JPS63170959A - カラ−固体撮像装置 - Google Patents
カラ−固体撮像装置Info
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- JPS63170959A JPS63170959A JP62002421A JP242187A JPS63170959A JP S63170959 A JPS63170959 A JP S63170959A JP 62002421 A JP62002421 A JP 62002421A JP 242187 A JP242187 A JP 242187A JP S63170959 A JPS63170959 A JP S63170959A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビデオカメラ等に用いられるカラー固体撮像装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来の技術
固体撮像装置の方式としては種々の方式が提案されてい
るが、ノイズが小さく高感度化が可罷なインターライン
転送方式CODが現在主流となりつつある。第3図は従
来のインターライン転送方式カラーCCD固体撮像装置
の光電変換を行う画素部の断面模式図を示すものである
。1はP形シリコン基板、2はPN接合フォトダイオー
ドを形成するN影領域、6はフォトダイオードに蓄積さ
れた信号電荷をCOD転送チャネルとなるN影領域3に
転送し、さらにN影領域3内を紙面に垂直な方向に電荷
を転送するための多結晶シリコンよりなる転送ゲート、
3および6は二酸化シリコン膜、7はフォトダイオード
以外への入射光を遮光するだめのアルミニウム膜である
。また、8はカラー信号を得るための透過光形色分離フ
ィルターであり、種々の分光特性が提案されているが、
第3図では9を青色光透過影領域、1oを赤色光透過影
領域としている011はフィルターの画素分離遮光領域
である。また12.13はアルミニウム膜7が形成され
ない領域、つまりフォトダイオードの開口部を示してお
り、その幅をCで示している。図中の丸印はP形シリコ
ン基板1内で発生した信号電荷を、矢印は信号電荷の動
きを示したものである。
るが、ノイズが小さく高感度化が可罷なインターライン
転送方式CODが現在主流となりつつある。第3図は従
来のインターライン転送方式カラーCCD固体撮像装置
の光電変換を行う画素部の断面模式図を示すものである
。1はP形シリコン基板、2はPN接合フォトダイオー
ドを形成するN影領域、6はフォトダイオードに蓄積さ
れた信号電荷をCOD転送チャネルとなるN影領域3に
転送し、さらにN影領域3内を紙面に垂直な方向に電荷
を転送するための多結晶シリコンよりなる転送ゲート、
3および6は二酸化シリコン膜、7はフォトダイオード
以外への入射光を遮光するだめのアルミニウム膜である
。また、8はカラー信号を得るための透過光形色分離フ
ィルターであり、種々の分光特性が提案されているが、
第3図では9を青色光透過影領域、1oを赤色光透過影
領域としている011はフィルターの画素分離遮光領域
である。また12.13はアルミニウム膜7が形成され
ない領域、つまりフォトダイオードの開口部を示してお
り、その幅をCで示している。図中の丸印はP形シリコ
ン基板1内で発生した信号電荷を、矢印は信号電荷の動
きを示したものである。
通常、フォトダイオードとCOD転送部からなる単位画
素は光電変換領域内に2次元的に縦方向に約SOO行、
横方向に約600列、全く同一の構成で周期的に配置さ
れているQ 発明が解決しようとする問題点 上述したような従来の構造では、カラー出力信号におい
て各色に対応した信号出力、つまり感度がフィルターの
色に応じて変化し人間の視感度に適した信号が得られな
いということ、およびスミア−の発生という大きな問題
があった。スミア−はP形シリコン基板1内で発生した
電荷が直接COD転送チャネルであるN影領域3に混入
するために発生する現象である。第3図中の黒い丸印で
示した電荷がスミア−を発生する電荷の動きを示してお
り、P形シリコン基板1の深部で発生した電荷はど混入
確率が高いためシリコンでの吸収係数の小さい長波長光
で顕著となる。第3図では、青色光透過領域9の下部の
フォトダイオードでは、大部分がN影領域2の近傍で発
生するためスミア−はほとんど発生せず、一方、赤色光
透過領域1゜の下部にあるフォトダイオードではP形シ
リコン基板のかなり深部で発生する電荷のためスミア−
が発生する様子を示している。
素は光電変換領域内に2次元的に縦方向に約SOO行、
横方向に約600列、全く同一の構成で周期的に配置さ
れているQ 発明が解決しようとする問題点 上述したような従来の構造では、カラー出力信号におい
て各色に対応した信号出力、つまり感度がフィルターの
色に応じて変化し人間の視感度に適した信号が得られな
