JPH01164073A - 光電変換装置 - Google Patents
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- JPH01164073A JPH01164073A JP63221252A JP22125288A JPH01164073A JP H01164073 A JPH01164073 A JP H01164073A JP 63221252 A JP63221252 A JP 63221252A JP 22125288 A JP22125288 A JP 22125288A JP H01164073 A JPH01164073 A JP H01164073A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、基板に受光部を有する光電変換装置に係り、
特に受光窓以外から入射した光によって生ずる誤動作等
を防止することを企図した光電変換装置に関する。
特に受光窓以外から入射した光によって生ずる誤動作等
を防止することを企図した光電変換装置に関する。
″［従来技術およびその課題］
第６図および第７図は、各々本発明に関連する背景技術
の光電変換装置の第１例および第２例の概略的構成図で
ある。
の光電変換装置の第１例および第２例の概略的構成図で
ある。
第６図において、光電変換機能を有する半導体チップ４
には受光部８を除いた部分に遮光層３が形成され、全体
がプラスチック、セラミック等の材料で出来たパッケー
ジ６内に納められ、カバーガラス５で閉じられている。
には受光部８を除いた部分に遮光層３が形成され、全体
がプラスチック、セラミック等の材料で出来たパッケー
ジ６内に納められ、カバーガラス５で閉じられている。
遮光層３は、必要な光ｌを半導体チップ４に受光させ、
不要な光を遮光するために設けられている。材料として
はＡｎ、ＡＪＬ−３ｉ等が用いられ、電子ビーム蒸着法
、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の基体成膜技術によっ
て形成される０通常の場合厚さは２０００人程度丁子分
である。
不要な光を遮光するために設けられている。材料として
はＡｎ、ＡＪＬ−３ｉ等が用いられ、電子ビーム蒸着法
、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の基体成膜技術によっ
て形成される０通常の場合厚さは２０００人程度丁子分
である。
しかしながら、上記の構成では、不要な光束２がカバー
ガラス５に入射した場合、第６図に図示されであるよう
に、遮光層３とカバーガラス５の内面との間で全反射し
て受光部８まで到達することがある。
ガラス５に入射した場合、第６図に図示されであるよう
に、遮光層３とカバーガラス５の内面との間で全反射し
て受光部８まで到達することがある。
このために、半導体チップ４に内臓された光電変換素子
が誤動作し、出力信号中の雑音指数が増大するという問
題点を有していた。
が誤動作し、出力信号中の雑音指数が増大するという問
題点を有していた。
ｆｉＳ７図に示すように、透明な樹脂材料で光電変換素
子を具備した半導体チップ４をモールドパッケージング
した、いわゆるクリアモールドパッケージ７に半導体チ
ップ４を収納したタイプの場合も第７図に図示されるよ
うに上記の場合と同様の問題がある。
子を具備した半導体チップ４をモールドパッケージング
した、いわゆるクリアモールドパッケージ７に半導体チ
ップ４を収納したタイプの場合も第７図に図示されるよ
うに上記の場合と同様の問題がある。
本発明は、不要な光が受光部へ入射してしまうことによ
って生ずる光電変換素子の誤動作の問題を解決し、光電
変換素子の出力の雑音指数を低下させる光電変換装置を
提供することを目的とする。
って生ずる光電変換素子の誤動作の問題を解決し、光電
変換素子の出力の雑音指数を低下させる光電変換装置を
提供することを目的とする。
また１本発明は光電変換素子の実質的な出力の変動をな
くすことが可能で光電変換装置として極めて信頼性の高
い光電変換装置を提供するこを目的とする。
くすことが可能で光電変換装置として極めて信頼性の高
い光電変換装置を提供するこを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明による光電変換装置は、受光部の少なくとも周辺
部に反射防止部を設けたことを特徴とする。
部に反射防止部を設けたことを特徴とする。
また１本発明による光電変換装置は、半導体基体に設け
られた光電変換素子と該光電変換素子への光入射側に設
けられた透明板状体を備えたパフケージング化光電変換
装置において、 前記透明板状体の前記光電変換素子の受光部と対向する
領域部分の少なくとも周辺部分に反射防止部を設けたこ
とを特徴とする。
られた光電変換素子と該光電変換素子への光入射側に設
けられた透明板状体を備えたパフケージング化光電変換
装置において、 前記透明板状体の前記光電変換素子の受光部と対向する
領域部分の少なくとも周辺部分に反射防止部を設けたこ
とを特徴とする。
また１本発明による光電変換装置は、光電変換素子を樹
脂封止してなる光電変換装置において、少なくとも前記
光電変換素子の受光部の周囲に反射防止部が設けれてい
ることを特徴とする。
脂封止してなる光電変換装置において、少なくとも前記
光電変換素子の受光部の周囲に反射防止部が設けれてい
ることを特徴とする。
［作用］
本発明の光電変換装置は、受光部の少なくとも周辺部に
反射防止部を設けることで、不要な光束が光電変換装置
内に入射しても、受光部に至るまでに吸収され、光電変
換動作への影響を防１ヒすることができる。
反射防止部を設けることで、不要な光束が光電変換装置
内に入射しても、受光部に至るまでに吸収され、光電変
換動作への影響を防１ヒすることができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。
する。
第１図〜第３図は、各々本発明による光電変換装置の第
１−第３実施例における半導体チップの要部の概略的構
成図である。
１−第３実施例における半導体チップの要部の概略的構
