JPH04127578A - 光半導体素子のパッケージ - Google Patents

光半導体素子のパッケージ

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Publication number
JPH04127578A
JPH04127578A JP2249159A JP24915990A JPH04127578A JP H04127578 A JPH04127578 A JP H04127578A JP 2249159 A JP2249159 A JP 2249159A JP 24915990 A JP24915990 A JP 24915990A JP H04127578 A JPH04127578 A JP H04127578A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
semiconductor element
plane
light rays
emitted
Prior art date
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Pending
Application number
JP2249159A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Ono
浩 大野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2249159A priority Critical patent/JPH04127578A/ja
Publication of JPH04127578A publication Critical patent/JPH04127578A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信及び光情報処理、光計測等に用いられる
光デバイスに関し、特に光半導体素子のパッケージに関
する。
〔従来の技術〕
従来の光半導体素子のパッケージは、第4図に示す様に
、封止ガラス33で気密封止された円筒形の気密パッケ
ージ32の中に光半導体素子1が実装されており、電極
端子34と接続されていた。光半導体素子1の出射光6
は、封止ガラス33を透過し、気密パッケージ32の同
軸方向へのみ出射するようになっており、従って出射光
6の方向を変えるためには、気密パッケージ32の外部
に別途に反射板等を設ける必要があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の光半導体素子のパッケージは、封止ガラ
スで気密封止された円筒形の気密パッケージの中に光半
導体素子が実装されており、出射光は円筒形パッケージ
の中心軸方向へのみ出射される構造となっていた。この
ため、所望の方向へ光を出射させるなめには、パッケー
ジを所望の方向へ向けて実装させねばならず、また円筒
形のパッケージのため、実装する際にはパッケージ保持
部材が必要であった。また、小型化が困難であり、用途
が限られている、などの欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の光半導体素子のパッケージは、光半導体素子と
、中央部に設けた凹型段差内に前記光半導体素子を収納
実装し且つ側部に前記光半導体素子と接続する電極を形
成した平面板と、透明体からなるブロック状をなし上面
を所定角度で斜めにカットして反射面を形成し且つ前記
光半導体素子を覆うごとく前記平面板上に搭載して前記
反射面が前記光半導体素子に向くように配置したとき、
前記光半導体素子からの光を前記反射面にて所定方向に
反射させる透明ブロックとを備えている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図及び第2図は本発明の一実施例の斜視図及び断面
図、第3図は本実施例の応用例を示す断面図である。
本実施例は平面板2の中央部分の凹型段差部分に光半導
体素子1が実装されている。このとき、光半導体素子1
は平面板2より突き出ない様になっている。この光半導
体素子1を覆うように、ガラスブロック4が平面板2の
上に搭載されている。ガラスブロック4の上平面は45
°傾斜してカットされており、ガラスブロック4内部に
て光が反射する様に、外側からミラーコーティング5が
なされている。一方、平面板2の上面には光半導体素子
1に給電するための電極及び電極端子3が設けられてい
る。
平面板2の材質はセラミックであるため、ガラスブロッ
ク4との熱膨張率が極めて近く、耐環境性にすぐれてい
る。また、平面板2の厚さは約2mmである。ガラスブ
ロック4の固定には低融点ガラスを使用しており、使用
環境温度範囲0〜70℃に於ける経時的劣化は極めて少
ない。ガラスブロック4の形状については、本実施例で
は直方体の一平面を45°に傾斜させた形となっている
が、この形に限定されるものではない。また、平面板2
の形状についても同様である。
第2図に示すように本実施例では、光半導体素子1より
平面板2の垂直方向へ出射された出射光6は、ガラスブ
ロック4の中へ入射し、ミラーコーティング部分5で全
反射し、90°方向を変えてガラスブロック4の外へ出
射する。ここでガラスブロック4のミラーコーティング
部分5の傾斜角度を変えることにより、出射方向を任意
に設定することが可能である。また、ミラーコーティン
グ部分5の反射率を50%にする事により、出射光6を
2方向に分岐することも可能である。
第3図に本実施例を多層プリント板8に実装した応用例
を示す、多層プリント板8には電気信号を伝達するパタ
ーンの他に、光信号を伝達する光ファイバ7が内層に張
りめぐらされる。多層プリント板8の一角には穴8a、
8bがおいており、穴の断面には光ファイバ7の端面が
出ており、その端面は十分に研磨されている。多層プリ
ント板8の材質は変形しにくい材質、例えばセラミック
で作られている。
本実施例の光半導体素子のパッケージは、多層プリント
板8の一角にあけられた穴8aの部分にガラスブロック
4を挿入し、ガラスブロック4の内部で90°方向を変
えられた光半導体発光素子11の出射光が、光ファイバ
7の端面に結合する様に位置調整されて、固定されてい
る。一方、多層プリント板8には他の一角にも穴8bが
あけられており、穴の断面には光ファイバ7のもう片方
の端面が出ており、同様に十分研磨されている。
そして同様に本実施例の光半導体素子のパッケージが実
装されていて、このパッケージ内部には光半導体受光素
子21が実装されている。
光半導体発光素子11より出射された光は、ガラスブロ
ック4へ入射し、光ファイバ7へ結合される。そして多
層プリント板8の内部を伝達して、光半導体受光素子2
1へ入射する。これにより、多層プリント板8上の重要
な信号の伝達を光で行うことが可能となる。また、光半
導体発光素子11及び光半導体受光素子21の電極端子
3は、電気部品9とともに多層プリント板8上の電気団
路パターンに半田付されている。
以上の応用例は、従来の光通信において、光による信号
伝達を端局装置内部へとり込んだ例であり、今後の光通
信の発展に寄与するものである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、平面板の段差内に実装し
た光半導体素子を覆うように反射面を有する透明ブロッ
クを配置することにより、所定の方向へ光を出射出来る
ので、光の出射方向へパッケージ自体を向ける必要がな
く実装方法が簡単になる効果がある。また、平面板上に
光半導体素子が実装されているで、パッケージ保持部材
が必要なく、直接実装が可能である。また薄型であり、
小型であるため、高密度実装回路等に適用可能であると
いう効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の一実施例の斜視図及び断面
図、第3図は本実施例の応用例の断面図、第4図は従来
例を示す斜視図である。 ]・・・光半導体素子、2・・・平面板、3・・・電極
端子、4・・・ガラスブロック、5・・・ミラーコーテ
ィング部分、6・・・出射光、7・・・光ファイバ、8
・・・多層プリント板、9・・・電気部品、11・・・
光半導体発光素子、12・・・光半導体受光素子、32
・・・気密パッケージ、33・・・封止ガラス、34・
・・電極端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  光半導体素子と、中央部に設けた凹型段差内に前記光
    半導体素子を収納実装し且つ側部に前記光半導体素子と
    接続する電極を形成した平面板と、透明体からなるブロ
    ック状をなし上面を所定角度で斜めにカットして反射面
    を形成し且つ前記光半導体素子を覆うごとく前記平面板
    上に搭載して前記反射面が前記光半導体素子に向くよう
    に配置したとき、前記光半導体素子からの光を前記反射
    面にて所定方向に反射させる透明ブロックとを備えるこ
    とを特徴とする光半導体素子のパッケージ。
JP2249159A 1990-09-19 1990-09-19 光半導体素子のパッケージ Pending JPH04127578A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100459347B1 (ko) * 1998-04-16 2004-12-03 산요덴키가부시키가이샤 광 반도체 장치 및 이것을 실장한 광 반도체 모듈

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JPH01164073A (ja) * 1987-09-11 1989-06-28 Canon Inc 光電変換装置

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