いということ、およびスミア−の発生という大きな問題
があった。スミア−はP形シリコン基板1内で発生した
電荷が直接COD転送チャネルであるN影領域3に混入
するために発生する現象である。第3図中の黒い丸印で
示した電荷がスミア−を発生する電荷の動きを示してお
り、P形シリコン基板1の深部で発生した電荷はど混入
確率が高いためシリコンでの吸収係数の小さい長波長光
で顕著となる。第3図では、青色光透過領域9の下部の
フォトダイオードでは、大部分がN影領域2の近傍で発
生するためスミア−はほとんど発生せず、一方、赤色光
透過領域1゜の下部にあるフォトダイオードではP形シ
リコン基板のかなり深部で発生する電荷のためスミア−
が発生する様子を示している。
第4図は、従来のインターライン転送方式CCDカラー
固体撮像装置の分光感度特性および、スミア−発生量の
波長依存性の一例を示したものである。このような波長
依存性は、単位画素やフォトダイオードの内部構造に犬
きぐ依存する。感度特性においては、人間の視感度特性
に近づけるため、長波長側の信号を一部除去する方法が
行なわれていた。またスミア−を抑制するため、第3図
のフォトダイオード開口部12.13を狭くすることに
よりN影領域3に混入する電荷を発生する確率の高い、
N影領域2の周辺部への入射光をカットする方法が行な
われていた。
固体撮像装置の分光感度特性および、スミア−発生量の
波長依存性の一例を示したものである。このような波長
依存性は、単位画素やフォトダイオードの内部構造に犬
きぐ依存する。感度特性においては、人間の視感度特性
に近づけるため、長波長側の信号を一部除去する方法が
行なわれていた。またスミア−を抑制するため、第3図
のフォトダイオード開口部12.13を狭くすることに
よりN影領域3に混入する電荷を発生する確率の高い、
N影領域2の周辺部への入射光をカットする方法が行な
われていた。
以上のように、分光感度特性とスミア−を低減するため
にカラー撮像装置として重要な特性である感度を犠牲に
するとともに、カラー化方式そのものの自由度も制限し
ていた。本発明はこのような問題点を解決するもので各
色フィルターの透過特性、カラー化方式に対応した信号
出力をバランス良く得るとともに、スミア−の発生を大
幅に抑制することを目的とするものである。
にカラー撮像装置として重要な特性である感度を犠牲に
するとともに、カラー化方式そのものの自由度も制限し
ていた。本発明はこのような問題点を解決するもので各
色フィルターの透過特性、カラー化方式に対応した信号
出力をバランス良く得るとともに、スミア−の発生を大
幅に抑制することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、フォトダイオー
ドの受光部形状を透過形色分離フィルターの各構成波長
領域に応じて変化させ、長波長域の色フィルター構成色
に対応するフォトダイ、1−−ドの開口幅を小さく、一
方短波長域の構成色に対応するフォトダイオードの開口
幅は大きくしたものである。
ドの受光部形状を透過形色分離フィルターの各構成波長
領域に応じて変化させ、長波長域の色フィルター構成色
に対応するフォトダイ、1−−ドの開口幅を小さく、一
方短波長域の構成色に対応するフォトダイオードの開口
幅は大きくしたものである。
作 用
この構成により、スミア−現象が大幅に減少するととも
に、各波長領域の山号出力、つまり分光感度特性の短波
長側が相対的に大きくなるため、高感度でかっ色再現性
にも優れたカラー固体撮像装置を得ることができる。
に、各波長領域の山号出力、つまり分光感度特性の短波
長側が相対的に大きくなるため、高感度でかっ色再現性
にも優れたカラー固体撮像装置を得ることができる。
実施例
第1図は本発明の一実施例によるインターライン転送方
式CCDカラー固体撮像装置の画素部の断面模式図を示
すものである。第1図において、14.15は、それぞ
れ透過形色分離フィルターの青色光透過領域9および赤
色光透過領域1oに対応するフォトダイオードの開口部
を示すものである。第3図の従来例では開口部12.1
3は全く同一形状であったが、本実施例では開口部14
は幅を狭く(図中aで示す)、開口部15は幅を広く(
図中すで示す)した形状となっており、この点を除いて
第1図は第3図と全く同様の構成となってる。
式CCDカラー固体撮像装置の画素部の断面模式図を示
すものである。第1図において、14.15は、それぞ
れ透過形色分離フィルターの青色光透過領域9および赤
色光透過領域1oに対応するフォトダイオードの開口部
を示すものである。第3図の従来例では開口部12.1
3は全く同一形状であったが、本実施例では開口部14
は幅を狭く(図中aで示す)、開口部15は幅を広く(
図中すで示す)した形状となっており、この点を除いて
第1図は第3図と全く同様の構成となってる。
本実施例においては、開口部14および16の幅(図中
a、b)は、従来例の幅(c)に対してa : b :