成図である。
第１図において、受光素子（光電変換素子）１０が形成
されている半導体基体９上には、５ｉＧ２）ｆｊ １１
、層間絶縁Ｍ１２が形成され、更に受光部８を除いて遮
光層３および反射防止層１３．その上に絶縁層１４が形
成されている。
されている半導体基体９上には、５ｉＧ２）ｆｊ １１
、層間絶縁Ｍ１２が形成され、更に受光部８を除いて遮
光層３および反射防止層１３．その上に絶縁層１４が形
成されている。
本実施例の半導体チップ４では、表面に絶縁層１４があ
るために、遮光層３、反射防止層１３が外部に露出せず
、退色性１．膜はがれ、層変質等が防止されて信頼性の
上で有利となる。また、本実施例では、干渉効果により
反射率を低減させる方法も実施することができる。
るために、遮光層３、反射防止層１３が外部に露出せず
、退色性１．膜はがれ、層変質等が防止されて信頼性の
上で有利となる。また、本実施例では、干渉効果により
反射率を低減させる方法も実施することができる。
第２図に示す第２実施例の半導体チップ４では、反射防
止層１３を絶縁層１４上に、遮光層３と同じパターンで
形成する。これにより絶縁層１４での全反射も防止でき
る。
止層１３を絶縁層１４上に、遮光層３と同じパターンで
形成する。これにより絶縁層１４での全反射も防止でき
る。
本実施例においては、最終工程で反射防止層１３を形成
するために、絶縁ＷＩ！１４の堆積温度等の堆植条件に
無関係に形成でき、耐熱性を特に要求されない、また、
絶縁層１４の堆積膜形成装置を汚染することもない。
するために、絶縁ＷＩ！１４の堆積温度等の堆植条件に
無関係に形成でき、耐熱性を特に要求されない、また、
絶縁層１４の堆積膜形成装置を汚染することもない。
第３図に示す第３実施例の半導体チップ４では、半導体
基体９上のＳ ｉ ０２層１１および層間絶縁Ｈ１２上
に、遮光を兼ねた反射防止層１５が受光部８を除いて形
成されている。
基体９上のＳ ｉ ０２層１１および層間絶縁Ｈ１２上
に、遮光を兼ねた反射防止層１５が受光部８を除いて形
成されている。
第３実施例においては、反射防止層１５、層間絶縁層１
２に関しては、第２実施例と同様の効果を有する。
２に関しては、第２実施例と同様の効果を有する。
それに加えて、第３図に示す第３実施例の場合は、居間
絶縁層１２の一層だけであるために、半導体基体９のそ
りを大幅に低減することができ、また絶縁層の界面での
反射がないので光電変換効率が向上する。さらに、第１
図、第２図に示すように、別途に遮光層３を形成する必
要がなく、製造が簡単となる。
絶縁層１２の一層だけであるために、半導体基体９のそ
りを大幅に低減することができ、また絶縁層の界面での
反射がないので光電変換効率が向上する。さらに、第１
図、第２図に示すように、別途に遮光層３を形成する必
要がなく、製造が簡単となる。
また、カラー用の光電変換装置とするためには、受光部
８にカラーフィルタ材を１周辺部に遮光かつ反射防止機
能を有する層を同様の工程で形成すればよい。
８にカラーフィルタ材を１周辺部に遮光かつ反射防止機
能を有する層を同様の工程で形成すればよい。
また、第２および第３実施例では、最外殻表面に反射防
止層１３および１５が形成されているために、表面での
全反射を実質的に完全に防止することができる。
止層１３および１５が形成されているために、表面での
全反射を実質的に完全に防止することができる。
上記各実施例の半導体チップ４を例えばセラミックパッ
ケージ又はクリアモールドパッケージに格納した場合、
第６図及び第７図に示す例の場合のように不要な光束２
が入射しても、反射防止層１３又は１５によって吸収さ
れて、反射防止がなされ、受光素子１０へ到達しない。
ケージ又はクリアモールドパッケージに格納した場合、
第６図及び第７図に示す例の場合のように不要な光束２
が入射しても、反射防止層１３又は１５によって吸収さ
れて、反射防止がなされ、受光素子１０へ到達しない。
次に、上記各実施例の半導体チップの製造方法について
説明する。
説明する。
まず、各実施例で共通な工程は、半導体基体９に受光素
子１０を形成する工程、ＳｉＯ２層１１を形成する工程
、配線形成工程および層間絶縁層１２を形成する工程で
ある。
子１０を形成する工程、ＳｉＯ２層１１を形成する工程
、配線形成工程および層間絶縁層１２を形成する工程で
ある。
上記配線形成工程では、ＳｉＯ２層１１上にスパッタリ
ング法によりＡ見又はＡｌ１−３ｉを厚さ０．７〜１．
２層ｍ堆桔させ、パターニングして配線を形成する。
ング法によりＡ見又はＡｌ１−３ｉを厚さ０．７〜１．
２層ｍ堆桔させ、パターニングして配線を形成する。
居間絶縁層１２は窒化シリコン又は５ｉｏ２等の絶縁性
の良好な材料で形成される。窒化シリコンの場合は、プ
ラズマＣＶＤ法により１例えば（Ｓ ｉ Ｈ４＋ＮＨ３
）の混合反応ガスを用い１層形成部度３００〜４００℃
とし、その他の条件を適宜所望に従って設定することに
よって、屈折率ｎｆ＝２．０１±０．０５（７）層とし
て形成する。
の良好な材料で形成される。窒化シリコンの場合は、プ
ラズマＣＶＤ法により１例えば（Ｓ ｉ Ｈ４＋ＮＨ３
）の混合反応ガスを用い１層形成部度３００〜４００℃
とし、その他の条件を適宜所望に従って設定することに
よって、屈折率ｎｆ＝２．０１±０．０５（７）層とし
て形成する。
その際の層の厚さは４０００〜１２０００人が望ましい
ものである。
ものである。
また１次に述べるＣＶＤ法による厚さ３００〜２０００
人のＳｉＯ２層を上記の窒化シリコン層の下に設けても
良い。
人のＳｉＯ２層を上記の窒化シリコン層の下に設けても
良い。
ＳｉＯ２層の場合は、ＣＶＤ法により、例えば（Ｓ ｉ
Ｈ４＋０２ ）の反応ガスを用い、層形成温度３５０
〜４５０℃の条件で、層厚６０００〜１２０００人に形
成する。
Ｈ４＋０２ ）の反応ガスを用い、層形成温度３５０
〜４５０℃の条件で、層厚６０００〜１２０００人に形
成する。
また、第１および第２実施例において、絶縁層１４は層
間絶縁層１２と同様の条件および厚さで形成されて良い
、遮光層３は、厚さ１５００Å以上のＡｎ又はＡＪｌ−
５ｉ等の遮光性のある物質をスパッタリング法又は電子
ビーム黒着法によって堆積して層形成し、次いでパター
