材料から構成される
ことを特徴とする請求項３記載のカラーイメージセン
サ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4142018A JPH05183141A (ja) | 1991-07-12 | 1992-05-08 | カラーイメージセンサ |
| US07/912,507 US5274250A (en) | 1991-07-12 | 1992-07-10 | Color image sensor with light-shielding layer |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19728191 | 1991-07-12 | ||
| JP3-197281 | 1991-07-12 | ||
| JP4142018A JPH05183141A (ja) | 1991-07-12 | 1992-05-08 | カラーイメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183141A true JPH05183141A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=26474162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4142018A Pending JPH05183141A (ja) | 1991-07-12 | 1992-05-08 | カラーイメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5274250A (ja) |
| JP (1) | JPH05183141A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021100293A1 (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置及び表示装置 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352920A (en) * | 1988-06-06 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter with light shielding sections |
| US5435608A (en) * | 1994-06-17 | 1995-07-25 | General Electric Company | Radiation imager with common passivation dielectric for gate electrode and photosensor |
| US5733804A (en) * | 1995-12-22 | 1998-03-31 | Xerox Corporation | Fabricating fully self-aligned amorphous silicon device |
| US5717223A (en) * | 1995-12-22 | 1998-02-10 | Xerox Corporation | Array with amorphous silicon TFTs in which channel leads overlap insulating region no more than maximum overlap |
| JP3645380B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置 |
| JP3645379B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7056381B1 (en) | 1996-01-26 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of semiconductor device |
| US6133954A (en) * | 1996-03-14 | 2000-10-17 | Tritech Microelectronics, Ltd. | Integrated circuit color chip with cells with integral color filters including triplets of photodiodes with each having integrated therewith transistors for reading from and writing to the photodiode and methods of manufacture and operation thereof |
| US6746959B2 (en) | 1996-07-26 | 2004-06-08 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and method |
| US6025605A (en) * | 1996-07-26 | 2000-02-15 | Lg Electronics Inc. | Aligned semiconductor structure |
| JP3607016B2 (ja) * | 1996-10-02 | 2005-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法、並びに携帯型の情報処理端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、カメラおよびプロジェクター |
| US6057586A (en) * | 1997-09-26 | 2000-05-02 | Intel Corporation | Method and apparatus for employing a light shield to modulate pixel color responsivity |
| JP3180748B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| US20070181781A1 (en) * | 2001-03-06 | 2007-08-09 | Digital Optics Corporation | Integrated optical transceiver |
| US20040041081A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-04 | Feldman Michael R. | Integrated optical transceiver and related methods |
| US7842914B2 (en) * | 2000-03-06 | 2010-11-30 | Tessera North America, Inc. | Optoelectronic package, camera including the same and related methods |
| EP1176808A3 (en) * | 2000-07-27 | 2003-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
| SE0003102L (sv) * | 2000-09-01 | 2002-03-02 | Imego Ab | Positionskänslig detektor |
| US7154549B2 (en) * | 2000-12-18 | 2006-12-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state image sensor having a single-layered electrode structure |
| FR2829290B1 (fr) * | 2001-08-31 | 2004-09-17 | Atmel Grenoble Sa | Capteur d'image couleur sur substrat transparent et procede de fabrication |
| FR2829289B1 (fr) * | 2001-08-31 | 2004-11-19 | Atmel Grenoble Sa | Capteur d'image couleur a colorimetrie amelioree et procede de fabrication |
| JP4984634B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2012-07-25 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
| US7686469B2 (en) | 2006-09-30 | 2010-03-30 | Ruud Lighting, Inc. | LED lighting fixture |
| US9212812B2 (en) | 2013-02-11 | 2015-12-15 | Cree, Inc. | LED light fixture with integrated light shielding |
| US9222632B2 (en) | 2013-01-31 | 2015-12-29 | Cree, Inc. | LED lighting fixture |
| US20090086491A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Ruud Lighting, Inc. | Aerodynamic LED Floodlight Fixture |
| US9028087B2 (en) | 2006-09-30 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | LED light fixture |
| KR100791346B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 |
| US8092042B2 (en) * | 2007-05-03 | 2012-01-10 | Ruud Lighting, Inc. | Shield member in LED apparatus |
| JP5253799B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法 |
| US7637630B2 (en) * | 2008-04-22 | 2009-12-29 | Ruud Lighting, Inc. | Integrated shield-gasket member in LED apparatus |
| US9435519B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Light-fixture support assembly |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
| US4412236A (en) * | 1979-08-24 | 1983-10-25 | Hitachi, Ltd. | Color solid-state imager |
| JPS5936961A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-02-29 | Sanyo Electric Co Ltd | カラ−固体撮像素子 |
| US4553153A (en) * | 1983-10-21 | 1985-11-12 | Eastman Kodak Company | Planarizing layer for semiconductor substrates such as solid state imagers |
| JPS63170959A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-14 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置 |
| JPH01147863A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP4142018A patent/JPH05183141A/ja active Pending
- 1992-07-10 US US07/912,507 patent/US5274250A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021100293A1 (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置及び表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5274250A (en) | 1993-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05183141A (ja) | カラーイメージセンサ | |
| US5525813A (en) | Image sensor having TFT gate electrode surrounding the photoelectric conversion element | |
| JP3916823B2 (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びにフラットパネル型イメージセンサ | |
| JP4542430B2 (ja) | 指紋認識素子を内装した一体型液晶表示装置、及びこれの製造方法 | |
| JP5336102B2 (ja) | Ｔｆｔ基板 | |
| KR100638525B1 (ko) | 컬러 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 | |
| WO2011030583A1 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US6411350B2 (en) | Method of manufacturing an electrode substrate resistant to wire breakage for an active matrix display device | |
| JPH0943639A (ja) | 透過型表示装置 | |
| US5742365A (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same in which a light shielding layer is over the gate electrode or a gate electrode is in a trench | |
| US5790222A (en) | Thin film transistor array and method of manufacturing thereof | |
| US4894700A (en) | Image sensor | |
| US5160836A (en) | Image sensor including a plurality of light-receiving arrays and method of driving the same | |
| JPH1096949A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH0730084A (ja) | ２次元密着型イメージセンサ | |
| KR100623980B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100646787B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| JPH03295275A (ja) | 薄膜スイッチング素子アレイ | |
| JP3144091B2 (ja) | ２次元イメージセンサ | |
| KR100767356B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100806893B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| JPH04373172A (ja) | イメージセンサ | |
| JP3146509B2 (ja) | ２次元密着型イメージセンサ | |
| KR101408687B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR101190044B1 (ko) | 액정표시장치와 그 제조방법 |