c ==0.7:1.5 : 1としている。
a、b)は、従来例の幅(c)に対してa : b :
c ==0.7:1.5 : 1としている。
第2図は、本実施例におけるカラー撮像装置の分光感度
特性およびスミア−発生量の波長依存性を示したもので
ある。シリコンのPN接合フォトダイオードでは電荷の
表面再結合にょシ光吸収係数の大きい青色(短波長側)
の感度が本質的に低くなるが、本実施例では青色光に対
応したフォトダイオードの開口部15の幅を従来の1.
5倍と大きくしているため感度も約1.6倍と向上して
いる。
特性およびスミア−発生量の波長依存性を示したもので
ある。シリコンのPN接合フォトダイオードでは電荷の
表面再結合にょシ光吸収係数の大きい青色(短波長側)
の感度が本質的に低くなるが、本実施例では青色光に対
応したフォトダイオードの開口部15の幅を従来の1.
5倍と大きくしているため感度も約1.6倍と向上して
いる。
また青色光におけるスミア−は光がP形シリコン基板1
の深部までほとんど達しないため、従来例とほとんど変
化ない。一方、赤色光に対応したフオドダイオードの開
口部14の幅は約3イと小さくしているだめ、スミア−
は大幅に低減され従来の%以下となる。N影領域2への
電荷の侵入確率が大幅に低下していることを示している
。また赤色光に対する感度は低下し、全波長域で人間の
目の視感度特性に近いものとなっておりカラー撮像装置
として極めて良好な特性が得られている。
の深部までほとんど達しないため、従来例とほとんど変
化ない。一方、赤色光に対応したフオドダイオードの開
口部14の幅は約3イと小さくしているだめ、スミア−
は大幅に低減され従来の%以下となる。N影領域2への
電荷の侵入確率が大幅に低下していることを示している
。また赤色光に対する感度は低下し、全波長域で人間の
目の視感度特性に近いものとなっておりカラー撮像装置
として極めて良好な特性が得られている。
なお、カラー化方式9色分離透過フィルターの波長特性
およびフォトダイオードの構造(例えばMO3反転層を
利用するもの)が異なる場合でも、同一の効果は容易に
実現できる。
およびフォトダイオードの構造(例えばMO3反転層を
利用するもの)が異なる場合でも、同一の効果は容易に
実現できる。
発明の効果
上述したように本発明によれば、スミア−現象がきわめ
て少なく、高感度でかつ、色再現性にすぐれたカラー固
体撮像装置が容易に実現でき、実用的に非常に有用であ
る。
て少なく、高感度でかつ、色再現性にすぐれたカラー固
体撮像装置が容易に実現でき、実用的に非常に有用であ
る。
第1図は本発明の一実施例におけるインターライン転送
方式CCD固体撮像装置の光電変換を行う画素部の断面
構造模式図、第2図は本実施例におけるカラー撮像装置
の分光感度性とスミア−現象の波長依存性を示す図、第
3図は従来のカラー撮像装置の画素部の断面構造模式図
であり、第4図は従来のカラー撮像装置における分光感
度特性とスミア−現象の波長依存性を示す図である。 1・・・・・・P形シリコン基板、2,3・・・・・・
N影領域、4.6・・・・・・二酸化シリコン膜、6・
・・・・・多結晶シリコン膜、7・・・・・・アルミニ
ウム膜、8・・・・・・透過光形色分離フィルター、9
・・・・・・青色光透過領域、1゜・・・・・・赤色光
透過領域、11・・・・・・遮光領域、12゜13.1
4.15・・・・・・フォトダイオード開口部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 汲 最 (幌) 第3図 第4図 mo 、soo too
yo。 ?L −& (仇党9
方式CCD固体撮像装置の光電変換を行う画素部の断面
構造模式図、第2図は本実施例におけるカラー撮像装置
の分光感度性とスミア−現象の波長依存性を示す図、第
3図は従来のカラー撮像装置の画素部の断面構造模式図
であり、第4図は従来のカラー撮像装置における分光感
度特性とスミア−現象の波長依存性を示す図である。 1・・・・・・P形シリコン基板、2,3・・・・・・
N影領域、4.6・・・・・・二酸化シリコン膜、6・
・・・・・多結晶シリコン膜、7・・・・・・アルミニ
ウム膜、8・・・・・・透過光形色分離フィルター、9
・・・・・・青色光透過領域、1゜・・・・・・赤色光
透過領域、11・・・・・・遮光領域、12゜13.1
4.15・・・・・・フォトダイオード開口部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 汲 最 (幌) 第3図 第4図 mo 、soo too
yo。 ?L −& (仇党9
Claims (1)
- 受光部形状が異なる複数種類の多数のフォトダイオード
が、それぞれの種類ごとに周期的に配置されていること