ニングにより受光部８を除去することで形成される。
間絶縁層１２と同様の条件および厚さで形成されて良い
、遮光層３は、厚さ１５００Å以上のＡｎ又はＡＪｌ−
５ｉ等の遮光性のある物質をスパッタリング法又は電子
ビーム黒着法によって堆積して層形成し、次いでパター
ニングにより受光部８を除去することで形成される。
次に１反射防止層１３および１５について具体的に説明
する。
する。
反射防止層は反射率が望ましく５％以下、より望ましく
は１％以下と十分に小さく、しかもパターニングが容易
である層として形成するのが良い、特に光によってパタ
ーニングできる層として材料を選択して形成するのが望
ましい。
は１％以下と十分に小さく、しかもパターニングが容易
である層として形成するのが良い、特に光によってパタ
ーニングできる層として材料を選択して形成するのが望
ましい。
そのような望ましい場合としての具体例を以下に示す。
（１）感光性樹脂を使用する場合
（ａ）黒い感光性樹脂は反射率が小さく、光によるパタ
ーニングができるために、反射防止層を形成する材料と
して使用できる。
ーニングができるために、反射防止層を形成する材料と
して使用できる。
このような感光性樹脂としては、例えばデュポン社の商
品Ｎｏ、ＰＩ２７０２，２７０３がある。
品Ｎｏ、ＰＩ２７０２，２７０３がある。
（ｂ）また、以下の顔料あるいは染料をＰＩＱ（感光性
ポリイミド、日立化成商品名）等の感光性樹脂に混ぜた
ものを反射防止層形成材料として使用することもできる
。
ポリイミド、日立化成商品名）等の感光性樹脂に混ぜた
ものを反射防止層形成材料として使用することもできる
。
使用するに好ましい有機顔料どしては、溶性アゾ系、不
溶性アゾ系、縮合アゾ系等のアゾ系顔料をはじめ、フタ
ロシアニン系顔料、そしてインジゴ系、アントラキノン
系、ペリレン系、ペリノン系、ジオキサジン系、キナク
リドン系、イソインドリノン系、フタロン系、メチン・
アゾメチン系、その他金属錯体系を含む縮合多環系顔料
から１種あるいは２種以上のものを混合したものを挙げ
ることができる。
溶性アゾ系、縮合アゾ系等のアゾ系顔料をはじめ、フタ
ロシアニン系顔料、そしてインジゴ系、アントラキノン
系、ペリレン系、ペリノン系、ジオキサジン系、キナク
リドン系、イソインドリノン系、フタロン系、メチン・
アゾメチン系、その他金属錯体系を含む縮合多環系顔料
から１種あるいは２種以上のものを混合したものを挙げ
ることができる。
また、カーボンブラック、鉄黒、黒鉛あるいは銅クロム
系、銅、鉄、マンガン系の複合酸化物黒顔料等の無機顔
料も好ましい。
系、銅、鉄、マンガン系の複合酸化物黒顔料等の無機顔
料も好ましい。
染料としては、アゾ、アントラキノン、フタロシアニン
、カルボニウム、キノニミン、メチン、ベンゾキノンお
よびナフトキメンなど種々の系の染料から１種あるいは
２．３種以りのものを混合したもの、等がある。
、カルボニウム、キノニミン、メチン、ベンゾキノンお
よびナフトキメンなど種々の系の染料から１種あるいは
２．３種以りのものを混合したもの、等がある。
第２図に示す実施例の半導体チップ４を例にとると、絶
縁層１４を形成した後、上記（ａ）または（ｂ）の組成
の感光性樹脂材料をスピンコータによって全面に塗布し
、遮光層３と同一マスクを用いて紫外線により感光させ
る。そして、現像、リンス工程により反射防止層１３を
形成する０層厚は１０００〜１００００人とするのが望
ましいものである。
縁層１４を形成した後、上記（ａ）または（ｂ）の組成
の感光性樹脂材料をスピンコータによって全面に塗布し
、遮光層３と同一マスクを用いて紫外線により感光させ
る。そして、現像、リンス工程により反射防止層１３を
形成する０層厚は１０００〜１００００人とするのが望
ましいものである。
なお、上記感光性樹脂材料は、黒色であるために遮光効
果もあり、第３実施例の反射防止層１５の形成材料とし
ても使用できる。
果もあり、第３実施例の反射防止層１５の形成材料とし
ても使用できる。
（２）耐熱性バインダ系を用いる場合
上記顔料又は染料をＯＣＤ （東京応化商品名、ＳｉＯ
２をエタノール中でパインディングしたもので、濃度１
０％以下のもの）に混合した混合物を用いる。このよう
な反射防止層形成材料は第１〜第３実施例の反射防止層
の形成に使用可能である。
２をエタノール中でパインディングしたもので、濃度１
０％以下のもの）に混合した混合物を用いる。このよう
な反射防止層形成材料は第１〜第３実施例の反射防止層
の形成に使用可能である。
具体的には、まず、上記混合物を例えばスピンコータで
全面に塗布し、約１００〜２００℃、Ｎ２雰囲気中でベ
ーキングすることで、顔料又は染料が含有された無機シ
リカフィルムを形成する。
全面に塗布し、約１００〜２００℃、Ｎ２雰囲気中でベ
ーキングすることで、顔料又は染料が含有された無機シ
リカフィルムを形成する。
続いて、遮光層３と同一マスクを用い、上記無機シリカ
フィルムを写真蝕刻技術によりパターニングし、反射防
止層１３又は１５を形成する。
フィルムを写真蝕刻技術によりパターニングし、反射防
止層１３又は１５を形成する。
無機シリカフィルムは耐熱性を有するために、第１実施
例において絶縁層１４の前工程で形成することができる
。
例において絶縁層１４の前工程で形成することができる
。
なお、ポリアミド等の耐熱性樹脂に上記顔料又は染料を
混合しても、同様にして反射防止膜を形成することがで
きる。
混合しても、同様にして反射防止膜を形成することがで
きる。
（３）無機質膜を用いる場合
ＰｂＳ、ＳｎＳ、ｃｕｓ、Ｆｅｄ、ＣｕＯ等の無機材料
からなる低反射性無機質膜を真空堆積法により形成し、
パターニングすることで、反射防止層１３又は１５を形
成できる。
からなる低反射性無機質膜を真空堆積法により形成し、
パターニングすることで、反射防止層１３又は１５を形
成できる。
またＴｉあるいはＴｉ化合物の膜を形成し、その膜を酸
素流量５〜２００ ｃ ｃ／ｍ ｉ ｎ、圧力０ 〜３
、 ＯＴｏ ｒ ｒ、放電パワー１００〜ＩＫＷのプ
ラズマ中に放置して処理することで、細かい凹凸のある
黒色反射防止層１３又は１５を形成することができる。
素流量５〜２００ ｃ ｃ／ｍ ｉ ｎ、圧力０ 〜３
、 ＯＴｏ ｒ ｒ、放電パワー１００〜ＩＫＷのプ
ラズマ中に放置して処理することで、細かい凹凸のある
黒色反射防止層１３又は１５を形成することができる。
また、特公昭６０−４７５６１号公報に記載されている
ように、干渉効果により反射率を低減させる方法もある
。材料としては、Ｓｆ、Ｔｉ０１Ｇｅ、Ｃｒ、Ｔｉ等を
特公昭８０−４７５６１号公報に基づいた膜厚に堆積す
ると良い結果が得られる。
ように、干渉効果により反射率を低減させる方法もある
。材料としては、Ｓｆ、Ｔｉ０１Ｇｅ、Ｃｒ、Ｔｉ等を
特公昭８０−４７５６１号公報に基づいた膜厚に堆積す
ると良い結果が得られる。
なお、本発明は、上記各実施例のように反射防止層を設
けた半導体チップ４のような形態に限定されない０次に
示すように、反射防止層をパッケージ側に形成しても同
様の効果を得ることができる。
けた半導体チップ４のような形態に限定されない０次に
示すように、反射防止層をパッケージ側に形成しても同
様の効果を得ることができる。
第４図および第５図は、各々本発明の第４および第５実
施例の概略的構成図である。
施例の概略的構成図である。
第４図に示す第４実施例では、セラミックパッケージ６
の透明板状体であるカバーガラス５の内側（半導体チッ
プ４側）に、反射防止層１６が形成されている０反射防
止層１６はカバーガラス５の全面に形成される必要はな
い、少なくとも受光部８の周辺に形成されて全反射して
侵入してきた光２を効果的に吸収して結果的に反射防止
できればよい（第６図参照）、もちろん、この透明板状
体はアクリル樹脂等の透明樹脂で形成してもよい。
の透明板状体であるカバーガラス５の内側（半導体チッ
プ４側）に、反射防止層１６が形成されている０反射防
止層１６はカバーガラス５の全面に形成される必要はな
い、少なくとも受光部８の周辺に形成されて全反射して
侵入してきた光２を効果的に吸収して結果的に反射防止
できればよい（第６図参照）、もちろん、この透明板状
体はアクリル樹脂等の透明樹脂で形成してもよい。
第５図に示す第５実施例では、クリアモールドパッケー
ジ７の上面に反射防止層１７を第４図の場合と同様に形
成することで、不要な光を吸収することができる（第７
図参照）。
ジ７の上面に反射防止層１７を第４図の場合と同様に形
成することで、不要な光を吸収することができる（第７
図参照）。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明による光電変換装置
は、受光部の少なくとも周辺部に反射防止部を設けるこ
とで、不要な光束が入射しても受光部に至るまでに吸収
することができ、光電変換動作への影響を阻止すること
ができる。
は、受光部の少なくとも周辺部に反射防止部を設けるこ
とで、不要な光束が入射しても受光部に至るまでに吸収
することができ、光電変換動作への影響を阻止すること
ができる。
このために、受光窓以外からの光の侵入による光電変換
素子の誤動作や出力の変動をなくすことができ、出力の
雑音指数を減少させ、光電変換装置としての信頼性を向
上させることができる。
素子の誤動作や出力の変動をなくすことができ、出力の
雑音指数を減少させ、光電変換装置としての信頼性を向
上させることができる。
第１図〜第３図は、各々本発明による光電変換装置の第
１〜第３実施例における半導体チップの要部の概略的構
成図である。 第４図および第５図は、各々本発明の第４および第５実
施例の概略的構成図である。 第６図および第７図は、各々本発明に関連する背景技術
の光電変換装置の第１例および第２例の概略的構成図で
ある。 １・φ・本来の光 ２拳・・受光窓以外から入射した光 ３・・拳遮光層 ４・・・半導体チップ ５・・φカバーガラス ６・・・セラミックパッケージ ７−・拳りリアモールドパッケージ ９・−・半導体基体 １０・・・受光素子 １２−・・層間絶縁層 １４・φ・絶縁層 １３．１５〜１７・・０反射防止層 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７ 図
１〜第３実施例における半導体チップの要部の概略的構
成図である。 第４図および第５図は、各々本発明の第４および第５実
施例の概略的構成図である。 第６図および第７図は、各々本発明に関連する背景技術
の光電変換装置の第１例および第２例の概略的構成図で
ある。 １・φ・本来の光 ２拳・・受光窓以外から入射した光 ３・・拳遮光層 ４・・・半導体チップ ５・・φカバーガラス ６・・・セラミックパッケージ ７−・拳りリアモールドパッケージ ９・−・半導体基体 １０・・・受光素子 １２−・・層間絶縁層 １４・φ・絶縁層 １３．１５〜１７・・０反射防止層 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７ 図
Claims (52)
- （１）受光部の少なくとも周辺部に反射防止部を設けた
ことを特徴とする光電変換装置。 - （２）第１項記載の光電変換装置において、前記反射防
止部は樹脂材料を利用して形成される光電変換装置。 - （３）第１項記載の光電変換装置において、前記反射防
止部は、無機質層である光電変換装置。 - （４）第１項記載の光電変換装置において、前記反射防
止部は反射率が５％以下とされている光電変換装置。 - （５）第１項記載の光電変換装置において、前記受光部
周囲には前記反射防止部とは別に前記受光部への不要な
光入射を防止するための遮光層が設けられている光電変
換装置。 - （６）第１項記載の光電変換装置において、前記反射防
止部は、前記受光部への不要な光入射を防止するための
遮光層を兼ねている光電変換装置。 - （７）第２項記載の光電変換装置において、前記樹脂材
料は感光性樹脂である光電変換装置。 - （８）第２項記載の光電変換装置において、前記樹脂材
料は顔料が混合されている光電変換装置。 - （９）第２項記載の光電変換装置において、前記樹脂材
料には染料が混合されている光電変換装置。 - （１０）第２項記載の光電変換装置において、前記樹脂
材料にはＳｉＯ＿２が含有されている光電変換装置。 - （１１）第２項記載の光電変換装置において、前記樹脂