を特徴とするカラー固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62002421A JPS63170959A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | カラ−固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62002421A JPS63170959A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | カラ−固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63170959A true JPS63170959A (ja) | 1988-07-14 |
Family
ID=11528785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62002421A Pending JPS63170959A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | カラ−固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63170959A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02143561A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Toshiba Corp | カラー撮像装置 |
US5274250A (en) * | 1991-07-12 | 1993-12-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Color image sensor with light-shielding layer |
US5506430A (en) * | 1992-03-03 | 1996-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pick-up device with differing capacitances |
JP2005303081A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサーおよび固体撮像装置 |
JP2009164385A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子 |
CN102201419A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 索尼公司 | 固体摄像元件、其制造方法和电子装置 |
JP2017055127A (ja) * | 2016-10-28 | 2017-03-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5522852A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-18 | Toshiba Corp | Color solid image pick-up device |
JPS58190167A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPS61247176A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-04 | Toshiba Corp | エリアイメ−ジセンサ |
JPS62289087A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-15 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP62002421A patent/JPS63170959A/ja active Pending
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US8901618B2 (en) | 2010-03-26 | 2014-12-02 | Sony Corporation | Solid-state image pickup element, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
CN102201419B (zh) * | 2010-03-26 | 2015-05-20 | 索尼公司 | 固体摄像元件、其制造方法和电子装置 |
JP2017055127A (ja) * | 2016-10-28 | 2017-03-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
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