材料がポリアミドである光電変換装置。 - （１２）第３項記載の光電変換装置において、前記無機
質層は、ＰｂＳ、ＳｎＳ、ＣｕＳ、ＦｅＯ、ＣｕＯ、Ｔ
ｉ、ＴｉＯ、Ｔｉ化合物、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｒから選ばれ
た材料を有する光電変換装置。 - （１３）第５項記載の光電変換装置において、前記遮光
層と前記反射防止部との間に絶縁層が設けられている光
電変換装置。 - （１４）第５項記載の光電変換装置において、前記遮光
層と前記反射防止部とは実質的に同一形状である光電変
換装置。 - （１５）第７項記載の光電変換装置において、前記感光
性樹脂は感光性ポリアミドである光電変換装置。 - （１６）第８項記載の光電変換装置において、前記顔料
は有機顔料又は無機顔料である光電変換装置 - （１７）第９項記載の光電変換装置において、前記染料
は、アゾ、アントラキノン、フタロシアニン、カルボニ
ウム、キノニミン、メチン、ベンゾキノン及びナフトキ
ノンから少なくとも一種選ばれる光電変換装置。 - （１８）第１４項記載の光電変換装置において、前記遮
光層と前記反射防止部は接して設けられている光電変換
装置。 - （１９）第１６項記載の光電変換装置において、前記有
機顔料は、アゾ系、フタロシアニン系、インジゴ系、ア
ントラキノン系、ペリレン系、ペリノン系、ジオキサジ
ン系、キナクリドン系、イソインドリノン系、フタロン
系、メチン・アゾメチン系、金属錯体系を含む縮合多環
系の顔料から少なくとも一種選ばれる光電変換装置。 - （２０）第１６項記載の光電変換装置において、前記無
機顔料は、カーボンブラック、鉄黒、黒鉛、銅クロム系
、銅、鉄、マンガン系の複合酸化物黒顔料から少なくと
も一種選ばれる光電変換装置。 - （２１）半導体基体に設けられた光電変換素子と該光電
変換素子への光入射側に設けられた透明板状体を備えた
パッケージング化光電変換装置において、 前記透明板状体の前記光電変換素子の受光部と対向する
領域部分の少なくとも周辺部分に反射防止部を設けたこ
とを特徴とする光電変換装置。 - （２２）第２１項記載の光電変換装置において、前記透
明板状体はガラス又は樹脂から選ばれる材料からなる光
電変換装置。 - （２３）第２１項記載の光電変換装置において、前記反
射防止部は樹脂材料を利用して形成されている光電変換
装置。 - （２４）第２１項記載の光電変換装置において、前記反
射防止部は無機質層である光電変換装置。 - （２５）第２１項記載の光電変換装置において、前記反
射防止部は反射率が５％以下とされている光電変換装置
。 - （２６）第２３項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料は感光性樹脂である光電変換装置。 - （２７）第２３項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料は顔料が混合されている光電変換装置。 - （２８）第２３項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料には染料が混合されている光電変換装置。 - （２９）第２３項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料にはＳｉＯ＿２が含有されている光電変換装置。 - （３０）第２３項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料がポリアミドである光電変換装置。 - （３１）第２４項記載の光電変換装置において、前記無
機質層は、ＰｂＳ、ＳｎＳ、ＣｕＳ、ＦｅＯ、ＣｕＯ、
Ｔｉ、ＴｉＯ、Ｔｉ化合物、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｒから選ば
れた材料を有する光電変換装置。 - （３２）第２６項記載の光電変換装置において、前記感
光性樹脂が感光性ポリアミドである光電変換装置。 - （３３）第２７項記載の光電変換装置において、前記顔
料は有機顔料又は無機顔料から選ばれた顔料である光電
変換装置。 - （３４）第２８項記載の光電変換装置において、前記染
料は、アゾ、アントラキノン、フタロシアニン、カルボ
ニウム、キノニミン、メチン、ベンゾキノン及びナフト
キノンから少なくとも一種選ばれる光電変換装置。 - （３５）第３３項記載の光電変換装置において、前記有
機顔料は、アゾ系、フタロシアニン系、インジゴ系、ア
ントラキノン系、ペリレン系、ペリノン系、ジオキサジ
ン系、キナクリドン系、イソインドリノン系、フタロン
系、メチン・アゾメチン系、金属錯体系を含む縮合多環
系の顔料から少なくとも一種選ばれる光電変換装置。 - （３６）第３３項記載の光電変換装置において、前記無
機顔料は、カーボンブラック、鉄黒、黒鉛、銅クロム系
、銅、鉄、マンガン系の複合酸化物黒顔料から少なくと
も一種選ばれる光電変換装置。 - （３７）光電変換素子を樹脂封止してなる光電変換装置
において、 少なくとも前記光電変換素子の受光部の周囲に反射防止
部が設けれていることを特徴とする光電変換装置。 - （３８）第３７項記載の光電変換装置において、前記反
射防止部は前記光電変換素子を封止する樹脂表面に設け
られている光電変換装置。 - （３９）第３７項記載の光電変換装置において、前記反
射防止部は樹脂材料を利用して形成される光電変換装置
。 - （４０）第３７項記載の光電変換装置において、前記反
射防止部は、無機質層である光電変換装置。 - （４１）第３７項記載の光電変換装置において、前記反
射防止部は反射率が５％以下とされている光電変換装置
。 - （４２）第３９項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料は感光性樹脂である光電変換装置。 - （４３）第３９項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料は顔料が混合されている光電変換装置。 - （４４）第３９項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料には染料が混合されている光電変換装置。 - （４５）第３９項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料にはＳｉＯ＿２が含有されている光電変換装置。 - （４６）第３９項記載の光電変換装置において、前記樹
脂材料がポリアミドである光電変換装置。 - （４７）第４０項記載の光電変換装置において、前記無
機質層は、ＰｂＳ、ＳｎＳ、ＣｕＳ、ＦｅＯ、ＣｕＯ、
Ｔｉ、ＴｉＯ、Ｔｉ化合物、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｒから選ば
れた材料を有する光電変換装置。 - （４８）第４２項記載の光電変換装置において、前記感
光性樹脂は感光性ポリアミドである光電変換装置。 - （４９）第４３項記載の光電変換装置において、前記顔
料は有機顔料又は無機顔料である光電変換装置。 - （５０）第４４項記載の光電変換装置において、前記染
料は、アゾ、アントラキノン、フタロシアニン、カルボ
ニウム、キノニミン、メチン、ベンゾキノン及びナフト
キノンから少なくとも一種選ばれる光電変換装置。 - （５１）第４９項記載の光電変換装置において、前記有
機顔料は、アゾ系、フタロシアニン系、インジゴ系、ア
ントラキノン系、ペリレン系、ペリノン系、ジオキサジ
ン系、キナクリドン系、イソインドリノン系、フタロン
系、メチン・アゾメチン系、金属錯体系を含む縮合多環
系の顔料から少なくとも一種選ばれる光電変換装置。 - （５２）第４９項記載の光電変換装置において、前記無
機顔料は、カーボンブラック、鉄黒、黒鉛、銅クロム系
、銅、鉄、マンガン系の複合酸化物黒顔料から少なくと
も一種選ばれる光電変換装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221252A JPH01164073A (ja) | 1987-09-11 | 1988-09-06 | 光電変換装置 |
| US07/241,861 US5081347A (en) | 1987-09-11 | 1988-09-08 | Photoelectric converting apparatus with reflection-prevention section |
| DE3854143T DE3854143T2 (de) | 1987-09-11 | 1988-09-09 | Bauelement zur photoelektrischen Verwandlung. |
| EP88308363A EP0307233B1 (en) | 1987-09-11 | 1988-09-09 | Photoelectric converting apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22671087 | 1987-09-11 | ||
| JP62-226710 | 1987-09-11 | ||
| JP63221252A JPH01164073A (ja) | 1987-09-11 | 1988-09-06 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01164073A true JPH01164073A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=26524186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63221252A Pending JPH01164073A (ja) | 1987-09-11 | 1988-09-06 | 光電変換装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5081347A (ja) |
| EP (1) | EP0307233B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01164073A (ja) |
| DE (1) | DE3854143T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04127578A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Nec Corp | 光半導体素子のパッケージ |
| JP2014110264A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP2015207638A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3118016B2 (ja) * | 1990-07-06 | 2000-12-18 | 株式会社リコー | 画像読み取り装置 |
| FR2680245B1 (fr) * | 1991-08-06 | 1994-03-25 | Fabrication Instruments Mesure | Detecteur photoelectrique a transfert de charges a qualite d'image amelioree. |
| EP0557891A1 (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contact-type image sensor for generating electric signals corresponding to an image formed on a document |
| US5529936A (en) * | 1992-09-30 | 1996-06-25 | Lsi Logic Corporation | Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor |
| US5519205A (en) * | 1992-09-30 | 1996-05-21 | Lsi Logic Corporation | Color electronic camera including photosensor array having binary diffractive lens elements |
| US5340978A (en) * | 1992-09-30 | 1994-08-23 | Lsi Logic Corporation | Image-sensing display panels with LCD display panel and photosensitive element array |
| KR0137190B1 (ko) * | 1992-12-03 | 1998-04-28 | 모리시타 요이찌 | 완전밀착형이미지센서 및 완전밀착형이미지센서유닛 |
| US5734155A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-31 | Lsi Logic Corporation | Photo-sensitive semiconductor integrated circuit substrate and systems containing the same |
| JP3507251B2 (ja) | 1995-09-01 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 光センサｉｃパッケージおよびその組立方法 |
| JP3719811B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2005-11-24 | ソマール株式会社 | 反射防止フィルム |
| JP3180748B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| US6169317B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and image sensor |
| US6784409B2 (en) | 2000-03-28 | 2004-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same |
| US6653617B2 (en) | 2000-07-03 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
| JP2002305261A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-10-18 | Canon Inc | 電子部品及びその製造方法 |
| US6974517B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-12-13 | Raytheon Company | Lid with window hermetically sealed to frame, and a method of making it |
| US6745449B2 (en) * | 2001-11-06 | 2004-06-08 | Raytheon Company | Method and apparatus for making a lid with an optically transmissive window |
| US6988338B1 (en) | 2002-10-10 | 2006-01-24 | Raytheon Company | Lid with a thermally protected window |
| TW200952142A (en) * | 2008-06-13 | 2009-12-16 | Phoenix Prec Technology Corp | Package substrate having embedded semiconductor chip and fabrication method thereof |
| JP5948007B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2016-07-06 | セイコーエプソン株式会社 | 分光センサー及び分光フィルター |
| JP6039962B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2016-12-07 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用カバーガラス |
| EP2814064B1 (en) * | 2013-06-10 | 2020-11-25 | Nxp B.V. | Integrated sensor chip package with directional light sensor, apparatus including such a package and method of manufacturing such an integrated sensor chip package |
| MA55003A (fr) * | 2019-02-20 | 2021-12-29 | Saint Gobain | Vitre feuilletée à capteur de luminosité intégré |
| EP4213219A1 (en) * | 2022-01-18 | 2023-07-19 | First Sensor AG | Photosensitive element and optoelectronic component |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5598875A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor device with photocell |
| JPS55146967A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor ic device |
| JPS5624969A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-10 | Canon Inc | Semiconductor integrated circuit element |
| JPS6047561A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 画像読取装置 |
| JPS62269367A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子 |
| JPS63240078A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 受光型半導体装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3763372A (en) * | 1967-07-13 | 1973-10-02 | Inventors & Investors Inc | Zone plate optics monolithically integrated with photoelectric elements |
| JPS57132155A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Canon Inc | Photoelectric transducer |
| JPS58168017A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPS61220460A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6175562A (ja) * | 1985-08-28 | 1986-04-17 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JPS62201325A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-09-05 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
| JPS62256479A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
| DE3617229C2 (de) * | 1986-05-22 | 1997-04-30 | Aeg Infrarot Module Gmbh | Strahlungsdetektor |
| US4827118A (en) * | 1986-07-10 | 1989-05-02 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Light-sensitive device having color filter and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-09-06 JP JP63221252A patent/JPH01164073A/ja active Pending
- 1988-09-08 US US07/241,861 patent/US5081347A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-09 EP EP88308363A patent/EP0307233B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-09 DE DE3854143T patent/DE3854143T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5598875A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor device with photocell |
| JPS55146967A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor ic device |
| JPS5624969A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-10 | Canon Inc | Semiconductor integrated circuit element |
| JPS6047561A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 画像読取装置 |
| JPS62269367A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子 |
| JPS63240078A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 受光型半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04127578A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Nec Corp | 光半導体素子のパッケージ |
| JP2014110264A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP2015207638A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3854143T2 (de) | 1995-11-30 |
| EP0307233B1 (en) | 1995-07-12 |
| EP0307233A3 (en) | 1990-03-21 |
| EP0307233A2 (en) | 1989-03-15 |
| DE3854143D1 (de) | 1995-08-17 |
| US5081347A (en) | 1992-01-14 |
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